本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，觸控屏(touchpanel)技術(shù)進(jìn)入快速發(fā)展時(shí)期，觸控屏按照觸控電極的設(shè)置位置可以分為外掛式觸控屏和內(nèi)嵌式觸控屏，內(nèi)嵌式觸控屏可以分為：外置式觸摸屏(oncelltouchpanel)和嵌入式觸摸屏(incelltouchpanel)。其中，incell觸控屏又可分為復(fù)合內(nèi)嵌式(hybridincell，簡(jiǎn)稱hic)觸控屏和完全內(nèi)嵌式(fullincell，簡(jiǎn)稱fic)觸控屏。

為了降低顯示屏的厚度，將觸控傳感器(touchsensor)內(nèi)置于薄膜晶體管(thinfilmtransistor，簡(jiǎn)稱tft)的fic觸控產(chǎn)品成為目前觸控屏的主要發(fā)展方向。在tddi(touchanddisplaydriverintegration，觸控與顯示驅(qū)動(dòng)器集成)觸控產(chǎn)品中，由于還需要還觸控信號(hào)線傳輸觸控信號(hào)，因此如圖1所示，一般像素內(nèi)傳輸觸控信號(hào)(例如tx信號(hào))的觸控信號(hào)線20與數(shù)據(jù)線(date)10相鄰設(shè)置，在襯底基板30形成數(shù)據(jù)線10的同時(shí)形成觸控信號(hào)線20。

然而，對(duì)于高分辨率(pixelsperinch，簡(jiǎn)稱ppi)的觸控產(chǎn)品，由于觸控信號(hào)線20與數(shù)據(jù)線10之間間隙(space)的寬度很小，因此在制作觸控信號(hào)線20與數(shù)據(jù)線10的曝光過(guò)程中，常會(huì)出現(xiàn)觸控信號(hào)線20與數(shù)據(jù)線10之間間隙位置處曝光不足的問(wèn)題。當(dāng)光刻膠為正性光刻膠時(shí)，如果曝光不足，觸控信號(hào)線20與數(shù)據(jù)線10之間刻蝕不干凈，將會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)線10與相鄰的觸控信號(hào)線20接觸短路(short)，從而產(chǎn)生不良；但是如果過(guò)曝光(擴(kuò)大曝光區(qū)域)，又會(huì)導(dǎo)致形成的數(shù)據(jù)線10和觸控信號(hào)線20較細(xì)，這樣在fanout(扇出)區(qū)由于數(shù)據(jù)線10更細(xì)，從而會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)線10極易斷裂，進(jìn)而影響了與斷裂的數(shù)據(jù)線相連的一列像素的正常發(fā)光。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可增強(qiáng)觸控信號(hào)線與數(shù)據(jù)線之間間隙位置處的曝光。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底基板上形成絕緣薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成條狀擋墻；其中，所述擋墻的寬度小于或等于待形成的第一金屬走線和第二金屬走線之間的間距；在所述擋墻上形成導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)涂布光刻膠、曝光、顯影及刻蝕工藝在所述擋墻沿延伸方向的兩側(cè)分別形成所述第一金屬走線和所述第二金屬走線。

優(yōu)選的，所述擋墻的寬度等于所述第一金屬走線和所述第二金屬走線之間的間距。

優(yōu)選的，所述擋墻的厚度小于或等于所述第一金屬走線和所述第二金屬走線的厚度。

優(yōu)選的，通過(guò)涂布光刻膠、曝光、顯影及刻蝕工藝在所述擋墻沿延伸方向的兩側(cè)分別形成第一金屬走線和第二金屬走線，具體包括：通過(guò)涂布光刻膠、曝光、顯影及刻蝕工藝形成源極和漏極，并在所述擋墻沿延伸方向的兩側(cè)分別形成第一金屬走線和第二金屬走線，所述源極與所述第一金屬走線電連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的，在襯底基板上形成絕緣薄膜之前，所述方法還包括：在襯底基板上依次形成柵極以及柵絕緣層；在形成第一金屬走線和第二金屬走線之后，所述方法還包括：在所述第一金屬走線和所述第二金屬走線上依次形成緩沖層和平坦層；在所述平坦層上形成第一電極，所述第一電極穿過(guò)所述緩沖層和所述平坦層上的過(guò)孔與所述第二金屬走線電連接；在所述第一電極上鈍化層；在所述鈍化層上形成第二電極，所述第二電極穿過(guò)所述鈍化層、所述平坦層和所述緩沖層上的過(guò)孔與所述漏極電連接。

第二方面，提供一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的第一金屬走線和第二金屬走線；所述陣列基板還包括設(shè)置在所述第一金屬走線和所述第二金屬走線之間的擋墻；其中，所述擋墻的寬度小于或等于所述第一金屬走線和所述第二金屬走線之間的間距。

優(yōu)選的，所述擋墻的寬度等于所述第一金屬走線和所述第二金屬走線之間的間距。

優(yōu)選的，所述陣列基板包括與所述第一金屬走線和所述第二金屬走線同層設(shè)置的源極和漏極，所述源極與所述第一金屬走線電連接；所述陣列基板還包括設(shè)置在所述第一金屬走線和所述第二金屬走線靠近所述襯底基板一側(cè)的柵極和柵絕緣層；其中，所述柵極靠近所述襯底基板。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述第一金屬走線和所述第二金屬走線上的緩沖層、平坦層、第一電極、鈍化層和第二電極；其中，所述第一電極穿過(guò)所述緩沖層和所述平坦層上的過(guò)孔與所述第二金屬走線電連接；所述第二電極穿過(guò)所述鈍化層、所述平坦層和所述緩沖層上的過(guò)孔與所述漏極電連接。

第三方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，由于在形成第一金屬走線和第二金屬走線之前，先在襯底基板上形成擋墻，且擋墻的寬度小于或等于待形成的第一金屬走線和第二金屬走線之間的間距，因而當(dāng)再形成導(dǎo)電薄膜時(shí)，擋墻上導(dǎo)電薄膜的高度高于其它區(qū)域的導(dǎo)電薄膜，這樣在涂布光刻膠后，擋墻上方光刻膠的高度高于其它區(qū)域光刻膠的高度，因而在曝光工序中，在確保第一金屬走線和第二金屬走線線寬的同時(shí)，可以增強(qiáng)擋墻正對(duì)的區(qū)域的曝光，使擋墻正對(duì)的區(qū)域被充分曝光，從而解決了第一金屬走線和第二金屬走線之間的間隙位置曝光不足的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種在襯底基板上形成擋墻的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種在擋墻上形成導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種在襯底基板上形成柵極和柵絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖六；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖七。

附圖標(biāo)記：

10-第一金屬走線(數(shù)據(jù)線)；20-第二金屬走線(觸控信號(hào)線)；30-襯底基板；40-擋墻；50-導(dǎo)電薄膜；601-源極；602-漏極；70-柵極；80-柵絕緣層；90-緩沖層；100-平坦層；110-第一電極；120-鈍化層；130-第二電極。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，如圖2所示，包括：

s100、如圖3所示，在襯底基板30上形成絕緣薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成條狀擋墻40；其中，擋墻40的寬度小于或等于待形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距。

其中，對(duì)于絕緣薄膜的材料不進(jìn)行限定，只要是非導(dǎo)電材料即可。例如可以是氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)或氮氧化硅(sioxny)中的至少一種。

此處，構(gòu)圖工藝具體可以是涂布光刻膠、曝光、顯影以及刻蝕工藝。

需要說(shuō)明的是，對(duì)于形成的擋墻40的數(shù)量不進(jìn)行限定，可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。由于設(shè)置擋墻40的作用是為了在形成第一金屬走線10和第二金屬走線20的過(guò)程中使第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間隙位置充分曝光，因而本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選的，擋墻40的數(shù)量與第一金屬走線10或第二金屬走線20的數(shù)量相同，在待形成的每個(gè)第一金屬走線10和第二金屬走線20之間都設(shè)置有擋墻40。在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選擋墻40的長(zhǎng)度與待形成的第一金屬走線10或第二金屬走線20的長(zhǎng)度相同。

此外，對(duì)于形成的擋墻40的厚度不進(jìn)行限定，擋墻40的厚度可以和待形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20的厚度相同，也可以小于或大于待形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20的厚度。

s101、如圖4所示，在擋墻40上形成導(dǎo)電薄膜50，并通過(guò)涂布光刻膠、曝光、顯影及刻蝕工藝，如圖5所示，在擋墻40沿延伸方向的兩側(cè)分別形成第一金屬走線10和第二金屬走線20。

其中，對(duì)于導(dǎo)電薄膜的材料不進(jìn)行限定，只要能夠?qū)щ娂纯?。例如，可以是金屬單質(zhì)、合金或金屬氧化物中的至少一種。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，由于在形成第一金屬走線10和第二金屬走線20之前，先在襯底基板30上形成擋墻40，且擋墻40的寬度小于或等于待形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距，因而當(dāng)再形成導(dǎo)電薄膜50時(shí)，擋墻40上導(dǎo)電薄膜50的高度高于其它區(qū)域的導(dǎo)電薄膜50，這樣在涂布光刻膠后，擋墻40上方光刻膠的高度高于其它區(qū)域光刻膠的高度，因而在曝光工序中，可以增強(qiáng)擋墻40正對(duì)的區(qū)域的曝光，使擋墻40正對(duì)的區(qū)域被充分曝光，從而解決了第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間隙位置曝光不足的問(wèn)題。

基于上述，當(dāng)光刻膠為正性光刻膠時(shí)，若第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間隙位置曝光不足，則顯影后第一金屬走線10和第二金屬走線20之間會(huì)殘留部分光刻膠，這樣便會(huì)導(dǎo)致第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的導(dǎo)電薄膜50刻蝕不干凈，從而可能導(dǎo)致第一金屬走線10和第二金屬走線20接觸短路，而由于本發(fā)明實(shí)施例形成的擋墻40可以增強(qiáng)第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間隙位置處的曝光，從而在確保第一金屬走線10和第二金屬走線20線寬的情況下，避免了第一金屬走線10和第二金屬走線20之間殘留光刻膠，因而待形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的導(dǎo)電薄膜50可以被充分刻蝕，進(jìn)而降低了第一金屬走線10和第二金屬走線20接觸短路的風(fēng)險(xiǎn)。

本發(fā)明實(shí)施例，當(dāng)擋墻40的寬度小于第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距，則在擋墻40上形成導(dǎo)電薄膜50時(shí)，只有擋墻40上的導(dǎo)電薄膜50的高度高于其它區(qū)域，而待形成的第一金屬走線10和擋墻40之間以及待形成的第二金屬走線20和擋墻40之間的導(dǎo)電薄膜的高度沒(méi)有變化，因而待形成的第一金屬走線10和擋墻40之間以及待形成的第二金屬走線20和擋墻40之間還是會(huì)有部分光刻膠殘留，從而可能使得待形成的第一金屬走線10和擋墻40之間以及待形成的第二金屬走線20和擋墻40之間的導(dǎo)電薄膜刻蝕不干凈，最終導(dǎo)致形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20的寬度增加，進(jìn)而使得第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的距離較近。而第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的距離較小，可能會(huì)導(dǎo)致第一金屬走線10上的信號(hào)和第二金屬走線20上的信號(hào)相互影響。

基于上述，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選的，如圖5所示，擋墻40的寬度等于第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距。

本發(fā)明實(shí)施例，由于擋墻40的寬度等于第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距，因而第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的部分全部可以被充分曝光，這樣待形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的導(dǎo)電薄膜可以被完全刻蝕干凈，從而避免增加最終形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20的寬度，且進(jìn)一步降低了第一金屬走線10和第二金屬走線20接觸導(dǎo)致短路的風(fēng)險(xiǎn)。

為了確保形成的陣列基板表面的平整度，因而本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選的，擋墻40的厚度小于或等于第一金屬走線10和第二金屬走線20的厚度。

優(yōu)選的，通過(guò)涂布光刻膠、曝光、顯影及刻蝕工藝在擋墻40沿延伸方向的兩側(cè)分別形成第一金屬走線10和第二金屬走線20，具體包括：如圖6所示，通過(guò)涂布光刻膠、曝光、顯影及刻蝕工藝形成源極601和漏極602，并在擋墻40沿延伸方向的兩側(cè)分別形成第一金屬走線10和第二金屬走線20，源極601與第一金屬走線10電連接(本發(fā)明實(shí)施例附圖未示意出)。

其中，源極601與第一金屬走線10電連接，此時(shí)第一金屬走線10為數(shù)據(jù)線。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例陣列基板上形成的薄膜晶體管可以是頂柵型薄膜晶體管，也可以是底柵型薄膜晶體管。當(dāng)薄膜晶體管是頂柵型薄膜晶體管時(shí)，形成源極601和漏極602后，所述制備方法還包括在源極601和漏極602上依次形成柵絕緣層和柵極；當(dāng)薄膜晶體管是底柵型薄膜晶體管時(shí)，在形成源極601和漏極602之前，所述制備方法還包括在襯底基板30依次形成柵極和柵絕緣層。

本發(fā)明實(shí)施例，在擋墻40上形成導(dǎo)電薄膜50后，通過(guò)涂布光刻膠、曝光、顯影以及刻蝕工藝同時(shí)形成第一金屬走線10、第二金屬走線20、源極601和漏極602，從而可以簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝。

優(yōu)選的，在步驟s100之前，上述方法還包括：

如圖7所示，在襯底基板30上依次形成柵極70以及柵絕緣層(gateinsulator，簡(jiǎn)稱gi)80。

其中，對(duì)于柵極70的材料不進(jìn)行限定，只要能夠?qū)щ娂纯?。示例的，柵極70的材料可以是金屬單質(zhì)、合金和金屬氧化物中的至少一種。

此處，對(duì)于柵絕緣層80的材料不進(jìn)行限定，只要是絕緣材料即可。例如可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種。

需要說(shuō)明的是，在形成第一金屬走線10、第二金屬走線20、源極601和漏極602之前，形成柵極70和柵絕緣層80，此時(shí)形成的薄膜晶體管是底柵型薄膜晶體管。

薄膜晶體管還包括有源層(本發(fā)明實(shí)施例附圖中未示意出有源層)，有源層和源極601、漏極602均接觸。此處，可以在形成擋墻40之前形成有源層；也可以在形成擋墻40之后，形成第一金屬走線10和第二金屬走線20之前形成有源層；當(dāng)然也可以在形成第一金屬走線10和第二金屬走線20之后形成有源層。

在步驟s101之后，上述方法還包括：

s200、如圖8所示，在第一金屬走線10和所述第二金屬走線上依次形成緩沖層(buffer)90和平坦層100。

其中，緩沖層90的材料和平坦層100的材料都是絕緣材料。緩沖層90的材料例如可以是sio2、tio2(二氧化鈦)或ceo2(二氧化鈰)中的至少一種。平坦層100的材料例如可以是樹(shù)脂(resin)。

此處，緩沖層90和平坦層100可以通過(guò)氣相沉積法形成。

s201、如圖9所示，在平坦層100上形成第一電極110，第一電極110穿過(guò)緩沖層90和平坦層100上的過(guò)孔與第二金屬走線20相連接。

其中，第一電極110由多個(gè)塊狀子電極構(gòu)成，通過(guò)對(duì)第一電極110分時(shí)復(fù)用，既可以用于實(shí)現(xiàn)顯示，又可以用于實(shí)現(xiàn)觸控功能。第一電極110與第二金屬走線20電連接，第二金屬走線20即為觸控信號(hào)線，用于傳輸觸控信號(hào)。當(dāng)陣列基板為液晶顯示裝置中的陣列基板時(shí)，第一電極110可以為公共電極(vcom)。

此處，為了不影響顯示，第一電極110為透明電極，第一電極110的材料例如可以是ito(indiumtinoxide，氧化銦錫)、izo(indiumzincoxide，氧化銦鋅)或fto(fluorine-dopedtinoxide，氟摻雜二氧化錫)中的至少一種。

s202、如圖10所示，在第一電極110上鈍化層120(passivation，簡(jiǎn)稱pvx)。

其中，對(duì)于鈍化層120的材料不進(jìn)行限定，例如可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種。

此處，對(duì)于鈍化層120的形成工藝不進(jìn)行限定，例如可以通過(guò)濺射法或沉積法形成。

s203、如圖11所示，在鈍化層120上形成第二電極130，第二電極130穿過(guò)鈍化層120、平坦層100和緩沖層90上的過(guò)孔與漏極602電連接(本發(fā)明說(shuō)明書(shū)附圖11中未示意出)。

此處，第二電極130的材料為透明材料，例如可以為ito、izo或fto中的至少一種。第二電極130的材料和第一電極110的材料可以相同，也可以不同。其中，當(dāng)陣列基板為液晶顯示裝置中的陣列基板時(shí)，第二電極130與漏極602電連接，第二電極130即為像素電極。

需要說(shuō)明的是，第一電極110由多個(gè)塊狀子電極構(gòu)成，因而第二電極130可以穿過(guò)第一電極110中塊狀子電極之間的間隙與漏極602電連接。

本發(fā)明實(shí)施例，將觸控電極即第一電極110內(nèi)置于陣列基板中，形成內(nèi)嵌式觸控基板，從而可以降低陣列基板的厚度。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖5所示，包括襯底基板30以及設(shè)置在襯底基板30上的第一金屬走線10和第二金屬走線20；陣列基板還包括設(shè)置在第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的擋墻40；其中，擋墻40的寬度小于或等于第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距。

其中，對(duì)于擋墻40的材料不進(jìn)行限定，只要是絕緣非導(dǎo)電材料即可。例如可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種。

需要說(shuō)明的是，由于設(shè)置擋墻40的作用是為了在形成第一金屬走線10和第二金屬走線20的過(guò)程中使第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間隙位置充分曝光，因而本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選擋墻40的長(zhǎng)度與待形成的第一金屬走線10或第二金屬走線20的長(zhǎng)度相同。

此外，對(duì)于擋墻40的厚度不進(jìn)行限定，擋墻40的厚度可以和第一金屬走線10和第二金屬走線20的厚度相同，也可以小于或大于第一金屬走線10和第二金屬走線20的厚度。

在此基礎(chǔ)上，對(duì)于第一金屬走線10和第二金屬走線20的材料不進(jìn)行限定，只要能夠?qū)щ娂纯?。例如，可以是金屬單質(zhì)、合金或金屬氧化物中的至少一種。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，由于在形成第一金屬走線10和第二金屬走線20之前，可以先在襯底基板30上形成擋墻40，且擋墻40的寬度小于或等于待形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距，因而當(dāng)再形成導(dǎo)電薄膜(導(dǎo)電薄膜用于刻蝕形成第一金屬走線10和第二金屬走線20)時(shí)，擋墻40上導(dǎo)電薄膜的高度高于其它區(qū)域的導(dǎo)電薄膜，這樣在涂布光刻膠后，擋墻40上方光刻膠的高度高于其它區(qū)域光刻膠的高度，因而在曝光工序中，可以增強(qiáng)擋墻40正對(duì)的區(qū)域的曝光，使擋墻40正對(duì)的區(qū)域被充分曝光，從而解決了第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間隙位置曝光不足的問(wèn)題。

基于上述，當(dāng)光刻膠為正性光刻膠時(shí)，若第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間隙位置曝光不足，則顯影后第一金屬走線10和第二金屬走線20之間會(huì)殘留部分光刻膠，這樣便會(huì)導(dǎo)致第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的導(dǎo)電薄膜刻蝕不干凈，從而可能導(dǎo)致第一金屬走線10和第二金屬走線20接觸短路，而由于本發(fā)明實(shí)施例擋墻40可以增強(qiáng)第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間隙位置處的曝光，從而在確保第一金屬走線10和第二金屬走線20線寬的情況下，避免了第一金屬走線10和第二金屬走線20之間殘留光刻膠，因而第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的導(dǎo)電薄膜可以被充分刻蝕，進(jìn)而降低了第一金屬走線10和第二金屬走線20接觸短路的風(fēng)險(xiǎn)。

本發(fā)明實(shí)施例，當(dāng)擋墻40的寬度小于第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距，則在擋墻40上形成導(dǎo)電薄膜時(shí)，只有擋墻40上的導(dǎo)電薄膜的高度高于其它區(qū)域，而待形成的第一金屬走線10和擋墻40之間以及待形成的第二金屬走線20和擋墻40之間的導(dǎo)電薄膜的高度沒(méi)有變化，因而待形成的第一金屬走線10和擋墻40之間以及待形成的第二金屬走線20和擋墻40之間還是會(huì)有部分光刻膠殘留，從而可能使得待形成的第一金屬走線10和擋墻40之間以及待形成的第二金屬走線20和擋墻40之間的導(dǎo)電薄膜刻蝕不干凈，最終導(dǎo)致形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20的寬度增加，進(jìn)而使得第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的距離較近。而第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的距離較小，可能會(huì)導(dǎo)致第一金屬走線10上的信號(hào)和第二金屬走線20上的信號(hào)相互影響。

基于上述，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選的，如圖5所示，擋墻40的寬度等于第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距。

本發(fā)明實(shí)施例，由于擋墻40的寬度等于第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距，因而第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的部分全部可以被充分曝光，這樣待形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的導(dǎo)電薄膜可以被完全刻蝕干凈，從而避免增加最終形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20的寬度，且進(jìn)一步降低了第一金屬走線10和第二金屬走線20接觸導(dǎo)致短路的風(fēng)險(xiǎn)。

為了確保形成的陣列基板表面的平整度，因而本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選的，擋墻40的厚度小于或等于第一金屬走線10和第二金屬走線20的厚度。

優(yōu)選的，如圖12所示，陣列基板包括與第一金屬走線10和第二金屬走線20同層設(shè)置的源極601和漏極602，源極601與第一金屬走線10電連接；陣列基板還包括設(shè)置在第一金屬走線10和第二金屬走線20靠近襯底基板30一側(cè)的柵極70和柵絕緣層80.；其中，柵極70靠近襯底基板30。

其中，薄膜晶體管還包括有源層(本發(fā)明實(shí)施例附圖中未示意出有源層)，有源層和源極601、漏極602均接觸。此處，可以在形成擋墻40之前形成有源層；也可以在形成擋墻40之后，形成第一金屬走線10和第二金屬走線20之前形成有源層；當(dāng)然也可以在形成第一金屬走線10和第二金屬走線20之后形成有源層。

此處，對(duì)于柵極70的材料不進(jìn)行限定，只要能夠?qū)щ娂纯伞Ｊ纠?，柵極70的材料可以是金屬單質(zhì)、合金和金屬氧化物中的至少一種。在此基礎(chǔ)上，對(duì)于柵絕緣層80的材料不進(jìn)行限定，只要是絕緣材料即可。例如可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種。

此外，源極601與第一金屬走線10電連接，此時(shí)第一金屬走線10為數(shù)據(jù)線。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例在柵極70和柵絕緣層80上設(shè)置源極601和漏極602，形成的薄膜晶體管是底柵型薄膜晶體管，但本發(fā)明實(shí)施例并不限于此，陣列基板上的薄膜晶體管還可以是頂柵型薄膜晶體管。當(dāng)薄膜晶體管是頂柵型薄膜晶體管時(shí)，在源極601和漏極602上依次形成柵絕緣層80和柵極70。

本發(fā)明實(shí)施例，由于源極601和漏極602與第一金屬走線10、第二金屬走線20同層設(shè)置，因而可以同時(shí)形成第一金屬走線10、第二金屬走線20、源極601和漏極602，以簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝。

進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖11所示，陣列基板還包括依次設(shè)置在第一金屬走線10和第二金屬走線20上的緩沖層90、平坦層100、第一電極110、鈍化層120和第二電極130；其中，第一電極110穿過(guò)緩沖層90和平坦層100上的過(guò)孔與第二金屬走線20電連接；第二電極130穿過(guò)鈍化層120、平坦層100和緩沖層90上的過(guò)孔與漏極602電連接。

其中，緩沖層90、平坦層100以及鈍化層120的材料都是絕緣材料。緩沖層90的材料例如可以是sio2、tio2或ceo2中的至少一種。平坦層100的材料例如可以是樹(shù)脂。鈍化層120的材料例如可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種。

需要說(shuō)明的是，第一電極110和第二電極130均為透明電極，第一電極110和第二電極130的材料例如可以是ito、izo或fto中的至少一種。第二電極130的材料和第一電極110的材料可以相同，也可以不同。當(dāng)陣列基板為液晶顯示裝置中的陣列基板時(shí)，第一電極110可以為公共電極(vcom)，第二電極130與漏極602電連接，第二電極130即為像素電極。

此外，第一電極110由多個(gè)塊狀子電極構(gòu)成，通過(guò)對(duì)第一電極110分時(shí)復(fù)用，既可以用于實(shí)現(xiàn)顯示，又可以用于實(shí)現(xiàn)觸控功能。第一電極110與第二金屬走線20電連接，第二金屬走線20即為觸控信號(hào)線，用于傳輸觸控信號(hào)。在此基礎(chǔ)上，第二電極130可以穿過(guò)第一電極110中塊狀子電極之間的間隙與漏極602電連接。

本發(fā)明實(shí)施例，將觸控電極即第一電極110內(nèi)置于陣列基板中，形成內(nèi)嵌式觸控基板，從而可以降低陣列基板的厚度。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

其中，顯示裝置可以是液晶顯示裝置，也可以有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示裝置。當(dāng)顯示裝置為液晶顯示裝置時(shí)，顯示裝置除包括陣列基板，還包括與陣列基板對(duì)盒的對(duì)盒基板以及設(shè)置在陣列基板和對(duì)盒基板之間的液晶層；當(dāng)顯示裝置為有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示裝置時(shí)，顯示裝置還包括封裝基板。

此外，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以是顯示不論運(yùn)動(dòng)(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫(huà)的圖像的任何裝置。更明確地說(shuō)，預(yù)期所述實(shí)施例可實(shí)施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關(guān)聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動(dòng)電話、無(wú)線裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(pda)、手持式或便攜式計(jì)算機(jī)、gps接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、mp4視頻播放器、攝像機(jī)、游戲控制臺(tái)、手表、時(shí)鐘、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車(chē)顯示器(例如，里程表顯示器等)、導(dǎo)航儀、座艙控制器和/或顯示器、相機(jī)視圖的顯示器(例如，車(chē)輛中后視相機(jī)的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝和美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，對(duì)于一件珠寶的圖像的顯示器)等，此外，顯示裝置還可以是顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，由于在形成第一金屬走線10和第二金屬走線20之前，可以先在襯底基板30上形成擋墻40，且擋墻40的寬度小于或等于待形成的第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間距，因而當(dāng)再形成導(dǎo)電薄膜(導(dǎo)電薄膜用于刻蝕形成第一金屬走線10和第二金屬走線20)時(shí)，擋墻40上導(dǎo)電薄膜的高度高于其它區(qū)域的導(dǎo)電薄膜，這樣在涂布光刻膠后，擋墻40上方光刻膠的高度高于其它區(qū)域光刻膠的高度，因而在曝光工序中，可以增強(qiáng)擋墻40正對(duì)的區(qū)域的曝光，使擋墻40正對(duì)的區(qū)域被充分曝光，從而解決了第一金屬走線10和第二金屬走線20之間的間隙位置曝光不足的問(wèn)題。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。