本實用新型涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種接地線結(jié)構(gòu)、觸控面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)接地線101的寬度在200-300um之間，如圖1所示。繼續(xù)增加線寬，會導致金屬膜層附著力的降低，進而產(chǎn)生剝落現(xiàn)象。而觸摸屏的邊緣容易積累靜電，較窄的線寬大大降低了接地線101對觸摸屏邊緣的靜電的吸收，使得靜電竄入接地線101內(nèi)側(cè)的金屬走線102，導致走線區(qū)域遭受靜電破壞失效。一般地，由于走線與觸控電極連接，因此，走線區(qū)域遭受靜電破壞失效會進一步造成觸控失效。

因此，如何在不影響附著力的條件下，同時實現(xiàn)較寬接地線設(shè)計和避免干擾觸控信號，是亟需解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型實施例提供了一種接地線結(jié)構(gòu)、觸控面板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的如何在不影響附著力的條件下，同時實現(xiàn)較寬接地線設(shè)計和避免干擾觸控信號的問題。

本實用新型實施例提供一種接地線結(jié)構(gòu)，包括：由金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線，以及設(shè)置于所述接地線的上層和/或下層且覆蓋全部所述金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的非金屬導電層。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本實用新型實施例提供的上述接地線結(jié)構(gòu)中，所述非金屬導電層的材料為氧化銦錫。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本實用新型實施例提供的上述接地線結(jié)構(gòu)中，所述接地線結(jié)構(gòu)設(shè)有搭接區(qū)域，所述接地線結(jié)構(gòu)在除去所述搭接區(qū)域的區(qū)域具有一斷開區(qū)域。

本實用新型實施例還提供了一種觸控面板，包括：襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的觸控電極，與所述觸控電極連接的金屬走線，以及上述接地線結(jié)構(gòu)；其中，相對于所述觸控電極與所述金屬走線，所述接地線結(jié)構(gòu)設(shè)置于最鄰近所述襯底基板的邊緣處。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，所述接地線結(jié)構(gòu)中的接地線與所述金屬走線同層設(shè)置。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，所述觸控電極具體包括：同層交叉設(shè)置且相互絕緣的觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極，以及橋接相鄰的所述觸控驅(qū)動電極或相鄰的所述觸控感應電極的橋接線。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，所述橋接線為金屬線；

所述觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極的所在膜層設(shè)置于所述接地線結(jié)構(gòu)中的接地線所在膜層之上，在所述接地線結(jié)構(gòu)中的設(shè)置于所述接地線的上層的非金屬導電層與所述觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極同層設(shè)置；或，

所述觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極的所在膜層設(shè)置于所述接地線結(jié)構(gòu)中的接地線所在膜層之下，在所述接地線結(jié)構(gòu)中的設(shè)置于所述接地線的下層的非金屬導電層與所述觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極同層設(shè)置。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，所述橋接線與所述接地線結(jié)構(gòu)中的接地線同層設(shè)置。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，所述橋接線為氧化銦錫線；

所述觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極的所在膜層以及所述橋接線所在膜層均設(shè)置于所述接地線結(jié)構(gòu)中的接地線所在膜層之上，在所述接地線結(jié)構(gòu)中的設(shè)置于所述接地線的上層的非金屬導電層與所述觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極同層設(shè)置，或與所述橋接線所在膜層同層設(shè)置；或，

所述觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極的所在膜層以及所述橋接線所在膜層均設(shè)置于所述接地線結(jié)構(gòu)中的接地線所在膜層之下，在所述接地線結(jié)構(gòu)中的設(shè)置于所述接地線的下層的非金屬導電層與所述觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極同層設(shè)置，或與所述橋接線所在膜層同層設(shè)置；或，

所述接地線結(jié)構(gòu)中的接地線所在膜層位于所述觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極的所在膜層以及所述橋接線所在膜層之間，在所述接地線結(jié)構(gòu)中的設(shè)置于所述接地線的上層和下層的非金屬導電層，分別與所述觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極同層設(shè)置，以及與所述橋接線所在膜層同層設(shè)置。

本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述觸控面板。

本實用新型有益效果如下：

本實用新型實施例提供的一種接地線結(jié)構(gòu)、觸控面板及顯示裝置，包括：由金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線，以及設(shè)置于接地線的上層和/或下層且覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的非金屬導電層。由于金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線可以在不降低附著力的條件下，獲得較寬接地線設(shè)計，從而使得接地線的阻抗降低，有效提高了抗靜電能力；且較寬的接地線在觸摸屏的邊框處覆蓋了較大的水平面，極大地增大了對靜電的吸收，同時靜電作用區(qū)域可遠離接地線保護的走線區(qū)域，實現(xiàn)了防止靜電竄入金屬走線區(qū)域造成觸控失效，降低了靜電造成的觸控面板的不良率。但是，由于金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線結(jié)構(gòu)具有很多方格回路，導致接地線內(nèi)部回路面積過大、對外部信號具有很強的吸收、以及電流在閉合回路中產(chǎn)生的磁通量變化，也將會對觸控信號產(chǎn)生干擾，從而造成觸控失效。因此，在本實用新型實施例提供的一種接地線結(jié)構(gòu)、觸控面板及顯示裝置中，進一步地采用非金屬導電層覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了對金屬網(wǎng)格的填充，消除了金屬網(wǎng)格內(nèi)部的回路，從而在保持金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線的優(yōu)勢的情況下，有效解決了干擾觸控信號的問題。因此，在不影響附著力的條件下，取得了同時實現(xiàn)較寬接地線設(shè)計和避免干擾觸控信號的效果。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中接地線結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3為本實用新型實施例提供的接地線結(jié)構(gòu)的示意圖之一；

圖4為本實用新型實施例提供的接地線結(jié)構(gòu)的示意圖之二；

圖5為本實用新型實施例提供的觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖6為本實用新型實施例提供的觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖之二。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖，對本實用新型實施例提供的接地線結(jié)構(gòu)、觸控面板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。

附圖中各部件的形狀和大小不反映接地線結(jié)構(gòu)、觸控面板及顯示裝置中各部件的真實比例，目的只是示意說明本實用新型內(nèi)容。

本實用新型實施例提供一種接地線結(jié)構(gòu)，如圖3所示，可以包括：由金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線301，以及設(shè)置于接地線301的上層和/或下層且覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的非金屬導電層302。

具體地，在本實用新型實施例提供的上述接地線結(jié)構(gòu)具體可以有如下三種結(jié)構(gòu)，例如，可以包括：由金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線301，以及設(shè)置于接地線301的上層且覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的非金屬導電層302。又如，可以包括：由金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線301，以及設(shè)置于接地線301的下層且覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的非金屬導電層302。再如，可以包括：由金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線301，設(shè)置于接地線301的上層且覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的非金屬導電層302，以及設(shè)置于接地線301的下層且覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的非金屬導電層302。在此不做限定。

具體地，在本實用新型實施例提供的上述接地線結(jié)構(gòu)中，由于金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線301可以在不降低附著力的條件下，獲得較寬接地線設(shè)計，從而使得接地線301的阻抗降低，有效提高了抗靜電能力；且較寬的接地線301在觸摸屏的邊框處覆蓋了較大的水平面，極大地增大了對靜電的吸收，同時靜電作用區(qū)域可遠離接地線301保護的金屬走線102區(qū)域，實現(xiàn)了防止靜電竄入金屬走線102區(qū)域造成觸控失效，降低了靜電造成的觸控面板的不良率。但是，如圖2所示，由單獨的金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線結(jié)構(gòu)201具有很多方格回路，導致接地線結(jié)構(gòu)201內(nèi)部回路面積過大、對外部信號具有很強的吸收、以及電流在閉合回路中產(chǎn)生的磁通量變化，都將會對觸控信號產(chǎn)生干擾，從而造成觸控失效。因此，在本實用新型實施例提供的上述接地線結(jié)構(gòu)中，進一步地采用非金屬導電層302覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了對金屬網(wǎng)格的填充，消除了金屬網(wǎng)格內(nèi)部的回路，從而在保持金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線優(yōu)勢的情況下，有效解決了干擾觸控信號的問題。因此，在不影響附著力的條件下，取得了同時實現(xiàn)較寬接地線設(shè)計和避免干擾觸控信號的效果。

較佳地，在本實用新型實施例提供的上述接地線結(jié)構(gòu)中，非金屬導電層302的材料可以為氧化銦錫，當然也可以是其他材料，在此不做限定。

較佳地，為了增大對靜電的吸收幾率，在本實用新型實施例提供的上述接地線結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成接地線301的金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中最外側(cè)的線寬可以大于內(nèi)側(cè)的線寬。

具體地，在本實用新型實施例提供的上述接地線結(jié)構(gòu)中，如圖4所示，接地線結(jié)構(gòu)可以通過金屬面與集成電路(Integrated Circuit，IC)芯片搭接。為避免接地線結(jié)構(gòu)形成回路，可以在接地線結(jié)構(gòu)的金屬面搭接區(qū)域401之外的接地線結(jié)構(gòu)上設(shè)計斷開區(qū)域402，斷開區(qū)域402的截面可以為一斜面，或者，可以為一垂直面，當然，還可以為其他形狀，在此不做限定。

基于同一實用新型構(gòu)思，本實用新型實施例還提供了一種觸控面板，如圖5所示，包括：襯底基板501，設(shè)置于襯底基板501上的觸控電極502，與觸控電極502連接的金屬走線102，以及上述接地線結(jié)構(gòu)503；其中，相對于觸控電極502與金屬走線102，接地線結(jié)構(gòu)503設(shè)置于最鄰近襯底基板501的邊緣處。

在具體實施時，為在不增加額外的掩膜版與工藝制程的條件下，實現(xiàn)接地線結(jié)構(gòu)503，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，較佳地，可以將接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301與金屬走線102同層設(shè)置。

在具體實施時，為減少觸控面板中的膜層，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，觸控電極502具體可以包括：同層交叉設(shè)置且相互絕緣的觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極，以及橋接相鄰的觸控驅(qū)動電極或相鄰的觸控感應電極的橋接線。

具體地，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，以相鄰的觸控感應電極通過橋接線進行連接為例，如圖5所示，觸控電極502，可以包括：在列方向上連續(xù)設(shè)置的觸控驅(qū)動電極5021，和以連續(xù)設(shè)置的觸控驅(qū)動電極5021為間隔設(shè)置的觸控感應電極5022，以及在交錯點的位置將相鄰的觸控感應電極5022進行連接的通過橋接線504。相鄰的觸控感應電極5022通過橋接線504進行連接，從而可以形成行方向上連續(xù)的觸控感應電極5022。較佳地，橋接線504與連續(xù)設(shè)置的觸控驅(qū)動電極5021之間由絕緣層505分隔，從而有效地阻止觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022在交錯點短路。當然，還可以在行方向上設(shè)置連續(xù)的觸控驅(qū)動電極5021，在列方向上設(shè)置以觸控驅(qū)動電極5021為間隔的觸控感應電極5022，列方向上的觸控感應電極5022通過橋接線504連接，在此不做贅述。

在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，在橋接線504為金屬線時，可以采用如下方式但不限于如下方式在觸控面板中實現(xiàn)接地線結(jié)構(gòu)503：

當觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022的所在膜層設(shè)置于接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301所在膜層之上時，在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的上層的非金屬導電層302可以與觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022同層設(shè)置。這樣設(shè)置，可以在不增加額外的掩膜版與工藝制程的條件下，實現(xiàn)接地線結(jié)構(gòu)503。并且，當還存在在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的下層的非金屬導電層302時，在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的下層的非金屬導電層302可以單獨設(shè)置一個膜層。

當觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022的所在膜層設(shè)置于接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301所在膜層之下時，在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的下層的非金屬導電層302可以與觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022同層設(shè)置。并且，當還存在在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的上層的非金屬導電層302時，在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的上層的非金屬導電層302可以與橋接線504同層設(shè)置。這樣設(shè)置，可以在不增加額外的掩膜版與工藝制程的條件下，實現(xiàn)接地線結(jié)構(gòu)503。

較佳地，為在不增加額外的掩膜版與工藝制程的條件下，實現(xiàn)接地線結(jié)構(gòu)503，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，橋接線504可以與接地線結(jié)構(gòu)504中的接地線301同層設(shè)置。

在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，在橋接線504為氧化銦錫線時，可以采用如下方式但不限于如下方式在觸控面板中實現(xiàn)接地線結(jié)構(gòu)503：

當觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022的所在膜層以及橋接線504所在膜層均設(shè)置于接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301所在膜層之上時，在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的上層的非金屬導電層302可以與觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022同層設(shè)置，或可以與橋接線504所在膜層同層設(shè)置。這樣設(shè)置，可以在不增加額外的掩膜版與工藝制程的條件下，實現(xiàn)接地線結(jié)構(gòu)503。并且，當還存在在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的下層的非金屬導電層302時，在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的下層的非金屬導電層302可以單獨設(shè)置一個膜層。

當觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022的所在膜層以及橋接線504所在膜層均設(shè)置于接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301所在膜層之下時，在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的下層的非金屬導電層302可以與觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022同層設(shè)置，或與橋接線504所在膜層同層設(shè)置。這樣設(shè)置，可以在不增加額外的掩膜版與工藝制程的條件下，實現(xiàn)接地線結(jié)構(gòu)503。并且，當還存在在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的上層的非金屬導電層302時，在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的下層的非金屬導電層302可以單獨設(shè)置一個膜層。

當接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301所在膜層位于觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022的所在膜層以及橋接線504所在膜層之間時，在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的上層和下層的非金屬導電層302，分別與觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022同層設(shè)置，以及與橋接線504所在膜層同層設(shè)置。即接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301所在膜層與觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022的所在膜層以及橋接線504所在膜層之間的金屬走線102同層設(shè)置；在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的上層非金屬導電層302，可以與橋接線504所在膜層同層設(shè)置；在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的下層非金屬導電層302，可以與觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022的所在膜層所在膜層同層設(shè)置。

在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述觸控面板中，接地線結(jié)構(gòu)503的制作方式可以有多種，在此不做限定。例如，如圖6所示，可以以接地線結(jié)構(gòu)中包括由金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線301，以及設(shè)置于接地線301的上層且覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的非金屬導電層302；并且，接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301所在膜層與觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022的所在膜層以及橋接線504所在膜層之間的與金屬走線102同層設(shè)置；在接地線結(jié)構(gòu)503中的設(shè)置于接地線301的上層非金屬導電層302，與橋接線504所在膜層同層設(shè)置為例進行說明，在不增加掩膜版與額外制程的條件下，制作接地線結(jié)構(gòu)503的流程，具體如下：

首先，利用光刻技術(shù)在襯底基板501的邊框處形成黑色樹脂層601，以起到遮光作用，并防止漏光以及金屬走線102可見；

之后，在襯底基板501的邊框內(nèi)，利用光刻技術(shù)形成同層設(shè)置的觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022；

然后，在觸控驅(qū)動電極5021和觸控感應電極5022所在膜層上利用光刻技術(shù)形成金屬走線102和接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301，且金屬走線102和接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301在襯底基板501上的投影位于黑色樹脂層601所在區(qū)域；

再者，利用光刻技術(shù)在金屬走線102和接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301所在膜層上，形成絕緣層505；

隨后，利用光刻技術(shù)在絕緣層505所在膜層上，形成橋接相鄰的觸控感應電極5022的橋接線504和在接地線結(jié)構(gòu)503中的非金屬導電層302，且非金屬導電層302覆蓋接地線結(jié)構(gòu)503中的接地線301；

最后，利用光刻技術(shù)，在橋接線504和非金屬導電層302所在膜層上，形成絕緣保護層602，使各膜層與空氣絕緣。

基于同一實用新型構(gòu)思，本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括本實用新型實施例提供的上述觸控面板，該顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述觸控面板的實施例，重復之處不再贅述。

本實用新型實施例提供的上述接地線結(jié)構(gòu)、觸控面板及顯示裝置，包括：由金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線，以及設(shè)置于接地線的上層和/或下層且覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的非金屬導電層。由于金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線可以在不降低附著力的條件下，獲得較寬接地線設(shè)計，從而使得接地線的阻抗降低，有效提高了抗靜電能力；且較寬的接地線在觸摸屏的邊框處覆蓋了較大的水平面，極大地增大了對靜電的吸收，同時靜電作用區(qū)域可遠離接地線保護的走線區(qū)域，實現(xiàn)了防止靜電竄入金屬走線區(qū)域造成觸控失效，降低了靜電造成的觸控面板的不良率。但是，由于金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線結(jié)構(gòu)具有很多方格回路，導致接地線內(nèi)部回路面積過大、對外部信號具有很強的吸收、以及電流在閉合回路中產(chǎn)生的磁通量變化，也將會對觸控信號產(chǎn)生干擾，從而造成觸控失效。因此，在本實用新型實施例提供的上述接地線結(jié)構(gòu)、觸控面板及顯示裝置中，進一步地采用非金屬導電層覆蓋全部金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了對金屬網(wǎng)格的填充，消除了金屬網(wǎng)格內(nèi)部的回路，從而在保持金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接地線的優(yōu)勢的情況下，有效解決了干擾觸控信號的問題。因此，在不影響附著力的條件下，取得了同時實現(xiàn)較寬接地線設(shè)計和避免干擾觸控信號的效果。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。