專利名稱：磁復(fù)錄方法和磁復(fù)錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于在磁復(fù)錄介質(zhì)上一次復(fù)錄很多情報的方法，特別是關(guān)于向大容量、高復(fù)錄密度的磁復(fù)錄介質(zhì)上復(fù)錄情報的方法。
在數(shù)字圖像應(yīng)用的進展中，以可變電容器等處理情報的數(shù)量飛速地增加著，隨著情報量的增加，則要求一種能以大容量并廉價地復(fù)錄情報，而且復(fù)錄和讀取時間極短的磁復(fù)錄介質(zhì)。
在硬盤等高密度復(fù)錄介質(zhì)和以ZLP(Iomega) 為代表的高密度軟盤型的磁復(fù)錄介質(zhì)中，其構(gòu)成是與一般的軟盤比較，以狹窄的磁道構(gòu)成情報復(fù)錄區(qū)域，為了能使磁頭準(zhǔn)確地掃描狹窄磁道的寬度，和以較高的S/N比進行信號的記錄和再生，需要使用跟蹤伺服技術(shù)進行準(zhǔn)確的掃描。
因此，在像硬盤、可在移動的磁復(fù)錄介質(zhì)一類的大容量磁復(fù)錄介質(zhì)中，在盤中以1周的間隔復(fù)錄著跟蹤用的伺服信號、地址情報信號和再生時鐘信號等，所謂形成予格式化。
磁頭在讀取予格式化的信號時，可修正自己的位置，準(zhǔn)確地在磁道上移動。
現(xiàn)在的予格式化是使用專門的伺服復(fù)錄裝置，在盤上進行制作，每1張、每1個磁道地進行復(fù)錄，從而產(chǎn)生的問題是，伺服復(fù)錄裝置昂貴，由于予格式化制作需要很長時間，所以制造需要很長時間，并對制造費用產(chǎn)生影響。
因此，也提出了用磁復(fù)錄方式，每1個磁道地進行予格式化的方案。例如，特開昭63-183623號公報，特開平10-40544號公報，和特開平10-269566號公報中介紹的復(fù)錄技術(shù)，然而，在該磁復(fù)錄方法中，主要是著重于復(fù)錄時施加磁場的條件和產(chǎn)生磁場的具體裝置，但實際上該提案并沒有執(zhí)行。
作為解決這種老問題的復(fù)錄方法，在特開昭63-183623號公報和特開平10-40544號公報中提出了一種方法，即，在基板表面上形成與情報信號相對應(yīng)的凹凸形狀，凹凸形狀中，至少在凸部表面上形成強磁性薄膜，將這樣的磁復(fù)錄用主載體的表面與形成強磁性薄膜或強磁性粉涂布層的片狀或盤狀磁復(fù)錄介質(zhì)的表面接觸，或者進一步施加交流偏置磁場或直流磁場，將構(gòu)成凸部表面的強磁性材料進行激磁，將與凹凸形狀相對應(yīng)的磁化圖形復(fù)錄在磁復(fù)錄介質(zhì)上。
該方法的特征是將磁復(fù)錄用主載體的凸部表面與予格式化的整個磁復(fù)錄介質(zhì)，即從屬介質(zhì)緊密接觸，同時對構(gòu)成凸部的強磁性材料進行激磁，通過復(fù)錄在從屬介質(zhì)上形成規(guī)定格式的方法，不使磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)的相對位置發(fā)生變化，而是在靜止下進行復(fù)錄，可準(zhǔn)確地進行予格式化復(fù)錄，而且還有復(fù)錄所用時間極短的特征，即，在上述用磁頭進行復(fù)錄的方法中，通常需要數(shù)分鐘到數(shù)十分鐘，而且存在復(fù)錄所用時間復(fù)錄容量成比例地增加的問題，而這種磁復(fù)錄方法，具有的特征，可以說是與復(fù)錄和復(fù)錄密度沒有任何關(guān)系，僅在1秒以內(nèi)就可完成復(fù)錄。
參照

圖1對復(fù)錄磁復(fù)錄用主載體中予格式化用圖形進行說明，圖1(A)是對磁復(fù)錄用主載體的磁性層面進行模式說明的平面圖，圖1(B)是說明復(fù)錄過程的斷面圖。
在磁復(fù)錄用主載體1的磁道規(guī)定區(qū)域內(nèi)形成予格式化區(qū)域2和數(shù)據(jù)區(qū)域3，在予格式化區(qū)域2中形成有全部復(fù)錄跟蹤用的伺服信號和地址信號的圖形，通過將磁復(fù)錄用主載體1和從屬介質(zhì)4緊密接觸，沿磁道方向5施加復(fù)錄用外部磁場6，由于能將予格式化情報作為復(fù)錄情報7復(fù)錄在從屬介質(zhì)一側(cè)上，所以可高效地制造從屬介質(zhì)。
而且，在利用這種方法進行復(fù)錄時，會產(chǎn)生情報信號品位低劣的現(xiàn)象，也有時產(chǎn)生伺服工作不準(zhǔn)確的現(xiàn)象，但對這種情況還不明確。
本發(fā)明的目的是提供一種穩(wěn)定的復(fù)錄方法和裝置，即將磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)緊密接觸，施加外部磁場，通過復(fù)錄予格式化圖形制作成從屬介質(zhì)，從而可防止伺服工作不準(zhǔn)確的現(xiàn)象。
本發(fā)明的磁復(fù)錄方法，是在將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和接受復(fù)錄的從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄方法中，將以磁極軸對稱形成磁化的單一永久磁鐵，以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，磁極軸垂直從屬介質(zhì)的方式進行配置，通過沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或永久磁鐵，沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場，預(yù)先沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)形成初期直流磁化后，再將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，沿磁道方向施加和從屬介質(zhì)面初期直流磁化方向相反的復(fù)錄用磁場，進行磁復(fù)錄。
本發(fā)明的磁復(fù)錄方法，是在將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄方法中，以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對的方法，配置以磁極軸對稱形成磁化的單一永久磁鐵，在磁道方向上，使該永久磁鐵一端間的距離與另一端的距離不同，傾斜配置，在磁道方向上形成非對稱化的磁場強度分布，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)如此配置的磁鐵或從屬介質(zhì)，通過大致沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場，沿磁道方向，予先將從屬介質(zhì)形成初期直流磁化后，將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，沿磁道方向施加與從屬介質(zhì)面初期直流磁化方向相反向的復(fù)錄用磁場，進行磁復(fù)錄。
本發(fā)明的磁復(fù)錄方法，是在將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄方法中，沿從從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場，予先沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)形成初期直流磁化后，將磁復(fù)錄用主載體和上述直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且，在磁道方向上使該永久磁鐵一端間距離與另一端的距離不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度分布，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)如此配置的磁鐵，或者旋轉(zhuǎn)磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸體，施加和初期直流磁化方向相反向磁道方向的復(fù)錄用磁場，進行磁復(fù)錄。
上述的磁復(fù)錄方法中，以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對的方式，配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，此時產(chǎn)生的磁場在磁道方向上的磁場強度分布，在磁道方向位置上至少有1處以上高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度部分。
上述的磁復(fù)錄方法中，以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對的方式，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距和另一端的距離不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度分布，此時產(chǎn)生的磁場，沿磁道方向的磁場強度分布，在磁道方向位置上僅在一個方向上具有高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度部分，在任何一個磁道方向位置上，相反方向的磁場強度都低于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs。
上述的磁復(fù)錄方法中，以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距和另一端的距離不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度分布，此時產(chǎn)生的磁場在磁道方向上的磁場強度分布中，在任何一個磁道方向位置上都不存在超過最適宜復(fù)錄磁場強度范圍最大值的磁場強度，而在一個磁道方向上至少存在1處以上的形成最適宜復(fù)錄磁場強度范圍內(nèi)的磁場強度部分，在任何一個磁道方向位置上，與其相反的磁道方向上的磁場強度都低于最適宜復(fù)錄磁場強度范圍的最小值。
上述的磁復(fù)錄方法中，相對于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs，最適宜復(fù)錄的磁場強度為0.6×Hcs～1.3×Hcs。
本發(fā)明的一種磁復(fù)錄裝置，是在將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄裝置中，包括以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或永久磁鐵，沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場，予先沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)形成初期直流磁化的初期直流磁化裝置，將磁復(fù)錄用主載體和初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸裝置，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)緊密接觸體或永久磁鐵，沿磁道方向施加和從屬介質(zhì)面初期直流磁化方向相反的復(fù)錄用磁場的復(fù)錄磁場施加裝置。
本發(fā)明的磁復(fù)錄裝置是在將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄裝置中，包括以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上，該永久磁鐵一端的間距和另一端的距離不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度分布，通過沿磁道方向旋轉(zhuǎn)永久磁鐵或從屬介質(zhì)，沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場，予先沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)形成初期直流磁化的初期直流磁化裝置，將磁復(fù)錄用主載體和初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸裝置，對該緊密接觸體，沿磁道方向施加和從屬介質(zhì)面初期直流磁化方向相反的復(fù)錄用磁場的復(fù)錄磁場施加裝置。
本發(fā)明的磁復(fù)錄裝置，是在將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄裝置中，包括將磁復(fù)錄用主載體和初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸裝置，以夾持著該緊密接觸體，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距和另一端的距離不同，由如此配置的永久磁鐵構(gòu)成的復(fù)錄磁場施加裝置，旋轉(zhuǎn)緊密接觸體或復(fù)錄磁場施加裝置中任何一個的旋轉(zhuǎn)裝置。
上述磁復(fù)錄裝置中，初期直流磁化裝置是以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，此時產(chǎn)生的磁場，在磁道方向上的磁場強度分布，在磁道方向位置上至少有1處以上高于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs的磁場強度部分。
上述磁復(fù)錄裝置中，初期直流磁化裝置是以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距和另一端的距離不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度分布，由如此配置的永久磁鐵沿磁道方向形成的磁場強度分布，在磁道方向位置上僅在一個方向上具有高于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs的磁場強度部分，在任何一個磁道方向位置上，相反向的磁場強度都低于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs。
上述磁復(fù)錄裝置中，復(fù)錄磁場施加裝置是以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上永久磁鐵一端的間距和另一端的距離不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度，由如此配置的永久磁鐵，產(chǎn)生磁場在磁道方向上的磁場強度分布中，在任何一個磁道方向位置上都不存在超過最適宜復(fù)錄磁場強度范圍最大值的磁場強度，而在一個磁道方向上至少存在一處以上形成最適宜復(fù)錄磁場強度范圍內(nèi)的磁場強度部分，與其相反的磁道方向上的磁場強度，在任何一個磁道方向位置上都低于最適宜復(fù)錄磁場強度范圍的最小值。
上述磁復(fù)錄裝置中，最適宜復(fù)錄的磁場強度為0.6×Hcs～1.3×Hcs。
在將磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)緊密接觸，由外部放置復(fù)錄用磁場時，由于復(fù)錄不穩(wěn)定，產(chǎn)生信號品位降低的部分，本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)了原因，是由于復(fù)錄時施加磁場不當(dāng)造成信號品位降低，并由此想到了本發(fā)明。
一般認為在從磁復(fù)錄用主載體向從屬載體進行磁復(fù)錄中，當(dāng)施加高于從屬介質(zhì)保持力Hcs的外部磁場時，在施加方向上整個從屬介質(zhì)形成磁化狀態(tài)下，因此，不能復(fù)錄原本應(yīng)該復(fù)錄的整個圖形，例如在特開平10-40544號公報0064號段落中記載的，最好與磁復(fù)錄介質(zhì)保持力同等程度以下。
因此，根據(jù)本發(fā)明者們的研究可知，本方式中的磁復(fù)錄原理，如圖1所示，磁復(fù)錄用主載體1與從屬介質(zhì)4實際接觸的凸?fàn)畲判詫硬糠?，?fù)錄用外部磁場6向該凸?fàn)畈糠治盏拇艌鰹?a，在接觸的從屬介質(zhì)4的磁性層上不能形成可復(fù)錄的磁場強度，但在與磁復(fù)錄用主載體1與從屬介質(zhì)4沒有接觸的凹狀部分相對應(yīng)的從屬介質(zhì)4的磁性層上，形成可復(fù)錄的磁場強度，如圖1中7所示，沿復(fù)錄用外部磁場6的方向進行磁化，可將磁復(fù)錄用主載體1的予格式化用的圖形作為復(fù)錄情報7，向從屬介質(zhì)4上進行復(fù)錄。
因而，在從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)復(fù)錄時，與從屬介質(zhì)接觸部分，由于大量的磁場進行磁復(fù)錄用主載體的圖形部分內(nèi)，在從屬介質(zhì)上施加了高于保磁力Hcs的復(fù)錄磁場，而不會顛倒，和從屬介質(zhì)的保磁力Hcs比較，通過使用具有特定關(guān)系強度的復(fù)錄用磁場，從而可得到信號品位很高的從屬介質(zhì)。
為了對任何圖形實現(xiàn)明了的復(fù)錄，首先在一個方向上用足夠的磁場，高于保磁力Hcs，最好用1∶2倍以上Hcs的磁場對從屬介質(zhì)進行初期直流磁化，再放加特定強度的復(fù)錄用磁場，即最適宜復(fù)錄磁場強度范圍內(nèi)的磁場，最好的復(fù)錄用磁場為0.6×Hcs≤復(fù)錄用磁場≤1.3×Hcs，施加方向為與初期直流磁化的方向相反。
復(fù)錄用磁場更好為0.8～1.2Hcs，尤其好為1～1.1Hcs。
伺服用進行予格式化的磁復(fù)錄介質(zhì)是圓盤狀的復(fù)錄介質(zhì)，沿著從旋轉(zhuǎn)中心開始描繪成同心圓狀的磁道復(fù)錄情報，在這樣的圓盤狀磁復(fù)錄介質(zhì)上施加復(fù)錄放射狀圖形的磁場，其方法是在從屬介質(zhì)面的磁道方向，即任意的磁道方向位置上，以圓弧切線的方向施加磁場，沿磁道方向，予先將從屬介質(zhì)形成初期直流磁化。
接著，將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加復(fù)錄用磁場，進行磁復(fù)錄。予先在從屬介質(zhì)上沿磁道方向施加磁場，初期直流磁化的方向和為進行磁復(fù)錄而施加的復(fù)錄用磁場，在從屬介質(zhì)面上必須是反向。
為了在整個圓盤狀介質(zhì)面上施加上述施加磁場條件的磁場，在磁道方向的一部分上產(chǎn)生像在磁道方向位置上至少有1處以上高于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs的磁場強度部分那樣的磁場強度分布的磁場，通過將從屬介質(zhì)或磁場沿磁道方向放置1周，可實現(xiàn)初期直流磁化。
在磁道方向位置上，僅在一個方向上具有高于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs的磁場強度部分，在磁道方向的一部分上產(chǎn)生像在任何磁道方向位置上反方向磁場強度低于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs那樣的磁場強度分布的磁場，通過沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)或磁場旋轉(zhuǎn)1周，可施加沿磁道方向予先將從屬介質(zhì)形成初期直流磁化的磁場。
在任何一個磁道方向位置上不存在超過最適宜復(fù)錄磁場強度范圍最大值的磁場強度，在一個磁道方向上至少存在一處以上形成最適宜復(fù)錄磁場強度范圍內(nèi)的磁場強度部分，在磁道方向的一部分上產(chǎn)生像在任何磁道方向位置上與其相反磁道方向的磁場強度低于最適宜復(fù)錄磁場強度范圍最小值那樣的磁場強度分布的磁場，在將磁復(fù)錄用主載體和初期直流磁化的從屬載體緊密接觸的狀態(tài)下，通過沿磁道方向旋轉(zhuǎn)，或者通過沿磁道方向旋轉(zhuǎn)磁場，可實現(xiàn)沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加復(fù)錄用磁場。
在本發(fā)明的方法中，將永久磁鐵的磁極軸斜對從屬介質(zhì)面，以傾斜狀附與復(fù)錄磁場，這時磁極軸傾斜的最適宜值，雖然根據(jù)磁鐵的形狀變化，但在長方體的永久磁鐵時，磁極軸垂直面和從屬介質(zhì)面形成的夾角角度θ，最好為5°～70°，更好為20°～55°。
初期直流磁化和磁復(fù)錄中用的永久磁鐵，大小最好和從從屬介質(zhì)一端的磁道到另一端磁道的距離同等大小，或者大于該距離。當(dāng)為圓盤狀從屬介質(zhì)時，最好和從從屬介質(zhì)最外周磁道到最內(nèi)圓磁道的半徑方向距離同等大小，或大于該距離的磁鐵，通過使用這樣大小的磁鐵，將從屬介質(zhì)，從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體的緊密接觸體，和永久磁鐵中的任何一個，在磁道總長中沿一個方向移動或僅旋轉(zhuǎn)1周，就可以在從屬介質(zhì)面上附與均勻的磁場。
使用永久磁鐵施加的磁場強度，要求在整個磁道位置上是均勻的，它的偏差大小，在整個磁道位置上最好在±5％以內(nèi)，更好在±2.5％以內(nèi)。
以下參照附圖對復(fù)錄方法和復(fù)錄裝置進行說明。
圖2是使用相對的2個永久磁鐵施加磁場方法的說明2(A)為一示例，即在從屬介質(zhì)4的上面和下面，在同種磁極相對的狀態(tài)下，配置與磁極軸形成對稱磁化的永久磁鐵8a、8b，并旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)。
如圖2(B)所示，從從屬介質(zhì)4的上面和下面設(shè)置的單一永久磁鐵8a和8b，對從屬介質(zhì)4的面，附與磁場9。
圖2(C)是附與從屬介質(zhì)的磁場強度示意圖。在附與從屬介質(zhì)的磁場中存在超過從屬介質(zhì)的保磁力Hcs的峰值10，通過旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或旋轉(zhuǎn)磁場，可將從屬介質(zhì)形成初期直流藥化。
圖3是另一施加磁場方法的說明圖。
圖3(A)是施加非對稱磁場方法的說明圖，圖3(B)是通過施加圖3(A)的磁場，所附與磁場強度的說明圖。
以夾持著從屬介質(zhì)4，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵8c和8d，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距11a與另一端的間距11b不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度，對從屬介質(zhì)4的表面附與非對稱磁場12，通過相對于從屬介質(zhì)1的中心軸沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)4，或傾斜的永久磁鐵8c和8d，在從屬介質(zhì)的整個面上附與非對稱磁場，進行初期直流磁化。
非對稱磁場中，一方強度小的峰值13對從屬介質(zhì)的初期直流磁化不產(chǎn)生任何影響，只強度大的峰值14對初期直流磁化產(chǎn)生作用。
圖4是另一個施加磁場方法的說明4(A)是對從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體的緊密接觸體施加非對稱磁場的說明圖，圖4(B)是通過施加圖4(A)的磁場，所附與磁場強度的說明圖。
將初期直流磁化的從屬介質(zhì)4和磁復(fù)錄用主載體1緊密接觸，對緊密接觸15的表面。
以夾持著緊密接觸體15，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵8c和8d，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距11a和該永久磁鐵另一端的間距11b不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度分布，通過對從屬介質(zhì)4的表面附與非對稱磁場12，相對于緊密接觸體15的中心軸沿磁道方向旋轉(zhuǎn)緊密接觸體15，或傾斜的永久磁鐵8c和8d中的任何一個，在緊密接觸體15的整個面上附與初期直流磁化方向相反向的磁場。
非對稱磁場中，強度小的峰值13對從磁復(fù)錄主載體向從屬介質(zhì)復(fù)錄圖形時不會產(chǎn)生任何影響，只在強度大的峰值14才能進行磁復(fù)錄。
強度大的峰值14附與最適宜復(fù)錄磁場強度范圍的磁場，可從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)形成良好的圖形，與圖形的形狀無關(guān)。
在圖2-圖4所示磁復(fù)錄方法使用的裝置中，設(shè)有可任意調(diào)整從屬介質(zhì)面與永久磁鐵之間距離的機構(gòu)，通過調(diào)整從屬介質(zhì)和永久磁鐵之間的距離，在從屬介質(zhì)面上可得到所要求的磁場強度。
在圖3和圖4所示裝置中，除了設(shè)有距離調(diào)整機構(gòu)外，還設(shè)有可任意調(diào)整永久磁鐵傾斜角度的機構(gòu)，可將初期直流磁化和磁復(fù)錄用相反磁場的磁場強度調(diào)整到所要求的磁場強度。
圖3和圖4所示方法，僅僅是一個使用2個永久磁鐵在磁道方向位置上形成非對稱化磁場分布的實例，也可通過變更永久磁鐵在從屬介質(zhì)面?zhèn)鹊男螤?，或?qū)?shù)個小永久磁鐵組合成一個塊狀，或使永久磁鐵中使用的磁性材料非均勻化等方法，同樣也能形成非對稱化的磁場分布，和圖3、圖4所示例一樣，也能形成非對稱強度分布的磁場圖形。
對本發(fā)明磁復(fù)錄中使用的磁復(fù)錄用主載體的制造方法進行說明。
作為磁復(fù)錄用主載體的基板是硅、石英板、玻璃、鋁等非磁性金屬或合金、陶瓷、合成樹脂等表面光滑的板狀體，可以使用在腐蝕，成膜工序中對溫度等處理環(huán)境具有耐性的板材。
在光滑表面的基板上涂布光致抗蝕膜，根據(jù)予格式化的圖形，使用光掩膜進行曝光、顯像，或在光致抗蝕膜上直接畫線等方法，根據(jù)予格式化的情報在光致抗蝕膜上形成圖形。
接著，在腐蝕工序中，利用反應(yīng)性腐蝕，使用氬等離子體的物理腐蝕，使用液體腐蝕等根據(jù)基板的腐蝕方法，根據(jù)圖形對基板進行腐蝕。
利用腐蝕形成穴的深度，相當(dāng)于作為復(fù)錄情報部分形成的磁性層厚度，該深度最好為20nm～1000nm。過厚時，磁場幅度寬闊很大，不理想。
形成的穴，最好在底面與基板表面平行的平面上，形成深度均等的穴。
穴的形狀最好是與面垂直的磁道方向的斷面為長方形形狀。
接著，將磁性材料，利用噴濺法、離子敷鍍法等真空成膜裝置，形成與利用電鍍法形成穴相對應(yīng)的厚度的確性材料膜，直達基板表面。復(fù)錄情報部分的磁特性，抗磁力(Hc)為199kA/m(2500 Oe)以下，最好為0.4～119kA/m(5～1500Oe)，作為飽和磁束密度(Bs)在0.3T(特斯拉)以上，最好0.5T以上。
接著，用飛除法將光致抗蝕膜除去，研磨表面，若存在毛刺時，除去，形成光滑的表面。
在以上說明中，對在基板上形成穴，在形成穴上形成磁性材料膜的方法作了講述，但也可以利用光制造法、平版照相法，在基板上規(guī)定部位形成磁性材料膜，在形成復(fù)錄情報部分的凸?fàn)畈糠趾螅谕範(fàn)畈恐g形成非磁性材料膜或進行填充，使復(fù)錄情報的復(fù)錄部分和非磁性材料部分的表面形成同一的平面。
作為磁性層中可使用的磁性材料，可使用磁束密度大的鈷、鐵或它們的合金，具體可舉出有CO、CoPtCr、CoCr、CoPtCrTa、CoPtCrNbTa、CoCrB、CoNi Fe、FeCo、FePt等。
作為磁性層的厚度為20～1000nm，最好為30～500nm，厚度太厚，復(fù)錄分解能力降低。
為了進行明了的復(fù)錄，最好使用磁束密度大的和從屬介質(zhì)同方向，例如面內(nèi)復(fù)錄時，面內(nèi)方面，垂直復(fù)錄時，垂直方向，具有磁異向性的材料。磁性材料，從可形成銳利邊緣考慮，最好具有細微磁粒子或非晶型的結(jié)構(gòu)。
為了在磁材料上形成磁異向性，最好設(shè)置非磁性底層，必須使用結(jié)晶結(jié)構(gòu)和晶格常數(shù)與磁性層相同的材料，具體講，作為這種底層可利用噴濺法，將Cr、CrTi、CoCr、CrTa、CrMo、NiAl、Ru等成膜。
也可在磁性層設(shè)置金剛石狀碳膜等保護膜，也可設(shè)置潤滑劑作為保護膜，最好存在5～30nm的金剛石狀碳膜和潤滑劑，在其上必須設(shè)置潤滑劑的理由是，在修正與從屬介質(zhì)接觸過程中產(chǎn)生偏離時，產(chǎn)生磨擦，若沒有潤滑劑層，耐久性會不足。
本發(fā)明的磁復(fù)錄用主載體，不僅可以向硬盤、大容量リム一バル型磁復(fù)錄介質(zhì)等盤型磁復(fù)錄介質(zhì)復(fù)錄磁復(fù)錄情報，而且也可以用來向磁卡型磁復(fù)錄介質(zhì)，磁帶型磁復(fù)錄介質(zhì)復(fù)錄磁復(fù)錄情報。
以下示出實施例，說明本發(fā)明。
實施例1和比較例1(磁復(fù)錄用主載體的制作)在真空成膜裝置中，室溫下減壓到1.33×10-5Pa(10-7托)，通入氬氣，在形成0.4Pa(3×10-3托)的條件下，在硅基板上形成200nm厚的FeCo膜，制成磁復(fù)錄用主載體。
保磁力Hc為8kA/m(100Oe)、磁束密度Ms為28.9T(23000 Gauss)。
從圓盤中心到半徑28mm～40mm的位置，以10μm寬的等間隔，形成放射狀的圓盤狀圖形，線間隔在半徑20mm的最內(nèi)周位置為10μm間隔。
(從屬介質(zhì)的制作)在真空成膜裝置中，室溫下，減壓到1.33×10-5Pa(10-7托)后、通入氬氣，在形成0.4Pa(3×10-3托)的條件下，將玻璃加到200℃，制作成CoCrPt25nm，Ms5.7T(4500 Gauss)，保磁力Hcs199kA/m(2500Oe)的3.5型圓盤狀磁復(fù)錄介質(zhì)。
(初期直流磁化方法)如圖2所示配置永久磁鐵，在從屬介質(zhì)表面上，以峰值磁場強度為2倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs的388kA/m(5000Oe)磁場，對從屬介質(zhì)進行初期直流磁化。
(磁復(fù)錄試驗方法)將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體進行緊密接觸，使用圖4所示具有傾斜永久磁鐵的裝置，施加和從屬介質(zhì)磁化相反方向的磁場，進行磁復(fù)錄。永久磁鐵的傾斜角，在圖4中以θ表示的和從屬介質(zhì)的角度為35°，磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)的緊密接觸是用橡膠板夾住，從鋁板上加壓。
(電磁變換特性評價方法)利用電磁變換特性測定裝置(協(xié)同電子制SS-60)進行從屬介質(zhì)的復(fù)錄信號評價，對于磁頭，使用再生磁頭間隙0.3μm，再生磁道寬2.7μm、復(fù)錄磁頭間隙0.45μm、復(fù)錄磁道寬3.3μm的MR磁頭。
使用光譜分析儀對讀取信號進行頻率分解，測定1次信號的峰值強度(C)和外推介質(zhì)噪音(N)的差值(C/N)。各磁場強度的C/N中，將最大值取為0dB，以相對值(ΔC/N)進行評價，示于表1，C/N值在-20dB以下時，由于磁復(fù)錄的信號品位沒有實用水平，以*號表示。
表1從屬介質(zhì)的Hcs為199kA/m復(fù)錄用磁場的峰值強度kA/m 和Hcs的比ΔC/N(dB)59.7 0.3 *99.5 0.5 -12.3119 0.6 -4.2159 0.8 -1.3179 0.9 -0.4199 1.0 -0.0219 1.1 -0.3239 1.2 -0.8259 1.3 -4.9279 1.4 -9.6298 1.5 -16.9318 1.6 *398 2.0 *實施例2和比較例2對保磁力Hcs為199kΔ/m(2500Oe)的從屬介質(zhì)，以峰值磁場強度為239kA/m(3000Oe)，即1.2倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度，對從屬介質(zhì)進行初期直流磁化，接著將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸，進行磁復(fù)錄，除此之外，和實施例1一樣進行磁復(fù)錄后，和實施例1一樣，進行磁復(fù)錄圖形顯像，測定結(jié)果示于表2。
表2從屬介質(zhì)的Hcs為199kA/m。
復(fù)錄用磁場的峰值強度kA/m 和Hcs的比 ΔC/N(dB)59.70.3 *99.50.5 -12.3119 0.6 -2.8159 0.8 -0.2
179 0.9 0.0199 1.0 -0.1219 1.1 -1.6239 1.2 -1.1259 1.3 -4.8279 1.4 -9.6298 1.5 -15.9318 1.6 *398 2.0 *比較例3對和實施例1一樣制作的保磁力Hcs為199kA/m(2500Oe)的從屬介質(zhì)，以峰值磁場強度為159kA/m(2000Oe)，即0.8倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度，對從屬介質(zhì)進行初期直流磁化，接著將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸，進行磁復(fù)錄，除此之外，和實施例1一樣進行磁復(fù)錄后，和實施例1一樣，進行磁復(fù)錄圖形顯像，測定，結(jié)果示于表3。
表3從屬介質(zhì)的Hcs為199kA/m。
復(fù)錄用磁場的峰值強度kA/m 和Hcs的比 ΔC/N(dB)59.70.3 *99.50.5 *119 0.6 *159 0.8 *179 0.9 *199 1.0 *219 1.1 *239 1.2 *259 1.3 *279 1.4 *298 1.5 *318 1.6 *398 2.0 *
實施例3和比較例4對保磁力Hcs為199kA/m(2500Oe)的從屬介質(zhì)，以峰值磁場強度為399kA/m(5000Oe)、239kA/m(3000Oe)和159kA/m(2000Oe)，使用圖3所示永久磁鐵對從屬介質(zhì)進行初期直流磁化，將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸，使用圖4所示永久磁鐵施加磁場，進行磁復(fù)錄。
結(jié)果是得到和具有圖2所示永久磁鐵的裝置同樣的結(jié)果。
實施例4和比較例5對和實施例1一樣制作的保磁力Hcs為159kA/m(2000Oe)的從屬介質(zhì)，以峰值磁場強度為318kA/m(4000Oe)，即2倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度，對從屬介質(zhì)進行初期直流磁化，接著將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸，使用圖4所示裝置進行磁復(fù)錄，除此之外，和實施例1一樣，進行磁復(fù)錄后，進行磁復(fù)錄圖形顯像，測定，結(jié)果示于表4。
表4從屬介質(zhì)的Hcs為159kA/m復(fù)錄用磁場的峰值強度kA/m 和Hcs的比ΔC/N(dB)47.7 0.3 *79.6 0.5 -12.895.5 0.6 -3.4127 0.8 -0.6143 0.9 -0.3159 1.0 0.0175 1.1 -0.6191 1.2 -2.8207 1.3 -3.4223 1.4 -9.6239 1.5 -17.6255 1.6 *318 2.0 *實施例4和比較例5對保磁力Hcs為2000Oe的從屬介質(zhì)，以峰值磁場強度為(2400Oe)，即1.2倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度，對從屬介質(zhì)進行初期直流磁化，除此之外，和實施例5一樣，將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸，進行磁復(fù)錄，現(xiàn)樣進行所得磁復(fù)錄圖形的顯像，測定，結(jié)果示于表5。
表5從屬介質(zhì)的Hcs為159kA/m復(fù)錄用磁場的峰值強度kA/m 和Hcs的比ΔC/N(dB)47.7 0.3 *79.6 0.5 -12.495.5 0.6 -4.8127 0.8 -0.6143 0.9 -0.5159 1.0 0.0175 1.1 -0.3191 1.2 -1.8207 1.3 -2.4223 1.4 -9.3239 1.5 -16.9255 1.6 *318 2.0 *比較例6對和實施例1一樣制作的保磁力Hcs為159kA/m(2000Oe)的從屬介質(zhì)，以峰值磁場強度為217kA/m(1600Oe)，即0.8倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度，對從屬介質(zhì)進行初期直流磁化，將接著將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸，使用圖4所示裝置，進行磁復(fù)錄，除此之外，和實施例1一樣進行磁復(fù)錄后，進行磁復(fù)錄圖形顯像，測定，結(jié)果示于表6。
表6從屬介質(zhì)的Hcs為159kA/m復(fù)錄用磁場的峰值強度kA/m 和Hcs的比ΔC/N(dB)47.7 0.3 *79.6 0.5 *95.5 0.6 *
127 0.8 *143 0.9 *159 1.0 *175 1.1 *191 1.2 *207 1.3 *223 1.4 *239 1.5 *255 1.6 *318 2.0 *在從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)進行磁復(fù)錄中，相對于從屬介質(zhì)的Hcs，附與特定強度的復(fù)錄用磁場，不管圖形位置如何，都可得到具有高品位復(fù)錄圖形的從屬介質(zhì)。
圖1是對磁復(fù)錄用主載體中予格式化圖形進行復(fù)錄的說明2是利用相對的2個永久磁鐵施加磁場方法的說明3是另一施加磁場方法的說明4是另一施加磁場方法的說明圖
權(quán)利要求
1.一種磁復(fù)錄方法，其特征是將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用的磁場的磁復(fù)錄方法中，包括以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，磁極軸垂直從屬介質(zhì)的方式，配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，通過沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或永久磁鐵，沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場，予先沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)形成初期直流磁化后，將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，沿磁道方向施加和從屬介質(zhì)面初期直流磁化方向相反的復(fù)錄用磁場，進行磁復(fù)錄。
2.一種磁復(fù)錄方法，其特征是將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄方法中，包括以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對的方式，配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距和另一端的間距不同，傾斜配置，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度分布，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)如此配置的磁鐵或從屬介質(zhì)，通過沿從屬介質(zhì)面的大致磁道方向施加磁場，予先沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)形成初期直流磁化后，將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，沿磁道方向施加和從屬介質(zhì)面初期直流磁化方向相反向的復(fù)錄用磁場，進行磁復(fù)錄。
3.一種磁復(fù)錄方法，其特征是將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄方法中，包括沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場，予先沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)形成初期直流磁化后，將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距和另一端的間距不同，沿磁道方向向上形成非對稱化的磁場強度分布，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)如此配置的磁鐵，或?qū)⒋艔?fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸體，沿磁道方向施加和初期直流磁化方向相反向的復(fù)錄用磁場，進行磁復(fù)錄。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁復(fù)錄方法，其特征是使磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，此時產(chǎn)生的磁場，在磁道方向上的磁場強度分布，在磁道方向位置上至少有1處以上高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁復(fù)錄方法，其特征是以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道上該永久磁鐵一端的間距和另一端的間距不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度分布，此時產(chǎn)生的磁場在磁道方向上的磁場強度分布，在磁道方向位置上僅一個方向具有高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度部分，在任何一個磁道方向位置上，反方向的磁場強度都低于從屬介質(zhì)保磁力Hcs。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁復(fù)錄方法，其特征是以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上永久磁鐵一端的間距和另一端的間距不同，在磁道方向上形成非對稱化的磁場強度分布中，在任何一個磁道方向位置上都不存在超過最適宜復(fù)錄磁場強度范圍最大值的磁場強度，但在一個磁道方向上至少存在1處以上形成最適宜復(fù)錄磁場強度范圍內(nèi)的磁場強度部分，在任何一個磁道方向位置上，與其相反的磁道方向上的磁場強度都低于最適宜復(fù)錄磁場強度范圍的最小值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁復(fù)錄方法，其特征是相對于從屬介質(zhì)保磁力Hcs，最適宜復(fù)錄的磁場強度為0.6×Hcs～1.3×Hcs。
8.一種磁復(fù)錄裝置，特征是將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄裝置中，包括使磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，以平持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或永久磁鐵，沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場，沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)形成初期直流磁化的初期直流磁化裝置，將磁復(fù)錄用主載體和初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸裝置，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)該緊觸體或永久磁鐵，沿磁道方向施加與從屬介質(zhì)面初期直流磁化方向相反復(fù)錄用磁場的復(fù)錄磁場的復(fù)錄磁場施加裝置。
9.一種磁復(fù)錄裝置，特征是將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄裝置中，包括以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距和另一端的間距不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度分布，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)永久磁鐵或從屬介質(zhì)，沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場，予先沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)形成初期直流磁化的初期直流磁化裝置、將磁復(fù)錄用主載體和初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸裝置，對該緊密接觸體，沿磁道方向施加與從屬介質(zhì)面初期直流磁化方向相反向復(fù)錄用磁場的復(fù)錄磁場施加裝置。
10.一種磁復(fù)錄裝置，特征是將與基板表面情報信號相對應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場的磁復(fù)錄裝置中，包括將磁復(fù)錄用主載體和初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸裝置，以夾持著該緊密接觸體，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距和另一端的間距不同，形成永久磁鐵的復(fù)錄磁場施加裝置、旋轉(zhuǎn)緊密接觸體或復(fù)錄磁場施加裝置中至少一個的旋轉(zhuǎn)裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁復(fù)錄裝置，其特征是初期直流磁化裝置是以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，此時產(chǎn)生的磁場，在磁道方向上的磁場強度分布，在磁道方向位置上至少有1處以上高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁復(fù)錄裝置，其特征是初期直流磁化裝置是以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距和另一端的間距不同，沿磁道方向形成相對稱化的磁場強度分布，該永久磁鐵沿磁道方向形成的磁場強度分布，在磁鐵方向位置上僅在一個方向位置上具有高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場強度部分，在任何一個磁道方向位置上，反方向的磁場強度都低于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁復(fù)錄裝置，其特征是復(fù)錄磁場施加裝置是以夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對，傾斜配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵，而且在磁道方向上該永久磁鐵一端的間距和另一端的間距不同，沿磁道方向形成非對稱化的磁場強度分布，在磁道方向上由該永久磁鐵產(chǎn)生的磁場強度分布，在任何一個磁道方向位置上都不存在超過最適宜復(fù)磁場強度范圍最大值的磁場強度，而在一個磁道方向上至少存在1處以上形成最適宜復(fù)錄磁場強度范圍內(nèi)的磁場強度部分，在任何一個磁道方向位置上，與其相反向的磁道方向上的磁場強度都低于最適宜復(fù)錄磁場強度范圍的最小值。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁復(fù)錄裝置，其特征是最適宜復(fù)錄的磁場強度為0.6×Hcs～1.3×HC。
全文摘要
一種磁復(fù)錄方法,是利用磁復(fù)錄,從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)復(fù)錄商品位的復(fù)錄圖形,與磁圖形的位置無關(guān)。以夾持著從屬介質(zhì),同極彼此相對,磁極軸垂直從屬介質(zhì)的方式,配置與磁極軸形成對稱磁化的單一永久磁鐵,沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或永久磁鐵,通過大致沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場,預(yù)先大致沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)進行初期直流磁化后,將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸,沿磁道方向施加和從屬介質(zhì)緊密接觸,沿磁道方向施加和從屬介質(zhì)面初期直流磁化方向相反的復(fù)錄用磁場,進行磁復(fù)錄。
文檔編號G11B5/00GK1363925SQ0110024
公開日2002年8月14日 申請日期2001年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月10日
發(fā)明者小松和則, 長尾信, 西川正一 申請人:富士膠片株式會社