一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，包括PCB、多個(gè)磁電阻傳感器芯片，所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片位于所述PCB上，所述PCB垂直/平行于磁性圖像檢測(cè)面，分為側(cè)面檢測(cè)模式/正面檢測(cè)模式，所述側(cè)面檢測(cè)模式中多個(gè)磁電阻傳感器芯片側(cè)面與PCB側(cè)面平行或共面，且平行于磁性圖像檢測(cè)面，所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片具有相同磁場(chǎng)敏感方向，在側(cè)面檢測(cè)模式中采用相鄰磁電阻傳感器芯片堆疊排列的方式，在正面檢測(cè)模式中采用相鄰磁電阻傳感器芯片錯(cuò)位排列的方式實(shí)現(xiàn)磁性圖像檢測(cè)面上的檢測(cè)區(qū)域的連續(xù)，所述磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器還可以包括永磁組合體和外殼。該發(fā)明具有識(shí)別區(qū)連續(xù)、信號(hào)完整、靈敏度高、低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁性傳感器領(lǐng)域，特別涉及一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]磁性圖像識(shí)別傳感器主要用于金融領(lǐng)域，例如用于P0S、ATM、驗(yàn)鈔、清鈔機(jī)等。信用卡的磁條為硬磁材料，可以直接對(duì)其磁場(chǎng)進(jìn)行測(cè)量，鈔票表面圖像由包含軟磁磁性粒子的油墨印刷而成，在施加偏置磁場(chǎng)的條件下，使得磁性粒子磁化，從而可以被磁性圖像識(shí)別傳感器檢測(cè)到，實(shí)現(xiàn)對(duì)信用卡信息或鈔票圖像的識(shí)別。磁性圖像識(shí)別傳感器一般采用音頻磁頭技術(shù)或磁阻磁頭技術(shù)。音頻磁頭采用線圈纏繞帶縫隙的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其利用電磁感應(yīng)原理，當(dāng)縫隙快速通過(guò)磁性顆粒時(shí)產(chǎn)生磁通量的變化，從而在線圈內(nèi)感應(yīng)出感應(yīng)電流，通過(guò)對(duì)電流的變化建立磁性圖像分布信號(hào)，該技術(shù)存在的主要問(wèn)題在于，I磁場(chǎng)靈敏度低，需要增加匝數(shù)的方法才能得到有效信號(hào)，2尺寸較大，尺寸分辨率較低，需要快速的移動(dòng)，對(duì)于靜止的磁場(chǎng)信號(hào)無(wú)反應(yīng)，3功耗大。磁阻類(lèi)磁頭，如Hall效應(yīng)傳感器，其主要存在如下的問(wèn)題，I) Hall效應(yīng)傳感器磁場(chǎng)靈敏度低，因此，對(duì)于磁性粒子檢測(cè)需要足夠大偏置磁場(chǎng)才能產(chǎn)生足夠的磁化強(qiáng)度以被磁性傳感器檢測(cè)到，因此增加了金融磁頭的體積；2) Hall效應(yīng)傳感器磁場(chǎng)靈敏度低，而且產(chǎn)生的磁場(chǎng)輸出信號(hào)也較低，而且功耗也高。此外，無(wú)論是音頻磁頭技術(shù)還是磁阻磁頭技術(shù)，當(dāng)采用多個(gè)磁性傳感器實(shí)現(xiàn)對(duì)大范圍磁性圖像的檢測(cè)時(shí)，一般采用排列成行列的形式，導(dǎo)致相鄰磁性傳感器之間存在漏檢區(qū)域，所得圖像識(shí)別出現(xiàn)漏檢區(qū)域。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決以上存在的問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種磁電阻磁性識(shí)別傳感器，采用磁電阻傳感器，如TMR磁傳感器來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)鈔票磁性納米粒子圖像的檢測(cè)，由于TMR傳感器具有高的磁場(chǎng)靈敏度，小尺寸，并且具有低功耗的特點(diǎn)，并可以通過(guò)芯片之間錯(cuò)位排列或者堆疊排列，從而克服了上述問(wèn)題。
[0004]本發(fā)明所提出的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，用于檢測(cè)磁性圖像，所述磁性圖像所在的平面為磁性圖像檢測(cè)面，其包括側(cè)面/正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器；所述側(cè)面/正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器分別包括位于PCB上的多個(gè)磁電阻傳感器芯片；所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的多個(gè)所述磁電阻傳感器芯片的側(cè)面平行于所述磁性圖像檢測(cè)面；所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的多個(gè)磁電阻傳感器芯片的正面平行于所述磁性圖像檢測(cè)面；相鄰所述磁電阻傳感器芯片在所述磁性圖像檢測(cè)面上沿掃描方向的掃描檢測(cè)區(qū)互補(bǔ)或有交集。
[0005]所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器所對(duì)應(yīng)的相鄰的所述磁電阻傳感器芯片在所述PCB的正面沿所述磁電阻傳感器芯片邊緣相互錯(cuò)位方式排列。
[0006]所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器所對(duì)應(yīng)的在所述PCB上的所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片一邊翹起離開(kāi)所述PCB正面，另一邊與相鄰所述磁電阻傳感器芯片的一邊傾斜堆疊。[0007]所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器所對(duì)應(yīng)的在所述PCB上的所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片中相鄰的所述磁電阻傳感器芯片片上交錯(cuò)堆疊。
[0008]包括永磁組合體，并且所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的多個(gè)磁電阻傳感器芯片的磁場(chǎng)敏感方向?yàn)槠叫杏趻呙璺较?，而所述?cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的多個(gè)磁電阻傳感器芯片的磁場(chǎng)敏感方向?yàn)榇怪庇谒龃判詧D像檢測(cè)面。
[0009]所述永磁組合體包括兩塊磁化方向相同的永磁體,分別沿掃描方向?qū)ΨQ(chēng)地位于所述PCB兩側(cè)，其磁化方向垂直于所述PCB正面。
[0010]對(duì)于所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述永磁組合體包括兩塊永磁體，并在所述PCB正面兩側(cè)對(duì)稱(chēng)放置，其磁化方向均垂直于磁性圖像檢測(cè)面，但是所述兩塊永磁體的磁化方向相反。
[0011]對(duì)于所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述的永磁組合體包括一塊永磁體和一塊軟磁體，分別位于所述PCB正面兩側(cè),所述永磁體的磁化方向垂直于所述PCB正面方向，所述軟磁體平行于所述PCB正面。
[0012]對(duì)于所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述的永磁組合體包括一塊永磁體和一塊L型軟磁體形成的開(kāi)口朝向所述磁性圖像檢測(cè)面的結(jié)構(gòu)，其位于所述PCB的同一側(cè)，且所述L型軟磁體位于所述永磁體和所述PCB之間，所述永磁體位于所述L型軟磁體底部之上，其磁化方向垂直于所述磁性圖像檢測(cè)面，所述L型軟磁體側(cè)面平行于所述PCB。
[0013]對(duì)于所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述的永磁組合體包括一塊永磁體和兩塊軟磁體形成的開(kāi)口朝向所述磁性圖像檢測(cè)面的結(jié)構(gòu)，所述永磁體磁化方向垂直于所述PCB的正面，并且所述永磁體位于所述PCB底部，所述兩塊軟磁體對(duì)稱(chēng)位于所述PCB正面兩側(cè)和所述永磁體兩端上，且平行于所述PCB。
[0014]對(duì)于所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述永磁組合體為凹形永磁體，所述凹形永磁體的開(kāi)有凹槽的面正對(duì)所述PCB背面，開(kāi)槽方向平行于所述磁性圖像檢測(cè)面，且垂直于磁場(chǎng)敏感方向，所述凹形永磁體的磁化方向?yàn)榇怪庇赑CB方向。
[0015]對(duì)于所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述永磁組合體包括一塊位于所述PCB背面的背面永磁體和兩塊沿掃描方向?qū)ΨQ(chēng)地放置于所述PCB兩側(cè)的側(cè)面永磁體，所述背面永磁體和所述兩塊側(cè)面永磁體的磁化方向均垂直于所述磁性圖像檢測(cè)面，且所述背面永磁體和所述兩塊側(cè)面永磁體磁化方向相反。
[0016]所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片的磁場(chǎng)敏感方向?yàn)槠叫杏诨虼怪庇谒龃判詧D像檢測(cè)面方向，且當(dāng)所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片的磁場(chǎng)敏感方向平行于所述磁性圖像檢測(cè)面時(shí)，所述磁場(chǎng)敏感方向平行或垂直于掃描方向。
[0017]所述磁電阻傳感器芯片為半橋結(jié)構(gòu)，包含兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)磁敏感單元并分別排列成兩行一列、三行一列或兩行兩列，且各所述磁敏感單元的磁場(chǎng)敏感方向一致；當(dāng)所述磁電阻磁性傳感器芯片包含兩個(gè)磁敏感單元時(shí)，所述兩個(gè)磁敏感單元具有相同電阻，直接構(gòu)成一個(gè)半橋；當(dāng)所述磁電阻磁性傳感器芯片包含三個(gè)磁敏感單元時(shí)，位于中間行的所述敏感單元電阻為位于兩邊行的兩個(gè)所述敏感單元電阻的一半，且所述位于兩邊行的兩個(gè)敏感單元并聯(lián)后與所述位于中間行的敏感元件形成半橋結(jié)構(gòu)；當(dāng)所述磁電阻磁性傳感器芯片包含四個(gè)磁敏感單元時(shí)，所述四個(gè)敏感單元電阻相同，且同一行的兩個(gè)磁敏感單元并聯(lián)，而后兩行之間串聯(lián)形成半橋結(jié)構(gòu)；在所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，其列方向垂直于所述磁性圖像檢測(cè)面，且封裝時(shí)所述磁敏感單元位于芯片中靠近所述磁性圖像檢測(cè)面的一側(cè)；在所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，其列方向平行于掃描方向。
[0018]所述磁電阻傳感器芯片為全橋結(jié)構(gòu)，包含四個(gè)磁敏感單元，且各所述磁敏感單元的磁場(chǎng)敏感方向一致，四個(gè)所述磁敏感單元排列成兩行兩列，構(gòu)成全橋的兩個(gè)半橋所包含的兩個(gè)敏感元件分別位于兩行中且不同列的位置，在側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，其列方向垂直于磁性圖像檢測(cè)面，且封裝時(shí)敏感單元位于芯片中靠近磁性圖像檢測(cè)面的一偵牝在正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，其列方向平行于掃描方向。
[0019]所述半橋結(jié)構(gòu)的磁電阻傳感器芯片為集成多個(gè)敏感單元的單個(gè)磁電阻傳感器芯片，或者為多個(gè)集成一個(gè)或多個(gè)敏感單元的磁電阻傳感器芯片分立元件的互聯(lián)組合。
[0020]所述全橋結(jié)構(gòu)的磁電阻傳感器芯片為集成多個(gè)敏感單元的單個(gè)磁電阻傳感器芯片，或者為多個(gè)集成一個(gè)或多個(gè)敏感單元的磁電阻傳感器芯片分立元件的互聯(lián)組合。
[0021]所述磁電阻傳感器芯片采用正面焊盤(pán)wirebonding或者TSV通孔到所述磁電阻傳感器芯片背面焊盤(pán)的封裝結(jié)構(gòu)。
[0022]還可以包括一個(gè)外殼，所述PCB和所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片放置于所述外殼內(nèi)；所述永磁組合體部分或全部放置于所述外殼內(nèi)，或者全部位于所述外殼外。
[0023]所述磁電阻磁性傳感器芯片中的磁敏感單元為AMR，Hall, GMR或者TMR類(lèi)型的磁電阻傳感器中的一種。
[0024]所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器對(duì)應(yīng)的所述磁電阻傳感器芯片的側(cè)面與所述PCB側(cè)面共面或平行于所述磁性圖像檢測(cè)面。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器簡(jiǎn)圖。
[0026]圖2為側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器采用的第一種永磁組合體的示意圖。
[0027]圖3為側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器采用的第二種永磁組合體的示意圖。
[0028]圖4為側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器采用的第三種永磁組合體的示意圖。
[0029]圖5為側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器采用的第四種永磁組合體的示意圖。
[0030]圖6為側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器采用的第五種永磁組合體的示意圖。
[0031]圖7為側(cè)面檢測(cè)模式中PCB上磁電阻磁性傳感器芯片間隔排布圖。
[0032]圖8為側(cè)面檢測(cè)模式中PCB上磁電阻磁性傳感器芯片片上堆疊排布圖一。
[0033]圖9為側(cè)面檢測(cè)模式中PCB上磁電阻磁性傳感器芯片片上堆疊排布圖二。
[0034]圖10為側(cè)面檢測(cè)模式中PCB上磁電阻磁性傳感器芯片片上堆疊排布圖三。
[0035]圖11為正面檢測(cè)模式的圖像識(shí)別傳感器簡(jiǎn)圖。
[0036]圖12為正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器采用的第一種永磁組合體的示意圖。
[0037]圖13為正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器采用的第二種永磁組合體的示意圖。
[0038]圖14為正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器采用的第三種永磁組合體的示意圖。
[0039]圖15為正面檢測(cè)模式中PCB上磁電阻磁性傳感器芯片的間隔排布圖。
[0040]圖16為正面檢測(cè)模式中基板上磁電阻傳感器芯片錯(cuò)位排布圖一。
[0041]圖17為正面檢測(cè)模式中基板上磁電阻傳感器芯片錯(cuò)位排布圖二。
[0042]圖18為磁電阻傳感器芯片切片正視圖。[0043]圖19為磁電阻傳感器芯片切片側(cè)視圖。
[0044]圖20為磁電阻傳感器芯片切片背視圖。
[0045]圖21為磁電阻磁性傳感器結(jié)構(gòu)示意圖:a)半橋結(jié)構(gòu)；b)全橋結(jié)構(gòu)；c)雙半橋結(jié)構(gòu)；d)三元件半橋結(jié)構(gòu)。
[0046]圖22為側(cè)面檢測(cè)模式中磁電阻傳感器芯片上敏感單元排布圖:a)半橋結(jié)構(gòu)；b)全橋或雙半橋結(jié)構(gòu)；c )三元件半橋結(jié)構(gòu)。
[0047]圖23為正面檢測(cè)模式中磁電阻傳感器芯片敏感單元排布圖:al)半橋結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；bl)半橋結(jié)構(gòu)正視圖；a2)全橋結(jié)構(gòu)或雙半橋結(jié)構(gòu)側(cè)視圖:b2)全橋結(jié)構(gòu)或雙半橋結(jié)構(gòu)正視圖；a3)三元件半橋結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；b3)三元件半橋結(jié)構(gòu)正視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048]下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
[0049]實(shí)施例一
圖1為側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器結(jié)構(gòu)圖，包括PCB 1、多個(gè)磁電阻傳感器芯片2。PCBl上面積較大的一個(gè)面為其正面I (2)，而與該正面I (2)相鄰的面為其側(cè)面I (1)，一般稱(chēng)PCBl的正面1(2)的方向?yàn)樵揚(yáng)CBl的方向。相類(lèi)似的，磁電阻傳感器芯片2上也具有其正面和側(cè)面2 (I)。其中，多個(gè)磁電阻傳感器芯片2位于PCB I的正面I (2)，且所在的PCB I正面I (2)垂直于磁性圖像檢測(cè)面3。磁性圖像檢測(cè)面3是所要掃描檢測(cè)的圖像所在的平面。多個(gè)磁電阻傳感器芯片2的側(cè)面2 (I)與PCB I的靠近磁性圖像檢測(cè)面3的側(cè)面I (I)既可以共面也可以不共面，但其平行于并盡量靠近磁性圖像檢測(cè)面3，且多個(gè)磁電阻傳感器芯片2的磁場(chǎng)敏感方向7垂直于磁性圖像檢測(cè)面3，圖1中4為掃描方向。該結(jié)構(gòu)的側(cè)面檢測(cè)模式磁電阻圖像識(shí)別傳感器可以直接用于由永磁材料構(gòu)成的磁性圖像的閱讀，例如可以用于POS機(jī)中的磁頭來(lái)對(duì)信用卡上永磁磁條的閱讀。
[0050]實(shí)施例二
圖2-6為側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器應(yīng)用于軟磁材料形成的磁性圖像閱讀時(shí)的結(jié)構(gòu)不意圖，它還包括永磁組合體5,外殼6。其中外殼6覆蓋在PCB 1、多個(gè)磁電阻磁性傳感器芯片2外面,且永磁組合體5可以完全位于外殼6之內(nèi)，也可以部分位于外殼6之內(nèi)或者完全位于外殼6之外，圖2-6為了說(shuō)明，僅畫(huà)出了永磁組合體5完全位于外殼6之內(nèi)的情況。永磁組合體5的作用在于產(chǎn)生磁場(chǎng)來(lái)磁化軟磁材料構(gòu)成的磁性圖像檢測(cè)面3中的軟磁材料，使之能夠被多個(gè)磁電阻磁性傳感器芯片2探測(cè)到。外殼6的作用在于保護(hù)磁電阻傳感器芯片2以及PCB I。永磁組合體5完全或部分位于外殼6之外可以減小圖像識(shí)別傳感器的體積。
[0051 ] 圖2所示的側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中的永磁組合體5包括兩塊永磁體5( I)和5 (2), 二者對(duì)稱(chēng)位于PCB I的正面I (2)的兩側(cè),且具有相同磁化方向，該磁化方向垂直于PCB I的正面I (2)。
[0052]圖3所示的側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中的永磁組合體5包括兩塊永磁體5( 3)和5 (4)，二者對(duì)稱(chēng)位于PCB I的正面I (2)的兩側(cè)，且具有反平行的磁化方向，二者的磁化方向平行于多個(gè)磁電阻傳感器芯片2的磁場(chǎng)敏感方向7，即垂直于磁性圖像檢測(cè)面3。
[0053]圖4所示的側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中的永磁組合體5包括永磁體5 (5)和軟磁體5 (6), 二者分別位于PCB I的兩側(cè),其中永磁體5 (5)的磁化方向垂直于PCB I的正面I (2)，而軟磁體5 (6)則平行于PCB I的正面I (2)。
[0054]圖5所示的側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中的永磁組合體5包括永磁體5 (7)以及L型軟磁體5 (8)。永磁體5 (7)以及L型軟磁體5 (8)位于PCB I的同一側(cè)，且永磁體5 (7)和L型軟磁體5 (8)間形成朝向磁性圖像檢測(cè)面3的間隙。L型軟磁體5 (8)位于靠近PCB I的一側(cè)，其具有相垂直的側(cè)部和底部。L型軟磁體5 (8)的側(cè)部平行于永磁體5
(7)，L型軟磁體5 (8)的底部垂直于PCB I的正面I (2)。其中永磁體5 (7)磁化方向平行于磁場(chǎng)敏感方向7，該永磁體5 (7)位于L型軟磁體5 (8)的底部之上從而形成了朝向磁性圖像檢測(cè)面3的間隙。
[0055]圖6所示的側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中的永磁組合體5包括永磁體5 (9)、軟磁體5 (10)和5 (11)。軟磁體5 (10)和5 (11)位于永磁體5 (9)的兩端,對(duì)稱(chēng)分布于PCB I正面I (2)的兩側(cè)，并平行于PCB I，永磁體5 (9)位于PCB I的底部。軟磁體5
(10)和5 (11)形成的間隙開(kāi)口朝向磁性圖像檢測(cè)面3，且永磁體5 (9)的磁化方向垂直于PCB I的正面I (2)。
[0056]實(shí)施例三
圖7-10為側(cè)面模式圖像識(shí)別傳感器中的多個(gè)磁電阻傳感器芯片2在PCB I上的排布圖。
[0057]圖7中所有磁電阻傳感器芯片2在PCB I上排成一行，圖7(a)為側(cè)視圖，圖7(b)為正視圖，磁電阻傳感器芯片2的側(cè)面2 (I)沿著PCB I的側(cè)面I (I)依次排列，其相互之間具有一定間隙或者該間隙為O。這種排列方式的缺點(diǎn)在于，即使在間隙為O的情況下，由于封裝材料的存在，相鄰磁電阻傳感器芯片2在磁性圖像檢測(cè)面3上沿掃描方向4形成的掃描檢測(cè)區(qū)2 (30)和2 (31)沒(méi)有交集，故不可能在掃描方向上形成連續(xù)的檢測(cè)區(qū)，因此對(duì)于磁性圖像的檢測(cè)存在漏檢區(qū)域。
[0058]圖8-10針對(duì)圖7存在的磁性圖像的漏檢區(qū)域的問(wèn)題，提出了磁電阻傳感器芯片2在PCB I上的新的排布方式，即磁電阻傳感器芯片2其采用了能夠使相鄰磁電阻傳感器芯片2在磁性圖像檢測(cè)面3上沿掃描方向形成的掃描檢測(cè)區(qū)互補(bǔ)或有交集的方式排列設(shè)置于PCBl上，具體如下。
[0059]第一種可以米用的磁電阻傳感器芯片2的排布方式為:相鄰的磁電阻傳感器芯片2片上交錯(cuò)堆疊。如圖8和圖9，在圖7中的一層磁電阻傳感器芯片2的側(cè)面2 (I)沿著PCB I的側(cè)面I (I)依次排列的基礎(chǔ)上，增加了第二層磁電阻傳感器芯片2，其位于第一層磁電阻傳感器芯片2之上，且每個(gè)磁電阻傳感器芯片2并位于第一層中相鄰的兩個(gè)磁電阻傳感器芯片2之間的區(qū)域，從而形成交錯(cuò)堆疊的結(jié)構(gòu)，使得相鄰兩個(gè)磁電阻傳感器芯片2在掃描方向4形成的掃描檢測(cè)區(qū)2 (32)和2 (33)互補(bǔ)或具有重疊的區(qū)域，從而確保了掃描過(guò)程中磁性圖像的檢測(cè)不存在漏檢區(qū)域。
[0060]第二種可以采用的磁電阻傳感器芯片2的排布方式為:相鄰的磁電阻傳感器芯片2片上傾斜堆疊。圖10中每個(gè)磁電阻傳感器芯片2的一側(cè)翹起而離開(kāi)PCB I的正面1(1)，另一側(cè)則在PCB I上，即每個(gè)磁電阻傳感器芯片2均傾斜設(shè)置，使得相鄰的磁電阻傳感器芯片2中，一個(gè)磁電阻傳感器芯片2的未翅起的一側(cè)與另一個(gè)磁電阻傳感器芯片2中翅起的一側(cè)在邊緣相互傾斜堆疊，從而保證了相鄰磁電阻傳感器芯片2在掃描方向4形成的掃描檢測(cè)區(qū)2 (34)和2 (35)具有重疊的區(qū)域，確保了掃描過(guò)程中磁性圖像的檢測(cè)不存在漏檢區(qū)域。
[0061]實(shí)施例四
圖11為正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器結(jié)構(gòu)，包括PCB 11、多個(gè)磁電阻傳感器芯片21，其中多個(gè)磁電阻傳感器芯片21位于PCB 11的正面11 (2)，且其正面21 (2)平行于磁性圖像檢測(cè)面3。如果正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器應(yīng)用于硬磁體的檢測(cè)時(shí)，其磁場(chǎng)敏感方向可以平行或者垂直于磁性圖像檢測(cè)面3，而磁場(chǎng)敏感方向當(dāng)平行于磁性圖像檢測(cè)面3時(shí)，該方向可以平行或垂直于掃描方向4。當(dāng)磁性圖像由硬磁體組成時(shí)，其所產(chǎn)生的磁場(chǎng)將作用于磁電阻傳感器芯片21，并且將其沿掃描方向4的磁場(chǎng)分布特征轉(zhuǎn)變成電信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)磁性圖像的閱讀。
[0062]實(shí)施例五
圖12-14為正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器在軟磁材料構(gòu)成的磁性圖像檢測(cè)中的應(yīng)用。
[0063]圖12-14所示的正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器還包括永磁組合體51，外殼6。其中PCB 11和多個(gè)磁電阻傳感器芯片21位于外殼6之內(nèi)，其永磁組合體51可以位于外殼6之內(nèi)，也可以部分或者全部位于外殼6之外，后者可以有利于圖像識(shí)別傳感器尺寸的減小。在有永磁組合體51存在時(shí),磁電阻傳感器芯片21的磁場(chǎng)敏感方向71與掃描方向4 一致，并平行于磁性圖像檢測(cè)面3。
[0064]圖12所示的正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中的永磁組合體51為凹形永磁體，其幾何結(jié)構(gòu)為方塊的上表面開(kāi)有一個(gè)矩形的凹槽。該正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的PCBll上與其正面11 (2)相對(duì)的那個(gè)面積較大的面為其背面。凹形永磁體的上表面正對(duì)PCB 11的背面且直接與PCB 11的背面接觸，凹形永磁體的磁化方向垂直于PCB 11正面11(2)，矩形凹槽的貫穿方向，即開(kāi)槽方向垂直于掃描方向4，平行于磁性圖像檢測(cè)面3。
[0065]圖13所示的正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中的永磁組合體51包含兩塊永磁體51
(I)和51 (2), 二者分別沿掃描方向4對(duì)稱(chēng)位于磁電阻傳感器芯片21的兩側(cè),其磁化方向垂直于磁性圖像檢測(cè)面3和PCBll的正面11 (2)，且磁化方向相同。
[0066]圖14所示的正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中的永磁組合體51包括三塊永磁體51
(3)、51 (4)和51 (5),其中的兩塊永磁體51 (3)和51 (4)沿掃描方向4對(duì)稱(chēng)分布于磁電阻傳感器芯片21的兩側(cè)，稱(chēng)作側(cè)面永磁體，二者的磁化方向相同，為垂直于磁性圖像檢測(cè)面3，另一塊永磁體51 (5)位于PCB 11的正下方，即背面，稱(chēng)作背面永磁體，其磁化方向反平行于永磁體51 (3)和51 (4)。
[0067]實(shí)施例六
圖15-17為正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中的多個(gè)磁電阻傳感器芯片21在PCB 11上的排布圖。
[0068]圖15 (a)和(b)分別側(cè)視圖和正視圖，其中的磁電阻傳感器芯片21在PCB 11上排列成一行，且行的方向垂直于掃描方向4或者磁場(chǎng)敏感方向71。由于磁電阻傳感器芯片21中封裝材料的存在，因此即使相鄰磁電阻傳感器芯片21間隙為0，相鄰磁電阻傳感器芯片21在磁性圖像檢測(cè)面3上沿掃描方向4形成的掃描檢測(cè)區(qū)21 (30)和21 (31)沒(méi)有交集，因此導(dǎo)致磁性圖像檢測(cè)面3上存在漏檢區(qū)域。
[0069]為了彌補(bǔ)漏檢區(qū)域的問(wèn)題，圖16和圖17對(duì)磁電阻傳感器芯片21在PCB 11上的排列方式進(jìn)行了改進(jìn)。
[0070]可以采用的磁電阻傳感器芯片21的排布方式為:相鄰的磁電阻傳感器芯片21在PCBll的正面11 (2)以邊緣相互錯(cuò)位的方式排列。圖16 (a)和(b)分別為一種排列方式的側(cè)視圖和正視圖，其掃描方向4和磁電阻傳感器芯片21的磁場(chǎng)敏感方向?yàn)?1方向一致，磁電阻傳感器芯片21在PCB 11正面11 (2)采用傾斜放置，相鄰磁電阻傳感器芯片21錯(cuò)位排列，磁電阻傳感器芯片21的邊緣相互交錯(cuò)，從而使得相鄰磁電阻傳感器芯片21沿掃描方向4在磁性圖像檢測(cè)面3上形成的掃描檢測(cè)區(qū)21 (32)和21 (33)能夠重疊，解決了漏檢的問(wèn)題。
[0071]圖17 (a)和(b)分別為另一種排列方式的側(cè)視圖和正視圖，通過(guò)在相鄰兩個(gè)磁電阻傳感器芯片21的行方向中間位置插入第三個(gè)磁電阻傳感器芯片21，并與相鄰兩個(gè)磁電阻傳感器芯片21在邊緣重疊，從而使得相鄰磁電阻傳感器芯片21的掃描檢測(cè)區(qū)21 (34)和21 (35)重疊，解決了漏檢的問(wèn)題。
[0072]圖18-20為以上各實(shí)施例中磁電阻傳感器芯片的晶圓切片的正視圖、側(cè)視圖和背視圖。可以看出，磁電阻傳感器芯片包含磁敏感單元42，磁電阻敏感單元42在Si切片41的正面，且信號(hào)及電源引腳43可以位于Si切片41的正面,通過(guò)wirebonding引出，也可以通過(guò)TSV通孔44穿過(guò)Si切片41，在Si切片41的背面形成引腳45。即磁電阻傳感器芯片采用正面焊盤(pán)wirebonding或者TSV通孔到磁電阻傳感器芯片背面焊盤(pán)的封裝結(jié)構(gòu)。圖9中上下兩層之間磁電阻傳感器芯片2的連接,可以通過(guò)wirebonding連接到PCB I上,也可以通過(guò)正面和背面之間的引腳直接連接。采用TSV背面引腳相對(duì)于正面的wirebonding,在正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，可以減小磁電阻傳感器21和磁性圖像檢測(cè)面3之間的探測(cè)距離，增加磁場(chǎng)強(qiáng)度。
[0073]圖21為磁電阻傳感器芯片2或21中的磁敏感單元42的組成結(jié)構(gòu)圖，圖21 (a)中為半橋結(jié)構(gòu)，包含Rl和R2兩個(gè)敏感單元。這兩個(gè)敏感單元Rl和R2排列成兩行一列，且兩個(gè)磁敏感單元Rl和R2具有相同電阻，直接構(gòu)成一個(gè)半橋。圖21 (b)為全橋結(jié)構(gòu)，包含尺1，1?2，1?3和1?4四個(gè)敏感單元，有兩路輸出Vout+和Vout-。四個(gè)磁敏感單元Rl，R2，R3和R4排列成兩行兩列。構(gòu)成全橋的兩個(gè)半橋所包含的兩個(gè)敏感元件分別位于兩行中且不同列的位置。在側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，其列方向垂直于磁性圖像檢測(cè)面3，且封裝時(shí)敏感單元位于芯片中靠近磁性圖像檢測(cè)面3的一側(cè)。在正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，其列方向平行于掃描方向4。圖21 (c)為包含兩行兩列排列的Rl, R3, R2, R4四個(gè)敏感單元的半橋結(jié)構(gòu)，且同一行的兩個(gè)磁敏感單元并聯(lián)，而后兩行之間串聯(lián)形成半橋結(jié)構(gòu)，兩個(gè)半橋R1，R2以及R3，R4分別共享電源和接地，但共有一個(gè)輸出端。圖21 (d)為排列為三行一列的三敏感元件半橋結(jié)構(gòu)，包含Rl，R2，R3三個(gè)敏感單元，其中位于兩邊行的兩個(gè)敏感單元R1，R3電阻相同，其阻值是位于中間行的敏感單元R2電阻的兩倍，敏感單元Rl和R3并聯(lián)，而后和R2串聯(lián)形成半橋，輸出信號(hào)電壓從Rl，R2，R3的中間公共端輸出。所述磁電阻敏感單元可以為T(mén)MR、Hal1、AMR、GMR單元中的一種。各磁敏感單元的磁場(chǎng)敏感方向一致。
[0074]圖22為側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的磁電阻傳感器芯片2中敏感單元排布圖。
[0075]圖22 Ca)為半橋結(jié)構(gòu)，其中敏感單元Rl和R2形成兩行一列排布，Rl位于靠近磁性圖像檢測(cè)面3的一行，平行于磁性圖像檢測(cè)面3，R2位于另一行，其磁場(chǎng)敏感方向相同，都為71方向，列方向垂直于磁性圖像檢測(cè)面3，其中4為掃描方向。[0076]圖22 (b)為全橋結(jié)構(gòu)或者兩個(gè)半橋結(jié)構(gòu)，敏感單元R1-R4排列成兩行兩列，其中Rl和R3位于靠近磁性圖像檢測(cè)面3的一行,R2和R4位于另一行,Rl和R2構(gòu)成一個(gè)半橋，R3和R4構(gòu)成一個(gè)半橋。
[0077]圖22 (C)為三電阻半橋結(jié)構(gòu)，包含R1、R2和R3三個(gè)敏感單元，排列成三行一列結(jié)構(gòu)，其中Rl位于靠近磁性圖像檢測(cè)面3的一行，R2介于Rl和R3之間，Rl, R2和R3的磁場(chǎng)敏感方向?yàn)?1方向，并垂直于磁性圖像檢測(cè)面3，其中4為掃描方向。
[0078]圖22所對(duì)應(yīng)的TMR磁性傳感器芯片2或21中，封裝時(shí)，敏感元件R1，R2、R1_R4或R1-R3位于靠近磁性圖像檢測(cè)面3的一側(cè)。
[0079]圖23為正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的磁電阻傳感器芯片21敏感單元排布圖，其中圖 23 (al)、23 (a2)和 23 (a3)為側(cè)視圖，圖 23 (bl)、23 (b2)和 23 (b3)為芯片 21正視圖，掃描方向4。圖23 (bl)為半橋結(jié)構(gòu)，包括的兩個(gè)敏感單元Rl和R2，其排布方向平行于敏感方向71，并與掃描方向4 一致。圖23 (b2)為全橋結(jié)構(gòu),Rl和R2對(duì)應(yīng)其中一個(gè)橋臂，R3和R4對(duì)應(yīng)另一個(gè)橋臂，且Rl，R2和R3，R4沿敏感方向71排列，圖23 (b3)為三元件半橋結(jié)構(gòu)，敏感單元Rl、R2、R3沿掃描方向4排列成行，且R2介于Rl和R3之間，R1-R3的磁場(chǎng)敏感方向?yàn)?1。其中圖23中芯片21的外形相對(duì)于敏感元件為平行排列結(jié)構(gòu)，在傾斜疊加排列時(shí)，芯片的形狀可以相對(duì)于敏感元件的排列轉(zhuǎn)動(dòng)一定角度。
[0080]需要指出的是，上述的全橋或半橋結(jié)構(gòu)磁電阻傳感器芯片可以為集成多個(gè)敏感單元的單個(gè)磁電阻傳感器芯片，也可以采用多個(gè)磁電阻傳感器芯片分立元件來(lái)代替。對(duì)于后一種情況，分立的磁電阻傳感器芯片為集成一個(gè)或多個(gè)敏感單元，且分立磁電阻傳感器芯片之間通過(guò)互聯(lián)形成半橋或全橋結(jié)構(gòu)。
[0081]此外，圖23中在探測(cè)硬磁體構(gòu)成的圖像時(shí)，其磁電阻傳感器21的敏感元件磁場(chǎng)敏感方向可以平行或垂直于磁性圖像檢測(cè)面3，當(dāng)平行時(shí)，其方向可以平行于或者垂直于掃描方向4。
【權(quán)利要求】
1.一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，用于檢測(cè)磁性圖像，所述磁性圖像所在的平面為磁性圖像檢測(cè)面，其包括側(cè)面/正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器；所述側(cè)面/正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器分別包括位于PCB上的多個(gè)磁電阻傳感器芯片；所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的多個(gè)所述磁電阻傳感器芯片的側(cè)面平行于所述磁性圖像檢測(cè)面；所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的多個(gè)磁電阻傳感器芯片的正面平行于所述磁性圖像檢測(cè)面；其特征在于，相鄰所述磁電阻傳感器芯片在所述磁性圖像檢測(cè)面上沿掃描方向的掃描檢測(cè)區(qū)互補(bǔ)或有交集。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器所對(duì)應(yīng)的相鄰的所述磁電阻傳感器芯片在所述PCB的正面沿所述磁電阻傳感器芯片邊緣相互錯(cuò)位方式排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器所對(duì)應(yīng)的在所述PCB上的所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片一邊翹起離開(kāi)所述PCB正面，另一邊與相鄰所述磁電阻傳感器芯片的一邊傾斜堆疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器所對(duì)應(yīng)的在所述PCB上的所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片中相鄰的所述磁電阻傳感器芯片片上交錯(cuò)堆疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，包括永磁組合體，并且所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的多個(gè)磁電阻傳感器芯片的磁場(chǎng)敏感方向?yàn)槠叫杏趻呙璺较?，而所述?cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的多個(gè)磁電阻傳感器芯片的磁場(chǎng)敏感方向?yàn)榇怪庇谒龃判詧D像檢測(cè)面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述永磁組合體包括兩塊磁化方向相同的永磁體，分別沿掃描方向?qū)ΨQ(chēng)地位于所述PCB兩側(cè),其磁化方向垂直于所述PCB正面。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，對(duì)于所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述永磁組合體包括兩塊永磁體，并在所述PCB正面兩側(cè)對(duì)稱(chēng)放置，其磁化方向均垂直于磁性圖像檢測(cè)面，但是所述兩塊永磁體的磁化方向相反。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，對(duì)于所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述的永磁組合體包括一塊永磁體和一塊軟磁體，分別位于所述PCB正面兩側(cè)，所述永磁體的磁化方向垂直于所述PCB正面方向，所述軟磁體平行于所述PCB正面。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，對(duì)于所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述的永磁組合體包括一塊永磁體和一塊L型軟磁體形成的開(kāi)口朝向所述磁性圖像檢測(cè)面的結(jié)構(gòu)，其位于所述PCB的同一側(cè)，且所述L型軟磁體位于所述永磁體和所述PCB之間，所述永磁體位于所述L型軟磁體底部之上，其磁化方向垂直于所述磁性圖像檢測(cè)面，所述L型軟磁體側(cè)面平行于所述PCB。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，對(duì)于所述側(cè)面檢測(cè) 模式圖像識(shí)別傳感器，所述的永磁組合體包括一塊永磁體和兩塊軟磁體形成的開(kāi)口朝向所述磁性圖像檢測(cè)面的結(jié)構(gòu)，所述永磁體磁化方向垂直于所述PCB的正面，并且所述永磁體位于所述PCB底部，所述兩塊軟磁體對(duì)稱(chēng)位于所述PCB正面兩側(cè)和所述永磁體兩端上，且平行于所述PCB。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，對(duì)于所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述永磁組合體為凹形永磁體，所述凹形永磁體的開(kāi)有凹槽的面正對(duì)所述PCB背面，開(kāi)槽方向平行于所述磁性圖像檢測(cè)面，且垂直于磁場(chǎng)敏感方向，所述凹形永磁體的磁化方向?yàn)榇怪庇谒鯬CB方向。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，對(duì)于所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器，所述永磁組合體包括一塊位于所述PCB背面的背面永磁體和兩塊沿掃描方向?qū)ΨQ(chēng)地放置于所述PCB兩側(cè)的側(cè)面永磁體，所述背面永磁體和所述兩塊側(cè)面永磁體的磁化方向均垂直于所述磁性圖像檢測(cè)面，且所述背面永磁體和所述兩塊側(cè)面永磁體磁化方向相反。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器的所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片的磁場(chǎng)敏感方向?yàn)槠叫杏诨虼怪庇谒龃判詧D像檢測(cè)面方向，且當(dāng)所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片的磁場(chǎng)敏感方向平行于所述磁性圖像檢測(cè)面時(shí)，所述磁場(chǎng)敏感方向平行或垂直于掃描方向。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述磁電阻傳感器芯片為半橋結(jié)構(gòu)，包含兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)磁敏感單元并分別排列成兩行一列、三行一列或兩行兩列，且各所述磁敏感單元的磁場(chǎng)敏感方向一致；當(dāng)所述磁電阻磁性傳感器芯片包含兩個(gè)磁敏感單元時(shí)，所述兩個(gè)磁敏感單元具有相同電阻，直接構(gòu)成一個(gè)半橋；當(dāng)所述磁電阻磁性傳感器芯片包含三個(gè)磁敏感單元時(shí)，位于中間行的所述敏感單元電阻為位于兩邊行的兩個(gè)所述敏感單元電阻的一半，且所述位于兩邊行的兩個(gè)敏感單元并聯(lián)后與所述位于中間行的敏感元件形成半橋結(jié)構(gòu)；當(dāng)所述磁電阻磁性傳感器芯片包含四個(gè)磁敏感單元時(shí)，所述四個(gè)敏感單元電阻相同，且同一行的兩個(gè)磁敏感單元并聯(lián)，而后兩行之間串聯(lián)形成半橋結(jié)構(gòu)；在所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，其列方向垂直于所述磁性圖像檢測(cè)面，且封裝時(shí)所述磁敏感單元位于芯片中靠近所述磁性圖像檢測(cè)面的一側(cè)；在所述正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，其列方向平行于掃描方向。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述磁電阻傳感器芯片為全橋結(jié)構(gòu)，包含四個(gè)磁敏感單元，且各所述磁敏感單元的磁場(chǎng)敏感方向一致，四個(gè)所述磁敏感單元排列成兩行兩列，構(gòu)成全橋的兩個(gè)半橋所包含的兩個(gè)敏感元件分別位于兩行中且不同列的位置，在側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，其列方向垂直于磁性圖像檢測(cè)面，且封裝時(shí)敏感單元位于芯片中靠近磁性圖像檢測(cè)面的一側(cè)，在正面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器中，其列方向平行于掃描方向。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述半橋結(jié)構(gòu)的磁電阻傳感器芯片為集成多個(gè)敏感單元的單個(gè)磁電阻傳感器芯片，或者為多個(gè)集成一個(gè)或多個(gè)敏感單元的磁電阻傳感器芯片分立元件的互聯(lián)組合。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述全橋結(jié)構(gòu)的磁電阻傳感器芯片為集成多個(gè)敏感單元的單個(gè)磁電阻傳感器芯片，或者為多個(gè)集成一個(gè)或多個(gè)敏感單元的磁電阻傳感器芯片分立元件的互聯(lián)組合。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述磁電阻傳感器芯片采用正面焊盤(pán)wirebonding或者TSV通孔到所述磁電阻傳感器芯片背面焊盤(pán)的封裝結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，還可以包括一個(gè)外殼，所述PCB和所述多個(gè)磁電阻傳感器芯片放置于所述外殼內(nèi)；所述永磁組合體部分或全部放置于所述外殼內(nèi)，或者全部位于所述外殼外。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述磁電阻磁性傳感器芯片中的磁敏感單元為AMR，Hal I，GMR或者TMR類(lèi)型的磁電阻傳感器中的一種。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁電阻磁性圖像識(shí)別傳感器，其特征在于，所述側(cè)面檢測(cè)模式圖像識(shí)別傳感器對(duì)應(yīng)的所述磁電阻傳感器芯片的側(cè)面與所述PCB側(cè)面共面或平行于所述磁性圖像檢測(cè)面。
【文檔編號(hào)】G07D7/04GK103927811SQ201410113778
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月25日
【發(fā)明者】薛松生, 雷嘯峰, 張小軍, 詹姆斯·G·迪克, 周志敏 申請(qǐng)人:江蘇多維科技有限公司