專利名稱：光信息記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光信息記錄介質(zhì)，更詳細地說，涉及可通過激光照射進行信息記錄和再現(xiàn)的光信息記錄介質(zhì)。
另外，已知DVD是相變化型光盤，它是采用GeSbTe等合金層作為記錄層，用激光對記錄層進行瞬間加熱，使之從結(jié)晶狀態(tài)相變化到非晶態(tài)，利用通過相變化改變的反射率進行記錄、再現(xiàn)的方式。最近，發(fā)表了使用相變化型記錄層，通過藍紫激光進行記錄、再現(xiàn)的DVR系統(tǒng)(“ISOM2000”210-211頁)。通過該系統(tǒng)，對于所謂高密度化的課題雖然可達到一定的成果，但是存在記錄層重復(fù)再現(xiàn)中的耐久性不充分的問題。
另一方面，在上述DVD中，已知只可進行一次信息記錄的追記型DVD(DVD-R)。DVD-R是以在形成凹槽的基板上，設(shè)置有記錄層、反射層、保護層等的光盤為基本構(gòu)成的產(chǎn)品，通常，在這樣的光盤中，已知將在基板上設(shè)置了反射層和保護層的產(chǎn)品在保護層的面之間用粘合劑貼合的結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，或者將前述光盤和單層基板形成的光盤貼合的結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品等。另外，還已知在基板上依次設(shè)置有反射層、記錄層和覆蓋層的產(chǎn)品，該類型的產(chǎn)品通過激光的記錄、再現(xiàn)從覆蓋層一側(cè)進行。
在如前所述的DVD-R的記錄和再現(xiàn)中，通常使用635nm或650nm的紅色激光。但是，即使在DVD-R中，對記錄密度的要求也越來越高，另一方面，為了進行高密度記錄，需要不是紅色激光，而是更短波長的激光進行記錄再現(xiàn)。DVD-R的高密度記錄化也被認為是如上所述激光的短波化、物鏡的高NA化。
一般地，光能與波長成反比例地增大，為了高密度化使激光短波化時，賦予光盤的光能增大。特別是，由于DVD-R使用有機物層作為記錄層，為再現(xiàn)反復(fù)進行光照射時，記錄層劣化(再現(xiàn)劣化)，其耐久性成為問題。因此，考慮將激光輸出功率降低的方法，但是，如果再現(xiàn)輸出功率降低，則反射率降低，因此成為RF輸出功率降低、C/N降低和再現(xiàn)耐久性降低的原因。
另外，以前已知通過激光可只進行一次信息記錄的光信息記錄介質(zhì)(光盤)。該光盤也被稱做追記型CD(所謂CD-R)，其代表性的結(jié)構(gòu)是在透明的圓盤狀基板上依次層壓有機物形成的記錄層、金等金屬形成的反射層以及樹脂制的保護層。而且在該CD-R上記錄信息通過對CD-R照射近紅外區(qū)域的激光(通常為780nm附近波長的激光)進行，記錄層的照射部分吸收該光，局部溫度上升，通過物理或化學(xué)變化(例如形成坑)，改變該部分的光學(xué)特性，從而信息被記錄。另一方面，信息的讀取(再現(xiàn))通過對CD-R照射另外的與記錄用激光具有同樣波長的激光進行，通過檢測出記錄層光學(xué)特性變化的部位(記錄部分)和未變化的部位(未記錄部分)的反射率的差異進行。
近年來，人們尋求記錄密度更高的光信息記錄介質(zhì)。對于這樣的期望，有人提出稱為追記型數(shù)字化視頻光盤(所謂DVD-R)的光盤(例如，“日經(jīng)新型媒介”“DVD”分冊，1995年發(fā)行)。該DVD-R具有跟蹤照射激光用的引導(dǎo)槽(也稱為凹槽或預(yù)凹槽)以上述CD-R一半以下(0.74～0.8μm)的狹窄槽的一半寬度值形成的透明圓盤狀基板上，通常將依次層壓了含有有機物的記錄層、反射層和保護層的2片光盤以記錄層為內(nèi)側(cè)貼合的結(jié)構(gòu)，或者以記錄層為內(nèi)側(cè)，將該光盤和具有同樣形狀的圓盤狀保護基板貼合的結(jié)構(gòu)。而且，對該DVD-R信息的記錄和再現(xiàn)通過照射可見激光(通常波長630nm～680nm范圍的激光)進行，可進行比CD-R高密度的照射。
最近，因特網(wǎng)等網(wǎng)絡(luò)或高清晰度電視正快速普及。另外，最近也開始了HDTV(高清晰度電視，High Definition Television)的試驗播放。在這種狀況下，需要可廉價、簡便地記錄圖像信息的大容量記錄介質(zhì)。DVD-R的現(xiàn)狀雖然能夠充分發(fā)揮作為大容量記錄介質(zhì)的功能，但對大容量化、高密度化的要求提高，也必須開發(fā)可對應(yīng)于該需求的記錄介質(zhì)。因此，可用比DVD-R更短波長的光進行高密度記錄的更大容量的記錄介質(zhì)的開發(fā)正在進行。
例如，在特開平4-74690號公報、特開平7-304256號公報、特開平7-304257號公報、特開平8-127174號公報、特開平11-53758號公報、特開平11-334204號公報、特開平11-334205號公報、特開平11-334206號公報、特開平11-334207號公報、特開2000-43423號公報、特開2000-108513號公報、特開2000-113504號公報、特開2000-149320號公報、特開2000-158818號公報和特開2000-228028中，公開了在具有含有機物的記錄層的光信息記錄介質(zhì)中，從記錄層側(cè)向反射層側(cè)照射波長530nm以下的激光，從而進行信息的記錄和再現(xiàn)的記錄再現(xiàn)方法。這些方法通過對具備含有卟啉化合物、偶氮類有機物、金屬偶氮類有機物、奎酞酮類有機物、三次甲基花青苷有機物、二氰基乙烯基苯基骨架有機物、香豆素化合物、萘花青苷化合物等的記錄層的光盤照射藍色(波長430nm、488nm)或藍綠色(波長515nm)的激光進行信息的記錄和再現(xiàn)。
另外，從與現(xiàn)在使用的CD-R系統(tǒng)的互換性的觀點考慮，提出了可用2種不同波長區(qū)域的激光進行記錄和再現(xiàn)的光信息記錄介質(zhì)。例如，在特開2000-141900號公報、特開2000-158816號公報、特開2000-185471號公報、特開2000-289342號公報、特開2000-309165號公報中，提出了通過混合使用在CD-R中使用的有機物和在DVD-R中使用的有機物，用780nm附近的近紅外區(qū)域激光和650nm附近的可見激光中的任一激光可進行記錄和再現(xiàn)的光信息記錄介質(zhì)。
但是，根據(jù)本發(fā)明者的研究表明，用上述公報中記載的光盤，通過照射波長380～500nm的短波長激光記錄信息時，不能得到實用上必須的感光度，另外，反射率或變調(diào)度等其他記錄特性也不是可滿足需要的水平，因此有必要進一步改進。特別是，用上述公報中記載的光盤照射波長380～500nm的激光時，記錄特性降低。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種照射波長380～500nm的短波長藍色激光可進行信息的高密度記錄和再現(xiàn)且具有優(yōu)秀的記錄特性的光信息記錄介質(zhì)。
前述課題可通過下面的本發(fā)明的光記錄介質(zhì)解決。
按照第1方面，本發(fā)明是使用450nm以下的激光和數(shù)值孔徑(NA)為0.7以上的物鏡進行記錄再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)，是在形成了軌道間距為200～400nm、槽深度為50～150nm、槽半值寬度為90～200nm的凹槽的基板上，依次設(shè)置有反射層、記錄層和覆蓋層，且前述記錄層含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物的光記錄介質(zhì)。
按照第2方面，本發(fā)明是使用450nm以下的激光和數(shù)值孔徑(NA)為0.5以上0.7以下的物鏡進行記錄再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)，是在形成了軌道間距為200～400nm、槽深度為50～150nm、槽半值寬度為90～200nm的凹槽的基板上，依次設(shè)置有記錄層和反射層，且前述記錄層含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物的光記錄介質(zhì)。
而且，按照第3方面，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)是在基板上具有可通過數(shù)值孔徑(NA)0.7以上的透鏡照射波長380～500nm的激光從而記錄信息的記錄層的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，在前述基板上，在反射層上的前述記錄層上設(shè)置有片材層，前述記錄層是含有有機物的層，且前述基板的槽深度是15～45nm，軌道間距為250～400nm，槽半值寬度為60～200nm，槽的傾斜角為40～80°。


圖1是第3方面的本發(fā)明光信息記錄介質(zhì)的基板槽半徑方向的剖視圖。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)具有在形成了特定凹槽的基板上依次設(shè)置了反射層、記錄層和覆蓋層的層結(jié)構(gòu)，通過覆蓋層進行記錄再現(xiàn)。覆蓋層通過粘合劑貼合在記錄層上。
前述基板上設(shè)置有凹槽，特別是螺旋狀凹槽，凹槽的軌道間距為200～400nm，槽深為50～150nm，槽半值寬度為90～200nm。另外，作為前述記錄層，使用含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物的記錄層。
另外，前述光記錄介質(zhì)使用450nm以下的激光和數(shù)值孔徑(NA)為0.7以上的物鏡進行記錄再現(xiàn)。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)通過在形成了特定凹槽的基板上設(shè)置特定的有機物記錄層，C/N和再現(xiàn)耐久性都優(yōu)秀，可無故障進行高密度記錄。
作為本發(fā)明光記錄介質(zhì)中使用的基板材料，可使用聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯類樹脂、環(huán)氧樹脂、非晶類聚烯烴和聚酯等塑料基板，其中優(yōu)選使用聚碳酸酯。
另外，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中形成的記錄層主要設(shè)置了有機物記錄層，作為有機物，可使用公知的物質(zhì)，對此沒有特別的限制，作為前述有機物，其特征是含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物。具體地說，優(yōu)選特開平4-74690號、特開平8-127174號、特開平11-53758號、特開平11-334204號、特開平11-334205號、特開平11-334206號、特開平11-334207號、特開2000-43423號、特開2000-108513號、特開2000-158818號中記載的有機物，或三唑、三嗪、花青苷、部花青、氨基丁二烯、酞菁、肉桂酸、氧化還原(染料)、偶氮、氧雜菁苯并噁唑、苯并三唑類有機物等，更優(yōu)選花青苷、氨基丁二烯、苯并三唑、酞菁、玫紅(ロ-ド)花青苷類有機物。其中，特別優(yōu)選在600～700nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的酞菁類有機物。
有機物記錄層的形成可通過除前述有機物外，根據(jù)需要在溶劑中溶解褪色防止劑、粘合劑、防氧化劑、UV吸收劑、可塑劑和潤滑劑等各種添加劑，制備涂布液，然后將該涂布液在基板表面涂布，形成涂膜后干燥進行。另外，將有機物、褪色防止劑等溶于溶劑中時，為了完全溶解，優(yōu)選進行超聲波處理分散。作為有機物層涂布液的溶劑，可列舉乙酸丁酯、溶纖劑醋酸酯等酯，甲基乙基酮、環(huán)己酮、甲基異丁基酮等酮類，二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、氯仿等氯化烴，二甲基甲酰胺等酰胺，環(huán)己烷等烴，四氫呋喃、乙醚、二氧六環(huán)等醚類，乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、二丙酮醇等醇，2，2，3，3-四氟丙醇等氟類溶劑，乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚等二醇醚類等。上述溶劑考慮到使用的有機物的溶解性，可單獨使用或兩種以上適當(dāng)合并使用。
作為粘合劑的例子，可列舉例如明膠、纖維素衍生物、葡聚糖、松香、橡膠等天然有機高分子物質(zhì)，聚氨酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚異丁烯等烴類樹脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物等乙烯類樹脂、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂、聚乙烯醇、氯化聚乙烯、環(huán)氧樹脂、丁縮醛樹脂、橡膠衍生物、酚醛樹脂等合成有機高分子。作為有機物記錄層的材料并用粘合劑時，粘合劑的使用量相對于100質(zhì)量份有機物為0.2～20質(zhì)量份，優(yōu)選0.5～10質(zhì)量份，更優(yōu)選1～5質(zhì)量份。
這樣制備的涂布液中的有機物的濃度一般在0.01～10質(zhì)量％的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.1～5質(zhì)量％的范圍。
作為涂布方法，可列舉噴霧法、旋轉(zhuǎn)涂布法、浸漬法、輥涂布法、刮板涂布法、刮刀輥法、絲網(wǎng)印刷法等。從減少有機物膜厚的周內(nèi)變化，可均一成膜的觀點考慮，優(yōu)選使用旋轉(zhuǎn)涂布法。有機物記錄層可以是單層，也可以是多層。有機物記錄層的層厚一般在20～500nm范圍內(nèi)，優(yōu)選50～300nm的范圍。
有機物涂布液的涂布溫度只要在23～50℃的范圍內(nèi)就可以，對此沒有特別的限制，優(yōu)選24～40℃，更優(yōu)選25～37℃。
另外，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中形成的反射層只要是相對于激光的反射率高，即只要反射率為70％以上的反射膜即可，作為其例子，可列舉Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等金屬和準金屬或不銹鋼，優(yōu)選含有Au或Ag的反射膜，其中，特別優(yōu)選主要成分是Ag或Au的反射膜。
光反射層例如可通過將上述光反射性物質(zhì)真空蒸鍍、濺射或離子噴鍍在有機物記錄層上形成。光反射層的層厚一般在10～800nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選20～500nm的范圍，更優(yōu)選50～300nm的范圍。
本發(fā)明的覆蓋層使用相對于記錄再現(xiàn)中使用的激光的透光率在80％以上，表面粗造度為5nm以下的樹脂片材，對此沒有特別的限制，作為這樣的材料，可列舉聚碳酸酯(帝人(株)制Biuaes、帝人化成(株)制Panrit等)、3醋酸纖維素(富士膠片(株)制Phditack等)、PET(東Re(株)制Rumira等)等，優(yōu)選使用聚碳酸酯和3醋酸纖維素。
覆蓋層通過粘合劑與記錄層粘接?？紤]粘接強度或作業(yè)性等選擇粘合劑，優(yōu)選使用放射線固化粘合劑。作為放射線固化粘合劑，可列舉電子束固化粘合劑或紫外線固化粘合劑等。
放射線固化粘合劑含有分子中具有2個以上放射線官能性雙鍵的單體或樹脂，例如丙烯酸酯類、丙烯酰胺類、甲基丙烯酸酯類、甲基丙烯酰胺類、烯丙基化合物、乙烯基醚類、乙烯基酯類等。優(yōu)選2個官能以上的丙烯酸酯類化合物、甲基丙烯酸酯類化合物。
作為2官能的(甲基)丙烯酸酯單體或樹脂的具體例，可使用乙二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、丁二醇二丙烯酸酯、己二醇二丙烯酸酯、二甘醇二丙烯酸酯、三甘醇二丙烯酸酯、四甘醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、丙二醇二甲基丙烯酸酯、丁二醇二甲基丙烯酸酯、己二醇二甲基丙烯酸酯、二甘醇二甲基丙烯酸酯、三甘醇二甲基丙烯酸酯、四甘醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二甲基丙烯酸酯等代表的在脂肪族二醇中加成了丙烯酸、甲基丙烯酸的物質(zhì)。
另外，也可使用在聚乙二醇、聚丙二醇、聚1，4-丁二醇等聚醚聚醇中加成了丙烯酸、甲基丙烯酸的聚醚丙烯酸酯、聚醚甲基丙烯酸酯或在從公知的二元酸、二元醇得到的聚酯聚醇中加成了丙烯酸、甲基丙烯酸的聚酯丙烯酸酯、聚酯甲基丙烯酸酯。
另外，也可使用在公知的多元醇和聚異氰酸酯反應(yīng)得到的聚氨酯中加成了丙烯酸、甲基丙烯酸的聚氨酯丙烯酸酯、聚氨酯甲基丙烯酸酯。
另外，也可使用雙酚A、雙酚F、氫化雙酚A、氫化雙酚F或在它們的環(huán)氧烷加成物中加成了丙烯酸、甲基丙烯酸的物質(zhì)，或異氰尿酸環(huán)氧烷改性二丙烯酸酯、異氰尿酸環(huán)氧烷改性二甲基丙烯酸酯、三環(huán)癸烷二甲醇二丙烯酸酯、三環(huán)癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯等具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的物質(zhì)。
作為在本發(fā)明中使用的放射線固化粘合劑，使用紫外線固化粘合劑時，必須在前述聚合性單體或樹脂中進一步添加光聚合引發(fā)劑，可使用公知的光聚合引發(fā)劑，其中優(yōu)選芳香族酮化合物。芳香族酮化合物沒有特別的限制，優(yōu)選作為紫外線照射光源通常使用的汞燈不產(chǎn)生明線光譜且在254、313和365nm波長下吸光系數(shù)較大的物質(zhì)。作為其代表例有苯乙酮、二苯酮、苯偶姻乙醚、芐基甲基酮縮醇、芐基乙基酮縮醇、苯偶姻異丁基酮、羥基二甲基苯基酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮、2-2二乙氧基苯乙酮、米蚩酮等，可以使用各種芳香族酮化合物。
芳香族酮化合物的混合比例相對于聚合性單體或樹脂100質(zhì)量份為0.5～20質(zhì)量份，優(yōu)選2～15質(zhì)量份，更優(yōu)選3～10質(zhì)量份。作為紫外線固化型粘合劑，市售的有預(yù)先添加了光引發(fā)劑的產(chǎn)品，可使用它們。作為紫外線光源，可使用汞燈。汞燈使用20～200W/cm的燈，以速度為0.3～20m/分使用。覆蓋層和汞燈之間的距離一般優(yōu)選1～30cm。
作為電子束固化粘合劑中使用的電子束加速器，可使用掃描方式、雙掃描方式或幕簾光束方式，優(yōu)選能夠比較廉價地得到大輸出功率的幕簾光束方式。作為電子束特性，加速電壓為100～1000kV，優(yōu)選150～300kV，作為吸收劑量，為0.5～20Mrad，優(yōu)選1～10Mrad。
將粘合劑涂布到記錄層上的方法沒有特別的限制，優(yōu)選旋轉(zhuǎn)涂布法。粘合劑層的厚度在5～50μm合適。另外，粘合劑的涂布溫度只要在23～50℃的范圍內(nèi)即可，沒有特別限定，優(yōu)選24～40℃，更優(yōu)選25～37℃。
下面，對按照第2方面的本發(fā)明的實施方案進行詳述。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)具有在形成了特定凹槽的基板上依次設(shè)置記錄層和反射層的層結(jié)構(gòu)。
在前述基板上設(shè)置有凹槽，特別是螺旋狀凹槽，凹槽的軌道間距為200～400nm，槽深為50～150nm，槽半值寬度為90～200nm。另外，作為前述記錄層，使用含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物的記錄層。
另外，前述光記錄介質(zhì)使用450nm以下的激光和數(shù)值孔徑(NA)為0.5以上0.7以下的物鏡進行記錄再現(xiàn)。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)通過在形成了特定凹槽的基板上設(shè)置特定的有機物記錄層，從而C/N和再現(xiàn)耐久性都優(yōu)秀，可無故障進行高密度記錄。
另外，在按照第2方面的本發(fā)明中，優(yōu)選在前述基板上設(shè)置有記錄層和反射層的光記錄介質(zhì)(以下有時稱為第1光盤)與至少具有基板的第2光盤貼合。第2光盤可以是基板單層，也可以是基板上設(shè)置有反射層的物質(zhì)。另外，在第1和第2光盤上可進一步設(shè)置保護層或印刷層。第1光盤和第2光盤通過粘合劑粘接。
第2方面的本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中使用的基板材料、記錄層材料、有機物記錄層的形成方法、有機物層涂布液的溶劑、粘合劑、涂布液中的有機物濃度、涂布方法等可與第1方面的本發(fā)明中公開的內(nèi)容相同。
另外，對于第2方面的本發(fā)明光記錄介質(zhì)中形成的反射層，可使用與第1方面的本發(fā)明公開的同樣的材料、同樣的方法。光反射層的層厚一般在10～800nm的范圍，優(yōu)選20～500nm的范圍，更優(yōu)選50～300nm的范圍。
粘接第1和第2光盤的粘合劑可考慮粘接強度或作業(yè)性等進行選擇，但優(yōu)選使用放射線固化粘合劑。作為放射線固化粘合劑，可列舉電子束固化粘合劑或紫外線固化粘合劑等。
對于放射線固化粘合劑、光聚合引發(fā)劑等，可使用與第1方面的本發(fā)明公開的同樣的物質(zhì)。
對于電子束固化粘合劑中使用的電子束加速器及其它內(nèi)容，可使用與第1方面的本發(fā)明中公開的同樣的方法。
下面，對按照第3方面的本發(fā)明的實施方案進行詳述。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)是在基板上具有可通過數(shù)值孔徑(NA)0.7以上的透鏡照射波長380～500nm的激光從而進行信息記錄的記錄層的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，在該基板上，在反射層上的前述記錄層上設(shè)置有片材層，前述記錄層是有機物層，且該基板的槽深是15～45nm，軌道間距為250～400nm，槽半值寬度為60～200nm，槽的傾斜角為40～80°。
(有機物記錄層)本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的記錄層由有機物(有時也稱為有機色素)層形成，通過NA(數(shù)值孔徑)0.7以上的透鏡將波長380～500nm的激光會聚，在其焦點位置照射記錄層，從而該有機物層的照射部分吸收光，局部溫度上升，通過物理或化學(xué)變化(例如生成坑等)其部分光學(xué)特性變化，利用這一點信息被記錄。另一方面，信息的讀取(再現(xiàn))通常對光盤照射與上述記錄用激光同樣波長的激光，通過檢測前述有機物記錄層光學(xué)特性變化的部位(記錄部分)和未變化部位(未記錄部分)之間的反射率差異等進行。
作為構(gòu)成本發(fā)明記錄層的有機物，從獲得更大容量且高密度的記錄介質(zhì)的觀點考慮，優(yōu)選含有酞菁衍生物和/或苯并三唑衍生物的物質(zhì)。
(酞菁衍生物)作為本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的有機物記錄層中使用的前述酞菁衍生物，優(yōu)選下述通式(I)表示的化合物。
通式(1) 在通式(I)中，作為R表示的取代基的優(yōu)選例子，可列舉碳原子數(shù)1～20的烷基，碳原子數(shù)6～14的芳基，碳原子數(shù)7～15的芳烷基，碳原子數(shù)1～10的雜環(huán)基，碳原子數(shù)1～20的烷氧基，碳原子數(shù)6～14的芳氧基，碳原子數(shù)2～21的?；?，碳原子數(shù)2～21的磺?；荚訑?shù)1～25的氨基甲?；?，碳原子數(shù)0～32的氨磺酰基，碳原子數(shù)1～20的烷氧基羰基，碳原子數(shù)7～15的芳氧基羰基，碳原子數(shù)2～21的?；被荚訑?shù)1～20的磺?；被螓u素原子，優(yōu)選碳原子數(shù)3～16的烷基，碳原子數(shù)6～10的芳基，碳原子數(shù)3～16的烷氧基，碳原子數(shù)6～10的芳氧基，碳原子數(shù)3～16的磺?；?，碳原子數(shù)2～20的氨磺?；鼉?yōu)選碳原子數(shù)4～12的烷氧基，碳原子數(shù)4～12的磺?；蛱荚訑?shù)4～16的氨磺?；?，特別優(yōu)選碳原子數(shù)6～12的氨磺?；?。
在通式(I)中，取代基R可進一步具有取代基，作為該取代基的例子，可列舉下列基團。
碳原子數(shù)1～20的鏈狀或環(huán)狀烷基(例如，甲基、乙基、異丙基、環(huán)己基)，碳原子數(shù)6～18的芳基(例如，苯基、氯苯基、2，4-二叔戊基苯基、1-萘基)，碳原子數(shù)7～18的芳烷基(例如，芐基、茴香基)，碳原子數(shù)2～20的鏈烯基(例如，乙烯基、2-甲基乙烯基)，碳原子數(shù)2～20的炔基(例如，乙炔基、2-甲基乙炔基、2-苯基乙炔基)，鹵素原子(例如，F(xiàn)、Cl、Br、I)，氰基、羥基、羧基、碳原子數(shù)2～20的酰基(例如，乙酰基、苯甲酰基、水楊酰基、三甲基乙酰基)，碳原子數(shù)1～20的烷氧基(例如，甲氧基、丁氧基、環(huán)己氧基)，碳原子數(shù)6～20的芳氧基(例如，苯氧基、1-萘氧基、甲苯甲?；?，碳原子數(shù)1～20的烷硫基(例如，甲硫基、丁硫基、芐基硫基、3-甲氧基丙基硫基)，碳原子數(shù)6～20的芳硫基(例如，苯基硫基、4-氯苯基硫基)，碳原子數(shù)1～20的烷基磺?；?例如，甲磺?；⒍』酋；?，碳原子數(shù)6～20的芳基磺酰基(例如，苯磺?；?，對甲苯磺?；?，碳原子數(shù)1～17的氨基甲?；?例如，無取代的氨基甲?；?、甲基氨基甲?；?、乙基氨基甲?；?、正丁基氨基甲?；?、二甲基氨基甲酰基)，碳原子數(shù)1～16的酰胺基(例如，乙酰胺基、苯酰胺基)，碳原子數(shù)2～10的酰基氧基(例如，乙酰氧基、苯甲酰氧基)，碳原子數(shù)2～10的烷氧羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基)，5或6元雜環(huán)基(例如，吡啶基、噻吩基、呋喃基、噻唑基、咪唑基、吡唑基等芳香族雜環(huán)，吡咯烷環(huán)、哌啶環(huán)、嗎啉環(huán)、吡喃環(huán)、硫代吡喃環(huán)、二氧六環(huán)、二硫戊環(huán)等雜環(huán))。
通式(I)中，作為取代基R的取代基，優(yōu)選碳原子數(shù)1～16的鏈狀或環(huán)狀烷基，碳原子數(shù)6～14的芳基，碳原子數(shù)7～15的芳烷基，碳原子數(shù)1～16的烷氧基，碳原子數(shù)6～14的芳氧基，鹵素原子，碳原子數(shù)2～17的烷氧基羰基，碳原子數(shù)1～10的氨基甲?；?，碳原子數(shù)1～10的酰胺基，其中優(yōu)選碳原子數(shù)1～10的鏈狀或環(huán)狀烷基，碳原子數(shù)7～13的芳烷基，碳原子數(shù)6～10的芳基，碳原子數(shù)1～10的烷氧基，碳原子數(shù)6～10的芳氧基，氯原子，碳原子數(shù)2～11的烷氧基羰基，碳原子數(shù)1～7的氨基甲酰基，碳原子數(shù)1～8的酰胺基，特別優(yōu)選碳原子數(shù)3～10的鏈狀分枝或環(huán)狀烷基，碳原子數(shù)7～11的芳烷基，碳原子數(shù)1～8的烷氧基，碳原子數(shù)3～9的烷氧基羰基，苯基和氯原子。
在通式(I)中，n優(yōu)選2～6，更優(yōu)選3或4，特別優(yōu)選4。n是2以上的整數(shù)時，多個R可相互相同，也可不同，優(yōu)選相同的情況。另外，在通式(I)中，M優(yōu)選金屬，其中優(yōu)選銅、鎳或鈀，更優(yōu)選銅或鎳，特別優(yōu)選銅。
通式(I)表示的化合物可在任意位置結(jié)合形成多倍體，此時各單元可相同，也可不同，另外，也可與聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯基醇、纖維素等聚合物鏈結(jié)合。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中使用的通式(I)表示的酞菁衍生物可單獨使用特定的衍生物，也可混合使用結(jié)構(gòu)不同的多種物質(zhì)，但優(yōu)選單獨使用。另外，通式(I)所示的酞菁衍生物在其合成時，有時不可避免地含有取代基R的取代位置異構(gòu)體，但這些取代位置異構(gòu)體相互之間沒有區(qū)別，可視為同一衍生物。另外，R取代基中含有異構(gòu)體時，它們沒有區(qū)別，可視為同一酞菁衍生物。因此，結(jié)構(gòu)不同的情況，如果用通式(I)說明，是指取代基R的構(gòu)成原子種類或數(shù)量不同的情況或n不同的情況中的任一種。
下面，在下述表1中顯示在本發(fā)明中使用的酞菁衍生物的優(yōu)選具體例，但本發(fā)明并不限于這些具體例。另外，酞菁衍生物的取代基R的取代位置編號如下述化2所示。
化2
表1本發(fā)明中使用的酞菁衍生物的具體例No.取代位置-R M(I-1) 2，9，16，23-SO2N(異丁基)2Cu(I-2) 2，9，16，23-SO2NH-(2-丁氧基苯基) Cu(I-3) 2，9，16，23-SO2NH(CH2)3O-(2，4-二叔戊基苯基) Cu(I-4) 2，9，16，23-SO2N-(2-乙氧基乙基)2Ni(I-5) 2，9，16，23-SO2N-(環(huán)己基)2Ni(I-6) 2，9，16，23-SO2N(苯基)2Ni(I-7) 2，9，16，23-SO2NH(2-異丙氧基羰基苯基) Pd(I-8) 2，9，16，23-SO2NH(2，6-二異丙基苯基)Pd(I-9) 2，9，16，23-SO2-(4-嗎啉基) Co(I-10) 2，9，16，23-SO2NMe-(3-氯苯基) Fe(I-11) 2，9，16-SO2N(CH2)3NMe2Cu(I-12) 2，9，16，23-SO2-(2-丁氧基苯基) Cu(I-13) 2，9，16，23-SO2-(2-乙氧基-5-叔丁基) Ni(I-14) 2，9，16，23-SO2-(2-乙氧基羰基苯基) Co(I-15) 2，9，16，23-SO2(CH2)4-(2，4-二叔戊基苯氧基) Cu(I-16) 2，9，16，23-SO2(CH2)2OEt Pd(I-17) 2，9，16，23-SO2(環(huán)己基) Cu(I-18) 2，9，16，23-SO2-(4-異丁?；被交?Ni(I-19) 2，9，16-SO2-(3，5-二氯苯基) Pd(I-20) 2，9，16-SO2CH2CO2-CH2CH(Et)C4H9Mg(I-21) 3，10，17，24-Me2，9，16，23-SO2-(2-甲氧基苯基) Zn(I-22) 1，8，15，22-SO2N(C3H7)2Cu(I-23) 1，8，15，22-OCH(CHMe2)2Ni(I-24) 1，8，15，22-OCHMe(苯基) Zn(I-25) 1，4，8，11，15，18，22，26-異丙氧基 Cu(I-26) 2，3，9，10，16，17，23，24-(2-甲氧基乙氧基) SiCl2(I-27) 2，9，16，23-叔戊基 Ni(I-28) 2，9，16，23-(2，6-二甲氧基苯基) Zn(I-29) 1，8，15，22-(1-萘基) Pd(I-30) 2，9，16，23-枯基 Cu(I-31) 2，9，16，23-(4-枯基苯氧基) Co(I-32) 1，8，15，22-仲丁氧基2，9，16，23-Cl Pd
本發(fā)明中使用的酞菁衍生物可通過例如白井—小林合著，(株)Aipisee發(fā)行的“酞菁-化學(xué)和機能-”(P.1～62)，C.C.Leznoff-A.B.P.Lever合著，VCH發(fā)行的“酞菁染料-生質(zhì)和應(yīng)用”(P.1～54)等中記載的方法、引用的方法或與其類似的方法進行合成。
(苯并三唑衍生物)另外，作為在本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的有機物記錄層中使用的前述苯并三唑衍生物，優(yōu)選下述通式(II)所示的化合物。
通式(II) [式(II)中，h和k分別獨立地表示1～3的整數(shù)。R3和R4表示取代基，r和s表示0～3的整數(shù)。其中，h＝1且r0時，R3表示選自碳原子數(shù)2～16的烷基，碳原子數(shù)6～14的芳基，碳原子數(shù)7～15的芳烷基，碳原子數(shù)1～16的烷氧基，碳原子數(shù)6～14的芳氧基，碳原子數(shù)2～17的烷氧基羰基，碳原子數(shù)1～10的氨基甲酰基，碳原子數(shù)1～10的酰胺基，碳原子數(shù)2～17的?；趸望u素原子的取代基。]通式(II)所示的苯并三唑化合物是苯環(huán)至少被羥基和1，2，3-苯并三唑基的2位氮原子取代的化合物。
通式(II)中，h表示1，2，3-苯并三唑基的個數(shù)。h是1～3的整數(shù)，優(yōu)選1或2，特別優(yōu)選1。k表示羥基的個數(shù)。k是1～3的整數(shù)，優(yōu)選1或2，特別優(yōu)選1。另外，優(yōu)選1，2，3-苯并三唑基和羥基相鄰在苯環(huán)中取代的情況。
在通式(II)中，R3是苯環(huán)的取代基，R4是1，2，3-苯并三唑環(huán)的取代基。r表示取代基R3的個數(shù)。r是0～3的整數(shù)，優(yōu)選1或2，特別優(yōu)選1。s表示取代基R4的個數(shù)。s是0～3的整數(shù)，優(yōu)選0或1，特別優(yōu)選0。即，優(yōu)選被羥基取代的苯環(huán)具有其他取代基，優(yōu)選1，2，3-苯并三唑環(huán)無取代。
在通式(II)中，作為R3或R4所示的取代基的例子，可列舉以下記載的例子。
碳原子數(shù)1～20的鏈狀或環(huán)狀烷基(例如，甲基、乙基、異丙基、環(huán)己基)，碳原子數(shù)6～18的芳基(例如，苯基、氯苯基、2，4-二叔戊基苯基、1-萘基)，碳原子數(shù)7～18的芳烷基(例如，芐基、茴香基)，碳原子數(shù)2～20的鏈烯基(例如，乙烯基、2-甲基乙烯基)，碳原子數(shù)2～20的炔基(例如，乙炔基、2-甲基乙炔基、2-苯基乙炔基)，鹵素原子(例如，F(xiàn)、Cl、Br、I)，氰基、羥基、羧基、碳原子數(shù)2～20的?；?例如，乙?；?、苯甲?；?、水楊酰基、三甲基乙?；?、碳原子數(shù)1～20的烷氧基(例如，甲氧基、丁氧基、環(huán)己氧基)，碳原子數(shù)6～20的芳氧基(例如，苯氧基、1-萘氧基、甲苯甲?；?，碳原子數(shù)1～20的烷硫基(例如，甲硫基、丁硫基、芐基硫基、3-甲氧基丙基硫基)，碳原子數(shù)6～20的芳硫基(例如，苯基硫基、4-氯苯基硫基)，碳原子數(shù)1～20的烷基磺?；?例如，甲磺?；?、丁磺?；?，碳原子數(shù)6～20的芳基磺?；?例如，苯磺?；妆交酋；?，碳原子數(shù)1～17的氨基甲?；?例如，無取代的氨基甲?；⒓谆被柞；?、乙基氨基甲酰基、正丁基氨基甲酰基、二甲基氨基甲酰基)，碳原子數(shù)1～16的酰胺基(例如，乙酰胺基、苯酰胺基)，碳原子數(shù)2～20的?；趸?例如，乙酰氧基，苯甲酰氧基)，碳原子數(shù)2～20的烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基)，5或6元雜環(huán)基(例如，吡啶基、噻吩基、呋喃基、噻唑基、咪唑基、吡唑基等芳香族雜環(huán)，吡咯烷環(huán)、哌啶環(huán)、嗎啉環(huán)、吡喃環(huán)、硫代吡喃環(huán)、二氧六環(huán)、二硫戊環(huán)等雜環(huán))。其中，R1所示的取代基中，從1，3-二甲基巴比土酸衍生的基團除外。
作為R3或R4所示的取代基，優(yōu)選碳原子數(shù)2～16的鏈狀或環(huán)狀烷基，碳原子數(shù)6～14的芳基，碳原子數(shù)7～15的芳烷基，碳原子數(shù)1～16的烷氧基，碳原子數(shù)6～14的芳氧基，鹵素原子，碳原子數(shù)2～17的烷氧基羰基，碳原子數(shù)1～10的氨基甲?；荚訑?shù)1～10的酰胺基，其中優(yōu)選碳原子數(shù)2～10的鏈狀或環(huán)狀烷基，碳原子數(shù)7～13的芳烷基，碳原子數(shù)6～10的芳基，碳原子數(shù)2～10的烷氧基，碳原子數(shù)2～17的酰基氧基，碳原子數(shù)6～10的芳氧基，氯原子，碳原子數(shù)2～11的烷氧基羰基，碳原子數(shù)2～7的氨基甲酰基，碳原子數(shù)2～8的酰胺基，特別優(yōu)選碳原子數(shù)3～10的鏈狀分枝或環(huán)狀烷基，碳原子數(shù)7～11的芳烷基，碳原子數(shù)2～8的烷氧基，碳原子數(shù)3～9的烷氧基羰基，苯基和氯原子。
其中，h＝1且r0時，作為R3所示的取代基，特別優(yōu)選碳原子數(shù)2～16的烷基，碳原子數(shù)6～14的芳基，碳原子數(shù)7～15的芳烷基，碳原子數(shù)1～16的烷氧基，碳原子數(shù)6～14的芳氧基，碳原子數(shù)2～17的烷氧基羰基，碳原子數(shù)1～10的氨基甲?；荚訑?shù)1～10的酰胺基，碳原子數(shù)2～17的酰基氧基或鹵素原子。
R3或R4所示的取代基可進一步具有取代基，作為此時的取代基的例子，可列舉作為上述R3或R4所示的取代基的例子。另外，R3可以是2價或3價連接基團，也可取代多個苯環(huán)。此時，被R3取代的多個苯環(huán)可被不同的取代基取代。
通式(II)所示的化合物可在任意位置直接或間接連接形成多倍體，此時的各單元可相同，也可不同。另外，在任意位置間接結(jié)合形成多倍體時，包括將前述R1或R3所示的取代基作為連接基團結(jié)合的情況。另外，也可與聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯基醇、纖維素等聚合物鏈結(jié)合。
下面列舉本發(fā)明中使用的苯并三唑化合物的優(yōu)選具體例，但本發(fā)明并不限于這些具體例。

本發(fā)明中使用的苯并三唑化合物可通過例如特公昭54-41038號公報、特公昭60-14062號公報、特公平2-33709號公報、特登2858940號公報、特登2864468號公報、英國專利第1,239,258號公報、美國專利第4,587,346號公報、Poymer 1985，26卷，1288和Monatsh.Chem.1981，112，1279等中記載或引用的方法或與其類似的方法進行合成，作為涂料或聚合物的穩(wěn)定劑也可使用市售的產(chǎn)品。
苯并三唑化合物可單獨使用，也可2種以上合并使用。另外，也可以將苯并三唑化合物和除此以外的有機物化合物作為記錄物質(zhì)合并使用。作為可并用的有機物化合物的例子，可列舉花青苷類有機物、氧雜菁類有機物、偶氮金屬絡(luò)合物、酞菁類有機物、吡喃鎓類有機物、硫代吡喃鎓類有機物、甘菊藍鎓(アズレニウム)類有機物、角鯊鎓(スクワリリウム)類有機物、萘醌類有機物、三苯基甲烷類有機物和三烯丙基甲烷類有機物等。
(記錄介質(zhì)基板)本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)是在基板上的反射層上的記錄層上設(shè)置片材層構(gòu)成的，該基板的特征為槽深(圖1的a)為15～45nm，軌道間距(圖1的b)為250～400nm，槽的半值寬度(圖1的c)為60～200nm，槽的傾斜角(圖1的d)為40～80°，除此之外沒有特別的限制，可適用于各種結(jié)構(gòu)的光信息記錄介質(zhì)中。這里，所謂槽的半值寬度(d)是指該槽深一半處的槽的半值寬度。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)由于具有上述結(jié)構(gòu)，因而高水準地保持感光度或反射率等作為記錄介質(zhì)的基本性能，同時可進一步提高記錄容量和記錄密度。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的基板可從以前作為光信息記錄介質(zhì)基板使用的各種材料中任意選擇。作為基板材料，可列舉例如玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂，聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯類樹脂，環(huán)氧樹脂，非晶類聚烯烴和聚酯等，可單獨使用每種，也可根據(jù)需要并用。另外，這些材料可作為薄膜狀或有剛性的基板使用。在上述材料中，從耐濕性、尺寸穩(wěn)定性和經(jīng)濟性等觀點考慮，優(yōu)選使用聚碳酸酯樹脂。
在本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，為了提高記錄密度，使用形成比CD-R或DVD-R狹窄的250～400nm軌道間距的凹槽的基板?；宓脑撥壍篱g距更優(yōu)選在260～380nm的范圍，特別優(yōu)選在280～350nm的范圍。如果該軌道間距比250nm窄，則不能得到所需的感光度(C/N)，另一方面，如果比400nm寬，則不能達到高密度、大容量化。
另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，基板的槽半值寬度在60～200nm的范圍。該基板的槽半值寬度更優(yōu)選在80～200nm的范圍，特別優(yōu)選在80～150nm的范圍。該槽半值寬度如果比60nm小，或比200nm寬，則任一種情況下，槽信號的輸出功率過小，不能達到所需的追蹤。
另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，基板的槽深在15～45nm的范圍內(nèi)。該基板的槽深更優(yōu)選在15～40nm的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選在20～40nm的范圍內(nèi)。該槽深如果比15nm淺，則由于相位差過小，因而跟蹤信號變小，不能進行所希望的跟蹤。另一方面，該槽深如果比45nm深，由于相位差的關(guān)系，反射率變小，感光度(C/N)降低，變得不能正確地再現(xiàn)。
另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，基板的槽傾斜角在40～80°的范圍。該基板的槽傾斜角更優(yōu)選50～80°的范圍，特別優(yōu)選60～80°的范圍。該槽傾斜角如果比40°小，則由于相位差的關(guān)系，凹槽反射率降低，感光度(C/N)降低，變得不能正確地再現(xiàn)。另一方面，該槽傾斜角如果比80°大，則在基板成形時從模具脫模變得困難，在槽中容易發(fā)生云樣缺陷，感光度(C/N)降低，變得不能正確再現(xiàn)。
另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，使前述基板的槽深為a(nm)、軌道間距為b(nm)、槽的半值寬度為c(nm)、槽的傾斜角為d(°)時，該3個變量之間滿足下列不等式，c+(a/2)×tan(d)＜b/2在維持作為記錄介質(zhì)的性能，實現(xiàn)大容量且高密度化方面優(yōu)選。
本發(fā)明的設(shè)置有反射層一側(cè)的基板表面上，為了改善平面性、提高粘接力和防止反射層或記錄層變質(zhì)，可設(shè)置底涂層。作為底涂層的材料，可列舉例如聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸·甲基丙烯酸共聚物、苯乙烯·馬來酸酐共聚物、聚乙烯醇、N-羥甲基丙烯酰胺、苯乙烯·乙烯基甲苯共聚物、氯磺?；垡蚁?、硝化纖維素、聚氯乙烯、氯化聚烯烴、聚酯、聚酰亞胺、醋酸乙烯基酯-氯乙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯基酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯等高分子物質(zhì)，以及硅烷偶合劑等表面改性劑。本發(fā)明的底涂層可通過將上述物質(zhì)溶解或分散于適當(dāng)?shù)娜軇┲兄瞥赏坎家汉?，將該涂布液采用旋轉(zhuǎn)涂布、浸漬涂布、擠壓涂布等涂布方法涂布在基板表面形成。該底涂層的層厚一般優(yōu)選在0.005～20μm的范圍，更優(yōu)選0.01～10μm的范圍。
(反射層)本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，在前述基板上且前述有機物記錄層下面，為了提高信息再現(xiàn)時的反射率，可設(shè)置反射層。作為反射層材料的光反射性物質(zhì)只要是對激光的反射率在70％以上的物質(zhì)都可以，優(yōu)選反射率高的物質(zhì)，作為其例子，可列舉Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等金屬和準金屬或不銹鋼。
這些物質(zhì)可單獨使用，也可兩種以上混合使用，或形成合金使用。其中優(yōu)選Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al和不銹鋼。特別優(yōu)選Au金屬、Ag金屬、Al金屬或它們的合金，最優(yōu)選Ag金屬、Al金屬或它們的合金。本發(fā)明的反射層例如可通過在基板或記錄層上進行蒸鍍、濺射或離子噴鍍上述光反射性物質(zhì)形成。反射層的厚度一般在10～300nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選50～200nm的范圍。
(記錄層的形成)本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，在上述反射層上可設(shè)置含有用于記錄光信息的有機物(已述構(gòu)成記錄層的有機物)的記錄層。
本發(fā)明的該有機物記錄層的形成可通過蒸鍍、濺射、CVD或溶劑涂布等方法進行，優(yōu)選溶劑涂布。涂布溫度只要在23℃以上50℃以下就沒問題，優(yōu)選24℃～40℃，更優(yōu)選25℃～37℃的范圍。通過溶劑涂布形成記錄層時，除了前述酞菁衍生物或苯并三唑衍生物的有機物以外，可根據(jù)需要在溶劑中再溶解猝滅劑、粘合劑等，制成涂布液，然后在基板表面涂布該涂布液形成涂膜，然后干燥形成的涂布膜。
作為涂布液的溶劑，可列舉乙酸丁酯、乳酸乙酯、溶纖劑醋酸酯等酯；甲基乙基酮、環(huán)己酮、甲基異丁基酮等酮類；二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、氯仿等氯代烴；二甲基甲酰胺等酰胺；甲基環(huán)己烷等烴；丁醚、乙醚、四氫呋喃、二氧六環(huán)等醚；乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、二丙酮醇等醇；2，2，3，3-四氟丙醇等氟類溶劑；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚等二醇醚類等。上述溶劑考慮到使用的有機物的溶解性，可單獨使用或兩種以上組合使用?？筛鶕?jù)目的在涂布液中進一步添加防氧化劑、UV吸收劑、可塑劑、潤滑劑等各種添加劑。
在前述有機物記錄層中使用粘合劑時，作為粘合劑的例子，可列舉明膠、纖維素衍生物、葡聚糖、松香、橡膠等天然有機高分子物質(zhì)；和聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚異丁烯等烴類樹脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚氯乙烯-聚乙酸乙烯基酯共聚物等乙烯類樹脂、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂、聚乙烯醇、氯化聚乙烯、環(huán)氧樹脂、丁縮醛樹脂、橡膠衍生物、酚醛樹脂等熱固化性樹脂的初期縮合物等合成有機高分子。作為記錄層的材料合并使用粘合劑時，粘合劑的使用量一般相對于前述有機物，優(yōu)選在0.01～50倍質(zhì)量的范圍，更優(yōu)選0.1～5倍質(zhì)量的范圍。在這樣制備的涂布液中前述有機物的濃度一般在0.01～10質(zhì)量％的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.1～5質(zhì)量％的范圍內(nèi)。
作為前述有機物記錄層的涂布方法，可列舉噴霧法、旋轉(zhuǎn)涂布法、浸漬法、輥涂法、刮板涂布法、刮刀輥法、絲網(wǎng)印刷法等。該記錄層可以是單層，也可以是多層。另外，記錄層的層厚一般在20～500nm的范圍，優(yōu)選30～300nm的范圍，更優(yōu)選50～100nm的范圍。
本發(fā)明的有機物記錄層中，為了提高記錄層的耐光性，可含有各種褪色防止劑。作為這樣的褪色防止劑，一般使用單態(tài)氧猝滅劑。作為單態(tài)氧猝滅劑，可使用公知的專利說明書等刊物中記載的物質(zhì)。作為其具體例，可列舉特開昭58-175693號、特開昭59-81194號、特開昭60-18387號、特開昭60-19586號、特開昭60-19587號、特開昭60-35054號、特開昭60-36190號、特開昭60-36191號、特開昭60-44554號、特開昭60-44555號、特開昭60-44389號、特開昭60-44390號、特開昭60-54892號、特開昭60-47069號、特開昭63-209995號、特開平4-25492號、特公平1-38680號和特公平6-26028號等各公報、德國專利350399號說明書以及日本化學(xué)會志1992年10月號第1141頁等中記載的物質(zhì)。作為優(yōu)選的單態(tài)氧猝滅劑的例子，可列舉下述通式(III)所示的化合物。
通式(III) 〔式(III)中，R21表示可具有取代基的烷基，另外，Q-表示陰離子?！吃谕ㄊ?III)中，R21一般為可被取代的碳原子數(shù)1～8的烷基，優(yōu)選無取代的碳原子數(shù)1～6的烷基。作為烷基的取代基，可列舉鹵素原子(例如F，Cl)，烷氧基(例如，甲氧基，乙氧基)，烷硫基(例如，甲硫基、乙硫基)，酰基(例如，乙酰基，丙?；?，?；趸?例如，乙酰氧基，丙酰氧基)，羥基、烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基)，鏈烯基(例如乙烯基)，芳基(例如，苯基、萘基)。其中，優(yōu)選鹵素原子、烷氧基、烷硫基、烷氧基羰基。作為Q-陰離子的優(yōu)選例子，可列舉ClO4-、AsF6-、BF4-和SbF6-。
通式(III)所示化合物的例子記載在表2中。
表2化合物序號 R21QII-1 CH3ClO4-H-2 C2H5ClO4-II-3 n-C3H7ClO4-II-4 n-C4H9ClO4-II-5 n-C5H11ClO4-II-6 n-C4H9SbF6-II-7 n-C4H9BF4-II-8 n-C4H9AsF6-前述單態(tài)氧猝滅劑等褪色防止劑的使用量相對于前述有機物的量，通常在0.1～50質(zhì)量％的范圍，優(yōu)選0.5～45質(zhì)量％的范圍，更優(yōu)選3～40質(zhì)量％的范圍，特別優(yōu)選5～25質(zhì)量％的范圍。
(片材層)在本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，為了物理和化學(xué)保護該記錄層等，在上述有機物記錄層上設(shè)置片材層。作為該片材層，只要是透光性材料都可以，作為本發(fā)明中使用的片材層材料的例子，可列舉SiO、SiO2、MgF2、SnO2、Si3N4等無機物，熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、UV固化性樹脂等有機物。特別優(yōu)選聚碳酸酯或三乙酸纖維素那樣的熱塑性樹脂，更優(yōu)選在溫度23℃相對濕度50％的環(huán)境中，吸濕率在5％以下的熱塑性樹脂。
片材層例如可通過將塑料擠出加工得到的薄膜通過粘合劑層壓在反射層上形成?；蛘咭部梢酝ㄟ^真空蒸鍍、濺射、涂布等方法設(shè)置。另外，熱塑性樹脂、熱固化性樹脂時，也可通過將它們?nèi)苡谶m當(dāng)?shù)娜軇┲兄苽渫坎家?，然后涂布該涂布液，進行干燥形成。UV固化性樹脂時，也可以通過原樣或?qū)⑵淙苡谶m當(dāng)?shù)娜軇┲兄苽渫坎家?，然后涂布該涂布液，照射紫外光使之固化而形成。這些涂布液中，根據(jù)目的可進一步添加帶電防止劑、防氧化劑、UV吸收劑等各種添加劑。片材層的層厚一般在0.1μm～1mm的范圍。通過以上工序，可制造在基板上設(shè)置了反射層、記錄層和片材層的本發(fā)明光信息記錄介質(zhì)用層壓體。
另外，上述片材層可通過中間層、粘接層等設(shè)置在記錄層上。為了提高記錄層的保存性并提高記錄層和薄膜片材層的粘接性可設(shè)置中間層。作為中間層中使用的材料，可列舉SiO、SiO2、MgF2、SnO2、Si3N4等無機物。另外，該中間層可通過蒸鍍、濺射等真空成膜形成。粘接層中優(yōu)選使用含有光固化性樹脂的粘合劑。例如，將光固化性樹脂原樣或溶于適當(dāng)?shù)娜軇┲兄苽渫坎家汉螅瑢⒃撏坎家和坎荚谥虚g層上，在涂布膜上層壓例如塑料擠出加工得到的樹脂薄膜，從層壓的樹脂薄膜上進行光照，使涂布膜固化，從而可將樹脂薄膜粘接在中間層上。這樣形成薄膜片材層。
(信息記錄方法)本發(fā)明的信息記錄方法使用上述光信息記錄介質(zhì)，例如，可如下進行。首先，使光信息記錄介質(zhì)以定線速度(CD格式時為1.2～1.4m/秒)或定角速度旋轉(zhuǎn)，同時從基板側(cè)或保護層側(cè)通過NA(透鏡數(shù)值孔徑)0.7以上的透鏡照射含有波長380～500nm光的半導(dǎo)體激光器等的記錄用光。通過該光照射，有機物記錄層吸收該光，局部升溫，發(fā)生物理或化學(xué)變化(例如產(chǎn)生坑)，改變其照射處的光學(xué)特性，從而可記錄信息。
作為具有波長380～500nm范圍振蕩波長的激光光源，可列舉具有波長380～500nm范圍振蕩波長的藍色半導(dǎo)體激光器。從提高記錄密度的觀點考慮，特別優(yōu)選使用藍色半導(dǎo)體激光器。
另外，如上所述記錄的信息的再現(xiàn)可通過使光信息記錄介質(zhì)在與上述同樣的定線速度下旋轉(zhuǎn)，同時從片材側(cè)照射激光，檢測其反射光進行。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)例如可在形成一定軌道間距的預(yù)凹槽的圓盤狀基板上依次層壓反射層、記錄層和片材層構(gòu)成。這樣的光信息記錄介質(zhì)，在給定厚度(CD-R時為1.2mm)的基板對側(cè)設(shè)置薄膜片材層，從該薄膜片材層側(cè)照射光，進行記錄，從而可縮小照射激光的束徑，可用波長500nm以下的短波長光進行高密度的記錄。實施例下面通過實施例對本發(fā)明進行更具體地說明，但是本發(fā)明并不限于這些實施例。另外，以下的％、份分別表示質(zhì)量％、質(zhì)量份。
實施例1將聚碳酸酯樹脂(帝人化成(株)制，商品名Panrit AD5503)注射模塑成形，制成具有螺旋狀凹槽(深度100nm、半值寬度120nm、軌道間距0.3μm)且厚度1.1mm、直徑120mm的基板。然后，在上述基板具有凹槽的一面上通過濺射法形成具有100nm膜厚的Ag膜構(gòu)成的反射層。
將在340nm和680nm具有極大吸收的酞菁類有機物A(CibaspesiaritieChemical社制、Orazol Blue-GN)2g混合在2，2，3，3-四氟丙醇100ml中，進行超聲波處理2小時，使之溶解，制備有機物涂布液。
在Ag反射層上，采用旋轉(zhuǎn)涂布法，在23℃·50％RH的條件下，使旋轉(zhuǎn)數(shù)從300rpm變化到4000rpm，同時涂布前述有機物涂布液，之后，在23℃·50％RH下保持2小時，形成80nm的記錄層。
在有機物膜上，通過旋轉(zhuǎn)涂布法以200rpm涂布紫外線固化粘合劑(大日本油墨化學(xué)工業(yè)(株)制，商品名SD-347)，在其上疊加由0.07mm厚的聚碳酸酯樹脂片(帝人(株)制，商品名Piuaes)構(gòu)成的覆蓋層，使之從300rpm變化到4000rpm，同時將粘合劑擴展至整個面上后，通過紫外線照射燈照射紫外線，使之固化，進行粘接。
在上述覆蓋層上，再通過旋轉(zhuǎn)涂布法以200rpm涂布紫外線固化粘合劑(大日本油墨化學(xué)工業(yè)(株)制，商品名SD-347，在有機物中的溶解性為0.05％)，使之從300rpm變化到4000rpm，同時將粘合劑擴展至整個面上后，通過紫外線照射燈照射紫外線，使之固化，制成樣品。
實施例2在實施例1樣品制作中，除了將有機物換為在330nm和730nm有極大吸收的酞菁類有機物B(Cibaspesiaritie Chemical社制、Super Green)以外，與實施例1同樣制造樣品。
實施例3在實施例1樣品制作中，除了將有機物換為在340nm和680nm有極大吸收的酞菁類有機物C(和光純藥(株)制，F(xiàn)OM0561)以外，與實施例1同樣制造樣品。
比較例1將聚碳酸酯樹脂(帝人化成(株)制，商品名Panrit AD5503)注射模塑成形，制成具有螺旋狀凹槽(深度40nm、半值寬度140nm、軌道間距0.3μm)且厚度1.1mm、直徑120mm的基板。然后，在基板具有凹槽的一面上，通過濺射法形成具有100nm膜厚的Ag膜構(gòu)成的反射層。
在反射層上，通過濺射法依次形成ZnS-SiO2形成的厚度170nm的下部耐熱保護層、AgInSbTe形成的厚度25nm的記錄層、ZnS-SiO2形成的厚度35nm的上部耐熱保護層。
然后，在上部耐熱保護層上，通過旋轉(zhuǎn)涂布法以200rpm涂布紫外線固化粘合劑(大日本油墨化學(xué)工業(yè)(株)制，商品名SD-347)，在其上疊加由0.07mm厚的聚碳酸酯樹脂片(帝人(株)制，商品名Piuaes)構(gòu)成的覆蓋層，使之從300rpm變化到4000rpm，同時將粘合劑擴展至整個面上后，通過紫外線照射燈照射紫外線，使之固化，進行粘接。
在上述覆蓋層上，再通過旋轉(zhuǎn)涂布法以200rpm涂布紫外線固化粘合劑(大日本油墨化學(xué)工業(yè)(株)制，商品名SD-347)，使之從300rpm變化到4000rpm，同時將粘合劑擴展至整個面上后，通過紫外線照射燈照射紫外線，使之固化，制作樣品。
比較例2除了將比較例1樣品的記錄層換為SbTe之外，與比較例1同樣進行，制造樣品。
比較例3除了將實施例1樣品的基板凹槽換為深度40nm、半值寬度120nm、軌道間距0.30μm以外，與實施例1同樣進行，制作樣品。
比較例4除了將實施例1樣品的基板凹槽換為深度160nm、半值寬度120nm、軌道間距0.30μm以外，與實施例1同樣進行，制作樣品。
比較例5在實施例1的樣品中，除了將有機物換為400nm以下的λmax為360nm的氨基丁二烯類有機物a之外，與實施例1進行同樣的操作，制備樣品。
對實施例1～3和比較例1～5的樣品進行如下評價。
<C/N>
對制作的光盤使用405nm激光、裝載有NA0.85拾波器的記錄再現(xiàn)評價機(Barstec社制，DDU1000)，在時鐘頻率66MHz、線速度5.6m/s下，用單一頻率信號(2T＝0.13μm)進行記錄、再現(xiàn)，通過頻譜解析器測定C/N。
<再現(xiàn)耐久性>
對制作的光盤使用405nm激光、裝載有NA0.85拾波器的記錄再現(xiàn)評價機(Barstec社制，DDU1000)，在時鐘頻率66MHz、線速度5.6m/s下，記錄1-7PP調(diào)制信號(激光功率6mW)，在靜止?fàn)顟B(tài)下連續(xù)再現(xiàn)100萬次(激光功率0.4mW)，將初期的調(diào)制度作為100％，測定100萬次再現(xiàn)后調(diào)制的劣化。結(jié)果如表3所示。
表3

從表3可知，在記錄層中使用本發(fā)明的在特定波長具有極大吸收的有機物，且凹槽的槽深在本發(fā)明范圍內(nèi)時，C/N和再現(xiàn)耐久性都優(yōu)秀，但是，即是具有含有前述特定有機物的記錄層，凹槽的槽深超出本發(fā)明范圍時，C/N變差。另外，凹槽的槽深小于50nm且記錄層是利用相變化的物質(zhì)時，再現(xiàn)耐久性非常差。另外，作為有機物使用λmax為360nm的物質(zhì)，且凹槽的槽深小于50nm時，C/N和再現(xiàn)耐久性都很差。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)通過在形成了特定凹槽的基板上，使用含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物的記錄層作為記錄層，C/N和再現(xiàn)耐久性都優(yōu)秀，可無障礙進行高密度記錄。
實施例4作為基板，使用將聚碳酸酯樹脂(帝人(株)制，商品名Panrit AD5503)注射模塑成形制作的，具有螺旋狀凹槽(深度100nm、半值寬度120nm、軌道間距0.34μm)且厚度0.6mm、直徑120mm的基板。
將在340nm和680nm具有極大吸收的酞菁類有機物A(CibaspesiaritieChemical社制、Orazol Blue-GN)2g混合在2，2，3，3-四氟丙醇100ml中，進行超聲波處理2小時，使之溶解，制備有機物涂布液。
在前述基板具有凹槽的面上，采用旋轉(zhuǎn)涂布法，在23℃·50％RH條件下，使旋轉(zhuǎn)數(shù)從300rpm變化到4000rpm，同時涂布前述有機物涂布液，之后，在23℃·50％RH下保持2小時，在凹槽內(nèi)形成80nm的記錄層。
接著，在記錄層上通過濺射法形成具有膜厚100nm的Ag膜構(gòu)成的反射層。
之后，在40℃下，通過旋轉(zhuǎn)涂布法以200rpm涂布紫外線固化粘合劑(大日本油墨化學(xué)工業(yè)(株)制，商品名SD-640)，在其上疊加0.6mm厚的聚碳酸酯樹脂基板，使之從300rpm變化到4000rpm，同時將粘合劑擴展至整個面上后，通過紫外線照射燈照射紫外線，使之固化，制成樣品。
實施例5在實施例4樣品制作中，除了將有機物換為在330nm和730nm有極大吸收的酞菁類有機物B(Cibaspesiaritie Chemical社制、Super Green)以外，與實施例4同樣制造樣品。
實施例6在實施例4樣品制作中，除了將有機物換為在340nm和680nm有極大吸收的酞菁類有機物C(和光純藥(株)制，F(xiàn)OM0561)以外，與實施例4同樣制造樣品。
比較例6將聚碳酸酯樹脂(帝人(株)制，商品名Panrit AD5503)注射模塑成形，制成具有螺旋狀凹槽(深度40nm、半值寬度120nm、軌道間距0.34μm)且厚度0.6mm、直徑120mm的基板。然后，在基板具有凹槽的一面上，分別通過濺射法形成ZnS-SiO2形成的厚度170nm的下部耐熱保護層、AgInSbTe形成的厚度25nm的記錄層、ZnS-SiO2形成的厚度35nm的上部耐熱保護層和Ag膜形成的厚度100nm的反射層。
然后，在反射層上，在40℃下，通過旋轉(zhuǎn)涂布法以200rpm涂布紫外線固化粘合劑(大日本油墨化學(xué)工業(yè)(株)制，商品名SD-640)，在其上疊加0.6mm厚的聚碳酸酯樹脂基板，使之從300rpm變化到4000rpm，同時將粘合劑擴展至整個面上后，通過紫外線照射燈照射紫外線，使之固化，進行粘接。
比較例7除了將比較例6樣品的記錄層換為SbTe之外，與比較例6同樣進行，制造樣品。
比較例8除了將實施例4樣品的基板凹槽換為深度40nm、半值寬度120nm、軌道間距0.34μm以外，與實施例4同樣進行，制作樣品。
比較例9除了將實施例4樣品的基板凹槽換為深度160nm、半值寬度120nm、軌道間距0.34μm以外，與實施例4同樣進行，制作樣品。
比較例10在實施例4的樣品中，除了將有機物換為400nm以下的λmax為360nm的氨基丁二烯類有機物a之外，與實施例4進行同樣的操作，制備樣品。
對實施例4～6和比較例6～10的樣品如下進行評價。
<C/N>
對制作的光盤使用405nm激光、裝載有NA0.65拾波器的記錄再現(xiàn)評價機(Barstec社制，DDU1000)，在時鐘頻率20MHz、線速度2.0m/s下，用單一頻率信號(3T＝0.29μm)進行記錄(激光功率1.0mW)、再現(xiàn)(激光功率0.6mW)，通過頻譜解析器測定C/N。
<再現(xiàn)耐久性>
對制作的光盤使用405nm激光、裝載有NA0.65拾波器的記錄再現(xiàn)評價機(Barstec社制，DDU1000)，在時鐘頻率20MHz、線速度2.0m/s下，記錄(激光功率1.0mW)、再現(xiàn)(激光功率0.6mW)EMF調(diào)制信號，將初期的調(diào)制度作為100％，測定在靜止?fàn)顟B(tài)下連續(xù)再現(xiàn)100萬次后調(diào)制的劣化。結(jié)果如表4所示。
表4

從表4可知，在記錄層中使用本發(fā)明的在特定波長具有極大吸收的有機物，且凹槽的槽深在本發(fā)明范圍內(nèi)時，C/N和再現(xiàn)耐久性都優(yōu)秀，但是，即是具有含有前述特定有機物的記錄層，凹槽的槽深超出本發(fā)明范圍時，C/N變差。另外，凹槽的槽深小于50nm且記錄層是利用相變化的物質(zhì)時，再現(xiàn)耐久性非常差。另外，作為有機物使用λmax為360nm的物質(zhì)且凹槽的槽深小于50nm時，C/N和再現(xiàn)耐久性都很差。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)通過在形成了特定凹槽的基板上，使用含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物的記錄層作為記錄層，C/N和再現(xiàn)耐久性都優(yōu)秀，可無障礙進行高密度記錄。<A酞菁類有機物記錄層的例子>[實施例7～11、15～18；比較例11、12、15、16]在厚度1.2mm、直徑120mm的具有螺旋狀凹槽(表5中表示各槽深、軌道間距、槽的半值寬度、槽的傾斜角)的注射模塑成形聚碳酸酯樹脂((株)帝人制的商品名“Panrit AD5503”)基板的具有凹槽的一面上，濺射Ag形成膜厚100nm的反射層。另外，將CIBA spesiaritie Chemical社制的酞菁“Orazol Blue GN”與2，2，3，3-四氟丙醇混合，用超聲波處理2小時使之溶解，得到記錄層形成用涂布液(濃度2質(zhì)量％)。用旋轉(zhuǎn)涂布法，在溫度23℃相對濕度50％的條件下，使旋轉(zhuǎn)數(shù)從300rpm變化到4000rpm，同時涂布該有機物涂布液。之后，在溫度23℃相對濕度50％下保存1小時后，濺射ZnS-SiO2，使膜厚為5nm，通過旋轉(zhuǎn)涂布法在旋轉(zhuǎn)數(shù)100～300rpm下涂布UV固化粘合劑(大日本油墨化學(xué)社制的“SD-640”)，疊加聚碳酸酯片((株)帝人制的“Piuaes”，70微米)，之后使旋轉(zhuǎn)數(shù)從300rpm變化到4000rpm，同時將粘合劑擴展至整個面上后，用紫外線照射燈照射紫外線，使之固化，制成本發(fā)明的實施例7～11、15～18和比較例11、12、15、16的光信息記錄介質(zhì)(光盤)樣品。<B苯并三唑類有機物記錄層的例子>[實施例12～14、19～23；比較例13、14、17、18]在厚度1.2mm、直徑120mm的具有螺旋狀凹槽(表3中表示各槽深、軌道間距、槽的半值寬度、槽的傾斜角)的注射模塑成形聚碳酸酯樹脂((株)帝人制的商品名“Panrit AD5503”)基板的具有凹槽的一面上，濺射Ag形成膜厚100nm的反射層。另外，將下述化合物1(苯并三唑)與2，2，3，3-四氟丙醇混合，用超聲波處理2小時，使之溶解，得到記錄層形成用涂布液(濃度2質(zhì)量％)。用旋轉(zhuǎn)涂布法，在溫度23℃相對濕度50％的條件下，使旋轉(zhuǎn)數(shù)從300rpm變化到4000rpm，同時涂布該有機物涂布液。之后，在溫度23℃相對濕度50％下保存1小時后，濺射ZnS-SiO2，使膜厚5nm，通過旋轉(zhuǎn)涂布法在旋轉(zhuǎn)數(shù)100～300rpm下涂布UV固化粘合劑(大日本油墨化學(xué)社制的“SD-640”)，疊加聚碳酸酯片((株)帝人制的“Piuaes”，70微米)，之后使旋轉(zhuǎn)數(shù)從300rpm變化到4000rpm，同時將粘合劑擴展至整個面上后，用紫外線照射燈照射紫外線，使之固化，制成本發(fā)明的實施例12～14、19～23和比較例13、14、17、18的光信息記錄介質(zhì)(光盤)樣品。
化合物1 <作為光盤的評價>
對于上述制作的光信息記錄介質(zhì)(光盤)，在線速度3.5m/秒下，使用振蕩波長405nm的藍色半導(dǎo)體激光器通過數(shù)值孔徑(NA)0.85的透鏡系統(tǒng)記錄3T-EFM信號后，再現(xiàn)記錄的信號。使用波長405nm的藍色半導(dǎo)體激光器和裝載有數(shù)值孔徑(NA)0.85的透鏡系統(tǒng)的Barstec社制“DDU1000”，測定未記錄的凹槽反射率。另外，以8mW記錄3T信號，測定其感光度(C/N)。評價結(jié)果如下面表5所示。
表5

備注D酞菁類有機物E苯并三唑類有機物從表5的結(jié)果可知，本發(fā)明的光盤(實施例7～23)與比較例11～18的光盤相比，對于通過數(shù)值孔徑(NA)0.85的透鏡聚光的波長405nm的激光顯示高反射率，而且是高感光度。因此可知，通過使用本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，可得到對于通過數(shù)值孔徑(NA)0.7以上透鏡的波長380～500nm的短波長激光具有高記錄特性的光盤。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)通過使記錄層為含有有機物的層，基板的槽深為15～45nm，軌道間距為250～400nm，槽的半值寬度為60～200nm，槽的傾斜角為40～80°，從而照射波長380～500nm的短波長激光，可進行信息的高密度記錄和再現(xiàn)，且達到具有所謂高感光度、高反射率的良好記錄再現(xiàn)特性的效果。即，比現(xiàn)有的CD-R或DVD-R可高密度記錄信息，可更大容量地記錄信息。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，是使用450nm以下的激光和數(shù)值孔徑(NA)0.7以上的物鏡進行記錄再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在形成了軌道間距為200～400nm、槽深為50～150nm、槽半值寬度為90～200nm的凹槽的基板上，依次設(shè)置有反射層、記錄層和覆蓋層，且前述記錄層含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物。
2.權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是選自花青苷類有機物、氨基丁二烯類有機物、苯并三唑類有機物、酞菁類有機物和玫紅花青苷類有機物的有機物。
3.權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是在600～700nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的酞菁有機物。
4.權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述基板是聚碳酸酯。
5.權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述反射層含有選自Au和Ag的貴金屬。
6.權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述槽的深度為60～110nm。
7.一種光記錄介質(zhì)，是使用450nm以下的激光和數(shù)值孔徑(NA)0.5以上0.7以下的物鏡進行記錄再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在形成了軌道間距為200～400nm、槽深為50～150nm、槽半值寬度為90～200nm的凹槽的基板上，依次設(shè)置記錄層和反射層，且前述記錄層含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物。
8.權(quán)利要求7記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是選自花青苷類有機物、氨基丁二烯類有機物、苯并三唑類有機物、酞菁類有機物和玫紅花青苷類有機物的有機物。
9.權(quán)利要求7記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是在600～700nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的酞菁有機物。
10.權(quán)利要求7記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述基板是聚碳酸酯。
11.權(quán)利要求7記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述反射層含有選自Au和Ag的貴金屬。
12.權(quán)利要求7記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述槽的深度為80～120nm。
13.一種光信息記錄介質(zhì)，是在基板上具有通過數(shù)值孔徑(NA)0.7以上的透鏡照射波長380～500nm的激光從而可記錄信息的記錄層的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，在前述基板上的反射層上的前述記錄層上設(shè)置有片材層，前述記錄層是含有有機物的層，且前述基板的槽深是15～45nm，軌道間距為250～400nm，槽半值寬度為60～200nm，槽的傾斜角為40～80°。
14.權(quán)利要求13記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是酞菁衍生物。
15.權(quán)利要求14記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述酞菁衍生物是下述式(I)所示的化合物，通式(I) [式(I)中，R表示取代基，n表示1～8的整數(shù)，n是2以上的整數(shù)時，多個R可相互相同，也可不同，M表示2個氫原子、金屬、金屬氧化物或有配體的金屬。]
16.權(quán)利要求13記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是苯并三唑衍生物。
17.權(quán)利要求16記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述苯并三唑衍生物是下述式(II)所示的化合物，通式(II) [式(II)中，h和k分別獨立地表示1～3的整數(shù)，R3和R4表示取代基，r和s表示0～3的整數(shù)，其中，h＝1且r0時，R3表示選自碳原子數(shù)2～16的烷基、碳原子數(shù)6～14的芳基、碳原子數(shù)7～15的芳烷基、碳原子數(shù)1～16的烷氧基、碳原子數(shù)6～14的芳氧基、碳原子數(shù)2～17的烷氧基羰基、碳原子數(shù)1～10的氨基甲?；?、碳原子數(shù)1～10的酰胺基、碳原子數(shù)2～17的?；趸望u素原子的取代基]。
18.權(quán)利要求13記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述基板的軌道間距在280～350nm的范圍。
19.權(quán)利要求13記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述基板的半值寬度在80～150nm的范圍。
20.權(quán)利要求13記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述基板的槽深在20～40nm的范圍。
全文摘要
本發(fā)明提供C/N和再現(xiàn)耐久性都優(yōu)秀且可無故障進行高密度記錄的光記錄介質(zhì)。另外,提供照射短波長藍色激光可進行信息的高密度且大容量記錄和再現(xiàn)并具有感光度和反射率均優(yōu)秀的記錄特性的光信息記錄介質(zhì)。該光記錄介質(zhì)使用450nm以下的激光進行記錄再現(xiàn),在形成了軌道間距為200～400nm、槽深為50～150nm、槽半值寬度為90～200nm的凹槽的基板上,設(shè)置反射層、記錄層等,且前述記錄層含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物。該光信息記錄介質(zhì),是基板上具有通過數(shù)值孔徑(NA)0.7以上的透鏡照射波長380～500nm的激光可記錄信息的記錄層的光信息記錄介質(zhì),其特征在于,前述記錄層是含有有機物的層,且前述基板的槽深是15～45nm,軌道間距為250～400nm,槽半值寬度為60～200nm,槽的傾斜角為40～80°。
文檔編號G11B7/258GK1383143SQ02118520
公開日2002年12月4日 申請日期2002年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月26日
發(fā)明者角田毅, 齊藤真二, 石田壽男 申請人:富士膠片株式會社