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陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制作方法

文檔序號(hào):11475471閱讀:144來(lái)源:國(guó)知局
陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法

本發(fā)明實(shí)施例涉及液晶顯示技術(shù),尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。



背景技術(shù):

液晶顯示面板是一種采用液晶材料制作的顯示面板,具有輕薄、功耗小和顯示信息量大等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電視、電腦、智能可穿戴設(shè)備以及公共大廳的信息查詢機(jī)等。

現(xiàn)有的液晶顯示面板中,往往包括多個(gè)像素單元、多條數(shù)據(jù)線、多條觸控走線以及陣列排布的多個(gè)觸控電極。像素單元包括薄膜晶體管和像素電極。多條觸控走線覆蓋部分條數(shù)據(jù)線。每一觸控電極與至少一條觸控走線電連接。往往在觸控電極上設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口,每一個(gè)開(kāi)口與相鄰兩個(gè)像素單元相對(duì)應(yīng),以使像素電極與薄膜晶體管的漏極在該開(kāi)口處電連接。該開(kāi)口將部分觸控走線以及數(shù)據(jù)線露出。在顯示時(shí)間段,在開(kāi)口周圍,同一像素單元內(nèi),像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容不相等,在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下,像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容不能相互抵消,液晶顯示面板出現(xiàn)信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象,影響液晶顯示面板的顯示效果。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置,以實(shí)現(xiàn)提高液晶顯示面板的顯示效果的目的。

第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板,該陣列基板包括:

襯底基板;

形成在所述襯底基板上的多個(gè)像素單元以及多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線,所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個(gè)像素區(qū)域,所述像素單元位于所述像素區(qū)域內(nèi);所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極;所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接;

陣列排布的多個(gè)觸控電極以及覆蓋部分條所述數(shù)據(jù)線的多條觸控走線,每一所述觸控電極與至少一條所述觸控走線電連接;所述多條觸控走線位于所述多條數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)且與所述多條數(shù)據(jù)線絕緣,所述像素電極位于所述觸控電極遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè),所述觸控電極上設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口,所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接處在所述襯底基板上的投影位于所述開(kāi)口在所述襯底基板上的投影內(nèi);

多條補(bǔ)償走線,所述多條補(bǔ)償走線與所述多條觸控走線同層設(shè)置,所述多條補(bǔ)償走線與與其鄰近的所述觸控電極電連接;所述補(bǔ)償走線覆蓋未被所述觸控走線覆蓋的所述數(shù)據(jù)線的部分區(qū)域;在所述像素區(qū)域內(nèi),所述觸控走線和所述補(bǔ)償走線位于所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接處相對(duì)的兩側(cè)。

進(jìn)一步地,所述像素單元中,在所述像素電極和所述薄膜晶體管的漏極電連接處周圍,所述像素電極和所述薄膜晶體管的漏極電連接處與與其相鄰的所述觸控走線之間的距離為s1,所述像素電極和所述薄膜晶體管的漏極電連接處與與其相鄰的所述補(bǔ)償走線之間的距離為s2,s1=s2。

進(jìn)一步地,所述觸控電極通過(guò)第一過(guò)孔或第一跨橋結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的所述觸控走線電連接;所述第一跨橋結(jié)構(gòu)與所述像素電極同層設(shè)置。

進(jìn)一步地,所述補(bǔ)償走線與對(duì)應(yīng)的所述觸控電極通過(guò)第二過(guò)孔或第二跨橋結(jié)構(gòu)電連接;所述第二跨橋結(jié)構(gòu)與所述像素電極同層設(shè)置。

進(jìn)一步地,在顯示階段,所述觸控電極復(fù)用為公共電極。

進(jìn)一步地,所述開(kāi)口包括第一開(kāi)口結(jié)構(gòu);

所述第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)與所述像素單元一一對(duì)應(yīng)設(shè)置;

所述像素單元內(nèi),所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接處在所述襯底基板上的投影位于所述第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的投影內(nèi);

所述第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的投影位于與其對(duì)應(yīng)的所述像素單元在所述襯底基板上的投影內(nèi)。

進(jìn)一步地,所述開(kāi)口包括第二開(kāi)口結(jié)構(gòu);

每一個(gè)所述第二開(kāi)口結(jié)構(gòu)與同一行中相鄰的兩個(gè)所述像素單元對(duì)應(yīng)設(shè)置;

相鄰的兩個(gè)所述像素單元的所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接處在所述襯底基板上的投影均位于與其對(duì)應(yīng)的所述第二開(kāi)口結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的投影內(nèi);

所述第二開(kāi)口結(jié)構(gòu)露出與其對(duì)應(yīng)的兩個(gè)所述像素單元之間的部分所述觸控走線。

進(jìn)一步地,所述開(kāi)口包括第三開(kāi)口結(jié)構(gòu);

所述第三開(kāi)口結(jié)構(gòu)位于相鄰兩行所述像素單元之間,且同一所述觸控電極覆蓋的同一行所述像素單元的所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接處在所述襯底基板上的投影均位于所述第三開(kāi)口結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的投影內(nèi)。

第二方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板,該顯示面板包括本發(fā)明實(shí)施例提供的任意一種陣列基板以及與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)置基板。

第三方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括本發(fā)明實(shí)施例提供的任意一種顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在陣列基板上增設(shè)多條補(bǔ)償走線,并設(shè)置多條補(bǔ)償走線與多條觸控走線同層設(shè)置,多條補(bǔ)償走線與與其鄰近的觸控電極電連接;補(bǔ)償走線覆蓋未被觸控走線覆蓋的數(shù)據(jù)線的部分區(qū)域;在像素區(qū)域內(nèi),觸控走線和補(bǔ)償走線位于像素電極與薄膜晶體管的漏極電連接處相對(duì)的兩側(cè),可以充分縮減在開(kāi)口周圍像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容之差,以使在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下,像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容盡可能相互抵消,消除液晶顯示面板的信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象,解決了現(xiàn)有的液晶顯示面板中因在開(kāi)口周圍,同一像素單元內(nèi),像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容不相等,在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下,像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容不能相互抵消,液晶顯示面板易出現(xiàn)信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象,影響液晶顯示面板的顯示效果的問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了提高液晶顯示面板的顯示效果的目的。

附圖說(shuō)明

圖1a為現(xiàn)有的一種液晶顯示面板中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖1b為沿圖1a中a1-a2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;

圖1c為液晶顯示面板中像素單元的等效電路圖;

圖1d為現(xiàn)有技術(shù)中像素單元的原理圖;

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2b為沿圖2a中b1-b2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2c為圖2a中像素單元的原理圖;

圖3a為沿圖2a中d1-d2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種液晶顯示面板中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;

圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種液晶顯示面板中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;

圖4b為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種液晶顯示面板中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;

圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種液晶顯示面板中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖5b為沿圖5a中e1-e2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;

圖6a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種液晶顯示面板中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖6b為沿圖6a中f1-f2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明??梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

圖1a為現(xiàn)有的一種液晶顯示面板中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖,圖1b為沿圖1a中a1-a2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖1a和圖1b,該陣列基板包括襯底基板10、形成在襯底基板10上的多個(gè)像素單元11以及多條掃描線12和多條數(shù)據(jù)線13、陣列排布的多個(gè)觸控電極14(圖1a中僅示例性地示出了一個(gè)觸控電極14)以及覆蓋部分條數(shù)據(jù)線13的多條觸控走線15。多條掃描線12和多條數(shù)據(jù)線13絕緣交叉限定出多個(gè)像素區(qū)域(圖1b示例性地包括四個(gè)像素區(qū)域,分別為第一像素區(qū)域p1、第二像素區(qū)域p2、第三像素區(qū)域p3以及第四像素區(qū)域p4),像素單元11位于像素區(qū)域內(nèi);像素單元11包括薄膜晶體管(圖1a中僅示例性地示出了薄膜晶體管的有源層111,圖1b中示出了薄膜晶體管的有源層111和漏極113)和像素電極112;像素電極112與薄膜晶體管的漏極113電連接;每一觸控電極14與至少一條觸控走線15電連接;多條觸控走線15位于多條數(shù)據(jù)線13遠(yuǎn)離襯底基板10一側(cè),且多條觸控走線15與多條數(shù)據(jù)線13絕緣,像素電極112位于觸控電極14遠(yuǎn)離襯底基板10一側(cè),觸控電極14上設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口141,像素電極112與薄膜晶體管t的漏極113電連接1121處在襯底基板10上的投影位于開(kāi)口141在襯底基板10上的投影內(nèi)。

參見(jiàn)圖1a和圖1b,在該陣列基板上,相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間均設(shè)置有數(shù)據(jù)線13,但僅部分相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間設(shè)置有觸控走線15。例如,圖1b中,在第一像素區(qū)域p1和第二像素區(qū)域p2之間設(shè)置有觸控走線15,但是在在第二像素區(qū)域p2和第三像素區(qū)域p3之間沒(méi)有設(shè)置觸控走線15。

由于像素電極112和與薄膜晶體管的漏極113分別位于觸控電極14相對(duì)的兩側(cè),為了使得像素電極112和薄膜晶體管的漏極113電連接,往往需要在觸控電極14上設(shè)置開(kāi)口141。繼續(xù)參見(jiàn)圖1b,在該陣列基板上,觸控電極14上共設(shè)置有兩種開(kāi)口141,分別為第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)141a和第二開(kāi)口結(jié)構(gòu)141b。例如,觸控電極14上,第一像素區(qū)域p1和第二像素區(qū)域p2對(duì)應(yīng)的位置處,設(shè)置有第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)141a。觸控電極14上,第三像素區(qū)域p3對(duì)應(yīng)的位置處,設(shè)置有第二開(kāi)口結(jié)構(gòu)141b。其中第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)141b露出第一像素區(qū)域p1和第二像素區(qū)域p2內(nèi)薄膜晶體管的漏極113、以及位于第一像素區(qū)域p1和第二像素區(qū)域p2之間的部分?jǐn)?shù)據(jù)線13和部分觸控走線15。

圖1c為液晶顯示面板中像素單元的等效電路圖,圖1d為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的原理圖。以第一像素區(qū)域p1為例,參見(jiàn)圖1a、圖1b、圖1c和圖1d,在像素電極112左側(cè)(以圖1a中x軸逆向?yàn)樽?僅設(shè)置有數(shù)據(jù)線13,在像素電極112右側(cè)(以圖1b中x軸正向?yàn)橛?除設(shè)置有數(shù)據(jù)線13外還設(shè)置有觸控走線15。

參見(jiàn)圖1c,顯示階段,通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路(圖1c中均未示出)向公共電極com提供公共電壓信號(hào),向掃描線12提供掃描信號(hào),以控制薄膜晶體管t的工作狀態(tài),從而適時(shí)地將數(shù)據(jù)線13提供的數(shù)據(jù)信號(hào)寫入到像素電極pixel上,以控制該像素單元11對(duì)應(yīng)的液晶翻轉(zhuǎn)。

參見(jiàn)圖1c和1d,像素電極112與其左側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容為c1,與像素電極112電連接的薄膜晶體管t漏極113與其左側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的電容為c3,像素電極112左側(cè)數(shù)據(jù)線13與觸控電極14之間的電容為c4。與像素電極112電連接的薄膜晶體管t漏極113與觸控電極14之間的電容為c5。其中,c1等于c4和c5串聯(lián)后再與c3并聯(lián)后的電容值。

類似地,像素電極112與其右側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容為c2,與像素電極112電連接的薄膜晶體管t漏極113與其右側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的電容為c6,像素電極112右側(cè)數(shù)據(jù)線13與觸控走線15之間的電容為c7。與像素電極112電連接的薄膜晶體管t漏極113與觸控走線15之間的電容為c8。其中,c2等于c7和c8串聯(lián)后再與c6并聯(lián)后的電容值。

由于,由于觸控電極14與漏極113之間的距離和漏極113與觸控走線15之間的距離較大,c4和c5串聯(lián)后的電容值與c7和c8串聯(lián)后的電容值差別較大,而c3等于c6,使得c1和c2差別較大,即像素電極112與其左側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c1與像素電極112與其右側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c2差值較大。在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下,像素電極112和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線13形成的耦合電容不能相互抵消,液晶顯示面板易出現(xiàn)信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象,影響液晶顯示面板的顯示效果。

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖,圖2b為沿圖2a中b1-b2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖2a和圖2b,該陣列基板包括:襯底基板10;形成在襯底基板10上的多個(gè)像素單元11以及多條掃描線12和多條數(shù)據(jù)線13,多條掃描線12和多條數(shù)據(jù)線13絕緣交叉限定出多個(gè)像素區(qū)域(圖2b示例性地包括四個(gè)像素區(qū)域,分別為第一像素區(qū)域p1、第二像素區(qū)域p2、第三像素區(qū)域p3以及第四像素區(qū)域p4),像素單元11位于像素區(qū)域內(nèi);像素單元11包括薄膜晶體管(圖2a和圖2b中僅示例性地示出了薄膜晶體管的有源層111)和像素電極112;像素電極112與薄膜晶體管的漏極113電連接;陣列排布的多個(gè)觸控電極14以及覆蓋部分條數(shù)據(jù)線13的多條觸控走線15,每一觸控電極14與至少一條觸控走線15電連接;多條觸控走線15位于多條數(shù)據(jù)線13遠(yuǎn)離襯底基板10一側(cè),且多條觸控走線15與多條數(shù)據(jù)線13絕緣,像素電極112位于觸控電極14遠(yuǎn)離襯底基板10一側(cè),觸控電極14上設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口,像素電極112與薄膜晶體管的漏極113電連接處1121在襯底基板10上的投影位于開(kāi)口在襯底基板10上的投影內(nèi);多條補(bǔ)償走線16,多條補(bǔ)償走線16與多條觸控走線15同層設(shè)置,多條補(bǔ)償走線16與與其鄰近的觸控電極14電連接;補(bǔ)償走線16覆蓋未被觸控走線15覆蓋的數(shù)據(jù)線13的部分區(qū)域;在像素區(qū)域內(nèi),觸控走線15和補(bǔ)償走線16位于像素電極112與薄膜晶體管的漏極113電連接1121處相對(duì)的兩側(cè)。

繼續(xù)參見(jiàn)圖2a和圖2b,在該陣列基板上,相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間均設(shè)置有數(shù)據(jù)線13,同時(shí)部分相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間設(shè)置觸控走線15,未設(shè)置觸控走線15的相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間設(shè)置有補(bǔ)償走線16,使得任意相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間設(shè)置有數(shù)據(jù)線13和觸控走線15,或者數(shù)據(jù)線13和補(bǔ)償走線16。

圖2c為圖2a中提供的陣列基板的原理圖。以第一像素區(qū)域p1為例,參見(jiàn)圖2a、圖2b和圖2c,在像素電極112左側(cè)(以圖2a中x軸逆向?yàn)樽?設(shè)置有數(shù)據(jù)線13和補(bǔ)償走線16,在像素電極112右側(cè)(以圖2a中x軸正向?yàn)橛?設(shè)置有數(shù)據(jù)線13和觸控走線15。顯示階段,通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路(圖2a、圖2b和圖2c中均未示出)向公共電極(圖2a、圖2b和圖2c中均未示出)提供公共電壓信號(hào),向掃描線12提供掃描信號(hào),以控制薄膜晶體管的工作狀態(tài),從而適時(shí)地將數(shù)據(jù)線13提供的數(shù)據(jù)信號(hào)寫入到像素電極112上,以控制該像素單元11對(duì)應(yīng)的液晶翻轉(zhuǎn)。由于補(bǔ)償走線16與觸控走線15同層設(shè)置,補(bǔ)償走線16和觸控走線15均與與其鄰近的觸控電極14電連接,可以是使得補(bǔ)償走線16和觸控走線15上的電位相等或相差無(wú)幾;且補(bǔ)償走線16覆蓋未被觸控走線15覆蓋的數(shù)據(jù)線13的部分區(qū)域,在像素區(qū)域內(nèi),觸控走線15和補(bǔ)償走線16位于像素電極112與薄膜晶體管的漏極113電連接1121處相對(duì)的兩側(cè)。

像素電極112與其左側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容為c1,與像素電極112電連接的薄膜晶體管漏極113與其左側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的電容為c3,像素電極112左側(cè)數(shù)據(jù)線13與覆蓋其的補(bǔ)償走線16之間的電容為c11。補(bǔ)償走線16與觸控電極14之間的電容為c12,與像素電極112電連接的薄膜晶體管漏極113與觸控電極14之間的電容為c15。其中,c1等于c11、c12和c15串聯(lián)后再與c3并聯(lián)后的電容值。

類似地,像素電極112與其右側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容為c2,與像素電極112電連接的薄膜晶體管漏極113與其右側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的電容為c6,像素電極112右側(cè)數(shù)據(jù)線13與觸控走線15之間的電容為c13。觸控走線15與觸控電極14之間的電容為c14,與像素電極112電連接的薄膜晶體管漏極113與觸控電極14之間的電容為c16。其中,c2等于c13、c14和c16串聯(lián)后再與c6并聯(lián)后的電容值。

由于c3等于c6,而c13、c14和c16串聯(lián)后的電容值與c11、c12和c15串聯(lián)后的電容值差別不大,即像素電極112與其左側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c1與像素電極112與其右側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c2差值較小。這樣在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下,有助于使得像素電極112和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線13形成的耦合電容盡可能相互抵消,避免液晶顯示面板易出現(xiàn)信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象,提高液晶顯示面板的顯示效果。

可選地,參見(jiàn)圖2b,像素單元11中,在像素電極112和薄膜晶體管的漏極113電連接處1121周圍,像素電極112和薄膜晶體管的漏極113電連接處1121與與其相鄰的觸控走線15之間的距離為s1,像素電極112和薄膜晶體管的漏極113電連接處1121與與其相鄰的補(bǔ)償走線16之間的距離為s2,s1=s2。這樣設(shè)置的好處是,可以進(jìn)一步縮減像素單元22內(nèi)像素電極112與其左側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c1和像素電極112與其右側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c2之差的絕對(duì)值,緩解液晶顯示面板出現(xiàn)的信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象,提高顯示效果。

圖3a為沿圖2a中d1-d2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖3a,在制作時(shí)針對(duì)于觸控電極14在襯底基板10上的投影與觸控走線15在襯底基板10上的投影存在至少部分相互重疊區(qū)域的結(jié)構(gòu)的情況,,可選地,觸控電極14通過(guò)第一過(guò)孔171與對(duì)應(yīng)的觸控走線15電連接。或者,如圖3b所示,針對(duì)于觸控電極14在襯底基板10上的投影與觸控走線15在襯底基板10上的投影不存在相互重疊區(qū)域的結(jié)構(gòu)的情況,可選地,還可以設(shè)置觸控電極14通過(guò)第一跨橋結(jié)構(gòu)172與對(duì)應(yīng)的觸控走線15電連接,第一跨橋結(jié)構(gòu)172與像素電極112同層設(shè)置。這樣設(shè)置的好處是可以將觸控走線15上的觸控信號(hào)傳輸至觸控電極14上,以利用觸控電極14進(jìn)行觸控位置檢測(cè)。另外,設(shè)置第一跨橋結(jié)構(gòu)172與像素電極112同層設(shè)置,在制作過(guò)程中只需一次刻蝕工藝,無(wú)需對(duì)第一跨橋結(jié)構(gòu)172與像素電極112分別制作掩膜板,節(jié)省了成本,減少了制程數(shù)量,提高了生產(chǎn)效率。

類似地,如圖4a所示,針對(duì)于觸控電極14在襯底基板10上的投影與補(bǔ)償走線16在襯底基板10上的投影存在至少部分相互重疊區(qū)域的結(jié)構(gòu)的情況,可選地,補(bǔ)償走線16與對(duì)應(yīng)的觸控電極14通過(guò)第二過(guò)孔181電連接,或者如圖4b所示,針對(duì)于觸控電極14在襯底基板10上的投影與補(bǔ)償走線16在襯底基板10上的投影不存在相互重疊區(qū)域的結(jié)構(gòu)的情況,可選地,補(bǔ)償走線16與對(duì)應(yīng)的觸控電極14通過(guò)第二跨橋結(jié)構(gòu)182電連接;第二跨橋結(jié)構(gòu)182與像素電極112同層設(shè)置。這樣設(shè)置的好處是使得補(bǔ)償走線16上的電位和觸控電極14上的電位相等,進(jìn)而使得補(bǔ)償走線16與觸控走線15上的電位相等。另外,設(shè)置第二跨橋結(jié)構(gòu)182與像素電極112同層設(shè)置,在制作過(guò)程中只需一次刻蝕工藝,無(wú)需對(duì)第二跨橋結(jié)構(gòu)182與像素電極112分別制作掩膜板,節(jié)省了成本,減少了制程數(shù)量,提高了生產(chǎn)效率。

進(jìn)一步地,在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,可選地,在顯示階段,觸控電極14復(fù)用為公共電極。這樣當(dāng)液晶顯示面板處于顯示狀態(tài)的工作模式下,觸控電極14起到提供公共電壓的作用;而當(dāng)液晶顯示面板處于觸控狀態(tài)的工作模式下,觸控電極14起到觸控位置檢測(cè)的作用。將觸控電極14復(fù)用為公共電極,可以進(jìn)一步減小液晶顯示面板的厚度,另外在制作過(guò)程中只需一次刻蝕工藝,無(wú)需對(duì)觸控電極14與公共電極分別制作掩膜板,節(jié)省了成本,減少了制程數(shù)量,提高了生產(chǎn)效率。

在上述各技術(shù)方案中,觸控電極上開(kāi)口的設(shè)計(jì)方案有多種,下面就典型的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,但是所列出的示例僅僅用于解釋說(shuō)明本發(fā)明,并不是對(duì)本發(fā)明的限定。

繼續(xù)參見(jiàn)圖2a和圖2b,該陣列基板中,開(kāi)口包括第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)191;第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)191與像素單元112一一對(duì)應(yīng)設(shè)置;像素單元11內(nèi),像素電極112與薄膜晶體管的漏極113電連接處1121在襯底基板10上的投影位于第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)191在襯底基板10上的投影內(nèi);第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)191在襯底基板10上的投影位于與其對(duì)應(yīng)的像素單元11在襯底基板10上的投影內(nèi)。這樣,由于第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)191僅露出薄膜晶體管的漏極113,該漏極113距第一開(kāi)口結(jié)構(gòu)兩側(cè)的像素電極14的距離相差不大,可以縮小像素電極112與其左側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c1與像素電極112與其右側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c2之間的差值,提高液晶顯示面板的顯示效果。

圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種液晶顯示面板中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖,圖5b為沿圖5a中e1-e2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。與圖2a和圖2b中陣列基板相比,圖5a和圖5b中開(kāi)口還包括第二開(kāi)口結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)圖5a和圖5b,該陣列基板中,開(kāi)口包括第二開(kāi)口結(jié)構(gòu)192;每一個(gè)第二開(kāi)口結(jié)構(gòu)192與同一行中相鄰的兩個(gè)像素單元11對(duì)應(yīng)設(shè)置;該相鄰的兩個(gè)像素單元11的像素電極112與薄膜晶體管的漏極113電連接處1121在襯底基板10上的投影均位于與其對(duì)應(yīng)的第二開(kāi)口結(jié)構(gòu)192在襯底基板10上的投影內(nèi);第二開(kāi)口結(jié)構(gòu)192露出與其對(duì)應(yīng)的兩個(gè)像素單元11之間的部分觸控走線15。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),這樣設(shè)置并未對(duì)觸控電極14的結(jié)構(gòu)進(jìn)行修改,在生產(chǎn)制造過(guò)程中,仍可以利用原有的用于制作觸控電極14的掩膜版制作本技術(shù)方案的觸控電極14,可以達(dá)到提高液晶顯示面板顯示效果的前提下,節(jié)約生產(chǎn)成本的目的。

圖6a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種液晶顯示面板中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖,圖6b為沿圖6a中f1-f2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。與圖5a和圖5b中陣列基板相比,圖6a和圖6b中開(kāi)口包括第三開(kāi)口結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)圖6a和圖6b,該陣列基板中,開(kāi)口包括第三開(kāi)口結(jié)構(gòu)193;第三開(kāi)口結(jié)構(gòu)193位于相鄰兩行像素單元11之間,且同一觸控電極14覆蓋的同一行像素單元11的像素電極112與薄膜晶體管的漏極113電連接處1121在襯底基板10上的投影均位于第三開(kāi)口結(jié)構(gòu)193在襯底基板10上的投影內(nèi)。這樣,由于第三開(kāi)口結(jié)構(gòu)193將薄膜晶體管的漏極113兩側(cè)的數(shù)據(jù)線13、觸控走線15和補(bǔ)償走線16露出,可以進(jìn)一步減少觸控電極14對(duì)像素電極112與其左側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c1的干擾,以及觸控電極14對(duì)像素電極112與其右側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c2的干擾,進(jìn)一步縮小像素電極112與其左側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c1與像素電極112與其右側(cè)數(shù)據(jù)線13之間的耦合電容c2之間的差值,提高液晶顯示面板的顯示效果。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板。圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖7,該顯示面板包括本發(fā)明任意實(shí)施例提供的陣列基板100以及與該陣列基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)置基板200。該對(duì)置基板200可以為彩膜基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板,通過(guò)在其內(nèi)部陣列基板上增設(shè)多條補(bǔ)償走線,并設(shè)置多條補(bǔ)償走線與多條觸控走線同層設(shè)置,多條補(bǔ)償走線與與其鄰近的觸控電極電連接;補(bǔ)償走線覆蓋未被觸控走線覆蓋的數(shù)據(jù)線的部分區(qū)域;在像素區(qū)域內(nèi),觸控走線和補(bǔ)償走線位于像素電極與薄膜晶體管的漏極電連接處相對(duì)的兩側(cè),可以充分縮減在開(kāi)口周圍像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容之差,以使在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下,像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容盡可能相互抵消,消除液晶顯示面板的信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象,解決了現(xiàn)有的液晶顯示面板中因在開(kāi)口周圍,同一像素單元內(nèi),像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容不相等,在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下,像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容不能相互抵消,液晶顯示面板易出現(xiàn)信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象,影響液晶顯示面板的顯示效果的問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了提高液晶顯示面板的顯示效果的目的。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置。圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖8,該顯示裝置101包括本發(fā)明任意實(shí)施例提供的顯示面板201。該顯示裝置101具體可以為手機(jī)、平板電腦以及智能可穿戴設(shè)備等。

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置,通過(guò)在其內(nèi)容部陣列基板上增設(shè)多條補(bǔ)償走線,并設(shè)置多條補(bǔ)償走線與多條觸控走線同層設(shè)置,多條補(bǔ)償走線與與其鄰近的觸控電極電連接;補(bǔ)償走線覆蓋未被觸控走線覆蓋的數(shù)據(jù)線的部分區(qū)域;在像素區(qū)域內(nèi),觸控走線和補(bǔ)償走線位于像素電極與薄膜晶體管的漏極電連接處相對(duì)的兩側(cè),可以充分縮減在開(kāi)口周圍像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容之差,以使在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下,像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容盡可能相互抵消,消除液晶顯示面板的信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象,解決了現(xiàn)有的液晶顯示面板中因在開(kāi)口周圍,同一像素單元內(nèi),像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容不相等,在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下,像素電極和其兩側(cè)數(shù)據(jù)線形成的耦合電容不能相互抵消,液晶顯示面板易出現(xiàn)信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象,影響液晶顯示面板的顯示效果的問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了提高液晶顯示面板的顯示效果的目的。

注意,上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解,本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例,對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明,但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下,還可以包括更多其他等效實(shí)施例,而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。

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