基于vmm的二級緩存驗證方法及裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及測試技術領域，特別涉及一種基于VMM的二級緩存驗證方法及裝置。
【背景技術】
[0002]隨著電子技術的不斷發(fā)展，人們對電子產(chǎn)品的要求越來越高，集成電路的規(guī)模也日益擴大，相應的，芯片所支持的外設也相應的增加；其中，芯片的二級緩存是外設與芯片內(nèi)的同步動態(tài)隨機存儲器交互工作的橋梁，同時，也對芯片內(nèi)的高速工作的中央處理器與慢速工作的外設起到協(xié)調與緩存的作用；而在現(xiàn)有技術中，為了確保芯片內(nèi)的二級緩存能支持外設，在芯片出廠前，一般均需對芯片內(nèi)的二級緩存能否支持外設進行驗證；因此，在現(xiàn)有技術中，如何驗證芯片內(nèi)的二級緩存能否支持外設正在成為研究熱點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種基于VMM的二級緩存驗證方法及裝置，以對芯片的二級緩存能否支持外設進行驗證。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案:
[0005]一種基于VMM的二級緩存驗證方法，包括:
[0006]分別產(chǎn)生N個外設測試所需的N個第一事務；其中，所述第一事務包括測試數(shù)據(jù)包，所述N為自然數(shù)；
[0007]分別產(chǎn)生與所述N個第一事務相對應的N組激勵信號，并將所述激勵信號傳送至二級緩存中；
[0008]針對任一第一事務:
[0009]每隔預設時間，從所述二級緩存中存儲所述第一事務的緩存區(qū)讀出所存儲的第二事務；
[0010]將所述第一事務與所述第二事務的相似度進行對比，獲得目標相似度；
[0011]當所述目標相似度的值大于等于所述預設相似度的值時，驗證通過。
[0012]優(yōu)選的，所述分別產(chǎn)生N個外設測試所需的N個第一事務，包括:
[0013]將預設的通用測試數(shù)據(jù)激勵產(chǎn)生器例化為N個例化測試數(shù)據(jù)激勵產(chǎn)生器；
[0014]約束每個例化測試數(shù)據(jù)激勵產(chǎn)生器均產(chǎn)生一第一事務，所述N個例化測試數(shù)據(jù)激勵產(chǎn)生器共產(chǎn)生N個外設測試所需的第一事務。
[0015]優(yōu)選的，所述分別產(chǎn)生與所述N個第一事務相對應的N組激勵信號，包括:
[0016]將預設的通用設備主控模塊例化為N個例化的設備主控模塊；
[0017]約束每個例化的設備主控模塊均產(chǎn)生一組激勵信號，所述N個例化的設備主控模塊共產(chǎn)生N組激勵信號；其中，所述N組激勵信號與所述N個第一事務一一對應。
[0018]一種基于VMM的二級緩存驗證裝置，包括:
[0019]第一產(chǎn)生模塊用于，分別產(chǎn)生N個外設測試所需的N個第一事務；其中，所述第一事務包括測試數(shù)據(jù)包，所述N為自然數(shù)；
[0020]第二產(chǎn)生模塊用于，分別產(chǎn)生與所述N個第一事務相對應的N組激勵信號；
[0021]傳送模塊用于，將所述激勵信號傳送至二級緩存中；
[0022]讀取模塊用于，針對任一第一事務，每隔預設時間，從所述二級緩存中存儲所述第一事務的緩存區(qū)讀出所存儲的第二事務；
[0023]對比模塊用于，將所述第一事務與所述第二事務的相似度進行對比，獲得目標相似度；
[0024]驗證模塊用于，當所述目標相似度的值大于等于所述預設相似度的值時，驗證通過。
[0025]優(yōu)選的，所述第一產(chǎn)生模塊包括:
[0026]第一例化單元用于，將預設的通用測試數(shù)據(jù)激勵產(chǎn)生器例化為N個例化測試數(shù)據(jù)激勵產(chǎn)生器；
[0027]第一約束單元用于，約束每個例化測試數(shù)據(jù)激勵產(chǎn)生器均產(chǎn)生一第一事務，所述N個例化測試數(shù)據(jù)激勵產(chǎn)生器共產(chǎn)生N個外設測試所需的第一事務。
[0028]優(yōu)選的，所述第二產(chǎn)生模塊包括:
[0029]第二例化單元用于，將預設的通用設備主控模塊例化為N個例化的設備主控模塊；
[0030]第二約束單元用于，約束每個例化的設備主控模塊均產(chǎn)生一組激勵信號，所述N個例化的設備主控模塊共產(chǎn)生N組激勵信號；其中，所述N組激勵信號與所述N個第一事務
--對應。
[0031]由上述的技術方案可以看出，在本發(fā)明實施例中，首先分別產(chǎn)生N個外設測試所需的N個第一事務；其中，第一事務包括測試數(shù)據(jù)包，而N為自然數(shù)；然后分別產(chǎn)生與N個第一事務相對應的N組激勵信號，并將激勵信號傳送至二級緩存中；再然后針對任一第一事務，每隔預設時間，從二級緩存中存儲該第一事務的緩存區(qū)讀出所存儲的第二事務；最后將第一事務與第二事務的相似度進行對比，獲得目標相似度，且當目標相似度的值大于預設相似度的值時，認為驗證通過，即此時芯片內(nèi)的二級緩存能夠支持該第一事務所對應的外設，否則認為該芯片內(nèi)的二級緩存不能夠支持該第一事務所對應的外設。
【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1為本發(fā)明實施例所提供的基于VMM的二級緩存驗證方法的流程圖；
[0034]圖2為本發(fā)明實施例所提供的基于VMM的二級緩存驗證方法的又一流程圖；
[0035]圖3為本發(fā)明實施例所提供的基于VMM的二級緩存驗證方法的另一流程圖；
[0036]圖4為本發(fā)明實施例所提供的基于VMM的二級緩存驗證裝置的示意圖；
[0037]圖5為本發(fā)明實施例所提供的基于VMM的二級緩存驗證裝置的另一示意圖；
[0038]圖6為本發(fā)明實施例所提供的基于VMM的二級緩存驗證裝置的又一示意圖。
【具體實施方式】
[0039]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0040]本發(fā)明公開了一種基于VMM (Verificat1n Methodology Manual)的二級緩存驗證方法，如圖1所示，該方法至少包括以下步驟:
[0041]Sll:分別產(chǎn)生N個外設測試所需的N個第一事務；其中，第一事務包括測試數(shù)據(jù)包，N為自然數(shù)；
[0042]具體的，上述第一事務還可包括每個外設需要操作的數(shù)據(jù)量、操作類型和操作延時等信息；
[0043]S12:分別產(chǎn)生與N個第一事務相對應的N組激勵信號，并將激勵信號傳送至二級緩存中；
[0044]具體的，上述激勵信號可驅動二級緩存的各個設備接口 ；而激勵信號具體可包括控制信號和由第一事務轉換而來的信號；當二級緩存接收到上述激勵信號后，可根據(jù)控制信號將由第一事務轉換而來的數(shù)據(jù)信號存儲至二級緩存中相應的緩存區(qū)內(nèi)；
[0045]S13:針對任一第一事務，每隔預設時間，從二級緩存中存儲第一事務的緩存區(qū)讀出所存儲的第二事務；
[0046]具體的，上述第二事務具體由與之對應的第一事務的控制信息和從二級緩存中存儲與之對應的第一事務的緩存區(qū)所讀出的數(shù)據(jù)所組成；
[0047]S14:將第一事務與第二事務的相似度進行對比，獲得目標相似度；
[0048]S15:當目標相似度的值大于等于預設相似度的值時，驗證通過。
[0049]具體的，可在驗證通過時，認為此芯片的二級緩存能夠支持該第一事務所對應的外設，否則認為此芯片的二級緩存不能夠支持該第一事務所對應的外設；
[0050]需要說明的是，在同時，驗證多個外設時，只有所有外設所需的第一事務，均通過驗證，才認為芯片的二級緩存能夠同時支持多個外設。
[0051]由上可見，在本發(fā)明實施例中，首先分別產(chǎn)生N個外設測試所需的N個第一事務；其中，第一事務包括測試數(shù)據(jù)包，而N為自然數(shù)；然后分別產(chǎn)生與N個第一事務相對應的N組激勵信號，并將激勵信號傳送至二級緩存中；再然后針對任一第一事務，每隔預設時間，從二級緩存中存儲該第一事務的緩存區(qū)讀出所存儲的第二事務；最后將第一事務與第二事務的相似度進行對比，獲得目標相似度，且當目標相似度的值大于預設相似度的值時，認為驗證通過，即此時芯片內(nèi)的二級緩存能夠支持該第一事務所對應的外設，否則認為該芯片內(nèi)的二級緩存不能夠支持該第一事務所對應的外設。
[0052]在本發(fā)明其它實施例中，如圖2所示，上述