物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算方法及系 統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 在制造業(yè)生產(chǎn)管理中，設(shè)備的產(chǎn)能對(duì)于所有的企業(yè)來(lái)說(shuō)都是一個(gè)需要密切關(guān)注的 參數(shù)。企業(yè)需要實(shí)時(shí)統(tǒng)計(jì)生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的產(chǎn)量，以了解整個(gè)制造過(guò)程中的生產(chǎn)效率，為優(yōu)化實(shí)現(xiàn) 生產(chǎn)的各項(xiàng)制度以及調(diào)整工藝結(jié)構(gòu)提供數(shù)據(jù)支持。針對(duì)PVD(PhysicalVaporDeposition， 物理氣相沉積）領(lǐng)域而言，設(shè)備的產(chǎn)能（WaferperHour,簡(jiǎn)稱WPH)指的是每臺(tái)設(shè)備在執(zhí)行 自動(dòng)Job(工藝任務(wù))時(shí)每小時(shí)能生產(chǎn)多少片wafer(晶片）的能力，它是單臺(tái)設(shè)備生產(chǎn)能力 的一個(gè)技術(shù)參數(shù)，也是反映企業(yè)生產(chǎn)可能性的一項(xiàng)重要指標(biāo)。
[0003]目前，通常采用人工計(jì)算PVD設(shè)備的產(chǎn)能，具體方法如下：在執(zhí)行某一批次Job時(shí)， 假設(shè)第N(N>=1)片wafer完成所有工藝后傳回到物料盒（LoadPort，簡(jiǎn)稱LP)時(shí)的時(shí)間為 h，第N+1片wafer完成工藝后傳回到物料盒時(shí)的時(shí)間為t2，時(shí)間間隔A〖=1^-1^，表示當(dāng)前 一片wafer執(zhí)行完Job流程的時(shí)間，此時(shí)設(shè)備的產(chǎn)能WPH=單位時(shí)間（1小時(shí)）/At(單位： 小時(shí))，即為該批次自動(dòng)工藝過(guò)程中設(shè)備每小時(shí)完成wafer的數(shù)目。
[0004] 在實(shí)際自動(dòng)工藝流程執(zhí)行過(guò)程中，往往使用分段調(diào)度算法計(jì)算Job相關(guān)的wafer 的傳輸序列，導(dǎo)致在一個(gè)批次的Job執(zhí)行過(guò)程中，可能會(huì)存在兩片wafer連續(xù)從LL中傳回 的現(xiàn)象，其時(shí)間間隔At為一固定值。所以，現(xiàn)有技術(shù)采用人工根據(jù)相鄰兩片wafer完成工 藝后傳回到物料盒時(shí)的時(shí)間差計(jì)算設(shè)備的產(chǎn)能，數(shù)據(jù)冗余嚴(yán)重，誤差較大，不能有效的反應(yīng) 設(shè)備的實(shí)際生產(chǎn)能力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，提供一種物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能 計(jì)算方法及系統(tǒng)，能夠?qū)崟r(shí)、有效地計(jì)算物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能，以反應(yīng)設(shè)備的實(shí)際生產(chǎn) 能力。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的而提供的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算方法，包括以下步驟：
[0007]S100,在工藝流程開(kāi)始時(shí)，記錄所述工藝流程的開(kāi)始時(shí)間Ts;
[0008] S200,在所述工藝流程開(kāi)始后，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶片的位置變化，當(dāng)監(jiān)測(cè)到第N片晶片被 傳回物料盒后，記錄所述第N片晶片被傳回時(shí)的時(shí)間TN，其中，N為整數(shù)且N> 1;
[0009] S300,根據(jù)求平均值法，實(shí)時(shí)計(jì)算N片晶片中每片晶片完成工藝所需的平均時(shí)間 t：t= ( Tn- Ts )/N；
[0010]S400,根據(jù)設(shè)備的產(chǎn)能的定義，實(shí)時(shí)計(jì)算所述設(shè)備的產(chǎn)能P并進(jìn)行顯示，
[0011] 尸=PA，/ ( 7.'、-7:),其中，t為單位時(shí)間。
[0012] 其中，本發(fā)明的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算方法還包括以下步驟：
[0013] S300'，根據(jù)求平均值法，實(shí)時(shí)計(jì)算除第一片晶片外，其他N-1片晶片中每片晶片 完成工藝所需的平均時(shí)間( ,V-1 ),其中，為記錄的所述第一片晶片 被傳回物料盒時(shí)的時(shí)間；
[0014]S400'，根據(jù)所述設(shè)備的產(chǎn)能的定義，實(shí)時(shí)計(jì)算所述設(shè)備在忽略第一片晶片時(shí)的產(chǎn) 能卩:并進(jìn)行顯示，(iV-1, ) / (心-7；)，其中，t為單位時(shí)間。
[0015] 其中，本發(fā)明的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算方法還包括以下步驟：
[0016]S200'，根據(jù)用戶的請(qǐng)求，判斷是否忽略第一片晶片的有效性，若判斷為是，則進(jìn)入 步驟S300'；若判斷為否，則進(jìn)入步驟S300。
[0017] 其中，所述步驟S200包括以下步驟：
[0018]S210,在所述工藝流程開(kāi)始后，訂閱AddMatStateListener事件，對(duì)所述第N片晶 片的位置進(jìn)行監(jiān)聽(tīng)；
[0019]S220,當(dāng)監(jiān)聽(tīng)到所述第N片晶片的上一個(gè)位置是機(jī)械手，且當(dāng)前的位置為所述物 料盒時(shí)，判斷所述第N片晶片已經(jīng)完成工藝，記錄所述第N片晶片被傳回時(shí)的時(shí)間Tn。
[0020] 其中，本發(fā)明的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算方法還包括以下步驟：
[0021] S500,判斷所述工藝流程是否結(jié)束，若判斷為是，則取消對(duì)晶片的位置進(jìn)行監(jiān)聽(tīng)。
[0022] 相應(yīng)地，為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的而提供的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算系統(tǒng)，包括第 一記錄模塊、第二記錄模塊、第一計(jì)算模塊以及第二計(jì)算模塊；
[0023] 所述第一記錄模塊，用于在工藝流程開(kāi)始時(shí)，記錄所述工藝流程的開(kāi)始時(shí)間Ts;
[0024] 所述第二記錄模塊，用于在所述工藝流程開(kāi)始后，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶片的位置變化，并且 在監(jiān)測(cè)到第N片晶片被傳回物料盒后，記錄所述第N片晶片被傳回時(shí)的時(shí)間TN，其中，N為 整數(shù)且N彡1;
[0025] 所述第一計(jì)算模塊，用于根據(jù)求平均值法，實(shí)時(shí)計(jì)算N片晶片中每片晶片完成工 藝所需的平均時(shí)間（：r= ( 7； -7； ) /A/ ;
[0026] 所述第二計(jì)算模塊，用于根據(jù)設(shè)備的產(chǎn)能的定義，實(shí)時(shí)計(jì)算所述設(shè)備的產(chǎn)能P并 進(jìn)行顯示，尸*a，/ (r、-r)，其中，t為單位時(shí)間。
[0027] 其中，本發(fā)明的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算系統(tǒng)，還包括第三計(jì)算模塊和第四 計(jì)算模塊；
[0028] 所述第三計(jì)算模塊，用于根據(jù)求平均值法，實(shí)時(shí)計(jì)算除第一片晶片外，其他N-1片 晶片中每片晶片完成工藝所需的平均時(shí)間h二（7\-7_;)/ ( 1 )，其中，1\為記錄的 所述第一片晶片被傳回物料盒時(shí)的時(shí)間；
[0029] 所述第四計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述設(shè)備的產(chǎn)能的定義，實(shí)時(shí)計(jì)算所述設(shè)備在忽略 第一片晶片時(shí)的產(chǎn)能P:并進(jìn)行顯示，( ,v-1 ) / (r、-7;),其中，t為單位時(shí) 間。
[0030] 其中，本發(fā)明的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算系統(tǒng)，還包括判斷模塊；
[0031] 所述判斷模塊，用于接收用戶的請(qǐng)求，并根據(jù)所述用戶的請(qǐng)求判斷是否忽略第一 片晶片的有效性，若判斷為是，則進(jìn)入所述第三計(jì)算模塊；若判斷為否，則進(jìn)入所述第一計(jì) 算模塊。
[0032] 其中，所述第二記錄模塊包括監(jiān)聽(tīng)單元和記錄單元；
[0033] 所述監(jiān)聽(tīng)單元，用于在所述工藝流程開(kāi)始后，訂閱AddMatStateListener事件，對(duì) 所述第N片晶片的位置進(jìn)行監(jiān)聽(tīng)；
[0034] 所述記錄單元，用于當(dāng)監(jiān)聽(tīng)到所述第N片晶片的上一個(gè)位置是機(jī)械手，且當(dāng)前的 位置為所述物料盒時(shí)，判斷所述第N片晶片已經(jīng)完成工藝，記錄所述第N片晶片被傳回時(shí)的 時(shí)間Tn。
[0035] 其中，本發(fā)明的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算系統(tǒng)，還包括取消監(jiān)聽(tīng)模塊：
[0036] 所述取消監(jiān)聽(tīng)模塊，用于判斷所述工藝流程是否結(jié)束，若判斷為是，則取消對(duì)晶片 的位置進(jìn)行監(jiān)聽(tīng)。
[0037] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算方法及系統(tǒng)，利 用求解完成工藝的平均時(shí)間來(lái)進(jìn)一步計(jì)算產(chǎn)能，每當(dāng)有一片晶片傳回到物料盒中時(shí)，便可 以計(jì)算當(dāng)時(shí)完成一片晶片所需的平均時(shí)間，進(jìn)而可以計(jì)算出此時(shí)的產(chǎn)能并進(jìn)行顯示，有效 減少了冗余數(shù)據(jù)的產(chǎn)生，從而減小了誤差，能夠?qū)崟r(shí)有效的反應(yīng)設(shè)備的實(shí)際生產(chǎn)能力。
【附圖說(shuō)明】
[0038] 為了使本發(fā)明的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算方法及系統(tǒng)的目的、技術(shù)方案及優(yōu) 點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體附圖及具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì) 算方法及系統(tǒng)進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0039] 圖1為物理氣相沉積設(shè)備的自動(dòng)工藝傳片流程示意圖；
[0040] 圖2為物理氣相沉積設(shè)備的自動(dòng)傳片流程中晶片完成工藝后被傳回的具體流程 示意圖；
[0041] 圖3為本發(fā)明的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖；
[0042] 圖4為圖3所示的本發(fā)明的物理氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能計(jì)算方法的另一個(gè)實(shí)施