電子裝置的制造方法
【專利說明】電子裝置
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2014年8月22日提交的申請?zhí)枮?0-2014-0109493的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部公開內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及電子裝置，且更具體地，涉及用于檢測電壓的電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]當(dāng)被供應(yīng)至電子裝置的外圍電路的電源電壓穩(wěn)定時(shí)，外圍電路應(yīng)該被初始化。另一方面，當(dāng)電源電壓低于參考電壓時(shí)，應(yīng)該執(zhí)行用于保護(hù)外圍電路的操作。
[0005]為此，電子裝置需要檢測電源電壓電平以保護(hù)外圍電路且保證穩(wěn)定的操作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明涉及能夠確定電源電壓是否被供應(yīng)或是否被中斷以及確定其是否處于不穩(wěn)定狀態(tài)的電子裝置。
[0007]本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種電子裝置，包括:第一電壓檢測電路，適于檢測在電壓開始供應(yīng)至外圍電路之后所述電壓何時(shí)變得高于第一電平，以及檢測在對所述外圍電路的所述電壓的供應(yīng)開始中斷之后所述電壓何時(shí)變得低于第二電平；以及第二電壓檢測電路，適于檢測在所述外圍電路操作的同時(shí)所述電壓何時(shí)變得低于參考電平，其中，所述第二電平低于所述參考電平。
[0008]本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種電子裝置，包括:多個(gè)存儲(chǔ)塊，每個(gè)包括存儲(chǔ)器單元；操作電路，適于將操作電壓輸出至全局線、將所述存儲(chǔ)塊之中的選中存儲(chǔ)塊的局部線連接至所述全局線、以及經(jīng)由位線讀取儲(chǔ)存在所述選中存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)；以及電壓檢測電路，適于檢測在電源電壓開始供應(yīng)至所述操作電路之后所述電源電壓何時(shí)變得高于第一電平；檢測在所述操作電路操作的同時(shí)所述電源電壓何時(shí)變得低于參考電平；以及檢測在所述電源電壓對所述操作電路的供應(yīng)開始中斷之后所述電源電壓何時(shí)變得低于所述第二電平，其中，所述第二電平低于所述參考電平。
[0009]本發(fā)明的另一個(gè)方面提供了一種電子裝置，包括:電源單元，適于為內(nèi)部節(jié)點(diǎn)供應(yīng)電源電壓；輸出單元，適于基于所述內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的電壓來輸出電壓檢測信號(hào)；以及電壓控制單元，適于響應(yīng)于所述輸出單元的所述電壓檢測信號(hào)而控制所述內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的所述電壓。
【附圖說明】
[0010]對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，通過參照附圖詳細(xì)描述其示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯然，在附圖中:
[0011]圖1是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的電子裝置的框圖。
[0012]圖2是用于描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的電壓檢測電路的電路圖；
[0013]圖3是用于描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖2的電壓檢測電路的操作的波形圖；
[0014]圖4是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的電子裝置的框圖；
[0015]圖5是用于描述圖4的存儲(chǔ)器陣列的電路圖；
[0016]圖6是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的電子裝置的電路圖；
[0017]圖7是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的電壓檢測電路的電路圖；
[0018]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖；
[0019]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的配置成執(zhí)行編程操作的融合存儲(chǔ)器件或融合存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖；以及
[0020]圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括快閃存儲(chǔ)器件的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]在下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，由于本發(fā)明不限于在下文中公開的實(shí)施例，所以本發(fā)明的實(shí)施例應(yīng)該以各種形式實(shí)施，且本發(fā)明的范圍不限于以下提到的示例性實(shí)施例。本發(fā)明的實(shí)施例僅出于本發(fā)明的完整公開而提供，且對本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地示出了本發(fā)明的范圍，且應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的范圍通過所附權(quán)利要求的范圍限定。
[0022]圖1是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的電子裝置的框圖。
[0023]參見圖1，電子裝置包括外圍電路110和電壓檢測電路120。電壓檢測電路120被配置成檢測在電源電壓VCCE開始供應(yīng)至外圍電路110之后電源電壓VCCE何時(shí)高于第一電平，檢測在外圍電路110操作的同時(shí)電源電壓VCCE何時(shí)低于參考電平，以及檢測在電源電壓VCCE的供應(yīng)開始被中斷之后電源電壓VCCE何時(shí)低于第二電平。
[0024]為此，電壓檢測電路120可以包括第一電壓檢測電路121和第二電壓檢測電路122。第一電壓檢測電路121可以被配置成檢測在電源電壓VCCE開始供應(yīng)至外圍電路110之后電源電壓VCCE何時(shí)高于第一電平，且檢測在電源電壓VCCE的供應(yīng)開始中斷之后電源電壓VCCE何時(shí)低于第二電平。第二電壓檢測電路122可以被配置成檢測在外圍電路110操作的同時(shí)電源電壓VCCE何時(shí)低于參考電平。
[0025]在上述配置中，第二電平被設(shè)置成低于參考電平。第一電平和第二電平不同，且優(yōu)選地，第一電平設(shè)置成比第二電平高。此外，優(yōu)選地，參考電平設(shè)置得比第一電平高。
[0026]外圍電路110可以響應(yīng)于第一電壓檢測電路121的第一電壓檢測信號(hào)P0R而執(zhí)行復(fù)位操作，以及響應(yīng)于第二電壓檢測電路122的第二電壓檢測信號(hào)LV_DETECT而執(zhí)行用于穩(wěn)定電源電壓VCCE的操作或?qū)Ρ皇┘痈唠妷旱墓?jié)點(diǎn)執(zhí)行放電操作。
[0027]第二電壓檢測電路122可以檢測隨著峰值電流通過外圍電路110的操作被增大而電源電壓VCCE何時(shí)暫時(shí)降低，且將檢測結(jié)果作為第二電壓檢測信號(hào)LV_DETECT輸出。由于第二電壓檢測電路122被配置成眾所周知的電路，所以將省略其詳細(xì)描述。在下文中，將詳細(xì)描述第一電壓檢測電路121的配置和操作的實(shí)施例。
[0028]圖2是用于描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的電壓檢測電路的電路圖。圖3是用于描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖2的電壓檢測電路的操作的波形圖。
[0029]參見圖2和圖3，第一電壓檢測電路121可以包括電壓檢測單元121D和檢測參考改變單元121N。電壓檢測單元121D可以被配置成當(dāng)電源電壓VCCE增大而高于第一電平LEVEL1時(shí)(例如，當(dāng)其開始被供應(yīng)且變得高于第一電平LEVEL1時(shí))激活第一電壓檢測信號(hào)PORo電壓檢測單元121D可以被配置成當(dāng)電源電壓VCCE降低而低于第二電平LEVEL2時(shí)(例如，當(dāng)其開始被中斷且變得低于第二電平LEVEL2時(shí))去激活第一電壓檢測信號(hào)P0R。否則，第一電壓檢測信號(hào)P0R可以變化以跟隨電源電壓VCCE的電平。檢測參考改變單元121N被配置成將第二電平LEVEL2設(shè)置得比第一電平LEVEL1低。具體地，檢測參考改變單元121N被配置成將第二電平LEVEL2設(shè)置得比第二電壓檢測電路122的參考電平LEVEL_Ref低。
[0030]電壓檢測單元121D可以包括晶體管PTR、電阻單元121R和反相器INV。晶體管PTR可以連接在電源電壓端與節(jié)點(diǎn)NODE之間，且可以基于接地電壓Vgnd而操作。晶體管PTR可以包括PM0S晶體管。電阻單元121R包括連接在節(jié)點(diǎn)NODE與接地端之間的多個(gè)電阻器R。電阻器R的電阻值可以相同，或可以根據(jù)距離節(jié)點(diǎn)NODE的距離而變大或變小。節(jié)點(diǎn)NODE的電壓P0R_REF基于電阻單元121R的電阻值而變化。包括PM0S晶體管P和NM0S晶體管N的反相器INV基于節(jié)點(diǎn)NODE的電壓P0R_REF來輸出第一電壓檢測信號(hào)P0R。
[0031 ] 在另一個(gè)方面中，晶體管PTR可以是配置成基于電源電壓VCCE的電平來將電壓供應(yīng)至內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NODE的電壓供應(yīng)單元。反相器INV可以是配置成基于內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NODE的電壓P0R_REF來輸出電壓檢測信號(hào)P0R的輸出單元。電阻單元121R和檢測參考改變單元121N可以是響應(yīng)于輸出單元INV的電壓檢測信號(hào)P0R而控制內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NODE的電壓P0R_REF的電壓控制單元。
[0032]當(dāng)開始被供應(yīng)之后電源電壓VCCE變得高于第一電平LEVEL1 (在圖3中示出)時(shí)，輸出單元INV可以將電壓檢測信號(hào)P0R激活成邏輯低電平，以及電壓控制單元121R和121N可以控制內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NODE的電壓P0R_REF。此外，當(dāng)電源電壓VCCE變得低于第二電平LEVEL2(在圖3中示出)時(shí)，輸出單元INV可以去激活電壓檢測信號(hào)P0R，使得電壓檢測信號(hào)P0R隨著電源電壓VCCE—起改變。同時(shí)，優(yōu)選地，電壓控制單元121R和121N控制內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NODE的電壓P0R_REF，使得第二電平LEVEL2低于第一電平LEVEL1。以下將描述詳細(xì)的控制方法。
[0033]當(dāng)電源電壓VCCE的供應(yīng)開始時(shí)，節(jié)點(diǎn)NODE的電壓P0R_REF也隨著電源電壓VCCE一起增大。由于反相器INV的PM0S晶體管P被接通直到電源電壓VCCE到達(dá)第一電平LEVEL1為止，反相器INV輸出隨著電源電壓VCCE —起變化的第一電壓檢測信號(hào)P0R。第一電平LEVEL 1可以是NM0S晶體管N的閾值電壓電平。當(dāng)電源電壓VCCE變得高于第一電平LEVEL1時(shí)，NM0S晶體管N被接通，且第一電壓檢測信號(hào)P0R被降低至接地電平。
[0034]當(dāng)電源電壓VCCE的中斷開始時(shí)，電源電壓VCCE降低。當(dāng)電源電壓VCCE變得低于參考電平LEVEL_Ref時(shí)，外圍電路110可以響應(yīng)于第二電壓檢測電路122的第二電壓檢測信號(hào)LV_DETECT而對被施加高電壓的節(jié)點(diǎn)執(zhí)行放電操作
[0035]節(jié)點(diǎn)NODE