專利名稱：超解析光盤母膜、光盤原膜及其工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種超解析光盤母膜、光盤原膜及其工藝，且特別是有關(guān)于一種能夠改善母膜(mother mold)表面粗糙以及母膜上光阻層預(yù)先曝光現(xiàn)象的超解析光盤母膜、光盤原膜及其工藝。
圖1為公知以激光直接聚焦于光阻層上的光盤母膜工藝示意圖。請參照圖1，公知光盤母膜的制作提供一基板100，于基板100上形成一光阻層102。接著再以激光束106透過物鏡104聚焦于光阻層102上，以使得光阻層102中的記錄區(qū)域108曝光。其中，所形成記錄區(qū)域108的尺寸會受限于物理繞射極限0.61λ/NA，λ為激光的波長，而NA為物鏡的數(shù)值孔徑(numerical aperture)因此若要提高母膜的記錄密度，則可以從使用短波長的激光以及使用高數(shù)值孔徑的物鏡兩方面進(jìn)行。
然而，目前所使用物鏡的數(shù)值孔徑約為0.9，而其最大值為1，故提高物鏡的數(shù)值孔徑已難有效地提升記錄密度。而目前所使用的激光的波長也無法再大幅度的縮短(目前激光光波長為364nm)，即使可以縮短激光的波長，也必須花費(fèi)大量的財力才能夠完成。此外，在使用較短波長的激光進(jìn)行曝光時，所選用的光阻層也需與激光的波長匹配，否則光阻層對激光的光感度會降低，仍然無法達(dá)到高分辨率的需求。由上述可知，不論是縮短激光的波長或是增加物鏡的數(shù)值孔徑對于記錄密度的增進(jìn)十分有限，因此若要有效的提升記錄密度就必須尋求其它途徑。
為了使得記錄區(qū)域的尺寸能夠突破光學(xué)繞射極限，各種光學(xué)近場記錄的方式相繼被提出。如近場探針記錄(near-field probe opticalrecording)技術(shù)的開發(fā)，其可記錄或讀取的訊坑(pit)大小約在40nm至80nm之間。另一方面，近場固態(tài)浸入式鏡頭(Solid Immersion Lens，SIL)可有效提升物鏡的等效數(shù)值孔徑，但是其必須使用飛行頭技術(shù)，且光學(xué)頭與記錄材料之間的工作距離必須小于半波長，如此將導(dǎo)致此技術(shù)很難應(yīng)用于光盤母膜的制作上。此外，由材料超解析(如熱致超解析法、表面等離子體超解析法)來突破光學(xué)繞射極限的方式也被提出。
圖2A為公知以熱致超解析法(thermal-induced super resolution)制作光盤母膜的示意圖。請參照圖2A，公知熱致超解析法提供一基板200，于基板200上形成一光阻層202。接著于光阻層202表面上形成一熱致超解析薄膜208。接著再以激光束206透過物鏡204聚焦于熱致超解析薄膜208上，激光束206照射于熱致超解析薄膜208后，熱致超解析薄膜208中照射區(qū)域210的溫度會呈現(xiàn)高斯分布而產(chǎn)生超解析效應(yīng)，進(jìn)而使得光阻層202上被曝光的記錄區(qū)域212尺寸小于激光束206的繞射極限。
圖3A為公知以表面等離子體超解析法(surface plasmon superresolution)制作光盤母板的示意圖。請參照圖3A，公知表面等離子體超解析法提供一基板300，于基板300上形成一光阻層302。接著于光阻層302表面上形成一表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)308，其中表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)308包含有一介電層308a、一表面等離子體超解析薄膜308b以及一介電層308c。接著再以激光束306透過物鏡304聚焦于表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)308上，激光束306照射于表面等離子體超解析薄膜308b后，表面等離子體超解析薄膜308b與介電層308c的界面處(interface)在適當(dāng)條件下會產(chǎn)生具有橫向與縱向分量的表面等離子體波。其中，由表面等離子體波310(如箭頭所繪示)可以獲得光學(xué)近場強(qiáng)度增強(qiáng)的效果，進(jìn)而使得光阻層302上被曝光的記錄區(qū)域312尺寸小于激光束306的繞射極限。
由上述可知，在不改變激光束206波長以及物鏡204數(shù)值孔徑的條件下，熱致超解析法以及表面等離子體超解析法能夠進(jìn)一步地將記錄密度往上提升。
圖3B以及圖2B為公知光盤母膜的光阻層上殘留薄膜微粒的示意圖。請同時參照圖2B以及圖3B，基板200(300)上的光阻層202(302)在經(jīng)過激光束曝光后，必須再以顯影、定影的方式將記錄區(qū)域212(312)形成于基板200(300)上。而在顯影、定影的前必須將熱致超解析薄膜208或是表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)308中的膜層完全移除，但是在移除的過程中常會殘留一些薄膜微粒214(314)在光阻層202(302)表面上，這些薄膜微粒214(314)會造成母膜表面粗糙。若再以此母膜進(jìn)行原膜(stamper)的制作時，原膜同樣會有表面粗糙的問題。
除了母膜表面粗糙的問題外，公知在制作熱致超解析薄膜208或是表面等離子體超解析薄膜308b時采用濺鍍的方式，然而濺鍍工藝中會有等離子體產(chǎn)生，此將導(dǎo)致光阻層202(302)預(yù)先曝光，進(jìn)而使得激光束在光阻層202(302)上寫上訊號的功能喪失或特性不佳。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在提出一種能夠改善母膜表面粗糙以及母膜上光阻層預(yù)先曝光現(xiàn)象的超解析光盤母膜工藝。
本發(fā)明的另一目的在提出一種能夠改善原膜表面粗糙的超解析光盤原膜工藝。
本發(fā)明的再一目的在提出一種具有平整表面的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)。此外，由表面平整的超解析光盤母膜可以制作出一具有平整表面的超解析光盤原膜。
為達(dá)本發(fā)明的上述目的，提出一種超解析光盤母膜工藝提供一基板，并形成一超解析結(jié)構(gòu)于基板上。接著形成一光阻層于超解析結(jié)構(gòu)上。然后，提供一物鏡以及一曝光光源，曝光光源透過物鏡而由基板側(cè)入射以對光阻層進(jìn)行曝光，其中曝光光源經(jīng)過超解析結(jié)構(gòu)而照射于光阻層上，以將多個記錄區(qū)域上的光阻層曝光。最后再移除記錄區(qū)域上的光阻層，以達(dá)到記錄數(shù)據(jù)的目的。
為達(dá)本發(fā)明的上述目的，提出一種超解析光盤原膜工藝提供一基板，并形成一超解析結(jié)構(gòu)于基板上。接著形成一光阻層于超解析結(jié)構(gòu)上。然后，提供一物鏡以及一曝光光源，曝光光源透過物鏡而由基板側(cè)入射以對光阻層進(jìn)行曝光，其中曝光光源經(jīng)過超解析結(jié)構(gòu)而照射于光阻層上，以將多個記錄區(qū)域上的光阻層曝光。接著再移除記錄區(qū)域上的光阻層以形成一光盤母膜。而在光盤母膜制作完成后，形成一金屬薄膜于光盤母膜的表面上，接著形成一電鑄層于金屬薄膜上，而電鑄層例如是以電鑄(electro-plating)的方式形成于光盤母板上。最后再將金屬薄膜與電鑄層由光盤母膜剝離，以制作出光盤原膜。
為達(dá)本發(fā)明的上述目的，提出一種超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)主要由一基板、一超解析結(jié)構(gòu)以及一圖案化的光阻層構(gòu)成。其中，超解析結(jié)構(gòu)配置于基板與圖案化光阻層之間。
本發(fā)明中，超解析結(jié)構(gòu)例如為一熱致超解析結(jié)構(gòu)，而熱致超解析結(jié)構(gòu)例如由第一介電層/熱致超解析薄膜/第二介電層所構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。其中，第一介電層配置于基板上，熱致超解析薄膜配置于第一介電層上，而第二介電層則配置于熱致超解析薄膜上。
本發(fā)明中的表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)例如第一介電層/熱致超解析薄膜所構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。其中，第一介電層配置于基板上，而熱致超解析薄膜配置于第一介電層上。
本發(fā)明中的熱致超解析結(jié)構(gòu)例如由熱致超解析薄膜/第二介電層所構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。其中，熱致超解析薄膜配置于基板上，而第二介電層則配置于熱致超解析薄膜上。
本發(fā)明中的熱致超解析結(jié)構(gòu)例如由熱致超解析薄膜所構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)。
上述熱致超解析薄膜的材質(zhì)例如為銀(Ag)、釩(V)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、銦(In)、鍗(Te)、銻(Sb)、鎵(Ga)、砷(As)、錫(Sn)或硒(Se)，而第一介電層、第二介電層的材質(zhì)例如為SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx等介電材質(zhì)。
本發(fā)明中，超解析結(jié)構(gòu)例如為一表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)，而表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)例如由第一介電層/表面等離子體超解析薄膜/第二介電層所構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。其中，第一介電層配置于基板上，表面等離子體超解析薄膜配置于第一介電層上，而第二介電層則配置于表面等離子體超解析薄膜上。
上述表面等離子體超解析薄膜的材質(zhì)例如為銀(Ag)、釩(V)或鋅(Zn)的氧化物，或是鎵(Ga)、鍺(Ge)、砷(As)、硒(Se)、銦(In)、錫(Sn)、銻(Sb)、碲，而第一介電層以及第二介電層的材質(zhì)例如為SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx等介電材質(zhì)。


圖1為公知以激光直接聚焦于光阻層上的光盤母膜工藝示意圖；圖2A為公知以熱致超解析法制作光盤母膜的示意圖；圖2B與圖3B為公知光盤母膜的光阻層上殘留薄膜微粒的示意圖；圖3A為公知以表面等離子體超解析法制作光盤母板的示意圖；圖4A至圖4D為依照本發(fā)明第一實施例以熱致超解析法制作光盤母膜的示意圖；圖5為依照本發(fā)明第一實施例以熱致超解析法所制作出的光盤母膜結(jié)構(gòu)示意圖；圖6至圖7為依照本發(fā)明第一實施例以熱致超解析法所制作出的光盤母膜進(jìn)行原膜(stamper)制作的示意圖；圖8為依照本發(fā)明第二實施例以表面等離子體超解析法制作光盤母板的示意圖；圖9為依照本發(fā)明第二實施例以表面等離子體超解析法所制作出的光盤母板結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖10至圖11為依照本發(fā)明第二實施例以表面等離子體超解析法所制作出的光盤母膜進(jìn)行原膜制作的示意圖。
附圖標(biāo)記說明100、200、300、400、500基板102、202、302、402、502光阻層104、204、304、404、504物鏡106、206、306激光束108、212、312、412、512記錄區(qū)域
208、408b熱致超解析薄膜210、410照射區(qū)域214、314薄膜微粒308、508表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)308a、408a、508a第一介電層308b、508b表面等離子體超解析薄膜308c、408c、508c第二介電層310、510表面等離子體波406、506曝光光源408熱致超解析結(jié)構(gòu)414、514金屬薄膜416、516電鑄層熱致超解析薄膜408b的材質(zhì)例如為銀(Ag)、釩(V)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、銦(In)、鍗(Te)、銻(Sb)、鎵(Ga)、砷(As)、錫(Sn)或硒(Se)。第一介電層408a與第二介電層408c的材質(zhì)例如為SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx等介電材質(zhì)。其中，熱致超解析薄膜408b例如由濺鍍工藝鍍制而成。
在熱致超解析結(jié)構(gòu)408制作完成后，形成一光阻層402于熱致超解析結(jié)構(gòu)408上，光阻層402例如為一正光阻或是一負(fù)光阻，而光阻層402例如以旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)的方式形成于熱致超解析結(jié)構(gòu)408上。本實施例與公知的差異在于熱致超解析結(jié)構(gòu)408與光阻層402的形成順序相反，由于本發(fā)明在鍍制熱致超解析薄膜408b后才形成光阻層402，如此的工藝順序?qū)⒖梢允沟霉庾鑼?02不受濺鍍工藝的影響，進(jìn)而有效避免光阻層402預(yù)先曝光的問題。
在光阻層402形成后，提供一物鏡404以及一曝光光源406。其中，曝光光源406透過物鏡404而由基板400側(cè)入射以對光阻層402進(jìn)行曝光。換言之，曝光光源406經(jīng)過熱致超解析結(jié)構(gòu)408而照射于光阻層402上，以將多個記錄區(qū)域412上的光阻層402曝光。
曝光光源406照射于熱致超解析薄膜408b后，熱致超解析薄膜408b中照射區(qū)域410的溫度會呈現(xiàn)高斯分布(Gaussian distribution)，即照射區(qū)域410的中央部份具有較高溫度，照射區(qū)域410的邊緣部份具有較低的溫度。照射區(qū)域410中具有較高溫度的中央部份允許曝光光源406通過，而照射區(qū)域410中具有較低溫度的邊緣部份并不允許曝光光源406通過，因此光阻層402上被曝光的記錄區(qū)域412尺寸將會小于曝光光源406的繞射極限，即所謂超解析效應(yīng)。
光阻層402曝光后，接著進(jìn)行顯影、定影的動作以將記錄區(qū)域412上的光阻層402移除，即可完成光盤母膜的制作。本實施例中，當(dāng)光盤母膜制作完成時，熱致超解析結(jié)構(gòu)408仍位于基板400與光阻層402間，并不需要作移除的動作，因此不會有公知光阻層202(圖2B)因移除不完全而導(dǎo)致表面粗糙的問題。
本實施例圖4A中的熱致超解析結(jié)構(gòu)408為第一介電層408a/熱致超解析薄膜408b/第二介電層408c構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)外，本實施例中的熱致超解析結(jié)構(gòu)408例如為僅包含有熱致超解析薄膜408b/第二介電層408c(圖4B)或是第一介電層408a/熱致超解析薄膜408b(圖4C)的兩層結(jié)構(gòu)。然而，除了上述三層或是雙層的熱致超解析結(jié)構(gòu)外，本實施例中的熱致超解析結(jié)構(gòu)480例如為僅具有熱致超解析薄膜408b的單層結(jié)構(gòu)。
圖5為依照本發(fā)明第一實施例以熱致超解析法所制作出的光盤母膜結(jié)構(gòu)示意圖。請參照圖5，本實施例的熱致超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)主要由一基板400、一熱致超解析結(jié)構(gòu)408以及一圖案化的光阻層402所構(gòu)成。對應(yīng)于圖4A來說，具有第一介電層408a、熱致超解析薄膜408b以及第二介電層408c的熱致超解析結(jié)構(gòu)408配置于基板400與圖案化光阻層402之間。光阻層402由于前述的曝光、顯影、定影工藝，會具有許多記錄區(qū)域412，而記錄區(qū)域412的大小將直接影響到光盤母膜的記錄容量。
圖6至圖7為依照本發(fā)明第一實施例以熱致超解析法所制作出的光盤母膜進(jìn)行原膜制作的示意圖。首先請參照圖6，在光盤母膜制作完成后，形成一金屬薄膜414于光盤母膜的表面上，金屬薄膜414例如與光盤母膜上的光阻層402共形(conformal)，接著再形成一電鑄層416于金屬薄膜414上，而電鑄層416例如是以電鑄的方式形成于光盤母板上。
接著請參照圖7，在金屬薄膜414以及電鑄層416制作完成后，接著將金屬薄膜414與電鑄層416所構(gòu)成的光盤原膜由光盤母膜的表面上剝離，即完成光盤原膜的制作。熟悉該項技術(shù)者應(yīng)知，利用光盤原膜可于射出機(jī)上復(fù)制出白片，以便后續(xù)光盤片的制造。第二實施例圖8為依照本發(fā)明第二實施例以表面等離子體超解析法制作光盤母板的示意圖。請參照圖8，本實施例的光盤母膜工藝提供一基板500，基板500例如為玻璃基板或是其它透光性好、硬度佳且不易變形的透明基板，而基板500的厚度例如介于0.2nm至1.2nm之間。接著形成一表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)508于基板500上，表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)508例如由一第一介電層508a、一表面等離子體超解析薄膜508b以及一第二介電層508c構(gòu)成。其中，第一介電層508a配置于基板500上，表面等離子體超解析薄膜508b配置于第一介電層508a上，而第二介電層508c則配置于表面等離子體超解析薄膜508b上。
表面等離子體超解析薄膜508b的材質(zhì)例如為銀(Ag)、釩(V)、鋅(Zn)的氧化物，或是鎵(Ga)、鍺(Ge)、砷(As)、硒(Se)、銦(In)、錫(Sn)、銻(Sb)、碲。第一介電層508a以及第二介電層508c的材質(zhì)例如為SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx等介電材質(zhì)。其中，表面等離子體超解析薄膜508b例如由濺鍍工藝鍍制而成。
在表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)508制作完成后，形成一光阻層502于表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)508上。光阻層502例如為一正光阻或是一負(fù)光阻，而光阻層502例如以旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成于表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)508上。本實施例與公知的差異在于表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)508與光阻層502的形成順序相反，由于本發(fā)明在鍍制表面等離子體超解析薄膜508b后才形成光阻層502，如此的工藝順序可以使得光阻層502不受濺鍍工藝的影響，進(jìn)而有效避免光阻層502預(yù)先曝光的問題。
在光阻層502制作完成后，提供一物鏡504以及一曝光光源506。其中，曝光光源506透過物鏡504而由基板500側(cè)入射以對光阻層502進(jìn)行曝光。換言之，曝光光源506經(jīng)過表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)508而照射于光阻層502上，以將多個記錄區(qū)域512上的光阻層502曝光。
曝光光源506照射于表面等離子體超解析薄膜508b后，表面等離子體超解析薄膜508b與介電層308c的界面處在適當(dāng)條件下會產(chǎn)生具有橫向與縱向分量的表面等離子體波。其中，由表面等離子體波510(如箭頭所繪示)可以獲得近場強(qiáng)度增強(qiáng)的效果，進(jìn)而使得光阻層502上被曝光的記錄區(qū)域512尺寸小于曝光光源506的繞射極限，即所謂超解析效應(yīng)。
光阻層502曝光后，接著進(jìn)行顯影、定影的動作以將記錄區(qū)域512上的光阻層502移除，即可完成光盤母膜的制作。本實施例中，當(dāng)光盤母膜制作完成時，表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)508仍位于基板500與光阻層502間，并不需要作移除的動作，因此不會有公知光阻層302(圖3B)因移除不完全而導(dǎo)致表面粗糙的問題。
圖9為依照本發(fā)明第二實施例以表面等離子體超解析法所制作出的光盤母板結(jié)構(gòu)示意圖。請參照圖9，本實施例的表面等離子體超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)主要由一基板500、一表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)508以及一圖案化的光阻層502構(gòu)成。其中，具有第一介電層508a、表面等離子體超解析薄膜508b以及第二介電層508c的表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)508配置于基板500與圖案化的光阻層502之間。光阻層502由于前述的曝光、顯影、定影工藝，會具有許多記錄區(qū)域512，而記錄區(qū)域512的大小將直接影響到光盤母膜的記錄容量。
圖10至圖11為依照本發(fā)明第二實施例以表面等離子體超解析法所制作出的光盤母膜進(jìn)行原膜制作的示意圖。首先請參照圖10，在光盤母膜制作完成后，形成一金屬薄膜514于光盤母膜的表面上，金屬薄膜514例如與光盤母膜上的光阻層502共形，接著再形成一電鑄層516于金屬薄膜514上，而電鑄層516例如是以電鑄的方式形成于光盤母板上。
接著請參照圖11，在金屬薄膜514以及電鑄層516制作完成后，接著將金屬薄膜514與電鑄層516所構(gòu)成的光盤原膜由光盤母膜的表面上剝離，即完成光盤原膜的制作。熟悉該項技術(shù)者應(yīng)知，利用光盤原膜可于射出機(jī)上復(fù)制出白片，以便后續(xù)光盤片的制造。
綜上所述，本發(fā)明的超解析光盤母膜、光盤原膜及其工藝至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1.本發(fā)明的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)中，其光阻層表面不會有薄膜移除不完全所導(dǎo)致的薄膜微粒，故具有較平整的表面。此外，由前述的光盤母膜所制作出的光盤原膜也不會有表面粗糙的問題。
2.本發(fā)明的超解析光盤母膜、光盤原膜的工藝中，不需將熱致超解析結(jié)構(gòu)或是表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)移除，故省去一道工藝步驟。
3.本發(fā)明的超解析光盤母膜、光盤原膜的工藝中，不會有光阻層預(yù)先曝光的問題。
雖然本發(fā)明已以一實施例如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種超解析光盤母膜工藝，其特征為包括提供一基板；形成一超解析結(jié)構(gòu)于該基板上；形成一光阻層于該超解析結(jié)構(gòu)上；提供一物鏡；提供一曝光光源，該曝光光源透過該物鏡而由該基板側(cè)入射以對該光阻層進(jìn)行曝光，其中該曝光光源經(jīng)過該超解析結(jié)構(gòu)而照射于該光阻層上，以將復(fù)數(shù)個記錄區(qū)域上的該光阻層曝光；以及移除該些記錄區(qū)域上的該光阻層。
2.如權(quán)利要求1所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該超解析結(jié)構(gòu)的制作包括形成一熱致超解析薄膜于該基板上。
3.如權(quán)利要求2所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該熱致超解析薄膜的材質(zhì)包括銀(Ag)、釩(V)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、銦(In)、鍗(Te)、銻(Sb)、鎵(Ga)、砷(As)、錫(Sn)或硒(Se)。
4.如權(quán)利要求2所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該熱致超解析薄膜形成前還包括形成一第一介電層于該基板上。
5.如權(quán)利要求4所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該第一介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
6.如權(quán)利要求2所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該熱致超解析薄膜形成后還包括形成一第二介電層于該基板上。
7.如權(quán)利要求6所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該第二介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
8.如權(quán)利要求1所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該超解析結(jié)構(gòu)的制作包括形成一第一介電層于該基板上；形成一表面等離子體超解析薄膜于該第一介電層上；以及形成一第二介電層于該表面等離子體超解析薄膜上。
9.如權(quán)利要求8所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該第一介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
10.如權(quán)利要求8所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該第二介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
11.如權(quán)利要求8所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該表面等離子體超解析薄膜的材質(zhì)包括銀(Ag)、釩(V)、鋅(Zn)的氧化物，或是鎵(Ga)、鍺(Ge)、砷(As)、硒(Se)、銦(In)、錫(Sn)、銻(Sb)、碲。
12.如權(quán)利要求1所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該光阻層為一正光阻。
13.如權(quán)利要求1所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該光阻層為一負(fù)光阻。
14.如權(quán)利要求1所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該曝光光源的波長包括257nm、364nm、405nm、458nm或650nm。
15.一種超解析光盤原膜工藝，其特征為包括提供一基板；形成一超解析結(jié)構(gòu)于該基板上；形成一光阻層于該超解析結(jié)構(gòu)上；提供一物鏡；提供一曝光光源，該曝光光源透過該物鏡而由該基板側(cè)入射以對該光阻層進(jìn)行曝光，其中該曝光光源經(jīng)過該超解析結(jié)構(gòu)而照射于該光阻層上，以將復(fù)數(shù)個記錄區(qū)域上的該光阻層曝光；移除該些記錄區(qū)域上的該光阻層，以形成一光盤母膜；形成一金屬薄膜于該光盤母膜上；形成一電鑄層于該金屬薄膜上；以及將該金屬薄膜與該電鑄層由該光盤母膜剝離，以形成該光盤原膜。
16.如權(quán)利要求15所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該超解析結(jié)構(gòu)的制作包括形成一熱致超解析薄膜于該基板上。
17.如權(quán)利要求16所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該熱致超解析薄膜的材質(zhì)包括銀(Ag)、釩(V)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、銦(In)、鍗(Te)、銻(Sb)、鎵(Ga)、砷(As)、錫(Sn)或硒(Se)。
18.如權(quán)利要求16所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該熱致超解析薄膜形成前還包括形成一第一介電層于該基板上。
19.如權(quán)利要求18所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該第一介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
20.如權(quán)利要求16所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該熱致超解析薄膜形成后還包括形成一第二介電層于該基板上。
21.如權(quán)利要求20所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該第二介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
22.如權(quán)利要求15所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該超解析結(jié)構(gòu)的制作包括形成一第一介電層于該基板上；形成一表面等離子體超解析薄膜于該第一介電層上；以及形成一第二介電層于該表面等離子體超解析薄膜上。
23.如權(quán)利要求22所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該第一介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
24.如權(quán)利要求22所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該第二介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
25.如權(quán)利要求22所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該表面等離子體超解析薄膜的材質(zhì)包括銀(Ag)、釩(V)、鋅(Zn)的氧化物，或是鎵(Ga)、鍺(Ge)、砷(As)、硒(Se)、銦(In)、錫(Sn)、銻(Sb)、碲。
26.如權(quán)利要求15所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該光阻層為一正光阻。
27.如權(quán)利要求15所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該光阻層為一負(fù)光阻。
28.如權(quán)利要求15所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該曝光光源的波長包括257nm、364nm、405nm、458nm或650nm。
29.如權(quán)利要求15所述的超解析光盤母膜工藝，其特征為該電鑄層的材質(zhì)包括鎳金屬。
30.一種超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為包括一基板；一超解析結(jié)構(gòu)，配置于該基板上；以及一圖案化的光阻層，配置于該超解析結(jié)構(gòu)上。
31.如權(quán)利要求30所述的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為該超解析結(jié)構(gòu)為一熱致超解析結(jié)構(gòu)，該熱致超解析結(jié)構(gòu)包括一第一介電層，配置于該基板上；一熱致超解析薄膜，配置于該第一介電層上；以及一第二介電層，配置于該熱致超解析薄膜與該光阻層之間。
32.如權(quán)利要求30所述的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為該超解析結(jié)構(gòu)為一熱致超解析結(jié)構(gòu)，該熱致超解析結(jié)構(gòu)包括一熱致超解析薄膜，配置于該基板上；以及一第二介電層，配置于該熱致超解析薄膜與該光阻層之間。
33.如權(quán)利要求30所述的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為該超解析結(jié)構(gòu)為一熱致超解析結(jié)構(gòu)，該熱致超解析結(jié)構(gòu)包括一第一介電層，配置于該基板上；以及一熱致超解析薄膜，配置于該第一介電層上。
34.如權(quán)利要求31、32或33所述的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為該第一介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
35.如權(quán)利要求31、32或33所述的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為該熱致超解析薄膜的材質(zhì)包括銀(Ag)、釩(V)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、銦(In)、鍗(Te)、銻(Sb)、鎵(Ga)、砷(As)、錫(Sn)或硒(Se)。
36.如權(quán)利要求31、32或33所述的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為該第二介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
37.如權(quán)利要求30所述的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為該超解析結(jié)構(gòu)為一表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)，該表面等離子體超解析結(jié)構(gòu)包括一第一介電層，配置于該基板上；一表面等離子體超解析薄膜，配置于該第一介電層上；以及一第二介電層，配置于該表面等離子體超解析薄膜與該光阻層之間。
38.如權(quán)利要求37所述的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為該第一介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
39.如權(quán)利要求37所述的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為該表面等離子體超解析薄膜的材質(zhì)包括銀(Ag)、釩(V)、鋅(Zn)的氧化物，或是鎵(Ga)、鍺(Ge)、砷(As)、硒(Se)、銦(In)、錫(Sn)、銻(Sb)、碲。
40.如權(quán)利要求37所述的超解析光盤母膜結(jié)構(gòu)，其特征為該第二介電層的材質(zhì)包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
全文摘要
一種超解析光盤母膜，主要由一基板、一超解析結(jié)構(gòu)以及一圖案化的光阻層構(gòu)成。其中，超解析結(jié)構(gòu)配置于基板與圖案化光阻層之間。本發(fā)明的光盤母膜在制作時先將超解析結(jié)構(gòu)形成于基板上，然后才形成光阻層于超解析結(jié)構(gòu)上。上述工藝不會有使光阻層預(yù)先曝光的問題。此外，上述工藝所制作出的光盤母膜不會有薄膜微粒造成表面粗糙的問題，而以光盤母膜所制作的光盤原膜也不會有表面粗糙的問題。
文檔編號G11B7/26GK1453779SQ0211860
公開日2003年11月5日 申請日期2002年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月25日
發(fā)明者陳炳茂 申請人:錸德科技股份有限公司