基板處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及基板處理裝置。本發(fā)明的實施例的基板處理裝置能夠包括：處理室，在其內(nèi)部形成有腔室；主體，其位于所述腔室，用于安裝基板，其以上表面與所述基板相對的形態(tài)形成；真空部，其形成于所述主體的內(nèi)部，用于使所述基板吸附于所述主體的上表面；加熱部，其形成于所述主體的內(nèi)部，用于對所述基板進(jìn)行加熱。
【專利說明】基板處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，每一張晶圓能夠形成幾十個或者幾百個芯片，但芯片自身不僅無法接受來自外部的供電而發(fā)送電信號，而且由于內(nèi)置有微細(xì)的電路而易于因外部的沖擊而受損傷。因此，將芯片電連結(jié)而且保護(hù)芯片免受外部沖擊的封裝技術(shù)逐漸得到了發(fā)展。
[0003]近年來，半導(dǎo)體裝置的高度集成化、存儲器容量的增加、多功能化以及高密度安裝的要求等正在加速化，為了滿足這些要求，從引線接合(Wire Bonding)構(gòu)造擴大為利用倒裝芯片隆起焊盤(Flip Chip Bump)的接合構(gòu)造,其中，進(jìn)行高端(High End)級功能的構(gòu)造為了提聞組裝成品率而以基板的狀態(tài)形成焊盤(bump)。
[0004]另一方面，半導(dǎo)體封裝越發(fā)輕薄短小化時，由于構(gòu)成基板的層之間的熱膨脹系數(shù)之差，在對基板施加熱時產(chǎn)生翹曲(Warpage)等變形。當(dāng)產(chǎn)生這樣的基板的翹曲現(xiàn)象時存在如下問題:安裝于基板的半導(dǎo)體芯片浮動而焊盤的大小無法均勻地形成，半導(dǎo)體芯片與基板之間的電連結(jié)產(chǎn)生錯誤。
[0005]為了解決這樣的問題，如美國公開專利第20070181644號那樣開發(fā)了對變形后的基板進(jìn)行校正等各種方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)宓穆N曲進(jìn)行校正的基板處理裝置。
[0007]采用本發(fā)明的實施例，提供一種基板處理裝置，其包括:處理室，在其內(nèi)部形成有腔室；主體，其位于所述腔室中，用于安裝基板，所述主體的上表面與所述基板相對的形態(tài)形成；真空部,其形成于所述主體的內(nèi)部,用于使所述基板吸附于所述主體的上表面；加熱部，其形成于所述主體的內(nèi)部，用于對所述基板進(jìn)行加熱。
[0008]所述主體的上表面能夠形成為凹狀。
[0009]所述主體的上表面能夠形成為凸?fàn)睢?br> [0010]所述真空部能夠包括:真空產(chǎn)生部，其用于使產(chǎn)生真空；真空管線，其以貫穿所述主體的上表面的方式形成并與所述真空產(chǎn)生部連結(jié)，用于使所述基板吸附于所述主體的上部。
[0011]所述加熱部能夠絕將所述基板加熱緣材料或者阻焊劑的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(GlassTransition Temperature ；Tg)以上。
[0012]該基板處理裝置還能夠包括冷卻部，該冷卻部位于所述腔室內(nèi)，用于使加熱后的所述基板冷卻。
[0013]所述冷卻部能夠與所述主體分離并形成在所述主體的周圍。
[0014]所述冷卻部能夠使用冷卻氣體來冷卻所述基板。
[0015]所述冷卻氣體能夠包括氮或者IS。[0016]所述冷卻部能夠?qū)⒓訜岷蟮乃龌謇鋮s至室溫。
[0017]本發(fā)明的實施例的基板處理裝置能夠利用以與基板的翹曲方向相對的形態(tài)形成的主體來高效地對基板的翹曲進(jìn)行校正。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明的實施例的基板處理裝置的圖。
[0019]圖2是用于表示在本發(fā)明的實施例的基板處理裝置中對基板的翹曲進(jìn)行校正的順序的例示圖。
[0020]圖3是用于表示在本發(fā)明的實施例的基板處理裝置中對基板的翹曲進(jìn)行校正的順序的例示圖。
[0021]圖4是用于表示在本發(fā)明的實施例的基板處理裝置中對基板的翹曲進(jìn)行校正的順序的例示圖。
[0022]圖5是用于表示在本發(fā)明的實施例的基板處理裝置中對基板的翹曲進(jìn)行校正的順序的例示圖。
[0023]附圖標(biāo)記說明
[0024]100基板處理裝置110處理室
[0025]111腔室120主體
[0026]130真空部131真空產(chǎn)生部
[0027]132真空管線140加熱部
[0028]150冷卻部200基板
【具體實施方式】
[0029]本發(fā)明的目的、特定的優(yōu)點以及新穎的特征通過與附圖有關(guān)的以下的詳細(xì)說明和優(yōu)選的實施例進(jìn)一步明確。在本說明書中，必須留意如下內(nèi)容:在對各圖的構(gòu)成要素標(biāo)注參照附圖標(biāo)記時，只要是同一構(gòu)成要素，即使是在不同的附圖中表示、也盡可能地標(biāo)注同一附圖標(biāo)記。另外，“一面”、“另一面”、“第1”、“第2”等用語是為了使一個構(gòu)成要素區(qū)別于其他構(gòu)成要素而使用的，構(gòu)成要素不被所述用語限定。以下，在說明本發(fā)明時，省略了對于有可能使本發(fā)明的主旨不清楚的公知技術(shù)的詳細(xì)說明。
[0030]以下，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行詳細(xì)地說明。
[0031]圖1與本發(fā)明的實施例的基板處理裝置有關(guān)。
[0032]參照圖1時，基板處理裝置100能夠包括處理室110、主體120、真空部130、加熱部140、冷卻部150。
[0033]基板處理裝置100是用于對基板(未圖示)的由于形成焊盤或者電路等的工序而產(chǎn)生的翹曲進(jìn)行校正的裝置。采用本發(fā)明的實施例，基板處理裝置100通過對利用真空吸附固定了的基板(未圖示)進(jìn)行加熱以及冷卻，從而能夠?qū)?未圖示)的翹曲進(jìn)行校正。
[0034]處理室110能夠提供對基板(未圖示)的翹曲進(jìn)行校正的環(huán)境。處理室110能夠在內(nèi)部形成有腔室111，以被密閉的形態(tài)形成。用于對基板(未圖示)的翹曲進(jìn)行校正的主體120、真空部130、加熱部140、冷卻部150能夠位于被形成于處理室110的內(nèi)部的腔室111中。[0035]基板(未圖示)能夠安裝在主體120上。主體120的基板(未圖示)所位于的上表面能夠以與基板(未圖示)相對的形態(tài)形成。在本發(fā)明的實施例中，主體120的上表面能夠形成為凹狀。但是，主體120的上表面的形態(tài)不限于此。例如，在基板(未圖示)呈凹狀翹曲的情況下，主體120的上表面能夠形成為凸?fàn)??；蛘?、基?未圖示)呈凸?fàn)盥N曲的情況下，主體120的上表面能夠形成為凹狀。即本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)基板(未圖示)翹曲的方向?qū)⒅黧w120的上表面的形態(tài)容易地變更應(yīng)用。
[0036]真空部130能夠使安裝在主體120的上表面的基板(未圖示)吸附于主體120的上表面。
[0037]真空部130能夠包括真空產(chǎn)生部131和真空管線132。
[0038]真空產(chǎn)生部131能夠向真空管線132提供真空壓力。真空產(chǎn)生部131能夠形成于主體120的內(nèi)部。但是，形成有真空產(chǎn)生部131的位置不限于此，能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地變更。
[0039]真空管線132能夠形成于主體120的內(nèi)部。另外，真空管線132能夠以貫穿主體120的上表面的方式形成。真空管線132的一側(cè)能夠貫穿主體120的上表面，真空管線132的另一側(cè)能夠與真空產(chǎn)生部131連結(jié)。真空管線132能夠成為供由真空產(chǎn)生部131產(chǎn)生的真空壓力貫穿的通路。即由真空產(chǎn)生部131產(chǎn)生的真空壓力經(jīng)由真空管線132施加于基板(未圖不)，從而基板(未圖不)能夠被吸附固定于主體120的上表面。
[0040]加熱部140能夠形成于主體120的內(nèi)部。加熱部140能夠?qū)ξ焦潭ㄓ谥黧w120的上表面的基板(未圖不)進(jìn)行加熱。即加熱部140能夠?qū)?未圖不)進(jìn)行加熱以去除被吸附固定于主體120的上表面的基板(未圖示)的翹曲。例如，加熱部140能夠由加熱器(Heater)形成。
[0041]冷卻部150能夠位于形成在處理室110中的腔室111。冷卻部150能夠與主體120分離地形成，位于主體120的周圍。采用本發(fā)明的實施例，冷卻部150能夠形成于主體120的上部。但是，冷卻部150的個數(shù)和位置不限于此，能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地變更。冷卻部150能夠?qū)τ杉訜岵?40加熱后的基板(未圖示)進(jìn)行冷卻。冷卻部150能夠使用冷卻氣體來冷卻基板(未圖示)。冷卻部150能夠使用冷卻氣體來將基板(未圖示)冷卻至接近室溫的溫度。作為冷卻基板(未圖示)時使用的冷卻氣體，能夠使用可抑制被形成于基板(未圖示)的焊料焊盤等的氧化這樣的種類的冷卻氣體。例如，冷卻氣體也可以是包含氮或者氬的非活性氣體。
[0042]采用本發(fā)明的實施例，基板被吸附固定于主體120的被沿著與基板(未圖示)在室溫下產(chǎn)生翹曲的方向相反的方向加工的上表面，通過用于去除翹曲的加熱以及向室溫的冷卻，能夠校正基板(未圖示)的翹曲。
[0043]圖2至圖5是表示在本發(fā)明的實施例的基板處理裝置中對基板的翹曲進(jìn)行校正的順序的例示圖。
[0044]參照圖2時，基板200能夠安裝于基板處理裝置100。
[0045]基板處理裝置100能夠包括處理室110、主體120、真空部130、加熱部140和冷卻部 150。
[0046]處理室110能夠在其內(nèi)部形成有腔室111，以被密閉的形態(tài)形成。
[0047]產(chǎn)生了翹曲的基板200能夠安裝于主體120。主體120的基板200所位于的上表面能夠以與基板200相對的形態(tài)形成。在本發(fā)明的實施例中，主體120的上表面能夠形成為凹狀。
[0048]如圖2所不,形成有焊盤、電路等的基板200能夠安裝于主體120的上表面?；?00也可以是由于以前的很多個工序而產(chǎn)生了翹曲的狀態(tài)。例如，基板200也可以是在室溫下具有呈凸?fàn)町a(chǎn)生翹曲的性質(zhì)的基板。即能夠?qū)⒃谑覝貭顟B(tài)下呈凸?fàn)町a(chǎn)生了翹曲的基板200安裝于具有凹狀的上表面的主體120。
[0049]參照圖3，基板處理裝置100能夠?qū)?00實施翹曲校正。
[0050]安裝于主體120的上表面的基板200能夠被真空部130吸附固定。
[0051]真空部130能夠包含真空產(chǎn)生部131和真空管線132。真空產(chǎn)生部131和真空管線132能夠形成于主體120的內(nèi)部。另外，真空管線132能夠以貫穿主體120的上表面的方式形成。真空管線132的一側(cè)能夠貫穿主體120的上表面，真空管線132的另一側(cè)能夠與真空產(chǎn)生部131連結(jié)。采用本發(fā)明的實施例，由真空產(chǎn)生部131產(chǎn)生的真空壓力能夠通過真空管線132使基板200吸附并固定于主體120的上表面。此時，基板200能夠以與主體120的上表面相對應(yīng)的形態(tài)固定。即基板200能夠根據(jù)主體120的凹狀的上表面而呈凹狀固定于主體120。
[0052]利用真空部130而呈凹狀固定在主體120的上表面的基板200能夠由加熱部140加熱。在此,加熱部140能夠形成于主體120的內(nèi)部。加熱部140能夠?qū)⒒?00加熱到形成于基板200的絕緣材料或者阻焊劑(solder Resist)等的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Glass TransitionTemperature ;Tg)以上的溫度。例如，加熱部140能夠?qū)⒒?00加熱到150°C以上。與加熱部140的加熱溫度有關(guān)的事項在后面與圖4有關(guān)的說明中論述。
[0053]由加熱部140加熱后的基板200能夠利用冷卻部150冷卻。在本發(fā)明的實施例中，冷卻部150能夠以固定于處理室110的上部的內(nèi)壁的方式形成。冷卻部150能夠使用冷卻氣體來對由加熱部140加熱后的基板200進(jìn)行冷卻。此時，冷卻部150能夠?qū)⒒?00冷卻至與室溫接近的溫度。作為冷卻基板200時使用的冷卻氣體，能夠使用能夠抑制被形成于基板200的焊料焊盤等的氧化這樣的種類的冷卻氣體。例如，冷卻氣體也可以是包含氮或者氬的非活性氣體。
[0054]參照圖4能夠確認(rèn)到已產(chǎn)生了翹曲的基板200因加熱溫度而產(chǎn)生的翹曲的改善程度。
[0055]采用本發(fā)明的實施例，為了確認(rèn)基板200的翹曲的改善程度，首先，以50°C、100°c、150°c、20(rc以及220°C的加熱溫度將基板200加熱了 I分鐘。將基板200加熱之后，使用冷卻氣體來對加熱后的基板200進(jìn)行了冷卻。此時，冷卻氣體的溫度維持在15°C。另外，作為冷卻氣體，使用了氮。經(jīng)過了這樣的基板200的翹曲改善工序之后，與初期的基板200的翹曲程度相比，確認(rèn)基板200的翹曲已改善了的程度時，能夠確認(rèn)到如圖4所示的圖表。確認(rèn)圖4時，在將基板200以150°C以上的加熱溫度進(jìn)行加熱的情況下，能夠確認(rèn)基板200的急劇的翹曲的改善程度。在此，呈現(xiàn)出急劇的翹曲改善的150°C是接近被形成于基板200的絕緣材料或者阻焊劑(solder Resist)等的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Glass TransitionTemperature ；Tg)的溫度。即能夠在將基板200加熱到絕緣材料或者阻焊劑等的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Glass Transition Temperature ;Tg)以上的溫度時翅曲現(xiàn)象的改善得以提高。因而，為了使基板200的翹曲改善得以提高，本發(fā)明的實施例的基板處理裝置100的加熱部140能夠?qū)⒒?00以150°C以上的加熱溫度進(jìn)行加熱。
[0056]參照圖5能夠確認(rèn)在冷卻到室溫后翹曲已改善的基板(圖3的200)。
[0057]能夠以在室溫下呈凸?fàn)町a(chǎn)生翹曲的基板200成為凹狀的方式將基板200固定于基板處理裝置(圖3的100)并進(jìn)行加熱。能夠利用基板處理裝置(圖3的100)將呈凹狀翹曲并被固定的加熱后的基板200進(jìn)一步冷卻到室溫。這樣呈凹狀被固定的基板200冷卻到室溫時，在室溫下還有可能進(jìn)一步呈凸?fàn)盥N曲。即中心向下方翹曲的基板200進(jìn)一步向上部翹曲，結(jié)果，基板200的翹曲能夠被去除，基板200成為平坦的形態(tài)。
[0058]本發(fā)明的實施例的基板處理裝置能夠利用以與基板的翹曲方向相對的形態(tài)形成的主體來高效地對基板的翹曲進(jìn)行校正。
[0059]以上，基于具體的實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)地說明，但這是為了具體地說明本發(fā)明，本發(fā)明不限于此，只要是具有本領(lǐng)域的通常的知識的人，就在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思內(nèi)能夠進(jìn)行變形、改良是顯而易見的。
[0060]本發(fā)明的簡單的變形或者變更均屬于本發(fā)明的領(lǐng)域，本發(fā)明的具體的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書得到明確。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理裝置，該基板處理裝置包括: 處理室，在該處理室的內(nèi)部形成有腔室； 主體，該主體位于所述腔室中，用于安裝基板，所述主體的上表面以與所述基板相對的形態(tài)形成； 真空部，該真空部形成于所述主體的內(nèi)部，用于使所述基板吸附在所述主體的上表面； 加熱部，該加熱部形成于所述主體的內(nèi)部，用于對所述基板進(jìn)行加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中， 所述主體的上表面形成為凹狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中， 所述主體的上表面形成為凸?fàn)睢?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中， 所述真空部包括: 真空產(chǎn)生部，所述真空產(chǎn)生部用于產(chǎn)生真空； 真空管線，所述真空管線以貫穿所述主體的上表面的方式形成，并與所述真空產(chǎn)生部連結(jié)，用于使所述基板吸附于所述主體的上部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中， 所述加熱部用于將所述基板加熱到絕緣材料或者阻焊劑的玻璃轉(zhuǎn)化溫度以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中， 所述基板處理裝置還包括冷卻部，該冷卻部位于所述腔室內(nèi)，用于對加熱后的所述基板進(jìn)行冷卻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其中， 所述冷卻部與所述主體分離并形成在所述主體的周圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其中， 所述冷卻部使用冷卻氣體來冷卻所述基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其中， 所述冷卻氣體包括氮或者IS。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其中， 所述冷卻部將加熱后的所述基板冷卻至室溫。
【文檔編號】H01L21/67GK103579050SQ201310325726
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月30日
【發(fā)明者】崔晉源, 柳然鎬 申請人:三星電機株式會社