CP2來制造第二掩模502。
[0227]參照?qǐng)D39，第二光阻層432可以涂敷在硬掩模層420上，并且第二光阻圖形442可以通過使用第二掩模502在第二光阻層432上執(zhí)行光刻過程和顯影過程來形成。
[0228]參照?qǐng)D40，第二掩模圖形422可以通過使用第二光阻圖形442作為蝕刻掩模蝕刻硬掩模層420來形成。然后，第二光阻材料層432可以被除去。
[0229]如上參照?qǐng)D36到圖40所述，與半導(dǎo)體的布局L0相對(duì)應(yīng)的第一掩模圖形421和第二掩模圖形422可以通過使用第一分解圖形DCP1和第二分解圖形DCP2在襯底400上執(zhí)行DPT過程來形成在硬掩模層420中，該第一分解圖形DCP1和第二分解圖形DCP2通過圖1、圖11、圖21和圖32的分解半導(dǎo)體器件的布局的方法中的一個(gè)生成。
[0230]參照?qǐng)D41，溝槽411可以通過使用第一掩模圖形421和第二掩模圖形422作為蝕刻掩模蝕刻犧牲層415和超低介電層410來形成。然后，硬掩模層420和犧牲層415可以被除去。
[0231]參照?qǐng)D42，布線圖形450可以通過以金屬材料填充溝槽411來形成。
[0232]上面參照?qǐng)D36到42作為例子描述了通過基于第一分解圖形DCP1和第二分解圖形DCP2在襯底400上執(zhí)行DPT過程形成半導(dǎo)體器件的布線圖形450的方法。然而，示例實(shí)施例不局限于此，并且半導(dǎo)體器件的布線圖形可以通過基于第一分解圖形DCP1和第二分解圖形DCP2執(zhí)行多個(gè)種類的DPT過程形成。
[0233]圖43是示出根據(jù)實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。
[0234]參照?qǐng)D43，計(jì)算系統(tǒng)900包括片上系統(tǒng)S0C 910、調(diào)制解調(diào)器920、儲(chǔ)存設(shè)備930、存儲(chǔ)器設(shè)備940、輸入/輸出設(shè)備950和電源960。
[0235]片上系統(tǒng)910控制計(jì)算系統(tǒng)900的整體操作。
[0236]片上系統(tǒng)910可以包括多個(gè)種類的邏輯電路。片上系統(tǒng)910可以使用圖1、圖11、圖21和圖35的分解半導(dǎo)體器件的布局的方法中的一個(gè)以及圖34和圖35的制造半導(dǎo)體器件的方法中的一個(gè)的來制造。
[0237]調(diào)制解調(diào)器920經(jīng)過有線或無線通信與外部設(shè)備通信數(shù)據(jù)。
[0238]儲(chǔ)存設(shè)備930存儲(chǔ)經(jīng)過調(diào)制解調(diào)器920從外部設(shè)備接收到的數(shù)據(jù)以及將經(jīng)過調(diào)制解調(diào)器920傳送到外部設(shè)備的數(shù)據(jù)。儲(chǔ)存設(shè)備930可以包括諸如快閃存儲(chǔ)器件、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)等等的非易失性存儲(chǔ)器件。
[0239]存儲(chǔ)器設(shè)備940存儲(chǔ)計(jì)算系統(tǒng)900的操作所需的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器設(shè)備940可以包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、或非易失性存儲(chǔ)器，諸如可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPR0M)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPR0M)、快閃存儲(chǔ)器等等。
[0240]輸入/輸出設(shè)備950可以包括觸摸屏、鍵區(qū)、鍵盤、鼠標(biāo)、打印機(jī)、顯示器等等。電源960可以供應(yīng)可操作電力。
[0241]盡管在圖43中未示出，但是計(jì)算系統(tǒng)900還可以包括用于與視頻卡、聲卡、存儲(chǔ)卡、通用串行總線(USB)設(shè)備或其他電子設(shè)備通信的端口。
[0242]片上系統(tǒng)910可以經(jīng)由地址總線、控制總線和/或數(shù)據(jù)總線與儲(chǔ)存設(shè)備930、存儲(chǔ)器設(shè)備940和輸入/輸出設(shè)備950通信。在示例實(shí)施例中，片上系統(tǒng)910可以耦接到擴(kuò)展總線，諸如外圍組件互聯(lián)(PCI)總線。
[0243]計(jì)算系統(tǒng)900可以是包括片上系統(tǒng)910的任何計(jì)算系統(tǒng)。例如，計(jì)算系統(tǒng)900可以包括數(shù)字相機(jī)、移動(dòng)電話、智能電話、便攜式計(jì)算機(jī)、便攜式多媒體播放器(PMP)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)等等。
[0244]計(jì)算系統(tǒng)900和/或計(jì)算系統(tǒng)900的組件可以以各種形式封裝，如層疊封裝(PoP)、球柵陣列(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、塑料帶引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插封裝(roip)、疊片內(nèi)裸片封裝、晶片內(nèi)裸片形式、板上芯片(C0B)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料標(biāo)準(zhǔn)四邊扁平封裝(MQFP)、薄型四邊扁平封裝(TQFP)、小外型集成電路(SOIC)、縮小型小外型封裝(SSOP)、薄型小外型封裝(TSOP)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級(jí)結(jié)構(gòu)封裝(WFP)或晶片級(jí)處理堆疊封裝(WSP)等等。
[0245]應(yīng)當(dāng)理解，此處描述的示例實(shí)施例應(yīng)從描述性的角度來理解，其并非出于限制的目的。根據(jù)示例實(shí)施例的每個(gè)設(shè)備或方法之內(nèi)的特征或方面的描述一般應(yīng)被看作可應(yīng)用于根據(jù)示例實(shí)施例的其他設(shè)備或方法中的類似特征或方面。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出和描述了一些示例實(shí)施例，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)理解，可以對(duì)其進(jìn)行形式上和細(xì)節(jié)上的各種改變而不會(huì)脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種分解半導(dǎo)體器件的布局的方法，包括: 確定包括在半導(dǎo)體器件的布局中的多個(gè)多邊形當(dāng)中的多邊形是復(fù)雜多邊形，該復(fù)雜多邊形包括多個(gè)交叉點(diǎn)，其中在所述多個(gè)交叉點(diǎn)中的每個(gè)交叉點(diǎn)處至少兩條線交叉； 在復(fù)雜多邊形上的所述多個(gè)交叉點(diǎn)之間插入第一針腳；以及 通過在布局上執(zhí)行圖形劃分操作來生成多個(gè)分解圖形。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述插入第一針腳包括在復(fù)雜多邊形中包括的所述多個(gè)交叉點(diǎn)當(dāng)中的兩個(gè)相鄰交叉點(diǎn)的中心處插入第一針腳。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中: 所述布局包括多個(gè)復(fù)雜多邊形，以及 所述插入第一針腳包括在所述多個(gè)復(fù)雜多邊形中的至少一個(gè)上的所述多個(gè)交叉點(diǎn)之間插入第一針腳。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中 所述生成所述多個(gè)分解圖形包括至少基于復(fù)雜多邊形的第一部分和復(fù)雜多邊形的第二部分將所述多個(gè)分解圖形分離為彼此不同的分解圖形， 復(fù)雜多邊形的第一部分在第一針腳的一側(cè)，以及 復(fù)雜多邊形的第二部分在第一針腳的另一側(cè)。5.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在布局中包括的多邊形當(dāng)中的彼此距離臨界尺寸之內(nèi)的兩個(gè)多邊形之間插入第一分離符。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中 所述生成所述多個(gè)分解圖形包括至少基于所述兩個(gè)多邊形將所述多個(gè)分解圖形分離為彼此不同的分解圖形，以及 所述兩個(gè)多邊形位于第一分離符的各側(cè)。7.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 確定在布局中的連接到第一分離符的多邊形當(dāng)中是否形成奇回路，所述奇回路包括奇數(shù)數(shù)目的多邊形；以及 如果奇回路形成，則在奇回路中包括的奇數(shù)數(shù)目的多邊形中的一個(gè)上插入第二針腳。8.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 在布局中包括的多邊形當(dāng)中的以大于臨界尺寸的距離彼此相鄰的兩個(gè)多邊形之間插入第二分咼符。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中 所述生成所述多個(gè)分解圖形包括至少基于所述兩個(gè)多邊形將所述多個(gè)分解圖形分離為彼此不同的分解圖形，以及 所述兩個(gè)多邊形位于第二分離符的各側(cè)。10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中 所述生成所述多個(gè)分解圖形包括:如果第二分離符被插入在第一多邊形和沿相應(yīng)于第一多邊形的短軸的方向遠(yuǎn)離第一多邊形超過臨界尺寸的第二多邊形之間，則當(dāng)執(zhí)行圖形劃分操作的時(shí)候向第二分離符分配第一優(yōu)先級(jí)，以及 所述生成所述多個(gè)分解圖形包括:如果第二分離符被插入在第一多邊形和沿相應(yīng)于第一多邊形的長軸的方向遠(yuǎn)離第一多邊形超過臨界尺寸的第三多邊形之間，則當(dāng)執(zhí)行圖形劃分操作的時(shí)候向第二分離符分配第二優(yōu)先級(jí)， 當(dāng)執(zhí)行圖形劃分操作的時(shí)候第二優(yōu)先級(jí)低于第一優(yōu)先級(jí)。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述圖形劃分操作使用用于雙重圖形技術(shù)(DPT)過程的雙重圖形劃分算法來執(zhí)行。12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)分解圖形的數(shù)目是二。13.一種分解半導(dǎo)體器件的布局的方法，包括: 在半導(dǎo)體器件的布局中包括的多個(gè)多邊形當(dāng)中的彼此距離臨界尺寸之內(nèi)的兩個(gè)多邊形之間插入第一分離符， 在布局中包括的所述多個(gè)多邊形當(dāng)中的以大于臨界尺寸的距離彼此相鄰的兩個(gè)多邊形之間插入第二分離符；以及 通過在布局上執(zhí)行圖形劃分操作來生成多個(gè)分解圖形。14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括: 確定包括在布局中的所述多個(gè)多邊形當(dāng)中的多邊形是復(fù)雜多邊形，該復(fù)雜多邊形包括多個(gè)交叉點(diǎn)，其中在所述多個(gè)交叉點(diǎn)中的每個(gè)交叉點(diǎn)處至少兩條線交叉；以及在復(fù)雜多邊形上的所述多個(gè)交叉點(diǎn)之間插入第一針腳。15.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括: 執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1到12之一所述的分解半導(dǎo)體器件的布局的方法； 分別生成相應(yīng)于所述多個(gè)分解圖形的多個(gè)掩模；以及 通過使用所述多個(gè)掩模在襯底上執(zhí)行光刻過程在襯底上形成布線圖形。16.—種分解半導(dǎo)體器件的布局的方法，所述布局包括多個(gè)多邊形，所述方法包括: 在布局中如下插入第一針腳和第一分離符中的至少一個(gè): 如果所述多個(gè)多邊形包括至少一個(gè)復(fù)雜多邊形，則在所述至少一個(gè)復(fù)雜多邊形中的多個(gè)交叉點(diǎn)之間插入第一針腳，其中在所述多個(gè)交叉點(diǎn)中的每個(gè)交叉點(diǎn)處至少兩條線交叉，以及 如果所述多個(gè)多邊形包括以小于臨界尺寸的距離彼此間隔的兩個(gè)多邊形，則在以小于臨界尺寸的距離間隔的所述兩個(gè)多邊形之間插入第一分離符；以及通過在布局上執(zhí)行圖形劃分操作來生成多個(gè)分解圖形。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中 所述方法包括在所述至少一個(gè)復(fù)雜多邊形中的所述多個(gè)交叉點(diǎn)之間插入第一針腳，其中在所述多個(gè)交叉點(diǎn)中的每個(gè)交叉點(diǎn)處至少兩條線交叉， 所述生成所述多個(gè)分解圖形包括至少基于所述至少一個(gè)復(fù)雜多邊形中的每個(gè)第一針腳的位置將所述多個(gè)分解圖形分離為不同的分解圖形； 所述不同的分解圖形包括第一分解圖形和第二分解圖形， 所述第一分解圖形至少基于在每個(gè)第一針腳的一側(cè)上的所述至少一個(gè)復(fù)雜多邊形的第一部分， 所述第二分解圖形至少基于在每個(gè)第一針腳的另一側(cè)上的所述至少一個(gè)復(fù)雜多邊形的第二部分，以及 所述第一分解圖形不同于第二分解圖形。18.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括: 所述方法包括在以小于臨界尺寸的距離間隔的兩個(gè)多邊形之間插入第一分離符，所述生成所述多個(gè)分解圖形包括至少基于相對(duì)于以小于臨界尺寸的距離彼此間隔的兩個(gè)多邊形插入的第一分離符的位置將所述多個(gè)分解圖形分離為彼此不同的分解圖形， 所述分解圖形包括第一分解圖形和第二分解圖形， 第一分解圖形的至少一部分基于以小于臨界尺寸的距離彼此間隔的所述兩個(gè)多邊形中的一個(gè)， 第二分解圖形的至少一部分基于以小于臨界尺寸的距離彼此間隔的所述兩個(gè)多邊形中的另一個(gè)，以及 所述第一分解圖形不同于第二分解圖形。19.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括: 如果所述多個(gè)多邊形包括以大于臨界尺寸的距離彼此間隔的兩個(gè)多邊形，則在以大于臨界尺寸的距離彼此間隔的所述兩個(gè)多邊形之間插入第二分離符。20.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括: 執(zhí)行如權(quán)利要求16到19之一所述的分解半導(dǎo)體器件的布局的方法； 分別生成相應(yīng)于所述多個(gè)分解圖形的多個(gè)掩模；以及 通過使用所述多個(gè)掩模在襯底上執(zhí)行光刻過程在襯底上形成布線圖形。
【專利摘要】公開了分解半導(dǎo)體器件的布局的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法。分解半導(dǎo)體器件的布局的方法包括：半導(dǎo)體器件的布局中包括的多邊形當(dāng)中的多個(gè)交叉點(diǎn)的多邊形可以被確定為復(fù)雜多邊形，其中在所述多個(gè)交叉點(diǎn)中的每個(gè)交叉點(diǎn)處至少兩條線交叉。第一針腳可以被插入在復(fù)雜多邊形上的所述多個(gè)交叉點(diǎn)之間?？梢酝ㄟ^在布局上執(zhí)行圖形劃分操作來生成多個(gè)分解圖形。
【IPC分類】G06F17/50
【公開號(hào)】CN105404706
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510490670
【發(fā)明人】姜大權(quán), 鄭智榮, 金東均, 梁在錫, 黃盛昱
【申請(qǐng)人】三星電子株式會(huì)社
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年8月11日
【公告號(hào)】US20160070838