_4um之間。
[0053]步驟S12、在基材上鍍ITO膜層。優(yōu)選的，在鍍ITO膜層之前，可以在基材上鍍180-200埃的二氧化硅和五氧化二鈮的混合物，再鍍200-700埃的ITO膜層。在基材上鍍二氧化硅和五氧化二鈮的混合物，可以改善ITO膜層的質(zhì)量。
[0054]步驟S13、在ITO膜層上涂覆光刻膠，并依次進行曝光、顯影、蝕刻，以得到第一電極電路。其中，優(yōu)選的，光刻膠的厚度在1.6-2.1 μπι之間；曝光量為100-120mj/cm2;顯影液采用濃度為0.4%的氫氧化鈉或濃度為0.7%氫氧化鉀。
[0055]步驟S14、在第一電極電路上鍍金屬膜或印刷曝光銀，并利用黃光制程制作與第一電極電路連接的邊緣引線(若電極電路采用的全是ITO材料，則可不用此步驟)。具體的，可以采用鍍CU、M0ALM0、AG等金屬膜并利用黃光制程制作與第一電極電路連接的邊緣引線，也可以采用印刷銀漿或印刷曝光銀并利用黃光制程制作與第一電極電路連接的邊緣引線。優(yōu)選的，可選擇采用印刷曝光銀并利用黃光制程制作邊緣引線。更為優(yōu)選的是，印刷曝光銀所采用的銀漿涂層的厚度在5-8 μm，邊緣引線的線寬/線距在10/10-200/200 μπι。
[0056]進一步地，可以對已制作好第一電極電路的大張基材根據(jù)需要進行切割，即切割成我們需要的基材形狀，以方便后續(xù)的工藝制作。
[0057]優(yōu)選的，步驟S2還可以包括如下子步驟:
[0058]采用熱壓機將上FPC綁定在基材上，其中，作用于基材的兩側(cè)的熱壓壓力為4.25 土 0.5Kg，作用于基材的中間的熱壓壓力為2.75 ± 0.5kg，熱壓持溫/時間為150-165°C /12±1S ;將第一電極電路的邊緣引線與上FPC連接。
[0059]同時，第二電極電路的制作可以在大張偏光片上，也可以在小粒偏光片上。優(yōu)選的，本實施例可選擇在大張偏光片上制作。故步驟S3具體可以包括如下子步驟:
[0060]步驟S31、在上偏光片上表面或下表面鍍120-160埃的二氧化硅，并在二氧化硅上鍍ITO膜層。最優(yōu)選的，二氧化硅的厚度為150埃，鍍二氧化硅層可以改善ITO膜層的質(zhì)量。
[0061]步驟S32、在ITO膜層上涂覆光刻膠，并依次進行曝光、顯影、蝕刻，以得到所述第二電極電路。其中，優(yōu)選的，光刻膠的厚度在1.6-2.1 μπι之間；曝光量為100-120mj/cm2;顯影液采用濃度為0.4%的氫氧化鈉或濃度為0.7%氫氧化鉀。
[0062]步驟S33、在第二電極電路上鍍金屬膜或印刷曝光銀，并利用黃光制程制作與所述第二電極電路連接的邊緣引線(若電極電路采用的全是ITO材料，則可不用此步驟)。具體的，可以采用鍍CU、M0ALM0、AG等金屬膜并利用黃光制程制作與第一電極電路連接的邊緣引線，也可以采用印刷銀漿或印刷曝光銀并利用黃光制程制作與第一電極電路連接的邊緣引線。優(yōu)選的，可選擇采用印刷曝光銀并利用黃光制程制作邊緣引線。更為優(yōu)選的是，印刷曝光銀所采用的銀漿涂層的厚度在5-8 μm，邊緣引線的線寬/線距在10/10-200/200 μπι。
[0063]進一步地，可以對已制作好第二電極電路的大張上偏光片根據(jù)需要進行切割，即切割成我們需要的上偏光片的形狀，進行功能測試之后和下FPC進行綁定。
[0064]優(yōu)選的，步驟S4還可以包括如下子步驟:
[0065]采用熱壓機將下FPC綁定在上偏光片上，其中，作用于上偏光片的兩側(cè)的熱壓壓力為4.25 ±0.5Kg，作用于上偏光片的中間的熱壓壓力為2.75 ±0.5kg，熱壓持溫/時間為150-165°C /12±1S ;將第二電極電路的邊緣引線與下FPC連接。
[0066]進一步地，將帶有第二電極電路的上偏光片、彩色濾光片、液晶盒、TFT玻璃、下偏光片、背光源組裝形成觸控顯示模組。
[0067]進一步地，按從上到下的順序，蓋板、光學(xué)膠、基材、第一電極電路、上FPC、光學(xué)膠、下FPC、第二電極電路、上偏光片、彩色濾光片、液晶盒、TFT玻璃、下偏光片以及背光源依次組裝成為本發(fā)明的GX-cell電容式觸摸屏模組，其中，將綁定有上FPC的蓋板和綁定有下FPC的觸控顯示模組通過光學(xué)膠貼合，該光學(xué)膠可為OCA或OCR。當(dāng)然也可以根據(jù)實際需要，對蓋板、光學(xué)膠、基材、第一電極電路、上FPC、光學(xué)膠、第二電極電路、下FPC、上偏光片、彩色濾光片、液晶盒、TFT玻璃、下偏光片以及背光源的位置進行調(diào)整。
[0068]對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種GX-cell電容式觸摸屏模組，其包括蓋板、基材和液晶顯示器，其特征在于，所述基材的上表面或下表面制作有觸摸傳感器的第一電極電路，液晶顯示器的上偏光片的上表面或下表面制作有觸摸傳感器的第二電極電路，所述蓋板與基材制作有第一電極電路的一面或者沒有制作第一電極電路的一面通過光學(xué)膠貼合，基材的另一面與所述上偏光片制作有第二電極電路的一面或者沒有制作第二電極電路的一面通過光學(xué)膠貼合，所述觸摸傳感器還包括上FPC和下FPC，所述上FPC綁定在基材上并與第一電極電路電性連接，所述下FPC綁定在上偏光片上并與第二電極電路電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的GX-cell電容式觸摸屏模組，其特征在于，所述液晶顯示器還包括由上至下依次裝配的彩色濾光片、液晶盒、TFT玻璃、下偏光片和背光源，上偏光片位于彩色濾光片上方。
3.如權(quán)利要求1所述的GX-cell電容式觸摸屏模組，其特征在于，所述蓋板由鋼化玻璃、亞克力板和塑料中的一種制成。
4.一種GX-cell電容式觸摸屏模組的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、在基材上制作觸摸傳感器的第一電極電路； 步驟2、在基材上綁定觸摸傳感器的上FPC，并使所述上FPC與第一電極電路形成電性連接； 步驟3、在液晶顯示器的上偏光片的上表面或下表面制作觸摸傳感器的第二電極電路； 步驟4、在液晶顯示器的上偏光片上綁定觸摸傳感器的下FPC，并使所述下FPC與第二電極電路形成電性連接； 步驟5、將蓋板與基材制作有第一電極電路的一面或者沒有制作第一電極電路的一面通過光學(xué)膠貼合，將基材的另一面與所述上偏光片制作有第二電極電路的一面或者沒有制作第二電極電路的一面通過光學(xué)膠貼合。
5.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步驟I具體包括如下子步驟: 步驟11、在基材上采用黃光制程制作邊框油墨； 步驟12、在基材上鍍ITO膜層； 步驟13、在ITO膜層上涂覆光刻膠，并依次進行曝光、顯影、蝕刻，以得到所述第一電極電路； 步驟14、在第一電極電路上鍍金屬膜或印刷曝光銀，并利用黃光制程制作與所述第一電極電路連接的邊緣引線。
6.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，步驟12具體包括以下步驟:在鍍ITO膜層之前，在基材上鍍180-200埃的二氧化硅和五氧化二鈮的混合物，再鍍200-700埃的ITO膜層。
7.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步驟2包括如下子步驟: 采用熱壓機將上FPC綁定在基材上，其中，作用于基材的兩側(cè)的熱壓壓力為4.25±0.5Kg，作用于基材的中間的熱壓壓力為2.75±0.5kg，熱壓持溫/時間為150-165°C /12±1S ； 將第一電極電路的邊緣引線與上FPC連接。
8.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步驟3具體包括如下子步驟: 步驟31、在上偏光片上表面或下表面鍍120-160埃的二氧化硅，并在二氧化硅上鍍ITO膜層； 步驟32、在ITO膜層上涂覆光刻膠，并依次進行曝光、顯影、蝕刻，以得到所述第二電極電路； 步驟33、在第二電極電路上鍍金屬膜或印刷曝光銀，并利用黃光制程制作與所述第二電極電路連接的邊緣引線。
9.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述步驟4包括如下子步驟: 采用熱壓機將下FPC綁定在上偏光片上，其中，作用于上偏光片的兩側(cè)的熱壓壓力為4.25±0.5Kg，作用于上偏光片的中間的熱壓壓力為2.75±0.5kg，熱壓持溫/時間為150-165°C /12±1S ； 將第二電極電路的邊緣引線與下FPC連接。
10.如權(quán)利要求5或8所述的制作方法，其特征在于，光刻膠的厚度在1.6-2.1ym之間；曝光量為100-120mj/cm2;顯影液采用濃度為0.4 %的氫氧化鈉或濃度為0.7 %氫氧化鉀；印刷曝光銀所采用的銀漿涂層的厚度在5-8 μπι;邊緣引線的線寬/線距在10/10-200/200 μm0
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種GX-cell電容式觸摸屏模組，包括蓋板、基材和液晶顯示器，基材的上表面或下表面制作有觸摸傳感器的第一電極電路，液晶顯示器的上偏光片的上表面或下表面制作有觸摸傳感器的第二電極電路，蓋板與基材制作有第一電極電路的一面或者沒有制作第一電極電路的一面通過光學(xué)膠貼合，基材的另一面與上偏光片制作有第二電極電路的一面或者沒有制作第二電極電路的一面通過光學(xué)膠貼合，觸摸傳感器還包括上FPC和下FPC，上FPC綁定在基材上并與第一電極電路電性連接，下FPC綁定在上偏光片上并與第二電極電路電性連接。本發(fā)明具有高靈敏度、高報點率、能快速響應(yīng)且不易受雜訊信號干擾等性能；同時其也能夠?qū)崿F(xiàn)觸控和顯示深度整合的功能。
【IPC分類】G02F1-1343, G06F3-044, G02F1-1333
【公開號】CN104714710
【申請?zhí)枴緾N201510142641
【發(fā)明人】李喜榮, 毛肖林, 曾海濱, 洪晨耀, 王春橋
【申請人】深圳市深越光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請日】2015年3月27日