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陣列基板及其形成方法、觸控顯示設(shè)備的觸控檢測方法_3

文檔序號:8380614閱讀:來源:國知局
02面積的六分之一,因此,第二比值的大小約為0.17。因此,此時可以設(shè)置第一比值的大小也約為0.17。也就是說,可以選擇增益倍數(shù)之比約等于0.17的第二增益放大器和第一增益放大器分別電連接第二電極302和第一電極3011,從而使第一電極3011和第二電極302達(dá)到大致相等的觸控靈敏度,進(jìn)一步提尚陣列基板的觸控性能。
[0060]本發(fā)明實施例還提供了另一種陣列基板的形成方法,所述形成方法可以形成前述實施例所提供的陣列基板,因此,本實施例的形成方法可以參考前述實施例對應(yīng)內(nèi)容。
[0061]請參考圖3,所述形成方法包括形成自電容觸控電極層,設(shè)置所述自電容觸控電極層包括第一電極3011和第二電極302,并設(shè)置第一電極3011的面積小于第二電極302的面積,設(shè)置多個第一電極3011組成一個電極群301,所述電極群301的外圍形狀與第二電極302的外圍形狀相同。
[0062]本實施例中,所述自電容觸控電極層又作為公共電極層,其具體原因可參考前述實施例。
[0063]請繼續(xù)參考圖3,設(shè)置所述電極群301包括呈2行3列排布的2X3個第一電極3011,也就是包括6個第一電極3011。參考前述實施例可知,第一電極3011的面積約為第二電極302面積的六分之一左右。
[0064]請繼續(xù)參考圖3,設(shè)置所述電極群301和第二電極302呈行列矩陣排布,設(shè)置同一行中,相鄰兩個電極群301之間具有一個第二電極302,并且相鄰兩個第二電極302之間具有一個電極群301,而同一列中,整列均為電極群301或者整列均為第二電極302。
[0065]本實施例所提供的陣列基板的形成方法中,通過在自電容觸控電極層中設(shè)置面積不同的第一電極3011和第二電極302,達(dá)到使觸控分辨率和觸控靈敏度都得到提高的效果O
[0066]需要說明的是,圖中雖未顯示,但本實施例所提供的陣列基板中,設(shè)置第一電極3011可以電連接到第一增益放大器,設(shè)置第二電極302可以電連接到第二增益放大器,設(shè)置第一增益放大器的增益倍數(shù)大于第二增益放大器的增益倍數(shù),設(shè)置第一增益放大器的動態(tài)范圍小于第二增益放大器的動態(tài)范圍。通過將第一電極3011和第二電極302電連接到不同增益倍數(shù)和不同動態(tài)范圍的增益放大器,本實施例可以進(jìn)一步發(fā)揮第一電極3011和第二電極302各自的優(yōu)勢,從而進(jìn)一步平衡觸控靈敏度和觸控分辨率。并且,選擇增益倍數(shù)之比約等于0.17的第一增益放大器和第二增益放大器分別電連接第一電極3011和第二電極302,從而使第一電極3011和第二電極302達(dá)到大致相等的觸控靈敏度,進(jìn)一步提高陣列基板的觸控性能,其原因可參考前述實施例相應(yīng)內(nèi)容。
[0067]本發(fā)明實施例還提供另一種陣列基板。
[0068]請參考圖4,所述陣列基板(未全部示出)包括自電容觸控電極層(未標(biāo)注)。所述自電容觸控電極層包括第一電極4011和第二電極402,第一電極4011的面積小于第二電極402的面積,并且多個第一電極4011組成一個電極群401,電極群401的外圍形狀與第二電極402的外圍形狀相同。所述電極群401包括呈2行2列排布的2 X 2個第一電極4011,也就是包括4個第一電極4011。所述電極群401包括4個第一電極4011。第一電極4011的面積約為第二電極402面積的四分之一左右。
[0069]本實施例中,第一電極4011可以電連接到第一增益放大器,第二電極402可以電連接到第二增益放大器,第一增益放大器的增益倍數(shù)大于第二增益放大器的增益倍數(shù),第一增益放大器的動態(tài)范圍小于第二增益放大器的動態(tài)范圍。本實施例中,第二增益放大器的增益倍數(shù)與第一增益放大器的增益倍數(shù)的比值為第一比值,第一電極4011的面積與第二電極402的面積的比值為第二比值,第一比值等于第二比值。由于第一電極4011的面積約為第二電極402面積的四分之一,因此,第二比值的大小約為0.25。因此,此時可以設(shè)置第一比值的大小也約為0.25。也就是說,可以選擇增益倍數(shù)之比約等于0.25的第二增益放大器和第一增益放大器分別電連接第二電極402和第一電極4011,從而使第一電極4011和第二電極402達(dá)到大致相等的觸控靈敏度,進(jìn)一步提高陣列基板的觸控性能。
[0070]請繼續(xù)參考圖4,所述電極群401和第二電極402呈行列矩陣排布。并且,同一列中,相鄰兩個電極群401之間具有一個第二電極402,相鄰兩個第二電極402之間具有一個電極群401。而同一行中,整行均為電極群401,或者整行均為第二電極402。
[0071]本實施例所述陣列基板的其它結(jié)構(gòu)和性質(zhì)可參考前述實施例相應(yīng)內(nèi)容。
[0072]本發(fā)明實施例還提供了另一種陣列基板的形成方法,所述形成方法可以形成前述實施例所提供的陣列基板,因此,本實施例的形成方法可以參考前述實施例對應(yīng)內(nèi)容。
[0073]請參考圖4,所述形成方法包括形成自電容觸控電極層,設(shè)置所述自電容觸控電極層包括第一電極4011和第二電極402,并設(shè)置第一電極4011的面積小于第二電極402的面積,設(shè)置多個第一電極4011組成一個電極群401,所述電極群401的外圍形狀與第二電極402的外圍形狀相同。設(shè)置所述電極群401包括呈2行2列排布的2X2個第一電極4011,也就是包括4個第一電極4011。第一電極4011的面積約為第二電極402面積的四分之一左右。
[0074]本實施例中,設(shè)置第一電極4011可以電連接到第一增益放大器,設(shè)置第二電極402可以電連接到第二增益放大器,設(shè)置第一增益放大器的增益倍數(shù)大于第二增益放大器的增益倍數(shù),設(shè)置第一增益放大器的動態(tài)范圍小于第二增益放大器的動態(tài)范圍。通過將第一電極4011和第二電極402電連接到不同增益倍數(shù)和不同動態(tài)范圍的增益放大器,本實施例可以進(jìn)一步發(fā)揮第一電極4011和第二電極402各自的優(yōu)勢,從而進(jìn)一步平衡觸控靈敏度和觸控分辨率。并且,選擇增益倍數(shù)之比約等于0.25的第一增益放大器和第二增益放大器分別電連接第一電極4011和第二電極402,從而使第一電極4011和第二電極402達(dá)到大致相等的觸控靈敏度,進(jìn)一步提高陣列基板的觸控性能,其原因可參考前述實施例相應(yīng)內(nèi)容。
[0075]請繼續(xù)參考圖4,設(shè)置所述電極群401和第二電極402呈行列矩陣排布,設(shè)置同一列中,相鄰兩個電極群401之間具有一個第二電極402,并且相鄰兩個第二電極402之間具有一個電極群401。而同一行中,整行均為電極群401或者整行均為第二電極402。
[0076]本實施例所述陣列基板的形成方法其它步驟可參考前述實施例相應(yīng)內(nèi)容。
[0077]本發(fā)明實施例還提供另一種陣列基板。
[0078]請參考圖5,所述陣列基板(未全部示出)包括自電容觸控電極層(未標(biāo)注)。所述自電容觸控電極層包括第一電極5011和第二電極502,第一電極5011的面積小于第二電極502的面積,并且多個第一電極5011組成一個電極群501,電極群501的外圍形狀與第二電極502的外圍形狀相同。所述電極群501包括呈2行2列排布的2X2個第一電極5011,也就是包括4個第一電極5011。所述電極群501包括4個第一電極5011。第一電極5011的面積約為第二電極502面積的四分之一左右。
[0079]本實施例中,第一電極5011可以電連接到第一增益放大器,第二電極502可以電連接到第二增益放大器,第一增益放大器的增益倍數(shù)大于第二增益放大器的增益倍數(shù),第一增益放大器的動態(tài)范圍小于第二增益放大器的動態(tài)范圍。本實施例中,第二增益放大器的增益倍數(shù)與第一增益放大器的增益倍數(shù)的比值為第一比值,第一電極5011的面積與第二電極502的面積的比值為第二比值,第一比值等于第二比值。由于第一電極5011的面積約為第二電極502面積的四分之一,因此,第二比值的大小約為0.25。因此,此時可以設(shè)置第一比值的大小也約為0.25。也就是說,可以選擇增益倍數(shù)之比約等于0.25的第二增益放大器和第一增益放大器分別電連接第二電極502和第一電極5011,從而使第一電極5011和第二電極502達(dá)到大致相等的觸控靈敏度,進(jìn)一步提高陣列基板的觸控性能。
[0080]請繼續(xù)參考圖5,所述電極群501和第二電極502呈行列矩陣排布。并且,同一行中,連續(xù)排布的電極群501為一個,連續(xù)排布的第二電極502也為一個。同一列中,連續(xù)排布的電極群501為兩個,連續(xù)排布的第二電極502也為兩個。
[0081]本實施例所述陣列基板的其它結(jié)構(gòu)和性質(zhì)可參考前述實施例相應(yīng)內(nèi)容。
[0082]本發(fā)明實施例還提供了另一種陣列基板的形成方法,所述形成方法可以形成前述實施例所提供的陣列基板,因此,本實施例的形成方法可以參考前述實施例對應(yīng)內(nèi)容。
[0083]請參考圖5,所述形成方法包括形成自電容觸控電極層,設(shè)
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