本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種指紋識(shí)別單元及指紋識(shí)別方法、顯示基板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

指紋是手指表皮層上由呈線狀排列的凸起與凹陷形成的紋路。由于指紋具有終身不變性、唯一性等特點(diǎn)，指紋識(shí)別技術(shù)在手機(jī)、平板電腦和電視等諸多顯示裝置中得到了廣泛應(yīng)用。

如圖1所示，現(xiàn)有顯示裝置的顯示基板中包括柵線gate、數(shù)據(jù)線data以及多個(gè)識(shí)別單元11，其中，每個(gè)識(shí)別單元11包括薄膜晶體管22以及用于感測(cè)光信號(hào)并將所感測(cè)的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為光電流信號(hào)的光敏單元33。如圖2所示，當(dāng)手指置于光敏單元33的上方時(shí)，位于光敏單元33下方的光源44發(fā)出的光線入射至指谷(對(duì)應(yīng)指紋的凸起紋路)和指脊(對(duì)應(yīng)指紋的凹陷紋路)處，再經(jīng)由指谷和指脊反射，入射至光敏單元33中。由于經(jīng)由指谷反射至光敏單元33的光的強(qiáng)度大于經(jīng)由指脊反射至光敏器件的光的強(qiáng)度，因而指谷對(duì)應(yīng)的光電流信號(hào)的強(qiáng)度也就大于指脊對(duì)應(yīng)的光電流信號(hào)的強(qiáng)度，這時(shí)根據(jù)光電流強(qiáng)度的大小，就可對(duì)指紋的凸起紋路和凹陷紋路進(jìn)行辨別，進(jìn)而獲取完整的指紋圖案。

但是，如圖3所示，由于光敏單元33為半導(dǎo)體器件，當(dāng)手指置于光敏單元33上方時(shí)，光敏單元33除感測(cè)到光信號(hào)外，還會(huì)感測(cè)到手指的溫度信號(hào)，也就是說(shuō)，經(jīng)由光敏單元33轉(zhuǎn)換的電流信號(hào)包含了由溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)和由光信號(hào)轉(zhuǎn)換的光電流信號(hào)兩部分。由于指谷產(chǎn)生的熱量低于指脊產(chǎn)生的熱量，即指谷的溫度信號(hào)強(qiáng)度低于指脊的溫度信號(hào)強(qiáng)度，這樣一來(lái)，當(dāng)溫度電流信號(hào)和光電流信號(hào)相疊加時(shí)，指谷和指脊分別對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)的強(qiáng)度之間的大小差異會(huì)縮小，從而對(duì)指紋的凸起紋路和凹陷紋路的識(shí)別造成了嚴(yán)重干擾。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種指紋識(shí)別單元及指紋識(shí)別方法、顯示基板、顯示裝置，可避免指面的溫度信號(hào)對(duì)指紋識(shí)別造成干擾。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明的第一方面提供了一種指紋識(shí)別單元，包括溫度傳感器件、光敏器件、第一開(kāi)關(guān)器件和第二開(kāi)關(guān)器件；第一開(kāi)關(guān)器件的輸入端與所述溫度傳感器件的一端相連，所述溫度傳感器件的另一端與參考信號(hào)線相連，所述第二開(kāi)關(guān)器件的輸入端與所述光敏器件的一端相連，所述光敏器件的另一端與所述參考信號(hào)線相連；

所述溫度傳感器件用于感測(cè)指面的溫度信號(hào)，將所感測(cè)到的溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為溫度電流信號(hào)，所轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)器件的輸出端輸出；所述光敏器件用于感測(cè)指面的溫度信號(hào)以及感測(cè)指面反射的光信號(hào)，將所感測(cè)到的溫度信號(hào)和光信號(hào)轉(zhuǎn)換為總電流信號(hào)，所轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)器件的輸出端輸出，其中，所述總電流信號(hào)包括由溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)和由光信號(hào)轉(zhuǎn)換的光電流信號(hào)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明所提供的指紋識(shí)別單元中，包括有溫度傳感器件和光敏器件，在第一開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)時(shí)，經(jīng)由溫度傳感器件轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)可通過(guò)第一開(kāi)關(guān)器件輸出；在第二開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)時(shí)，經(jīng)由光敏器件轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)可通過(guò)第二開(kāi)關(guān)器件輸出。在獲取溫度電流信號(hào)和總電流信號(hào)后，將總電流信號(hào)的強(qiáng)度和溫度電流信號(hào)的強(qiáng)度做差，即可將總電流信號(hào)中的溫度電流信號(hào)抵消，得到由指面反射的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為的光電流信號(hào)的強(qiáng)度，這樣在根據(jù)所獲得的光電流信號(hào)的強(qiáng)度的大小，對(duì)指紋的凸起紋路和凹陷紋路進(jìn)行辨別時(shí)，就能夠消除指面的溫度信號(hào)帶來(lái)的干擾，準(zhǔn)確獲取光電流信號(hào)的強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)指紋的紋路的準(zhǔn)確識(shí)別。

本發(fā)明的第二方面提供了一種指紋識(shí)別方法，所述指紋識(shí)別方法應(yīng)用于如本發(fā)明的第一方面所述的指紋識(shí)別單元中，所述指紋識(shí)別方法包括：

溫度傳感器件感測(cè)指面的溫度信號(hào)，將所感測(cè)到的溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為溫度電流信號(hào)；光敏器件感測(cè)指面的溫度信號(hào)以及感測(cè)指面反射的光信號(hào)，將所感測(cè)到的溫度信號(hào)和光信號(hào)轉(zhuǎn)換為總電流信號(hào)，其中，所述總電流信號(hào)包括由溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為的溫度電流信號(hào)和由光信號(hào)轉(zhuǎn)換為的光電流信號(hào)；

控制第一開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)，控制所述溫度電流信號(hào)通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)器件輸出；控制第二開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)，控制所述總電流信號(hào)通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)器件輸出；

將所述總電流信號(hào)的強(qiáng)度和溫度電流信號(hào)的強(qiáng)度相減，得到所述光電流信號(hào)的強(qiáng)度；根據(jù)所述光電流信號(hào)的強(qiáng)度，對(duì)指紋進(jìn)行識(shí)別。

本發(fā)明所提供的指紋識(shí)別方法的有益效果與本發(fā)明的第一方面所提供的指紋識(shí)別單元的有益效果相同，此處不再贅述。

本發(fā)明的第三方面提供了一種顯示基板，包括多個(gè)如本發(fā)明的第一方面所述的指紋識(shí)別單元。

本發(fā)明所提供的顯示基板的有益效果與本發(fā)明的第一方面所提供的指紋識(shí)別單元的有益效果相同，此處不再贅述。

本發(fā)明的第四方面提供了一種顯示裝置，包括多個(gè)如本發(fā)明的第三方面所述的顯示基板。

本發(fā)明所提供的顯示裝置的有益效果與本發(fā)明的第一方面所提供的指紋識(shí)別單元的有益效果相同，此處不再贅述。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一中具體實(shí)施方式一所提供的指紋識(shí)別單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例一中具體實(shí)施方式一所提供的指紋識(shí)別單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例一中的具體實(shí)施方式二所提供的指紋識(shí)別單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例一中的具體實(shí)施方式二所提供的指紋識(shí)別單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8a為本發(fā)明實(shí)施例一中的具體實(shí)施方式三所提供的指紋識(shí)別單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8b為本發(fā)明實(shí)施例一中的具體實(shí)施方式三所提供的指紋識(shí)別單元的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的指紋識(shí)別單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的指紋識(shí)別方法的流程圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例三中的具體實(shí)施方式一所提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例三中的具體實(shí)施方式二所提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13a為本發(fā)明實(shí)施例三中的具體實(shí)施方式三所提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13b為本發(fā)明實(shí)施例三中的具體實(shí)施方式三所提供的顯示基板的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例三所提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

11-識(shí)別單元；22-薄膜晶體管；

33-光敏單元；44-光源；

1-溫度傳感器件；2-光敏器件；

3-第一開(kāi)關(guān)器件；4-第二開(kāi)關(guān)器件；

sigalline-參考信號(hào)線；data-數(shù)據(jù)線；

t1-第一薄膜晶體管；t2-第二薄膜晶體管；

gate1-第一柵線；gate2-第二柵線；

5-第一薄膜晶體管的柵極；6-第一薄膜晶體管的有源層；

7-柵極絕緣層；8-層間絕緣層；

9-第一薄膜晶體管的第一極；10-第一薄膜晶體管的第二極；

d1-溫度傳感二極管；11-溫度傳感二極管的pin層；

sl1-參考信號(hào)線的第一連接處；12-溫度傳感二極管的第一導(dǎo)電層；

13-溫度傳感二極管的第二導(dǎo)電層；14-金屬層；

15-第一過(guò)孔；16-第二薄膜晶體管的柵極；

17-第二薄膜晶體管的有源層；18-第二薄膜晶體管的第一極；

19-第二薄膜晶體管的第二極；d2-光敏二極管；

20-光敏二極管的pin層；21-光敏二極管的第一導(dǎo)電層；

22-光敏二極管的第二導(dǎo)電層；23-第二過(guò)孔；

sl2-參考信號(hào)線的第二連接處；24-平坦化層；

25-鈍化層；26-第一保護(hù)層；

27-第二保護(hù)層；28-第三保護(hù)層；

29-襯底基板；30-擋光層；

31-緩沖層；op-邏輯運(yùn)算器。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，均屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一

如圖4所示，本實(shí)施例提供了一種指紋識(shí)別單元，該指紋識(shí)別單元包括溫度傳感器件1、光敏器件2、第一開(kāi)關(guān)器件3和第二開(kāi)關(guān)器件4。其中，第一開(kāi)關(guān)器件3的輸入端與溫度傳感器件1的一端相連，溫度傳感器件1的另一端與參考信號(hào)線sigalline相連，第二開(kāi)關(guān)器件4的輸入端與光敏器件2的一端相連，光敏器件2的另一端也與參考信號(hào)線sigalline相連。

溫度傳感器件1用于感測(cè)指面的溫度信號(hào)，并將所感測(cè)到的溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為溫度電流信號(hào)，所轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)通過(guò)第一開(kāi)關(guān)器件3的輸出端輸出。光敏器件2用于感測(cè)指面的溫度信號(hào)以及感測(cè)指面反射的光信號(hào)，并將所感測(cè)到的溫度信號(hào)和光信號(hào)轉(zhuǎn)換為總電流信號(hào)，所轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)通過(guò)第二開(kāi)關(guān)器件4的輸出端輸出。其中，總電流信號(hào)包括由溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)和由光信號(hào)轉(zhuǎn)換的光電流信號(hào)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本實(shí)施例所提供的指紋識(shí)別單元中，包括有溫度傳感器件1和光敏器件2，在第一開(kāi)關(guān)器件3打開(kāi)時(shí)，經(jīng)由溫度傳感器件1轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)可通過(guò)第一開(kāi)關(guān)器件3輸出；在第二開(kāi)關(guān)器件4打開(kāi)時(shí)，經(jīng)由光敏器件2轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)可通過(guò)第二開(kāi)關(guān)器件4輸出。在獲取溫度電流信號(hào)和總電流信號(hào)后，將總電流信號(hào)的強(qiáng)度和溫度電流信號(hào)的強(qiáng)度做差，即可將總電流信號(hào)中的溫度電流信號(hào)抵消，得到由指面反射的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為的光電流信號(hào)的強(qiáng)度，這樣在根據(jù)所獲得的光電流信號(hào)的強(qiáng)度的大小，對(duì)指紋的凸起紋路和凹陷紋路進(jìn)行準(zhǔn)確辨別時(shí)，就能夠消除指面的溫度信號(hào)帶來(lái)的干擾，準(zhǔn)確獲取光電流信號(hào)的強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)指紋的紋路的準(zhǔn)確識(shí)別。

可選的，第一開(kāi)關(guān)器件和第二開(kāi)關(guān)器件具體可為薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，當(dāng)然也可以是其他開(kāi)關(guān)器件。

當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)器件和第二開(kāi)關(guān)器件為薄膜晶體管結(jié)構(gòu)時(shí)，下面通過(guò)三個(gè)具體實(shí)施方式，對(duì)本實(shí)施例所提供的指紋識(shí)別單元的工作原理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明：

具體實(shí)施方式一

如圖5所示，當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)器件為第一薄膜晶體管t1時(shí)，第一薄膜晶體管的柵極與第一柵線gate1相連，第一薄膜晶體管的第一極與溫度傳感器件1相連，第一薄膜晶體管的第二極與數(shù)據(jù)線data相連。當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)器件為第二薄膜晶體管t2時(shí)，第二薄膜晶體管的柵極與第二柵線gate2相連，第二薄膜晶體管的第一極與光敏器件2相連，第二薄膜晶體管的第二極與數(shù)據(jù)線data相連。

基于上述結(jié)構(gòu)，第一柵線gate1和第二柵線gate2可以在不同時(shí)刻分別向?qū)?yīng)的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)，從而控制第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2在不同時(shí)刻導(dǎo)通，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線data在不同時(shí)刻分別讀取經(jīng)由溫度傳感器件1轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)和經(jīng)由光敏器件2轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)。

優(yōu)選的，第一薄膜晶體管的第二極和第二薄膜晶體管的第二極共用。此時(shí)，第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2共用h型的導(dǎo)電溝道。如圖6所示，當(dāng)?shù)谝粬啪€gate1向第一薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)時(shí)，經(jīng)由溫度傳感器件1轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)通過(guò)h型導(dǎo)電溝道的上部傳輸至數(shù)據(jù)線data中。當(dāng)?shù)诙啪€gate2向第二薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)時(shí)，經(jīng)由光敏器件2轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)通過(guò)h型導(dǎo)電溝道的下部傳輸至數(shù)據(jù)線data中。其中，溫度電流信號(hào)的傳輸路徑用虛線箭頭表示，總電流信號(hào)的傳輸路徑用實(shí)線箭頭表示。

由于第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極分別在不同時(shí)刻接收導(dǎo)通信號(hào)，因此，即使第一薄膜晶體管的第二極和第二薄膜晶體管的第二極共用，數(shù)據(jù)線data同樣可以在不同時(shí)刻分別讀取溫度電流信號(hào)和總電流信號(hào)。此外，第一薄膜晶體管的第二極和第二薄膜晶體管的第二極共用，還可簡(jiǎn)化薄膜晶體管的制作工藝，降低薄膜晶體管的制作成本。

具體實(shí)施方式二

如圖7所示，當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)器件為第一薄膜晶體管t1時(shí)，第一薄膜晶體管的柵極與柵線gate相連，第一薄膜晶體管的第一極與溫度傳感器件1相連，第一薄膜晶體管的第二極與第一數(shù)據(jù)線data1相連。當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)器件為第二薄膜晶體管t2時(shí)，第二薄膜晶體管的柵極與柵線gate相連，第二薄膜晶體管的第一極與光敏器件2相連，第二薄膜晶體管的第二極與第二數(shù)據(jù)線data2相連。

基于上述結(jié)構(gòu)，當(dāng)柵線gate同時(shí)向第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)時(shí)，控制第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)，經(jīng)由溫度傳感器件1轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)通過(guò)第一數(shù)據(jù)線data1輸出，經(jīng)由光敏器件2轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)通過(guò)第二數(shù)據(jù)線data2輸出，即通過(guò)不同的數(shù)據(jù)線分別讀取溫度電流信號(hào)和總電流信號(hào)。

容易理解，在該具體實(shí)施中，參照具體實(shí)施方式一的設(shè)計(jì)方案，也可利用不同柵線，例如第一和第二柵線分別同時(shí)向第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)(在此情況下，工作機(jī)制與上述具體實(shí)施方式類似)；也可以利用不同柵線，例如第一和第二柵線分別在第一和第二時(shí)刻向第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)(在此情況下其工作機(jī)制與具體實(shí)施方式一類似)。

具體實(shí)施方式三

如圖8a所示，當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)器件為第一薄膜晶體管t1時(shí)，第一薄膜晶體管的柵極與第一柵線gate1相連，第一薄膜晶體管的第一極與溫度傳感器件1相連，第一薄膜晶體管的第二極與邏輯運(yùn)算器op的第一輸入端相連。當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)器件為第二薄膜晶體管t2時(shí)，第二薄膜晶體管的柵極與第二柵線gate2相連，第二薄膜晶體管的第一極與光敏器件2相連，第二薄膜晶體管的第二極與邏輯運(yùn)算器op的第二輸入端相連，邏輯運(yùn)算器op的輸出端與數(shù)據(jù)線data相連。

基于上述結(jié)構(gòu)，第一柵線gate1和第二柵線gate2可在同一時(shí)刻分別向第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)，控制第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2同時(shí)導(dǎo)通，邏輯運(yùn)算器op的第一輸入端和第二輸入端分別接收到溫度電流信號(hào)和總電流信號(hào)后，通過(guò)在邏輯運(yùn)算器op內(nèi)部進(jìn)行相減運(yùn)算，使得邏輯運(yùn)算器op的輸出端輸出總電流信號(hào)和溫度電流信號(hào)差值。

容易理解，在該具體實(shí)施中，參照具體實(shí)施方式二的方案，可通過(guò)同一柵線gate在同一時(shí)刻分別向第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)，如圖8b所示(在此情況下，工作機(jī)制與上述具體實(shí)施方式類似)。

需要說(shuō)明的是，第一薄膜晶體管的第二極和第二薄膜晶體管的第二極可以為源極，也可以為漏極，具體根據(jù)薄膜晶體管的類型確定，本實(shí)施例對(duì)此不作具體限定。

可選的，溫度傳感器件1具體可為溫度傳感二極管，光敏器件2具體可為光敏二極管。

以具體實(shí)施方式一所提供的指紋識(shí)別單元的結(jié)構(gòu)為例，下面結(jié)合圖9所示的指紋識(shí)別單元的膜層結(jié)構(gòu)示意圖，對(duì)指紋識(shí)別單元各組成部分的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明：

第一薄膜晶體管t1為頂柵結(jié)構(gòu)，第一薄膜晶體管的柵極5設(shè)于第一薄膜晶體管的有源層6上方，第一薄膜晶體管的柵極5與第一柵線gate1相連(圖中未示出)。第一薄膜晶體管的柵極5與第一薄膜晶體管的有源層6之間形成有覆蓋第一薄膜晶體管的有源層6的柵極絕緣層7，柵極絕緣層7朝向第一薄膜晶體管的柵極5的表面形成有層間絕緣層8。第一薄膜晶體管的第一極9和第一薄膜晶體管的第二極10分別位于層間絕緣層8背向柵極絕緣層7的表面，第一薄膜晶體管的第一極9與溫度傳感二極管d1相連，第一薄膜晶體管的第二極10與數(shù)據(jù)線data相連(圖中未示出)，第一薄膜晶體管的第一極9和第一薄膜晶體管的第二極10分別穿過(guò)層間絕緣層8和柵極絕緣層7與第一薄膜晶體管的有源層6連接。

溫度傳感二極管d1具體包括溫度傳感二極管的pin層11以及覆蓋溫度傳感二極管的pin層11的遮光導(dǎo)電層。其中，遮光導(dǎo)電層用于遮擋光信號(hào)，以及感測(cè)指面的溫度信號(hào)。溫度傳感二極管的pin層11背向遮光導(dǎo)電層的一側(cè)與第一薄膜晶體管的第一極9相連，溫度傳感二極管的pin層11的另一側(cè)通過(guò)遮光導(dǎo)電層與參考信號(hào)線相連。

由于溫度傳感二極管d1包括覆蓋溫度傳感二極管的pin層11的遮光導(dǎo)電層，因此，當(dāng)手指位于溫度傳感二極管d1上方時(shí)，溫度傳感二極管d1無(wú)法感測(cè)到經(jīng)由指面反射的光信號(hào)，保證了溫度傳感二極管d1僅能感測(cè)到指面的溫度信號(hào)。這樣一來(lái)，后續(xù)對(duì)總電流信號(hào)和溫度電流信號(hào)的強(qiáng)度做差時(shí)，可保證準(zhǔn)確獲取光電流信號(hào)的強(qiáng)度。

具體的，遮光導(dǎo)電層包括溫度傳感二極管的第一導(dǎo)電層12、溫度傳感二極管的第二導(dǎo)電層13和金屬層14。其中，溫度傳感二極管的第一導(dǎo)電層12覆蓋溫度傳感二極管的pin層11，金屬層14與溫度傳感二極管的第二導(dǎo)電層13的位置關(guān)系可有如下兩種情況：

一、請(qǐng)繼續(xù)參見(jiàn)圖9，金屬層14位于溫度傳感二極管的第一導(dǎo)電層12背向溫度傳感二極管的pin層11的表面，溫度傳感二極管的第二導(dǎo)電層13位于金屬層14背向溫度傳感二極管的第一導(dǎo)電層12的表面。金屬層14分別通過(guò)設(shè)于層間絕緣層8上的第一過(guò)孔15和參考信號(hào)線的第一連接處sl1與參考信號(hào)線相連，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)溫度傳感二極管的pin層11與參考信號(hào)線的電連接。

二、溫度傳感二極管的第二導(dǎo)電層13位于溫度傳感二極管的第一導(dǎo)電層12背向溫度傳感二極管的pin層11的表面，金屬層14位于溫度傳感二極管的第二導(dǎo)電層13背向溫度傳感二極管的第一導(dǎo)電層12的表面。溫度傳感二極管的第二導(dǎo)電層13通過(guò)分別通過(guò)設(shè)于層間絕緣層8上的第一過(guò)孔15和參考信號(hào)線的第一連接處sl1與參考信號(hào)線相連，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)溫度傳感二極管的pin層11與參考信號(hào)線的電連接。

在溫度傳感二極管的pin層11上覆蓋一層溫度傳感二極管的第一導(dǎo)電層12，一方面，溫度傳感二極管的第一導(dǎo)電層12可以進(jìn)行導(dǎo)電，將溫度電流信號(hào)傳輸至第一薄膜晶體管t1中；另一方面，在后續(xù)的刻蝕工藝中，溫度傳感二極管的第一導(dǎo)電層12還可以保護(hù)溫度傳感二極管的pin層11不受刻蝕液的污染，進(jìn)而保護(hù)溫度傳感二極管d1的性能不受影響。

與第一薄膜晶體管t1類似，第二薄膜晶體管t2也為頂柵結(jié)構(gòu)，第二薄膜晶體管的柵極16設(shè)于第二薄膜晶體管的有源層17上方，第二薄膜晶體管的柵極16與第二柵線gate2相連(圖中未示出)，第二薄膜晶體管的第一極18和第二薄膜晶體管的第二極19位于層間絕緣層8背向柵極絕緣層7的表面，第二薄膜晶體管的第一極18與光敏二極管d2相連，第二薄膜晶體管的第二極19與數(shù)據(jù)線data相連(圖中未示出)，第二薄膜晶體管的第一極18和第二薄膜晶體管的第二極19分別穿過(guò)層間絕緣層8和柵極絕緣層7與第二薄膜晶體管的有源層17連接。

光敏二極管d2包括光敏二極管的pin層20。光敏二極管的pin層20的一側(cè)與第二薄膜晶體管的第一極18相連，光敏二極管的pin層20的另一側(cè)與參考信號(hào)線相連。

此外，請(qǐng)繼續(xù)參見(jiàn)圖9，光敏二極管還可包括覆蓋光敏二極管的pin層20的導(dǎo)電層。導(dǎo)電層具體包括光敏二極管的第一導(dǎo)電層21和光敏二極管的第二導(dǎo)電層22。光敏二極管的第一導(dǎo)電層21覆蓋光敏二極管的pin層20，光敏二極管的第二導(dǎo)電層位于光敏二極管的第一導(dǎo)電層背向光敏二極管的pin層20的表面，光敏二極管的第二導(dǎo)電層分別通過(guò)設(shè)于層間絕緣層8上的第二過(guò)孔23和參考信號(hào)線的第二連接處sl2與參考信號(hào)線相連，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)光敏二極管的pin層20與參考信號(hào)線的電連接。

在光敏二極管的pin層20上覆蓋一層光敏二極管的第一導(dǎo)電層21，一方面，光敏二極管的第一導(dǎo)電層21可以進(jìn)行導(dǎo)電，將總電信號(hào)傳輸至第二薄膜晶體管t2中；另一方面，在后續(xù)的刻蝕工藝中，光敏二極管的第一導(dǎo)電層21還可以保護(hù)光敏二極管的pin層20不受刻蝕液的污染，進(jìn)而保護(hù)光敏二極管d2的性能不受影響。

具體的，第一薄膜晶體管的有源層6和第二薄膜晶體管的有源層17具體可由銦鎵鋅氧化物或多晶硅材料制成。

可以理解的是，在層間絕緣層8背向柵極絕緣層7的表面可形成有用于實(shí)現(xiàn)膜層平坦化的平坦化層24，在平坦化層24背向?qū)娱g絕緣層8的表面還可形成起保護(hù)作用的鈍化層25。

此外，為了防止外部光線照射到第一薄膜晶體管的有源層6和第二薄膜晶體管的有源層17上，對(duì)第一薄膜晶體管的有源層6和第二薄膜晶體管的有源層17產(chǎn)生不良影響，可在平坦化層24背向?qū)娱g絕緣層8的表面形成用于遮光的第一保護(hù)層26，其中，第一保護(hù)層26與第一薄膜晶體管的有源層6和第二薄膜晶體管的有源層17的位置相對(duì)應(yīng)。

在形成溫度傳感二極管d1和光敏二極管d2時(shí)，為了防止第一薄膜晶體管的第一極9和第二薄膜晶體管的第一極18被刻蝕液污染，可分別在溫度傳感二極管的pin層11與第一薄膜晶體管的第一極9之間、光敏二極管的pin層20與第二薄膜晶體管的第一極18之間形成第二保護(hù)層27。

同樣的，為了防止參考信號(hào)線的第一連接處sl1和第二連接處sl2被刻蝕液污染，可在層間絕緣層8背向柵極絕緣層7的表面形成第三保護(hù)層28，其中，第三保護(hù)層28與第一連接處sl1和第一連接處sl2的位置相對(duì)應(yīng)。

其中，第一保護(hù)層26、第二保護(hù)層27和第三保護(hù)層28可為金屬材料制作的能夠?qū)щ姷哪印?/p>

可以理解的是，在溫度傳感二極管的pin層11和光敏二極管的pin層20中，分別包含p型半導(dǎo)體層、i型本征半導(dǎo)體層以及n型半導(dǎo)體層。其中，i型本征半導(dǎo)體層位于p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層之間，而對(duì)于p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層的相對(duì)位置關(guān)系，本實(shí)施例對(duì)此不作限定，只需保證在p型半導(dǎo)體層上施加的電壓小于在n型半導(dǎo)體層上施加的電壓，即保證溫度傳感二極管d1和光敏二極管d2處于反偏狀態(tài)即可。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)光敏器件2為光敏二極管d2時(shí)，在指紋識(shí)別過(guò)程中，光敏二極管d2自身會(huì)產(chǎn)生暗電流信號(hào)，即，通過(guò)光敏二極管d2獲取的總電流信號(hào)中，除包含有光電流信號(hào)、溫度電流信號(hào)外，還會(huì)包含有暗電流信號(hào)，暗電流信號(hào)的存在，也會(huì)對(duì)指紋識(shí)別帶來(lái)干擾。而在本實(shí)施例所提供的指紋識(shí)別單元中，增設(shè)了溫度傳感二極管d1，由于溫度傳感二極管d1自身同樣會(huì)產(chǎn)生暗電流信號(hào)，因此，通過(guò)溫度傳感二極管d1獲取的溫度電流信號(hào)中，也會(huì)包含有暗電流信號(hào)。這樣一來(lái)，將光敏二極管d2轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)的強(qiáng)度和溫度傳感二極管d1轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)的強(qiáng)度做差時(shí)，會(huì)將總電流信號(hào)中所包含的暗電流信號(hào)抵消，從而進(jìn)一步準(zhǔn)確獲取光電流信號(hào)，避免了暗電流信號(hào)對(duì)指紋識(shí)別帶來(lái)的干擾。

實(shí)施例二

如圖10所示，本實(shí)施例提供了一種指紋識(shí)別方法，該指紋識(shí)別方法應(yīng)用于如實(shí)施例一所述的指紋識(shí)別單元中。

該指紋識(shí)別方法包括：步驟s1：溫度傳感器件感測(cè)指面的溫度信號(hào)，將所感測(cè)到的溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為溫度電流信號(hào)。光敏器件感測(cè)指面的溫度信號(hào)以及感測(cè)指面反射的光信號(hào)，將所感測(cè)到的溫度信號(hào)和光信號(hào)轉(zhuǎn)換為總電流信號(hào)，其中，總電流信號(hào)包括由溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為的溫度電流信號(hào)和由光信號(hào)轉(zhuǎn)換為的光電流信號(hào)。

步驟s2：控制第一開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)，控制所述溫度電流信號(hào)通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)器件輸出；控制第二開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)，控制所述總電流信號(hào)通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)器件輸出。

步驟s3：將總電流信號(hào)的強(qiáng)度和溫度電流信號(hào)的強(qiáng)度相減，得到光電流信號(hào)的強(qiáng)度。

步驟s4：根據(jù)光電流信號(hào)的強(qiáng)度，對(duì)指紋進(jìn)行識(shí)別。

在本實(shí)施例所提供的指紋識(shí)別方法中，通過(guò)溫度傳感器件感測(cè)指面的溫度信號(hào)，并將所感測(cè)到的溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為溫度電流信號(hào)。通過(guò)光敏器件感測(cè)指面的溫度信號(hào)以及感測(cè)指面反射的光信號(hào)，并將所感測(cè)到的溫度信號(hào)和光信號(hào)轉(zhuǎn)換為總電流信號(hào)。在獲取溫度電流信號(hào)和總電流信號(hào)后，將總電流信號(hào)的強(qiáng)度和溫度電流信號(hào)的強(qiáng)度做差，即可將總電流信號(hào)中的溫度電流信號(hào)抵消，得到由指面反射的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為的光電流信號(hào)的強(qiáng)度，然后在根據(jù)所獲得的光電流信號(hào)的強(qiáng)度的大小，對(duì)指紋的凸起紋路和凹陷紋路進(jìn)行準(zhǔn)確辨別時(shí)，就能夠消除指面的溫度信號(hào)帶來(lái)的干擾，準(zhǔn)確獲取光電流信號(hào)的強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)指紋的紋路的準(zhǔn)確識(shí)別。

當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)器件為第一薄膜晶體管、第二開(kāi)關(guān)器件為第二薄膜晶體管時(shí)，基于實(shí)施例一中所提供的三種具體實(shí)施方式，在本實(shí)施例所提供的指紋識(shí)別方法中，控制第一開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)，控制溫度電流信號(hào)通過(guò)第一開(kāi)關(guān)器件輸出；控制第二開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)，控制總電流信號(hào)通過(guò)第二開(kāi)關(guān)器件輸出具體可包括三種情況：

第一種情況：在第一時(shí)刻，第一柵線向第一薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)，控制第一薄膜晶體管導(dǎo)通，溫度電流信號(hào)通過(guò)第一薄膜晶體管的第二極傳輸至數(shù)據(jù)線；在第二時(shí)刻，第二柵線向第二薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)，控制第二薄膜晶體管導(dǎo)通，總電流信號(hào)通過(guò)第二薄膜晶體管的第二極傳輸至數(shù)據(jù)線。

第一柵線和第二柵線可以在不同時(shí)刻分別向?qū)?yīng)的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)，從而控制第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管在不同時(shí)刻導(dǎo)通，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線在不同時(shí)刻分別讀取經(jīng)由溫度傳感器件轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)和經(jīng)由光敏器件轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)。

需要說(shuō)明的是，在第一種情況中，只需令第一開(kāi)關(guān)器件和第二開(kāi)關(guān)器件在不同時(shí)刻打開(kāi)即可，第一開(kāi)關(guān)器件可先于第二開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)，也可后于第二開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)。如上所述的第一時(shí)刻和第二時(shí)刻并非是對(duì)第一開(kāi)關(guān)器件、第二開(kāi)關(guān)器件的打開(kāi)先后順序的限定，僅是為體現(xiàn)出第一開(kāi)關(guān)器件和第二開(kāi)關(guān)器件的打開(kāi)時(shí)刻不同。

第二種情況：在同一時(shí)刻，柵線向第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)，控制第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管同時(shí)導(dǎo)通，溫度電流信號(hào)通過(guò)第一薄膜晶體管的第二極傳輸至第一數(shù)據(jù)線，總電流信號(hào)通過(guò)第二薄膜晶體管的第二極傳輸至第二數(shù)據(jù)線。

當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管和第二薄膜晶體管同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，經(jīng)由溫度傳感器件轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)通過(guò)第一數(shù)據(jù)線輸出，經(jīng)由光敏器件轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)通過(guò)第二數(shù)據(jù)線輸出，即通過(guò)不同的數(shù)據(jù)線分別讀取溫度電流信號(hào)和總電流信號(hào)。

容易理解，參照第一種情況，在第二種情況下也可以采取類似的方案。

第三種情況：在同一時(shí)刻，向第一薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)，向第二薄膜晶體管的柵極提供導(dǎo)通信號(hào)，控制第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管同時(shí)導(dǎo)通，溫度電流信號(hào)通過(guò)第一薄膜晶體管的第二極傳輸至邏輯運(yùn)算器的第一輸入端，總電流信號(hào)通過(guò)第二薄膜晶體管的第二極傳輸至邏輯運(yùn)算器的第二輸入端。

邏輯運(yùn)算器的第一輸入端和第二輸入端分別接收到溫度電流信號(hào)和總電流信號(hào)后，可在邏輯運(yùn)算器內(nèi)部實(shí)現(xiàn)相減運(yùn)算，使得邏輯運(yùn)算器的輸出端直接輸出總電流信號(hào)和溫度電流信號(hào)差值，即通過(guò)與邏輯運(yùn)算器的輸出端相連的數(shù)據(jù)線直接獲取光電流信號(hào)。

容易理解，可通過(guò)同一柵線或不同柵線向第一和第二薄膜晶體管同時(shí)提供導(dǎo)通信號(hào)。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供了一種顯示基板，包括多個(gè)如實(shí)施例一所述的指紋識(shí)別單元。

由于本實(shí)施例所提供的顯示基板包括多個(gè)如實(shí)施例一所述的指紋識(shí)別單元，因此，采用本實(shí)施例所提供的顯示基板，在指紋識(shí)別過(guò)程中，可消除指面的溫度信號(hào)帶來(lái)的干擾，準(zhǔn)確獲取光電流信號(hào)的強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)指紋的紋路的準(zhǔn)確識(shí)別。

當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)器件為第一薄膜晶體管、第二開(kāi)關(guān)器件為第二薄膜晶體管時(shí)，顯示基板還包括n個(gè)數(shù)據(jù)線組和m個(gè)柵線組，多個(gè)指紋識(shí)別單元呈m行n列排列，n列指紋識(shí)別單元與n個(gè)數(shù)據(jù)線組一一對(duì)應(yīng)，m行指紋識(shí)別單元與m個(gè)柵線組一一對(duì)應(yīng)。

基于實(shí)施例一中所提供的三種具體實(shí)施方式，與之對(duì)應(yīng)的，顯示基板的結(jié)構(gòu)具體可包括以下三種具體實(shí)施方式：

具體實(shí)施方式一

如圖11所示，每個(gè)柵線組包括第一柵線gate1和第二柵線gate2，每個(gè)數(shù)據(jù)線組包括一條數(shù)據(jù)線data。以m＝2、n＝3為例，第一開(kāi)關(guān)器件為第一薄膜晶體管t1、第二開(kāi)關(guān)器件為第二薄膜晶體管t2、溫度傳感器件為溫度傳感二極管d1、光敏器件為光敏二極管d2，基于上述指紋識(shí)別單元的排布方式，具體的，每行指紋識(shí)別單元中的3個(gè)指紋識(shí)別單元所包括的第一薄膜晶體管的柵極分別與對(duì)應(yīng)的柵線組中的第一柵線gate1相連，每行指紋識(shí)別單元中的3個(gè)指紋識(shí)別單元的第二薄膜晶體管的柵極分別與對(duì)應(yīng)的柵線組中的第二柵線gate2相連。每列指紋識(shí)別單元中的2個(gè)指紋識(shí)別單元所包括的第一薄膜晶體管的第二極分別與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線data相連，每列指紋識(shí)別單元中的2個(gè)指紋識(shí)別單元所包括的第二薄膜晶體管的第二極分別與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線data相連。

當(dāng)顯示基板包括多行指紋識(shí)別單元時(shí)，數(shù)據(jù)線data需逐行對(duì)指紋識(shí)別單元所轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)和總電流信號(hào)進(jìn)行讀取。以m＝2為例，當(dāng)m＝2時(shí)，指紋識(shí)別周期包括兩個(gè)時(shí)段，在第一時(shí)段的第一時(shí)刻，第一個(gè)柵線組所包括的第一柵線gate1向第一行的3個(gè)第一薄膜晶體管的柵極分別提供導(dǎo)通信號(hào)，控制第一行的3個(gè)第一薄膜晶體管t1導(dǎo)通，經(jīng)由第一行的3個(gè)溫度傳感二極管d1轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)通過(guò)對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管t1傳輸至數(shù)據(jù)線data中，使數(shù)據(jù)線data讀取溫度電流信號(hào)。在第一時(shí)段的第二時(shí)刻，第一個(gè)柵線組所包括的第二柵線gate2開(kāi)始向第一行的3個(gè)第二薄膜晶體管的柵極分別提供導(dǎo)通信號(hào)，控制第一行的3個(gè)第二薄膜晶體管t2導(dǎo)通，經(jīng)由第一行的3個(gè)光敏二極管d2轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)通過(guò)對(duì)應(yīng)的第二薄膜晶體管t2傳輸至數(shù)據(jù)線data中，使數(shù)據(jù)線data讀取總電流信號(hào)。

在第二時(shí)段的第一時(shí)刻，第二個(gè)柵線組所包括的第一柵線gate1向第二行的3個(gè)第一薄膜晶體管的柵極分別提供導(dǎo)通信號(hào)，控制第二行的3個(gè)第一薄膜晶體管t1導(dǎo)通，經(jīng)由第二行的3個(gè)溫度傳感二極管d1轉(zhuǎn)換的溫度電流信號(hào)通過(guò)對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管t1傳輸至數(shù)據(jù)線data中，使數(shù)據(jù)線data讀取溫度電流信號(hào)。在第二時(shí)段的第二時(shí)刻，第二個(gè)柵線組所包括的第一柵線gate1停止提供導(dǎo)通信號(hào)，第二個(gè)柵線組所包括的第二柵線gate2開(kāi)始向第二行的3個(gè)第二薄膜晶體管的柵極分別提供導(dǎo)通信號(hào)，控制第二行的3個(gè)第二薄膜晶體管t2導(dǎo)通，經(jīng)由第二行光敏二極管d2轉(zhuǎn)換的總電流信號(hào)通過(guò)對(duì)應(yīng)的第二薄膜晶體管t2傳輸至數(shù)據(jù)線data中，使數(shù)據(jù)線data讀取總電流信號(hào)。

具體實(shí)施方式二

如圖12所示，每個(gè)柵線組包括一條柵線gate，每個(gè)數(shù)據(jù)線組包括第一數(shù)據(jù)線data1和第二數(shù)據(jù)線data2。以m＝2、n＝3為例，基于上述指紋識(shí)別單元的排布方式，具體的，每行指紋識(shí)別單元中的3個(gè)指紋識(shí)別單元所包括的第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極分別與對(duì)應(yīng)的柵線組中的柵線gate相連。每列指紋識(shí)別單元中的2個(gè)指紋識(shí)別單元所包括的第一薄膜晶體管的第二極分別與對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線data1相連，每列指紋識(shí)別單元中的2個(gè)指紋識(shí)別單元所包括的第二薄膜晶體管的第二極分別與對(duì)應(yīng)的第二數(shù)據(jù)線data2相連。

具體實(shí)施方式三

如圖13a所示，顯示基板還包括與m×n個(gè)指紋識(shí)別單元一一對(duì)應(yīng)的m×n個(gè)邏輯運(yùn)算器op，每個(gè)柵線組包括第一柵線gate1和第二柵線gate2，每個(gè)數(shù)據(jù)線組包括一條數(shù)據(jù)線data。以m＝2、n＝3為例，基于上述指紋識(shí)別單元的排布方式，具體的，每行指紋識(shí)別單元中的3個(gè)指紋識(shí)別單元所包括的第一薄膜晶體管的柵極分別與對(duì)應(yīng)的柵線組中的第一柵線gate1相連，每行指紋識(shí)別單元中的3個(gè)指紋識(shí)別單元的第二薄膜晶體管的柵極分別與對(duì)應(yīng)的柵線組中的第二柵線gate2相連。每列指紋識(shí)別單元中的2個(gè)指紋識(shí)別單元所包括的第一薄膜晶體管的第二極分別與對(duì)應(yīng)的邏輯運(yùn)算器op的第一輸入端相連，每列指紋識(shí)別單元中的2個(gè)指紋識(shí)別單元所包括的第二薄膜晶體管的第二極分別與對(duì)應(yīng)的邏輯運(yùn)算器op的第二輸入端相連，邏輯運(yùn)算器op的輸出端與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線data相連。

在該具體實(shí)施方式三的一種實(shí)現(xiàn)中，每個(gè)柵線組可以只包括一條柵線gate，第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極分別與對(duì)應(yīng)的柵線組中的柵線gate相連，如圖13b所示的結(jié)構(gòu)。

可以理解的是，在圖11～圖13b中，顯示基板還包括參考信號(hào)線sigalline，各指紋識(shí)別單元中的溫度傳感二極管d1分別通過(guò)參考信號(hào)線的第一連接處sl1與參考信號(hào)線sigalline相連(圖中未示出)，各指紋識(shí)別單元中的光敏二極管d2分別通過(guò)參考信號(hào)線的第二連接處sl2與參考信號(hào)線sigalline相連(圖中未示出)。

基于實(shí)施例一中圖9所示的指紋識(shí)別單元的膜層結(jié)構(gòu)，如圖14所示，在本實(shí)施例所提供的顯示基板中，在襯底基板29對(duì)應(yīng)各指紋識(shí)別單元中所包括的溫度傳感二極管d1和光敏二極管d2的部分形成有擋光層30。擋光層30可以防止背光源發(fā)出的背光入射至溫度傳感二極管d1和光敏二極管d2中，進(jìn)而防止背光對(duì)溫度傳感二極管d1和光敏二極管d2感測(cè)外部信號(hào)帶來(lái)干擾。此外，在擋光層30背向襯底基板29的表面還可形成一層緩沖層31，所形成的緩沖層31覆蓋擋光層30。

實(shí)施例四

本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括如實(shí)施例三所述的顯示基板。

由于本實(shí)施例所提供的顯示裝置包括如實(shí)施例三所述的顯示基板，因此，采用本實(shí)施例所提供的顯示裝置，在指紋識(shí)別過(guò)程中，可消除指面的溫度信號(hào)帶來(lái)的干擾，準(zhǔn)確獲取光電流信號(hào)的強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)指紋的紋路的準(zhǔn)確識(shí)別。

以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。