Rfid標(biāo)簽、rfid標(biāo)簽的制備方法和帶rfid標(biāo)簽的產(chǎn)品的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及RFID移動(dòng)識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種RFID標(biāo)簽、RFID標(biāo)簽的制備 方法和帶RFID標(biāo)簽的產(chǎn)品。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有的RFID標(biāo)簽一般包括基層和鑲嵌層，鑲嵌層包括天線、RFID芯片及導(dǎo)電膠， 天線形成于基層上，RFID芯片通過(guò)導(dǎo)電膠電性連接并粘合固定于天線上；使用時(shí)，在基層 的背面貼合雙面膠或粘結(jié)劑，粘貼到要監(jiān)測(cè)的產(chǎn)品表面。由于現(xiàn)在有很多產(chǎn)品在制備、使用 的過(guò)程中所處的環(huán)境可能較為惡劣，例如高溫、高壓，當(dāng)過(guò)高的溫度或過(guò)大的壓強(qiáng)直接作用 到RFID芯片的鑲嵌層，容易對(duì)鑲嵌層暴露的另一面造成損毀以至影響功能和性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的主要目的是提供一種RFID標(biāo)簽，旨在能夠適應(yīng)高溫高壓等惡劣環(huán)境。
[0004] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的RFID標(biāo)簽，包括基層、鑲嵌層、粘結(jié)層及保護(hù)層； 所述鑲嵌層包括天線、RFID芯片及導(dǎo)電膠，所述天線形成于基層上，所述RFID芯片通過(guò)導(dǎo) 電膠電性連接并粘合固定于所述天線上；所述粘結(jié)層設(shè)于所述基層與所述保護(hù)層之間，所 述保護(hù)層通過(guò)粘結(jié)層與所述基層緊密粘合以將所述鑲嵌層包覆于所述基層與所述保護(hù)層 之間。
[0005] 優(yōu)選地，所述基層和保護(hù)層為耐100_350°C的溫度、耐80-300MPa的壓強(qiáng)的高分子 薄膜。
[0006] 優(yōu)選地，所述基層包括聚酰亞胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基樹(shù)脂薄膜、乙 烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二 醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一種或多種；和/或，所述保護(hù)層包括聚酰亞胺薄膜、聚偏氟 乙烯薄膜、全氟烷氧基樹(shù)脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、 聚四氟乙烯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一種或多種。
[0007] 優(yōu)選地，所述粘結(jié)層為雙面膠或粘結(jié)劑層。
[0008] 優(yōu)選地，所述RFID標(biāo)簽，還包括設(shè)于基層下方的用于將RFID標(biāo)簽粘合到待監(jiān)測(cè)產(chǎn) 品上的膠層。
[0009] 本發(fā)明還提出一種RFID標(biāo)簽的制備方法，包括：
[0010] 提供基層；
[0011] 在所述基層的上表面形成天線，使用導(dǎo)電膠將RFID芯片電性連接并粘貼固定于 所述天線上，從而在所述基層的上表面形成鑲嵌層；
[0012] 提供粘結(jié)層，將粘結(jié)層放置于形成了所述鑲嵌層的所述基層的上方；
[0013] 提供保護(hù)層，將所述保護(hù)層放置于所述粘結(jié)層的上方，向下壓合所述保護(hù)層，以通 過(guò)所述粘結(jié)層緊密粘合所述保護(hù)層與所述基層，從而制得所述RFID標(biāo)簽。
[0014] 優(yōu)選地，所述基層和保護(hù)層為耐100_350°C的溫度、耐80-300MPa的壓強(qiáng)的高分子 薄膜。
[0015] 優(yōu)選地，所述基層包括聚酰亞胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基樹(shù)脂薄膜、乙 烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二 醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一種或多種；和/或，所述保護(hù)層包括聚酰亞胺薄膜、聚偏氟 乙烯薄膜、全氟烷氧基樹(shù)脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、 聚四氟乙烯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一種或多種。
[0016] 優(yōu)選地，所述RFID標(biāo)簽的制備方法，還包括：
[0017] 在所述基層的下表面形成膠層。
[0018] 本發(fā)明還提出一種帶RFID標(biāo)簽的產(chǎn)品，所述帶RFID標(biāo)簽的產(chǎn)品包括塑料元件，其 特征在于，所述RFID標(biāo)簽包括基層、鑲嵌層、粘結(jié)層及保護(hù)層；所述鑲嵌層包括天線、RFID 芯片及導(dǎo)電膠，所述天線形成于基層上，所述RFID芯片通過(guò)導(dǎo)電膠電性連接并粘合固定于 所述天線上；所述基層和保護(hù)層為耐l〇〇_350°C的溫度、耐80-300MPa的壓強(qiáng)的高分子薄 膜；所述粘結(jié)層設(shè)于所述基層與所述保護(hù)層之間，所述保護(hù)層通過(guò)粘結(jié)層與所述基層緊密 粘合以將所述鑲嵌層包覆于所述基層與所述保護(hù)層之間，所述RFID標(biāo)簽作為鑲嵌件在所 述塑料元件注塑成型過(guò)程中植入所述塑料元件內(nèi)。
[0019] 本發(fā)明技術(shù)方案通過(guò)采用耐高溫耐高壓耐腐蝕等特性的材料制作基層保護(hù)所述 鑲嵌層的下表面，并在所述鑲嵌層上方設(shè)置粘結(jié)層和耐高溫耐高壓耐腐蝕的保護(hù)層，保護(hù) 層通過(guò)粘結(jié)層與基層緊密粘合以將鑲嵌層包覆于基層與保護(hù)層之間，保護(hù)層保護(hù)所述鑲嵌 層的上表面，從而使得所述RFID標(biāo)簽?zāi)軌蜻m應(yīng)高溫高壓等惡劣環(huán)境，防止RFID標(biāo)簽的芯片 受高溫高壓損毀以至影響功能和性能，擴(kuò)大了 RFID的應(yīng)用環(huán)境。
【附圖說(shuō)明】
[0020] 圖1為本發(fā)明RFID標(biāo)簽一實(shí)施例的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖2為本發(fā)明RFID標(biāo)簽的制備方法的流程圖。
[0022] 附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明：
[0023]
[0024] 本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。
【具體實(shí)施方式】
[0025] 下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例就本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此 處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0026] 本發(fā)明提出一種RFID標(biāo)簽。
[0027] 請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明RFID標(biāo)簽一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028] 在本發(fā)明實(shí)施例中，該RFID標(biāo)簽包括基層100、鑲嵌層200、粘結(jié)層300及保護(hù)層 400 ;所述鑲嵌層200包括天線220、RFID芯片240及導(dǎo)電膠260,天線220形成于基層100 上，RFID芯片240通過(guò)導(dǎo)電膠260電性連接并粘合固定于天線220上；粘結(jié)層300設(shè)于基 層100與保護(hù)層400之間，保護(hù)層400通過(guò)粘結(jié)層300與基層100緊密粘合以將鑲嵌層200 包覆于基層100與保護(hù)層400之間。
[0029] 本發(fā)明技術(shù)方案通過(guò)采用耐高溫耐高壓等特性的材料制作基層100保護(hù)所述鑲 嵌層200的下表面，并在所述鑲嵌層200上方設(shè)置粘結(jié)層300和耐高溫耐高壓的保護(hù)層 400,保護(hù)層400通過(guò)粘結(jié)層300與基層100緊密粘合以將鑲嵌層200包覆于基層100與保 護(hù)層400之間，保護(hù)層400保護(hù)所述鑲嵌層200的上表面，從而使得所述RFID標(biāo)簽?zāi)軌蜻m 應(yīng)高溫高壓等惡劣環(huán)境，防止RFID標(biāo)簽的芯片受高溫高壓損毀以至影響功能和性能，擴(kuò)大 了 RFID的應(yīng)用環(huán)境。
[0030] 優(yōu)選地，基層100和保護(hù)層400為耐100-350°C的溫度、耐80-300MPa的壓強(qiáng)的高 分子薄膜；此時(shí)該RFID標(biāo)簽可以用于100-350°C的溫度、80-300MPa的壓強(qiáng)的環(huán)境中，能夠 適應(yīng)RFID標(biāo)簽的使用需求。例如在塑料元件的注塑成型的溫度和壓強(qiáng)就在100-350°C、 80-300MPa范圍內(nèi)，此時(shí)在塑料元件的注塑成型時(shí)該RFID標(biāo)簽就可以作為鑲嵌件植入塑料 元件中。
[0031] 優(yōu)選地，基層100包括聚酰亞胺（PI)薄膜、聚偏氟乙烯（PVDF)薄膜、全氟烷氧基 樹(shù)脂（PFA)薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物（ETFE)薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物（FEP)薄膜、聚 四氟乙烯（PTFE)薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)薄膜、聚氯乙烯（PVC)薄膜中的一種 或多種。其中，聚酰亞胺薄膜的耐高溫400°C以上，長(zhǎng)期使用溫度范圍-200~300°C，無(wú)明 顯熔點(diǎn)，具有優(yōu)良的耐高低溫性、電氣絕緣性、粘結(jié)性、耐輻射性、耐介質(zhì)性；全氟烷氧基樹(shù) 脂薄膜長(zhǎng)期使用溫度-80~260°C，有卓越的耐化學(xué)腐蝕性，摩擦系數(shù)在塑料中最低，還有 很好的電性能；聚四氟乙烯薄膜的使用溫度-190~250°C，允許驟冷驟熱，具有優(yōu)良的電氣 絕緣性、耐腐蝕性。因此，更優(yōu)選的，基層100包括聚酰亞胺薄膜、全氟烷氧基樹(shù)脂薄膜、聚 四氟乙烯薄膜中一種或多種。
[0032] 基層100可以是單層薄膜也可以是多層薄膜貼合而成，例如在本實(shí)施例中基層 100是單層聚亞酰胺薄膜，而在本發(fā)明另一實(shí)施例中，基層100是聚亞酰胺薄膜和聚對(duì)苯二 甲酸乙二醇酯薄膜貼合的雙層復(fù)合層。
[0033] 保護(hù)層400為聚酰亞胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基樹(shù)脂薄膜、乙烯-四氟 乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄 膜、聚氯乙烯薄膜中的一種或多種。其中，聚酰亞胺薄膜的耐高溫達(dá)400°C以上，長(zhǎng)期使用 溫度范圍-200~300°C，無(wú)明顯熔點(diǎn)，具有優(yōu)良的耐高低溫性、電氣絕緣性、粘結(jié)性、耐輻射 性、耐介質(zhì)性；全氟烷氧基樹(shù)脂薄膜長(zhǎng)期使用溫度-80~260°C，有卓越的耐化學(xué)腐蝕性，摩 擦系數(shù)在塑料中最低，還有很好的電性能；聚四氟乙烯薄膜的使用溫度-190~250°C，允許 驟冷驟熱，具有優(yōu)良的電氣絕緣性、耐腐蝕性。因此，更優(yōu)選的，保護(hù)層400包括聚酰亞胺薄 膜、全氟烷氧基樹(shù)脂薄膜、聚四氟乙烯薄膜中一種或多種。
[0034] 保護(hù)層400可以是單層薄膜也可以是多層薄膜貼合而成，例如在本實(shí)施例中保護(hù) 層400是聚四氟乙烯薄膜和聚酰亞胺薄膜的雙層復(fù)合薄膜，而在本發(fā)明另一實(shí)施例中，保 護(hù)層400是單層聚亞酰胺薄膜聚四氟乙烯。
[0035] 優(yōu)選地，粘結(jié)層300為雙面膠或粘結(jié)劑層。粘結(jié)層300的主要作用是將保護(hù)層400 粘結(jié)到基層100的上表面，粘結(jié)層300需要耐100-350°C的溫度，可以是無(wú)基材雙面膠、有基 材雙面膠、耐100-350°C的溫度的熱固性樹(shù)脂粘結(jié)劑，優(yōu)選無(wú)基材雙面膠。
[0036] 優(yōu)選地，RFID標(biāo)簽，還包括設(shè)于基層10