在本發(fā)明實施例中，通過判斷第一存儲區(qū)中的sro信息是否為缺省值來確定系統(tǒng)是否為首次開機；當(dāng)?shù)谝淮鎯^(qū)中的sro信息不為缺省值時，表示系統(tǒng)為非首次開機，讀取內(nèi)存sro芯片的sro信息，并判斷所述內(nèi)存sro芯片的sro信息與第一存儲區(qū)中的sro信息是否相同；在判斷結(jié)果為不相同時，表示更換了不同的內(nèi)存條，根據(jù)所述內(nèi)存sro芯片上的sro信息，初始化Mcu;初始化結(jié)束后，系統(tǒng)正常開機。從而完成了內(nèi)存自適配，簡化了飛騰平臺中設(shè)備更換不同的內(nèi)存后首次開機啟動的操作，省去了用戶手動讀取內(nèi)存sro信息的步驟，提升了用戶體驗。
[0048]圖2示出了本發(fā)明實施例提供的內(nèi)存自適配裝置的結(jié)構(gòu)。該裝置主要應(yīng)用于飛騰平臺，適用于平板電腦、筆記本電腦和臺式計算機，用于運行本發(fā)明圖1實施例所述的內(nèi)存自適配方法。為了便于說明，僅示出了與本實施例相關(guān)的部分。
[0049]參照圖2，該裝置包括:
[0050]第一讀取單元21，讀取第一存儲區(qū)中的串行檢測sro信息；
[0051]作為本發(fā)明的一個實施示例，固件預(yù)留了 16byte的EEPROM空間作為第一存儲區(qū)，用于存放系統(tǒng)前一次開機時所使用的內(nèi)存條的內(nèi)存SF1D芯片上的SF1D信息。
[0052]缺省值判斷單元22，判斷讀取的所述SH)信息是否為缺省值；
[0053]所述缺省值預(yù)先配置。缺省值是指系統(tǒng)第一次開機前，第一存儲區(qū)里存儲的初始值，通常設(shè)置為全零。
[0054]第二讀取單元23，用于在所述缺省值判斷單元判斷結(jié)果為否時，讀取內(nèi)存SH)芯片上的sro信息。
[0055]第二判斷單元24，用于判斷第一存儲區(qū)中讀取的sro信息和內(nèi)存sro芯片上讀取的sro信息是否相同。
[0056]對第一存儲區(qū)中讀取的sro信息和內(nèi)存sro芯片上的sro信息是否相同進行判斷，是為了判斷是否更換了不同的內(nèi)存。判斷結(jié)果為相同時，表示沒有更換內(nèi)存條或者更換了完全相同的內(nèi)存條，sro信息不變；若判斷結(jié)果為不相同時，表示更換了不相同的內(nèi)存條。
[0057]初始化單元25，用于在所述第二判斷單元判斷結(jié)果為否時，根據(jù)所述內(nèi)存SH)芯片上讀取的sro信息，初始化微控制單元MCU ；
[0058]作為本發(fā)明的一個實施示例，所述根據(jù)所述內(nèi)存sro芯片上讀取的sro信息，初始化MCU是指在飛騰平臺中，固件執(zhí)行memory leveling操作。B1S利用STO信息中的模塊大小、數(shù)據(jù)寬度、速度以及電壓等信息來合適配置內(nèi)存以達到最好的性能和可靠性。
[0059]進一步地,所述初始化單元25還用于:
[0060]在所述第一存儲區(qū)中的sro信息為缺省值時，根據(jù)所述內(nèi)存sro芯片上讀取的spd信息，初始化MCU。
[0061]進一步地，所述初始化單元25還用于:
[0062]將所述內(nèi)存sro芯片上的sro信息更新到所述第一存儲區(qū)中。
[0063]MCU初始化結(jié)束后，系統(tǒng)正常開機。
[0064]加載單元26，在所述內(nèi)存sro芯片上的sro信息和第一存儲區(qū)中的sro信息相同時，加載第一存儲區(qū)中的sro信息。
[0065]SPD信息加載結(jié)束后，系統(tǒng)正常開機。
[0066]在本發(fā)明實施例中，通過判斷第一存儲區(qū)中的sro信息是否為缺省值來確定系統(tǒng)是否為首次開機；在判斷第一存儲區(qū)中的sro信息不為缺省值時，系統(tǒng)為非首次開機，則讀取內(nèi)存sro芯片的sro信息，并判斷所述內(nèi)存sro芯片的sro信息和第一存儲區(qū)中的sro信息是否相同；在判斷結(jié)果為不相同時，表示更換了不同的內(nèi)存條，則根據(jù)所述內(nèi)存sro芯片的sro信息初始化mcu，mcu初始化結(jié)束后，系統(tǒng)正常開機。從而完成了內(nèi)存自適配，簡化了飛騰平臺中設(shè)備更換不同的內(nèi)存后首次開機啟動的操作，省去了用戶手動讀取內(nèi)存sro信息的步驟，提升了用戶體驗。
[0067]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種內(nèi)存自適配方法，其特征在于，所述方法包括: 在檢測到系統(tǒng)開機時，讀取第一存儲區(qū)中的串行檢測Sro信息； 判斷讀取的所述sro信息是否為缺省值； 若否，讀取內(nèi)存sro芯片的sro信息； 判斷第一存儲區(qū)中讀取的sro信息和內(nèi)存sro芯片上讀取的sro信息是否相同； 若否，根據(jù)所述內(nèi)存sro芯片上讀取的sro信息，初始化微控制單元Mcu ； 所述第一存儲區(qū)為預(yù)先配置的電可擦可編程只讀存儲器中的存儲空間。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存自適配方法，其特征在于，所述缺省值為系統(tǒng)第一次開機以前，第一存儲區(qū)存儲的初始值。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存自適配方法，其特征在于，所述方法進一步包括: 在所述第一存儲區(qū)中的sro信息為缺省值時，讀取內(nèi)存sro芯片的sro信息，初始化微控制單元MCU。
4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存自適配方法，其特征在于，所述方法進一步包括: 在所述內(nèi)存sro芯片的sro信息和第一存儲區(qū)中的SPD信息相同時，加載第一存儲區(qū)中的sro信息。
5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存自適配方法，其特征在于，所述根據(jù)所述內(nèi)存sro芯片上讀取的sro信息，初始化微控制單元Mcu的步驟之后還包括: 將所述內(nèi)存sro芯片上讀取的sro信息更新到所述第一存儲區(qū)中。
6.一種內(nèi)存自適配裝置，其特征在于，所述裝置包括: 第一讀取單元，用于在檢測到系統(tǒng)開機時，讀取第一存儲區(qū)中的串行檢測sro信息； 缺省值判斷單元，用于判斷讀取的所述sro信息是否為缺省值； 第二讀取單元，用于在所述缺省值判斷單元判斷結(jié)果為否時，讀取內(nèi)存sro芯片的SPD信息； 第二判斷單元，用于判斷第一存儲區(qū)中讀取的sro信息和內(nèi)存sro芯片上讀取的SPD信息是否相同； 初始化單元，用于在所述第二判斷單元判斷結(jié)果為否時，根據(jù)所述內(nèi)存sro芯片上讀取的sro信息，初始化微控制單元Mcu ； 所述第一存儲區(qū)為預(yù)先配置的電可擦可編程只讀存儲器中的存儲空間。
7.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存自適配裝置，其特征在于，所述缺省值為系統(tǒng)第一次開機以前，第一存儲區(qū)存儲的初始值。
8.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存自適配裝置，其特征在于，所述初始化單元還用于: 在所述第一存儲區(qū)中的sro信息為缺省值時，根據(jù)所述內(nèi)存sro芯片上讀取的sro信息，初始化微控制單兀MCU。
9.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存自適配裝置，其特征在于，所述裝置還包括: 加載單元，用于在所述內(nèi)存sro芯片上的sro信息和第一存儲區(qū)中的sro信息相同時，加載第一存儲區(qū)中的sro信息。
10.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存自適配裝置，其特征在于，所述初始化單元還用于: 將所述內(nèi)存sro芯片上讀取的sro信息更新到所述第一存儲區(qū)中。
【專利摘要】本發(fā)明適用于計算機領(lǐng)域，提供了一種內(nèi)存自適配方法及裝置，所述方法包括下述步驟：在檢測到系統(tǒng)開機時，讀取第一存儲區(qū)中的串行檢測SPD信息；判斷讀取的所述SPD信息是否為缺省值；若否，讀取內(nèi)存SPD芯片的SPD信息；判斷第一存儲區(qū)中讀取的SPD信息和內(nèi)存SPD芯片上讀取的SPD信息是否相同；若否，根據(jù)所述內(nèi)存SPD芯片上讀取的SPD信息，初始化微控制單元MCU；所述第一存儲區(qū)為預(yù)先配置的電可擦可編程只讀存儲器中的存儲空間。本發(fā)明通過利用SPD信息來進行內(nèi)存自適配，從而簡化了飛騰平臺中設(shè)備更換不同的內(nèi)存后首次開機啟動時的操作。
【IPC分類】G06F11-22
【公開號】CN104572365
【申請?zhí)枴緾N201310493224
【發(fā)明人】張偉進, 劉俊山, 周庚申, 賈兵, 石明, 傅子奇, 吳燕琴
【申請人】中國長城計算機深圳股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月18日