一種微控制單元mcu中資源動(dòng)態(tài)分配的方法和系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實(shí)施例涉及MCU技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種MCU中的系統(tǒng)配置信息的讀取方法和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]微控制單元(Micro Control Unit, MCU),又稱單片微型計(jì)算機(jī)(Single ChipMicrocomputer, SCM)或者單片機(jī),是指隨著大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)及其發(fā)展,將計(jì)算機(jī)的中央處理器(Central Processing Unit, CPU)、靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Static Random AccessMemory, SRAM)、只讀存儲器(Read-Only Memory, ROM)、定時(shí)計(jì)數(shù)器和多種1/0接口集成在一片芯片上，形成芯片級的計(jì)算機(jī)，為不同的應(yīng)用場合做不同組合控制。其中，整個(gè)SRAM分為內(nèi)存SRAM和閃存SRAM，內(nèi)存SRAM暫存內(nèi)存數(shù)據(jù)，閃存SRAM暫存閃存芯片數(shù)據(jù)。
[0003]MCU為通用芯片，根據(jù)個(gè)性化需求，一顆MCU芯片一般會(huì)定制多個(gè)產(chǎn)品系列(幾個(gè)甚至可達(dá)幾十個(gè)產(chǎn)品系列)，芯片中閃存SRAM的大小根據(jù)最大的閃存容量確定的，而由于不同產(chǎn)品的個(gè)性化需求，其閃存容量的需求也不一樣，但是所以在很多個(gè)性化的定制產(chǎn)品中，并不需要支持最大的閃存容量，從而會(huì)導(dǎo)致一些閃存SRAM閑置浪費(fèi)。并且，當(dāng)存在閑置浪費(fèi)的閃存SRAM時(shí)，會(huì)使芯片面積比實(shí)際需求偏大較多，不利于芯片小型化。
[0004]另一方面，每個(gè)產(chǎn)品的閃存容量和內(nèi)存容量都是固定，所以往往會(huì)存在一方面一些閃存SRAM閑置浪費(fèi)，而內(nèi)存容量卻不夠用的情況。
[0005]此外，整個(gè)SRAM的面積比較大，因此在芯片生產(chǎn)中SRAM出現(xiàn)缺陷的概率相應(yīng)比較高，一般采取的處理方式是將這顆芯片丟棄，而實(shí)際上并不是所有的SRAM塊均出現(xiàn)缺陷，大部分情況下只有部分SRAM塊出現(xiàn)缺陷。如此，只有一小塊SRAM在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)缺陷，就會(huì)導(dǎo)致整個(gè)芯片丟棄，造成芯片的巨大浪費(fèi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的MCU中的系統(tǒng)配置信息的讀取方法和系統(tǒng)。
[0007]本發(fā)明提供了一種微控制單元MCU中資源動(dòng)態(tài)分配的方法，所述MCU包括處理器和靜態(tài)隨機(jī)存儲器，所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器包括多個(gè)存儲塊，所述方法包括:
[0008]所述MCU接收所述處理器在運(yùn)行應(yīng)用程序時(shí)配置的預(yù)設(shè)閃存容量，所述預(yù)設(shè)閃存容量小于所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器的最大閃存容量；
[0009]按照所述預(yù)設(shè)閃存容量分配所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器中用于閃存存儲的閃存存儲塊以及用于內(nèi)存存儲的內(nèi)存存儲塊；
[0010]讀取并執(zhí)行所述閃存存儲塊中的程序數(shù)據(jù)，同時(shí)與所述內(nèi)存存儲塊進(jìn)行數(shù)據(jù)交互。
[0011]優(yōu)選地，所述MCU還包括控制信息存儲器，所述控制信息存儲器存儲有所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器的壞塊信息；
[0012]在所述MCU接收所述處理器在運(yùn)行應(yīng)用程序時(shí)配置的預(yù)設(shè)閃存容量的步驟之前，所述方法還包括:
[0013]在所述MCU上電復(fù)位后，所述MCU從所述控制信息存儲器讀取所述壞塊信息；
[0014]將所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器的壞塊標(biāo)記為不可用，并根據(jù)所述壞塊信息重新組織非壞塊的存儲塊的位置。
[0015]優(yōu)選地，所述控制信息存儲器還存儲有所述最大閃存容量信息，在所述MCU接收所述處理器在運(yùn)行應(yīng)用程序時(shí)配置的預(yù)設(shè)閃存容量的步驟之前，所述方法還包括:
[0016]根據(jù)在所述MCU上電復(fù)位后，所述MCU從所述控制信息存儲器讀取所述最大閃存容量信息；
[0017]按照所述最大閃存容量信息分配所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器中用于閃存存儲的閃存存儲塊，分配后剩余的存儲塊為用于內(nèi)存存儲的內(nèi)存存儲塊；
[0018]讀取所述閃存存儲塊中的程序數(shù)據(jù)，并運(yùn)行所述程序數(shù)據(jù)。
[0019]優(yōu)選地，所述MCU還與閃存芯片連接，所述方法還包括:
[0020]若所述MCU第一次上電，則復(fù)制所述閃存芯片中的程序數(shù)據(jù)至所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器中用于閃存存儲的閃存存儲塊。
[0021]優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)閃存容量為所需存儲塊的個(gè)數(shù)，所述存儲塊具有各自的編號，所述按照預(yù)設(shè)閃存容量分配靜態(tài)隨機(jī)存儲器中用于閃存存儲的閃存存儲塊以及用于內(nèi)存存儲的內(nèi)存存儲塊的步驟包括:
[0022]將各個(gè)存儲塊的編號與所需存儲塊的個(gè)數(shù)進(jìn)行比較；
[0023]將所述編號小于所需存儲塊的個(gè)數(shù)的作為用于閃存存儲的閃存存儲塊，將所述編號大于或等于所需存儲塊的個(gè)數(shù)的作為用于內(nèi)存存儲的內(nèi)存存儲塊。
[0024]優(yōu)選地，所述MCU與所述閃存芯片相互獨(dú)立并在外部物理連接，或者所述閃存芯片集成在所述MCU中。
[0025]優(yōu)選地，所述MCU還包括閃存總線接口和系統(tǒng)總線，所述MCU通過所述閃存總線接口和所述系統(tǒng)總線，接收所述處理器在運(yùn)行應(yīng)用程序時(shí)配置的預(yù)設(shè)閃存容量。
[0026]本發(fā)明還提供了一種微控制單元MCU中資源動(dòng)態(tài)分配的系統(tǒng)，所述MCU包括處理器和靜態(tài)隨機(jī)存儲器，所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器包括多個(gè)存儲塊；
[0027]所述MCU還包括配置寄存單元和存儲塊分配單元:
[0028]所述配置寄存單元，用于接收所述處理器在運(yùn)行應(yīng)用程序時(shí)配置的預(yù)設(shè)閃存容量，所述預(yù)設(shè)閃存容量小于所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器的最大閃存容量；
[0029]所述存儲塊分配單元，用于按照所述預(yù)設(shè)閃存容量分配所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器中用于閃存存儲的閃存存儲塊以及用于內(nèi)存存儲的內(nèi)存存儲塊；
[0030]所述處理器，用于讀取并執(zhí)行所述閃存存儲塊中的程序數(shù)據(jù)，同時(shí)與所述內(nèi)存存儲塊進(jìn)行數(shù)據(jù)交互。
[0031]優(yōu)選地，所述MCU還包括控制信息存儲器，所述控制信息存儲器存儲有所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器的壞塊信息；
[0032]所述MCU還包括:
[0033]主控單元，用于在所述MCU上電復(fù)位后，從所述控制信息存儲器讀取所述壞塊信息；
[0034]靜態(tài)隨機(jī)存儲器重組單元，用于將所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器的壞塊標(biāo)記為不可用，并根據(jù)所述壞塊信息重新組織非壞塊的存儲塊的位置。
[0035]優(yōu)選地，所述控制信息存儲器還存儲有所述最大閃存容量信息；
[0036]所述主控單元，還用于根據(jù)在所述MCU上電復(fù)位后，從所述控制信息存儲器讀取所述最大閃存容量信息；
[0037]所述存儲塊分配單元，還用于按照所述最大閃存容量信息分配所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器中用于閃存存儲的閃存存儲塊，分配后剩余的存儲塊為用于內(nèi)存存儲的內(nèi)存存儲塊。
[0038]優(yōu)選地，還包括與所述MCU連接的閃存芯片，所述系統(tǒng)還包括:
[0039]閃存控制單元，用于若所述MCU第一次上電，則復(fù)制所述閃存芯片中的程序數(shù)據(jù)至所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器中用于閃存存儲的閃存存儲塊。
[0040]優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)閃存容量為所需存儲塊的個(gè)數(shù)，所述存儲塊具有各自的編號，所述存儲塊分配單元包括:
[0041]比較子單元，用于將各個(gè)存儲塊的編號與所需存儲塊的個(gè)數(shù)進(jìn)行比較；
[0042]選擇子單元，用于將所述編號小于所需存儲塊的個(gè)數(shù)的作為用于閃存存儲的閃存存儲塊，將所述編號大于或等于所需存儲塊的個(gè)數(shù)的作為用于內(nèi)存存儲的內(nèi)存存儲塊。
[0043]優(yōu)選地，所述MCU與所述閃存芯片相互獨(dú)立并在外部物理連接，或者所述閃存芯片集成在所述MCU中。
[0044]優(yōu)選地，所述MCU還包括閃存總線接口和系統(tǒng)總線，所述配置寄存單元和所述存儲塊分配單元通過所述閃存總線接口和所述系統(tǒng)總線與所述處理器通信。
[0045]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn):
[0046]依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在總的靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM資源固定的情況下，通過應(yīng)用程序配置向MCU配置閃存和內(nèi)存各自的容量，然后按照閃存容量，分配內(nèi)存與閃存各自所占靜態(tài)隨機(jī)存儲器的大小，從而可以適應(yīng)適應(yīng)不同產(chǎn)品，不同客戶，不同應(yīng)用場景下需求，避免出現(xiàn)閃存容量閑置浪費(fèi)，而內(nèi)存容量卻不夠用的情況，達(dá)到SRAM資源的最有效利用，并且可以通過滿足內(nèi)存的需求提高芯片的使用性能。同時(shí)，采用本發(fā)明實(shí)施例，避免了閑置浪費(fèi)的閃存SRAM的存在使芯片面積比實(shí)際需求偏大較多，利于芯片小型化。
[0047]并且，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，還可以在控制信息存儲器OTP中配置最大閃存容量，在芯片上電復(fù)位后，即按照配置的最大閃存容量分配內(nèi)存與閃存各自所占靜態(tài)隨機(jī)存儲器的大小，從而可以適應(yīng)不用的應(yīng)用場景和需求。
[0048]依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，針對SRAM可能產(chǎn)生缺陷導(dǎo)致SRAM不能使用的問題，本發(fā)明同樣通過合理的調(diào)配SRAM資源，將壞塊標(biāo)記為不可用，將可用的SRAM重新組合起來重新編號，使得此顆芯片在某些產(chǎn)品上仍然可用，而不至于丟棄。
【附圖說明】
[0049]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一的一種微控制單元MCU中資源動(dòng)態(tài)分配的方法的流程圖；
[0050]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二的一種微控制單元MCU中資源動(dòng)態(tài)分配的方法的流程圖；
[0051]圖3是本發(fā)明實(shí)施例三的一種MCU的整體結(jié)構(gòu)圖；
[0052]圖4是本發(fā)明實(shí)施例三的一種靜態(tài)隨機(jī)存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖5是本發(fā)明實(shí)施例三的一種閃存控制器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖6是本發(fā)明實(shí)施例三的一種內(nèi)存控制器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖7是本發(fā)明實(shí)施例三的一種靜態(tài)隨機(jī)存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖8是本發(fā)明實(shí)施例三的一種微控制單元MCU中資源動(dòng)態(tài)分配的方法的流程圖；
[0057]圖9是本發(fā)明實(shí)施例四的一種微控制單元MCU中資源動(dòng)