本發(fā)明涉及電子設備的觸控技術領域,特別是涉及一種蓋板制作方法、蓋板及終端。
背景技術:
隨著信息技術和平面顯示技術的迅速發(fā)展,觸摸屏已作為時代進步的標志在各行各業(yè)中都有舉足輕重的地位,尤其是在智能手機、平板電腦等電子產品中更是占據了大部分的市場份額。同時,消費者對于觸摸屏產品的大量需求與行業(yè)的技術進步也更進一步的促進了觸摸屏技術的不斷發(fā)展。
而就觖摸屏本身來說,玻璃蓋板是觸摸屏最外層的保護元件,對性能的要求非常高,需要具備高透光率、抗劃傷、抗沖擊和輕便性等特點,一般采用1mm以下的超薄玻璃,如今常用的有0.7mm的鈉鈣玻璃、硅鋁玻璃和硼硅玻璃,然而,在人們享受超薄玻璃所帶來的好處的同時,也承受著超薄玻璃的弊端,即其力學性能較差,容易出現抗劃傷和抗沖擊等性能差的問題。
現有技術中為了提高手機觸摸屏蓋板的抗劃傷和抗沖擊性能,也有采用價格昂貴的藍寶石作為相應蓋板,但成本相應過高。
技術實現要素:
本發(fā)明的目的在于,提供一種蓋板制作方法、蓋板及終端,通過在蓋板上設置一層類金剛石鍍膜層,提高了蓋板的耐刮傷性、耐磨性能及抗碎性,同時通過在蓋板上設置一層af鍍膜層,提高了蓋板的防指紋性能,改善用戶的體驗。
本發(fā)明提供一種蓋板,包括:蓋板基材、類金剛石鍍膜層及af鍍膜層;所述af鍍膜層位于所述蓋板基材的一表面上,所述類金剛石鍍膜層位于所述蓋板基材與所述af鍍膜層之間。
進一步地,所述類金剛石鍍膜層摻雜有預設元素。
進一步地,所述預設元素為硅元素、氟元素、氮元素、磷元素、硼元素、碘元素或鍺元素。
進一步地,所述類金剛石鍍膜層采用真空蒸發(fā)離子輔助沉積生成。
進一步地,所述類金剛石鍍膜層的厚度為10μm到20μm。
進一步地,所述af鍍膜層的厚度為10μm到20μm。
本發(fā)明還提供一種終端,所述終端包括如上所述的蓋板。
本發(fā)明還提供一種蓋板制作方法,包括:提供一基材作為基底層;在所述基底層上沉積類金剛石鍍膜層;在所述類金剛石鍍膜層上形成af鍍膜層。
進一步地,所述類金剛石鍍膜層采用真空蒸發(fā)離子輔助沉積生成。
本發(fā)明提供的蓋板制作方法、蓋板及終端,通過在蓋板上設置一層類金剛石鍍膜層,提高了蓋板的耐刮傷性、耐磨性能及抗碎性,同時通過在蓋板上設置一層af鍍膜層,提高了蓋板的防指紋性能,改善用戶的體驗。
上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段,而可依照說明書的內容予以實施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,并配合附圖,詳細說明如下。
附圖說明
圖1為本發(fā)明第一實施例提供的蓋板的結構示意圖。
圖2為本發(fā)明第二實施例提供的蓋板制作方法到的流程示意圖。
圖3為本發(fā)明第三實施例提供的終端的結構示意圖。
圖4為一種終端的結構示意圖。
具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效,以下結合附圖及較佳實施例,對依據本發(fā)明提出的終端啟動方法、裝置及終端其具體實施方式、方法、步驟、結構、特征及其功效,詳細說明如下。
有關本發(fā)明的前述及其他技術內容、特點及功效,在以下配合參考圖式的較佳實施例的詳細說明中將可清楚呈現。通過具體實施方式的說明,當可對本發(fā)明為達成預定目的所采取的技術手段及功效得以更加深入且具體的了解,然而所附圖式僅是提供參考與說明之用,并非用來對本發(fā)明加以限制。
圖1為本發(fā)明第一實施例提供的蓋板的結構示意圖。如圖1所示,蓋板10包括蓋板基材12、類金剛石(diamond-likecarbon,dlc)鍍膜層14及af鍍膜層16。該af鍍膜層16位于該蓋板基材12的一表面上,該類金剛石鍍膜層14位于該蓋板基材12與該af鍍膜層16之間。
具體地,在本實施例中,蓋板基材12可以但不限于為玻璃,例如,玻璃可以是鈉鈣玻璃、硅鋁玻璃和硼硅玻璃等等。
具體地,該類金剛石鍍膜層14的第一表面設置于該蓋板基材12的一表面上,該af鍍膜層16的一表面設置于該類金剛石鍍膜層14的第二表面上。類金剛石鍍膜是一種非晶碳膜,它同時含有類似于金剛石的sp3雜化鍵(sp3鍵)與類似于石墨的sp2雜化鍵(sp2鍵),國際上定義類金剛石薄膜為硬度超過金剛石硬度20%的絕緣硬質無定形碳膜。
具體地,在一實施方式中,類金剛石鍍膜層14采用真空蒸發(fā)離子輔助沉積生成。具體地,在真空腔內用蒸發(fā)源(電子束)將sp3雜化碳原子和sp2雜化碳原子以一定比例混合后沉積在蓋板基片上,同時利用離子轟擊類金剛石鍍膜層14,以獲得比離子注入層更厚、比蒸發(fā)鍍膜法附著力更大的高性能致密類金剛石鍍膜層14,從而有利于增強類金剛石薄膜的摩擦學性能,但并不限于此。例如,在其他實施例中,在蓋板基材12上還可通過其他制備方法制備類金剛石鍍膜層14,可以但不限于包括物理氣相沉積、化學氣相沉積以及液相沉積三大類,而三大類下又分為很多小類,工業(yè)生產常用物理氣相沉積中的濺射沉積技術、真空蒸發(fā)鍍膜技術及真空離子鍍膜技術等等,其中就需要先制作碳源部件,當作沉積原料。具體地,在生活中細小沙子、臟污物、金屬等都有可能對終端屏幕造成不可逆轉的損傷,帶來觸控體驗不佳、影響美觀、影響視覺效果等問題。而通過在蓋板基材12的一表面上沉積一層類金剛石鍍膜層14,在類金剛石鍍膜層14的強大硬度可有效減緩以上物質對終端屏幕的磨損,從而提高產品的使用壽命和使用體驗。同時,在蓋板基材12的一表面上沉積一層類金剛石鍍膜層14,能夠提高終端屏幕的抗碎性,從而能夠有效地保護終端屏幕表面完整性,分散終端屏幕的沖擊力。
具體地,在本實施例中,類金剛石鍍膜層14的厚度可以但不限于為10μm到20μm之間,例如,在其他實施例中,類金剛石鍍膜層14的厚度可以比10μm的厚度更薄,或者比20μm的厚度更厚。
具體地,在本市實施例中,af鍍膜層16可以但不限于通過真空蒸發(fā)離子輔助沉積生成,例如,af鍍膜層16還可以通過物理氣相沉積、化學氣相沉積以及液相沉積方式沉積得到。af鍍膜層16的厚度可以但不限于為10μm到20μm之間,例如,在其他實施例中,af鍍膜層16的厚度可以比10μm的厚度更薄,或者比20μm的厚度更厚。通過在蓋板基材12上沉積一層af鍍膜層16,能夠提高終端屏幕的防臟污和防指紋的性能,無需用戶另外購買終端屏幕貼膜,提高用戶的使用體驗。此外,在類金剛石鍍膜層14上沉積af鍍膜層16,af鍍膜層16將類金剛石鍍膜層14進行覆蓋,以能夠有效地防止類金剛石鍍膜層14直接裸露在空氣中及直接接觸用戶的手指等,從而更好的保護類金剛石鍍膜層14,延長了類金剛石鍍膜層14的使用壽命。
具體地,在一實施方式中,為了增強表面潤滑度,可以但不限于采用摻雜預設元素的碳源部件,從而在沉積類金剛石鍍膜層14時能夠摻雜預設元素。
具體地,在一實施方式中,預設元素可以但不限于為硅元素、氟元素、氮元素、磷元素、硼元素、碘元素或鍺元素。摻雜可使類金剛石鍍膜層14改性,可摻雜的元素很多,可分為金屬和非金屬類,金屬類元素摻雜不與碳原子發(fā)生反應,非金屬元素摻雜與碳原子發(fā)生鍵合,使碳基網絡結構重整,改善類金剛石鍍膜層14性能,而硅元素、氟元素、氮元素、磷元素、硼元素、碘元素或鍺元素均能夠降低類金剛石鍍膜層14的摩擦系數。
本發(fā)明的蓋板10,通過在蓋板10上設置一層類金剛石鍍膜層14,提高了蓋板10的耐刮傷性、耐磨性能及抗碎性,同時通過在蓋板10上設置一層af鍍膜層16,提高了蓋板10的防指紋性能,改善用戶的體驗。
圖2為本發(fā)明第二實施例提供的蓋板制作方法到的流程示意圖。如圖2所示的蓋板制作方法可用于制作蓋板的類金剛石鍍膜層14及af鍍膜層16。蓋板制作方法包括如下步驟:
步驟s21,提供一蓋板基材作為基底層。
具體地,在一實施方式中,蓋板基材12的尺寸可以根據實際需要進行調整,如根據終端顯示屏的尺寸大小。具體地,在本實施例中,蓋板基材12可以但不限于為玻璃,例如,玻璃可以是鈉鈣玻璃、硅鋁玻璃和硼硅玻璃等等。
具體地,在本實施例中,優(yōu)選采用厚度為0.7mm的康寧玻璃基片作為蓋板基材12,但并不限于此。將蓋板基材12依次用去離子水、堿液脫脂、異丙醇去油和去離子水各清洗15min,經過去離子水、堿液脫脂、異丙醇去油和去離子水清洗后去除蓋板基材12表面的油漬等污跡得到基底層,然后將基底層進行吹干備用。將經過處理的蓋板基材12裝夾后放入真空鍍膜機的鍍膜腔室內,然后,將鍍膜腔室內進行抽真空,使鍍膜腔室內的真空度達到5.0x10-5pa。同時加熱鍍膜腔室的溫度使達到并穩(wěn)定在90℃~110℃后,再向鍍膜腔室內通入氬氣,控制氬氣的流量為350sccm~450sccm,并開啟脈沖直流電源,且控制脈沖直流電源的功率為4.5kw,使產生氬等離子體,進行氬等離子清洗5min。
步驟s22,在該基底層上沉積類金剛石鍍膜層。
具體地,在一實施方式中,類金剛石鍍膜層14采用真空蒸發(fā)離子輔助沉積生成。具體地,在真空腔內用蒸發(fā)源(電子束)將sp3雜化碳原子和sp2雜化碳原子以一定比例混合后沉積在蓋板基片上,同時利用離子轟擊類金剛石鍍膜層14,以獲得比離子注入層更厚、比蒸發(fā)鍍膜法附著力更大的高性能致密類金剛石鍍膜層14,從而有利于增強類金剛石薄膜的摩擦學性能,但并不限于此。例如,在其他實施例中,在蓋板基材12上還可通過其他制備方法制備類金剛石鍍膜層14,可以但不限于包括物理氣相沉積、化學氣相沉積以及液相沉積三大類,而三大類下又分為很多小類,工業(yè)生產常用物理氣相沉積中的濺射沉積技術、真空蒸發(fā)鍍膜技術及真空離子鍍膜技術等等,其中就需要先制作碳源部件,當作沉積原料。
具體地,在離子清洗結束后,關閉氬氣,將鍍膜腔室重新抽真空,使鍍膜腔室內的真空度達5.0x10-5pa。然后再通入氬氣,并控制氬氣的流量為400sccm,同時打開碳源部件發(fā)射源。具體地,碳源部件發(fā)射源可以但不限于為石墨發(fā)射源,并開啟功率為3.5kw~4.5kw的脈沖直流電源使產生sp3雜化碳原子和sp2雜化碳原子等離子體,從而將sp3雜化碳原子和sp2雜化碳原子交替沉積在蓋板基材12的基底層的表面上,同時利用離子轟擊類金剛石鍍膜層14,以形成類金剛石鍍膜層14。其中,類金剛石膜為高sp3鍵含量類金剛石膜與低sp2鍵含量類金剛石膜交替沉積而成,且使該類金剛石鍍膜層14的最外層為低sp2鍵含量類金剛石膜,并同時利用離子轟擊類金剛石鍍膜層14,以使形成的類金剛石鍍膜層14的總厚度為10μm到20μm之間。在形成類金剛石鍍膜層14后關閉碳源部件發(fā)射源。具體地,在生活中細小沙子、臟污物、金屬等都有可能對終端屏幕造成不可逆轉的損傷,帶來觸控體驗不佳、影響美觀、影響視覺效果等問題。而通過在蓋板基材12的一表面上沉積一層類金剛石鍍膜層14,在類金剛石鍍膜層14的強大硬度可有效減緩以上物質對終端屏幕的磨損,從而提高產品的使用壽命和使用體驗。同時,在蓋板基材12的一表面上沉積一層類金剛石鍍膜層14,能夠提高終端屏幕的抗碎性,從而能夠有效地保護終端屏幕表面完整性,分散終端屏幕的沖擊力。
具體地,在一實施方式中,為了增強表面潤滑度,可以但不限于采用摻雜預設元素的碳源部件,從而在沉積類金剛石鍍膜層14時能夠摻雜預設元素。
具體地,在一實施方式中,預設元素可以但不限于為硅元素、氟元素、氮元素、磷元素、硼元素、碘元素或鍺元素。摻雜可使類金剛石鍍膜層14改性,可摻雜的元素很多,可分為金屬和非金屬類,金屬類元素摻雜不與碳原子發(fā)生反應,非金屬元素摻雜與碳原子發(fā)生鍵合,使碳基網絡結構重整,改善類金剛石鍍膜層14性能,而硅元素、氟元素、氮元素、磷元素、硼元素、碘元素或鍺元素均能夠降低類金剛石鍍膜層14的摩擦系數。
步驟s23,在該類金剛石鍍膜層上形成af鍍膜層。
具體地,在一實施方式中,af鍍膜層16可以但不限于通過物理氣相沉積、化學氣相沉積以及液相沉積等方式沉積得到,例如,可以通過常用物理氣相沉積中的濺射沉積技術、真空蒸發(fā)鍍膜技術及真空離子鍍膜技術等進行沉積af鍍膜層16,其中需要先制作af膜的材料發(fā)射源,當作沉積原料。
具體地,在類金剛石鍍膜層14沉積完成后,打開af膜的材料發(fā)射源,以在類金剛石鍍膜層14的表面上沉積af鍍膜層16,在af鍍膜層16沉積結束后,關閉af膜的材料發(fā)射源和關閉氬氣。待鍍膜腔室內的溫度降至60℃以下時,打開鍍膜腔的閥門,取出經過處理的蓋板基材12,從而得到具有類金剛石鍍膜層14及af鍍膜層16的蓋板。通過在蓋板基材12上沉積一層af鍍膜層16,能夠提高終端屏幕的防臟污和防指紋的性能,無需用戶另外購買終端屏幕貼膜,提高用戶的使用體驗。此外,在類金剛石鍍膜層14上沉積af鍍膜層16,af鍍膜層16將類金剛石鍍膜層14進行覆蓋,以能夠有效地防止類金剛石鍍膜層14直接裸露在空氣中及直接接觸用戶的手指等,從而更好的保護類金剛石鍍膜層14,延長了類金剛石鍍膜層14的使用壽命。
具體地,在一實施方式中,af鍍膜層16的厚度可以但不限于為10μm到20μm之間,例如,在其他實施例中,af鍍膜層16的厚度可以比10μm的厚度更薄,或者比20μm的厚度更厚。
本發(fā)明提供的蓋板制作方法,通過在蓋板10上設置一層類金剛石鍍膜層14,提高了蓋板10的耐刮傷性、耐磨性能及抗碎性,同時通過在蓋板10上設置一層af鍍膜層16,提高了蓋板10的防指紋性能,改善用戶的體驗。
圖3為本發(fā)明第三實施例提供的終端100的結構示意圖。如圖3所示,終端100包括蓋板10。蓋板10的具體結構請參考圖1至圖2及對應的描述,在此不再贅述。
請一并參考圖4,圖4示出了一種終端的結構框圖。如圖4所示,在一實施方式中,終端100包括存儲器102、存儲控制器104,一個或多個(圖中僅示出一個)處理器106、外設接口108、射頻模塊110、定位模塊112、攝像模塊114、音頻模塊116、屏幕118以及按鍵模塊120。這些組件通過一條或多條通訊總線/信號線122相互通訊。
可以理解,圖4所示的結構僅為示意,終端100還可包括比圖4中所示更多或者更少的組件,或者具有與圖4所示不同的配置。圖4中所示的各組件可以采用硬件、軟件或其組合實現。
存儲器102可用于存儲軟件程序以及模塊,如本發(fā)明實施例中的蓋板10中對應的程序指令/模塊,處理器106通過運行存儲在存儲控制器104內的軟件程序以及模塊,從而執(zhí)行各種功能應用以及數據處理,即實現上述的蓋板10的對用戶觸摸位置的計算。
存儲器102可包括高速隨機存儲器,還可包括非易失性存儲器,如一個或者多個磁性存儲裝置、閃存、或者其他非易失性固態(tài)存儲器。在一些實例中,存儲器102可進一步包括相對于處理器106遠程設置的存儲器,這些遠程存儲器可以通過網絡連接至終端100。上述網絡的實例包括但不限于互聯(lián)網、企業(yè)內部網、局域網、移動通信網及其組合。處理器106以及其他可能的組件對存儲器102的訪問可在存儲控制器104的控制下進行。
外設接口108將各種輸入/輸入裝置耦合至cpu以及存儲器102。處理器106運行存儲器102內的各種軟件、指令以執(zhí)行終端100的各種功能以及進行數據處理。
在一些實施例中,外設接口108,處理器106以及存儲控制器104可以在單個芯片中實現。在其他一些實例中,他們可以分別由獨立的芯片實現。
射頻模塊110用于接收以及發(fā)送電磁波,實現電磁波與電信號的相互轉換,從而與通訊網絡或者其他設備進行通訊。射頻模塊110可包括各種現有的用于執(zhí)行這些功能的電路元件,例如,天線、射頻收發(fā)器、數字信號處理器、加密/解密芯片、用戶身份模塊(sim)卡、存儲器等等。射頻模塊110可與各種網絡如互聯(lián)網、企業(yè)內部網、無線網絡進行通訊或者通過無線網絡與其他設備進行通訊。上述的無線網絡可包括蜂窩式電話網、無線局域網或者城域網。上述的無線網絡可以使用各種通信標準、協(xié)議及技術,包括但并不限于全球移動通信系統(tǒng)(globalsystemformobilecommunication,gsm)、增強型移動通信技術(enhanceddatagsmenvironment,edge),寬帶碼分多址技術(widebandcodedivisionmultipleaccess,w-cdma),碼分多址技術(codedivisionaccess,cdma)、時分多址技術(timedivisionmultipleaccess,tdma),藍牙,無線保真技術(wireless,fidelity,wifi)(如美國電氣和電子工程師協(xié)會標準ieee802.11a,ieee802.11b,ieee802.11g和/或ieee802.11n)、網絡電話(voiceoverinternetprotocal,voip)、全球微波互聯(lián)接入(worldwideinteroperabilityformicrowaveaccess,wi-max)、其他用于郵件、即時通訊及短消息的協(xié)議,以及任何其他合適的通訊協(xié)議,甚至可包括那些當前仍未被開發(fā)出來的協(xié)議。
定位模塊112用于獲取終端100的當前位置。定位模塊112的實例包括但不限于全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(gps)、基于無線局域網或者移動通信網的定位技術。
攝像模塊114用于拍攝照片或者視頻。拍攝的照片或者視頻可以存儲至存儲器102內,并可通過射頻模塊110發(fā)送。
音頻模塊116向用戶提供音頻接口,其可包括一個或多個麥克風、一個或者多個揚聲器以及音頻電路。音頻電路從外設接口108處接收聲音數據,將聲音數據轉換為電信息,將電信息傳輸至揚聲器。揚聲器將電信息轉換為人耳能聽到的聲波。音頻電路還從麥克風處接收電信息,將電信號轉換為聲音數據,并將聲音數據傳輸至外設接口108中以進行進一步的處理。音頻數據可以從存儲器102處或者通過射頻模塊110獲取。此外,音頻數據也可以存儲至存儲器102中或者通過射頻模塊110進行發(fā)送。在一些實例中,音頻模塊116還可包括一個耳機播孔,用于向耳機或者其他設備提供音頻接口。
屏幕118在終端100與用戶之間提供一個輸出界面。具體地,屏幕118向用戶顯示視頻輸出,這些視頻輸出的內容可包括文字、圖形、視頻、及其任意組合。一些輸出結果是對應于一些用戶界面對象??梢岳斫獾?,屏幕118還可以包括觸控屏幕。觸控屏幕在終端100與用戶之間同時提供一個輸出及輸入界面。除了向用戶顯示視頻輸出,觸控屏幕還接收用戶的輸入,例如用戶的點擊、滑動等手勢操作,以便用戶界面對象對這些用戶的輸入做出響應。檢測用戶輸入的技術可以是基于電阻式、電容式或者其他任意可能的觸控檢測技術。觸控屏幕顯示單元的具體實例包括但并不限于液晶顯示器或發(fā)光聚合物顯示器。
按鍵模塊120同樣提供用戶向終端100進行輸入的接口,用戶可以通過按下不同的按鍵以使終端100執(zhí)行不同的功能。
本發(fā)明的終端100,通過在蓋板10上設置一層類金剛石鍍膜層14,提高了蓋板10的耐刮傷性、耐磨性能及抗碎性,同時通過在蓋板10上設置一層af鍍膜層16,提高了蓋板10的防指紋性能,改善用戶的體驗。
需要說明的是,本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述,每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處,各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于系統(tǒng)類實施例而言,由于其與方法實施例基本相似,所以描述的比較簡單,相關之處參見方法實施例的部分說明即可。
以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制,雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術人員,在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內,當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術方案內容,依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內。