觸控模組及其橋接結(jié)構(gòu)的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種觸控模組及其橋接結(jié)構(gòu)的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，手機(jī)、便攜式電腦、個人數(shù)字助理（PDA)、平板電腦、媒 體播放器等消費(fèi)性電子產(chǎn)品大多都采用觸控模組作為輸入設(shè)備，以使產(chǎn)品具有更友好的人 機(jī)交互方式。
[0003] 根據(jù)其觸控原理的不同，觸控模組包括電阻式觸控模組、電容式觸控模組、紅外式 觸控模組以及聲波式觸控模組等。目前，應(yīng)用較為廣泛的觸控模組包括電阻式、電容式、光 學(xué)式、音波式等觸控模組。其中，尤以電容式觸控模組的應(yīng)用更為廣泛。電容式觸控模組由 于其觸控靈敏度好、使用壽命長、不易被外界信號干擾等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)性電 子產(chǎn)品。
[0004] 目前，被廣泛使用的電容式觸控模組，例如投射式電容觸控模組，大多包括觸控感 測區(qū)域以及位于該觸控感測區(qū)域外圍的布線區(qū)域或邊框區(qū)域。該感測區(qū)域設(shè)置有由導(dǎo)電材 質(zhì)形成的沿第一方向（如縱向）延伸的第一感測電極以及沿第二方向（如橫向）延伸的第 二感測電極。該第一感測電極與第二感測電極相互絕緣設(shè)置。
[0005] 所述第一和第二感測電極可使用銦錫氧化物（Indium Tin Oxides, ΙΤ0)制成，形 成雙層ITO結(jié)構(gòu)。第一和第二感測電極的鋪設(shè)方式有兩種，一種是第一和第二感測電極分 別鋪設(shè)在基板的雙側(cè)，形成DITCKDouble Side IT0，DIT0)結(jié)構(gòu)。另一種為第一和第二感 測電極均鋪設(shè)在基板的同一側(cè)。傳統(tǒng)的DITO結(jié)構(gòu)大多使用光學(xué)膠（OCA)貼合在玻璃蓋板 (Cover Lens)和顯示模組上。
[0006] 此外，一種典型的電容式觸控模組，其第一感測電極和第二感測電極分別包括序 列感測片，感測片可以為菱形或其它多邊形。相鄰感測片之間通過橋接導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電性連接。 第一感測電極的橋接導(dǎo)線與第二感測電極的橋接導(dǎo)線之間一般通過一絕緣層絕緣相交設(shè) 置，以將第一感測電極與第二感測電極之間絕緣隔離。其中，第一感測電極的橋接導(dǎo)線首先 通過光刻制程（photo etching process, PEP)形成，然后該絕緣層再通過另一光刻制程形 成于第一感測電極的橋接導(dǎo)線之上。然而，這種方法在第一感測電極橋的接導(dǎo)線與絕緣層 之間就需要兩個光刻制程，在制程上顯得成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 為解決以上問題，有必要提供一種可減少一光刻制程的觸控模組。
[0008] 本發(fā)明提供的觸控模組，包括多個第一感測電極和多個第二感測電極，第一感測 電極和第二感測電極絕緣相交設(shè)置，第一感測電極包括多個第一感測單元以及將相鄰兩個 第一感測單元電性連接的第一橋接結(jié)構(gòu)，第二感測電極包括多個第二感測單元以及將相鄰 兩個第二感測單元電性連接的第二橋接結(jié)構(gòu)，第一橋接結(jié)構(gòu)上覆蓋一絕緣隔離結(jié)構(gòu)，第二 橋接結(jié)構(gòu)橫越過該第一橋接結(jié)構(gòu)以及該絕緣隔離結(jié)構(gòu)將相鄰兩個第二感測單元電性連接。 其中，該第一橋接結(jié)構(gòu)包括形狀不同的第一部分和第二部分，第一部分未被絕緣隔離結(jié)構(gòu) 覆蓋，第二部分被該絕緣隔離結(jié)構(gòu)覆蓋且該第二部分的圖案形狀與該絕緣隔離結(jié)構(gòu)的圖案 形狀相同。
[0009] 優(yōu)選地，所述第一橋接結(jié)構(gòu)第二部分的寬度大于該第一橋接結(jié)構(gòu)第一部分的寬 度。
[0010] 優(yōu)選地，所述第一橋接結(jié)構(gòu)與所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)使用同一掩膜在同一光刻制程中 形成。
[0011] 優(yōu)選地，所述掩膜包括多個不透光區(qū)、多個半透光區(qū)、以及多個透光區(qū)，該不透光 區(qū)位于相鄰兩個半透光區(qū)之間，所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)以及第一橋接結(jié)構(gòu)的第二部分與該不透 光區(qū)對應(yīng)。
[0012] 優(yōu)選地，所述第一橋接結(jié)構(gòu)的第二部分覆蓋于所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)部，該第二部 分的長度和寬度小于該絕緣隔離結(jié)構(gòu)的長度和寬度。
[0013] 優(yōu)選地，所述第一橋接結(jié)構(gòu)的第二部分上下兩端分別與所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)上下兩 端之間的間隔距離相等，且該第二部分左右兩端分別與該絕緣隔離結(jié)構(gòu)左右兩端之間的間 隔距離也相等。
[0014] 優(yōu)選地，所述第二部分上下兩端分別與所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)上下兩端之間的間隔距 離為1-10微米，該第二部分左右兩端分別與該絕緣隔離結(jié)構(gòu)左右兩端之間的間隔距離也 為1-10微米。
[0015] 優(yōu)選地，所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)與所述第一橋接結(jié)構(gòu)第二部分的圖案形狀為矩形。
[0016] 優(yōu)選地，所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)與所述第一橋接結(jié)構(gòu)第二部分的圖案形狀為橢圓形。
[0017] 還有必要提供一種上述觸控顯示模組橋接結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：提供一基板，在 該基板的表面涂覆一導(dǎo)電材料層，并在該導(dǎo)電材料層的表面涂覆一絕緣光阻層；從絕緣光 阻層的一側(cè)使用掩膜對該絕緣光阻層進(jìn)行曝光，然后再進(jìn)行顯影形成絕緣層圖案；其中，該 掩膜包括多個不透光區(qū)、多個半透光區(qū)、以及多個透光區(qū)，不透光區(qū)位于相鄰兩個半透光區(qū) 之間；該絕緣層圖案包括與不透光區(qū)對應(yīng)的第一部分以及與半透光區(qū)對應(yīng)的第二部分，該 第二部分的厚度小于該第一部分的厚度；對所述導(dǎo)電材料層進(jìn)行刻蝕，移除該導(dǎo)電材料層 未被絕緣層圖案覆蓋的部分，形成一橋接結(jié)構(gòu)；及去除絕緣層圖案的第二部分，形成覆蓋于 該橋接結(jié)構(gòu)上方的絕緣隔離結(jié)構(gòu)。
[0018] 優(yōu)選地，對所述導(dǎo)電材料層進(jìn)行刻蝕的方法為過刻蝕方法。
[0019] 優(yōu)選地，所述絕緣光阻層的材料為正型光阻材料。。
[0020] 相較于現(xiàn)有技術(shù)，發(fā)明可將觸控模組的第一感測電極的橋接結(jié)構(gòu)與絕緣隔離結(jié)構(gòu) 使用一掩膜在同一光刻制程中形成，節(jié)約了制程的成本。
【附圖說明】
[0021] 圖1是本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的一觸控模組的觸控圖形結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
[0022] 圖2是圖1中沿II-II切線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023] 圖3和圖4是圖1所述的一第一橋接結(jié)構(gòu)與一絕緣隔離結(jié)構(gòu)的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024] 圖5是另一實(shí)施例中所述第一橋接結(jié)構(gòu)的第二部分與所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 關(guān)系的平面放大示意圖。
[0025] 圖6是圖5中沿VI-VI切線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026] 圖7是所述第一橋接結(jié)構(gòu)與所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。
[0027] 圖8-圖11為圖7所示各制造步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028] 圖12是一實(shí)施例中所述觸控模組的一觸控顯示裝置的層級結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029] 主要元件符號說明
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種觸控模組，包括多個第一感測電極和多個第二感測電極，第一感測電極和第二 感測電極絕緣相交設(shè)置，第一感測電極包括多個第一感測單元以及將相鄰兩個第一感測單 元電性連接的第一橋接結(jié)構(gòu)，第二感測電極包括多個第二感測單元以及將相鄰兩個第二感 測單元電性連接的第二橋接結(jié)構(gòu)，第一橋接結(jié)構(gòu)上覆蓋一絕緣隔離結(jié)構(gòu)，第二橋接結(jié)構(gòu)橫 越過該第一橋接結(jié)構(gòu)以及該絕緣隔離結(jié)構(gòu)將相鄰兩個第二感測單元電性連接，其特征在 于，該第一橋接結(jié)構(gòu)包括形狀不同的第一部分和第二部分，其中，第一部分未被絕緣隔離結(jié) 構(gòu)覆蓋，第二部分被該絕緣隔離結(jié)構(gòu)覆蓋且經(jīng)由該第一部分與相應(yīng)的第一感測單元連接， 該第二部分的圖案形狀與該絕緣隔離結(jié)構(gòu)的圖案形狀相同。
2. 如權(quán)利要求1所述的觸控模組，其特征在于，所述第一橋接結(jié)構(gòu)第二部分的寬度大 于該第一橋接結(jié)構(gòu)第一部分的寬度。
3. 如權(quán)利要求1所述的觸控模組，其特征在于，所述第一橋接結(jié)構(gòu)與所述絕緣隔離結(jié) 構(gòu)在同一光刻制程中形成。
4. 如權(quán)利要求1所述的觸控模組，其特征在于，所述第一橋接結(jié)構(gòu)的第二部分包覆于 所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)部，該第二部分的長度和寬度小于該絕緣隔離結(jié)構(gòu)的長度和寬度。
5. 如權(quán)利要求4所述的觸控模組，其特征在于，所述第一橋接結(jié)構(gòu)的第二部分上下兩 端分別與所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)上下兩端之間的間隔距離相等，且該第二部分左右兩端分別與 該絕緣隔離結(jié)構(gòu)左右兩端之間的間隔距離也相等。
6. 如權(quán)利要求5所述的觸控模組，其特征在于，所述第二部分上下兩端分別與所述絕 緣隔離結(jié)構(gòu)上下兩端之間的間隔距離為1-10微米，該第二部分左右兩端分別與該絕緣隔 離結(jié)構(gòu)左右兩端之間的間隔距離也為1-10微米。
7. 如權(quán)利要求1所述的觸控模組，其特征在于，所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)與所述第一橋接結(jié) 構(gòu)第二部分的圖案形狀為矩形。
8. 如權(quán)利要求1所述的觸控模組，其特征在于，所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)與所述第一橋接結(jié) 構(gòu)第二部分的圖案形狀為橢圓形。
9.一種觸控顯示模組橋接結(jié)構(gòu)的制造方法，包括： 提供一基板，在該基板的表面涂覆一導(dǎo)電材料層，并在該導(dǎo)電材料層的表面涂覆一絕 緣光阻層； 從絕緣光阻層的一側(cè)使用掩膜對該絕緣光阻層進(jìn)行曝光，然后再進(jìn)行顯影形成絕緣層 圖案；其中，該掩膜包括多個不透光區(qū)、多個半透光區(qū)、以及多個透光區(qū)，不透光區(qū)位于相鄰 兩個半透光區(qū)之間；該絕緣層圖案包括與不透光區(qū)對應(yīng)的第一部分以及與半透光區(qū)對應(yīng)的 第二部分，該第二部分的厚度小于該第一部分的厚度； 對所述導(dǎo)電材料層進(jìn)行刻蝕，移除該導(dǎo)電材料層未被絕緣層圖案覆蓋的部分，形成一 橋接結(jié)構(gòu)；及 去除絕緣層圖案的第二部分，形成覆蓋于該橋接結(jié)構(gòu)上方的絕緣隔離結(jié)構(gòu)。
10. 如權(quán)利要求9所述的觸控顯示模組橋接結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，對所述導(dǎo)電 材料層進(jìn)行刻蝕的方法為過刻蝕方法。
11. 如權(quán)利要求9所述的觸控顯示模組橋接結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述絕緣光 阻層的材料為正型光阻材料。
12. 如權(quán)利要求9所述的觸控顯示模組橋接結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材 料層為透明導(dǎo)電材料。
【專利摘要】一種觸控模組，包括多個第一感測電極和多個第二感測電極，第一感測電極和第二感測電極絕緣相交設(shè)置，第一感測電極包括多個第一感測單元以及將相鄰兩個第一感測單元電性連接的第一橋接結(jié)構(gòu)，第二感測電極包括多個第二感測單元以及將相鄰兩個第二感測單元電性連接的第二橋接結(jié)構(gòu)，第一橋接結(jié)構(gòu)上覆蓋一絕緣隔離結(jié)構(gòu)，第二橋接結(jié)構(gòu)橫越過該第一橋接結(jié)構(gòu)以及該絕緣隔離結(jié)構(gòu)將相鄰兩個第二感測單元電性連接。該第一橋接結(jié)構(gòu)包括形狀不同的第一部分和第二部分，第一部分未被絕緣隔離結(jié)構(gòu)覆蓋，第二部分被該絕緣隔離結(jié)構(gòu)覆蓋且該第二部分的圖案形狀與該絕緣隔離結(jié)構(gòu)的圖案形狀相同。本發(fā)明還提供一種上述觸控模組的橋接結(jié)構(gòu)的制造方法。
【IPC分類】G06F3-044
【公開號】CN104699336
【申請?zhí)枴緾N201410846359
【發(fā)明人】楊岳峰
【申請人】業(yè)成光電（深圳）有限公司, 英特盛科技股份有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2014年12月31日