本發(fā)明涉及計算材料學領域,尤其是一種預測鐵鎵稀土合金磁致伸縮性能的方法。
背景技術:
fega合金是繼傳統(tǒng)磁致伸縮材料(ni,fe-al等)和稀土超磁致伸縮材料之后出現(xiàn)的一種新型磁致伸縮材料。這種新型fega磁致伸縮材料,具有低飽和磁化場、較大的磁致伸縮系數(shù)、良好的加工性能以及低成本等綜合優(yōu)勢。但目前實際制備的fega合金磁致伸縮系數(shù)很低,還不足terfenol-d合金的1/3。fega合金屬于體心立方結(jié)構,通過設計摻入適量的ga原子,可以改變合金的切變彈性常數(shù)和磁彈性耦合常數(shù),得到具有一定磁致伸縮特性的fega合金。合金晶體的磁各向異性對最終的磁致伸縮系數(shù)會產(chǎn)生極大的影響。增大各向異性能是提高磁致伸縮系數(shù)的重要途徑。在fega合金中,摻入適量的稀土元素,能夠增大合金的磁各向異性能,提高其磁致伸縮系數(shù)。
提高合金磁致伸縮系數(shù)的傳統(tǒng)方法,通常是根據(jù)合金的成分,推斷可能提高磁致伸縮系數(shù)的化學元素,或模仿現(xiàn)有文獻進行追蹤,從而對fega合金進行摻雜改性。合成這種合金后,再進行材料性能測試和效果分析評價。這種炒菜式的材料設計方法,往往缺乏理論計算支撐,難以得到最佳的成分配方,且合成效果不穩(wěn)定,浪費大量的時間和研究研發(fā)資源。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足,提供一種預測鐵鎵稀土合金磁致伸縮性能的方法,可以用來指導提高fegare合金磁致伸縮系數(shù)的摻雜改性工藝,具有成本低、方法可靠的優(yōu)點,也可以推廣到其它fe基磁致伸縮材料的配方設計研究中。
本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來實現(xiàn)的:一種預測鐵鎵稀土合金磁致伸縮性能的方法,它包括以下步驟:
結(jié)構建模;
確定晶格常數(shù);
價電子結(jié)構計算;
確定單鍵半距和共價電子對數(shù);
磁致伸縮性能預測。
優(yōu)選的,所述的結(jié)構建模包括:用x表示ga含量,y表示re含量,i表示鍵數(shù),d(n)表示實驗鍵距,a表示晶格常數(shù),r(1)表示單鍵半距,
優(yōu)選的,所述單鍵半距和共價電子數(shù)是根據(jù)雜階來選擇的。
優(yōu)選的,無序固溶體中的主要鍵數(shù)由沿(111)方向的最短鍵a和沿(100)方向的次短鍵b構成,根據(jù)a~y關系曲線,提取晶格常數(shù)。
優(yōu)選的,所述的價電子結(jié)構計算包括:
選擇fe、ga雜化臺階分別確定其單鍵半距和共價電子數(shù);
計算fega合金價電子結(jié)構;
計算fegare合金價電子結(jié)構。
優(yōu)選的,所述的計算fega合金價電子結(jié)構,選擇fe、ga的雜化臺階,根據(jù)ga的原子百分比,用fega合金的實驗晶格常數(shù),計算鍵距差δd,最終計算出合金的單鍵半距和a、b鍵的鍵共價電子對數(shù)。
優(yōu)選的,所述的計算fegare合金價電子結(jié)構,選擇fe、ga、re雜化臺階,根據(jù)ga、re的原子百分比,用fegare的晶格常數(shù),計算鍵距差δd,最終計算出fegare合金的單鍵半距和a、b鍵的鍵共價電子對數(shù)。
優(yōu)選的,所述的鍵距差δd需滿足:
優(yōu)選的,所述的磁致伸縮性能預測具體為:單鍵半距越大,鍵共價電子對數(shù)越小,合金的磁致伸縮系數(shù)越大;并判定該系列合金的最佳配方。
本發(fā)明的有益效果是:該方法能給出價電子結(jié)構與晶體材料性能之間的關系。本發(fā)明用經(jīng)驗電子理論得到的價電子結(jié)構來預測fegare合金的磁致伸縮性能和最佳的合金配方,其計算結(jié)果可以用來指導鐵基合金的稀土摻雜改性,得到理想的磁致伸縮性能,具有周期短,成本低的優(yōu)勢。該方法也可以通過調(diào)整價電子結(jié)構參數(shù)用于其它鐵基立方晶系材料的磁致伸縮性能研究。
附圖說明
圖1為一種預測鐵鎵稀土合金磁致伸縮性能的方法流程圖;
圖2為用經(jīng)驗電子理論計算fegace合金ce的摻入量與單鍵半距的關系;
圖3為實際測試得到合金的摻入不同ce后的磁致伸縮系數(shù)。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖進一步詳細描述本發(fā)明的技術方案,但本發(fā)明的保護范圍不局限于以下所述。
實施例1:
如圖1所示,一種預測鐵鎵稀土合金磁致伸縮性能的方法包括:
結(jié)構建模:用x表示ga含量,y表示re含量,則鍵數(shù)i和鍵距d(n)等一系列參數(shù)可表示如下:
lgrb=δab,δab=[d(na)-d(nb)]/β
式中,i—鍵數(shù),d(n)—實驗鍵距,a—晶格常數(shù),r(1)—單鍵半距,
確定晶格常數(shù):先選取摻入稀土ce量為0~2at%的3~4個配方,實驗得到其晶格常數(shù),并得到合金晶格常數(shù)與ce含量的a~y關系曲線,供后續(xù)根據(jù)ce的含量選擇晶格常數(shù)a。
泡林系數(shù)β:取
單鍵半距rs(1):
共價電子數(shù)nc:
價電子結(jié)構計算:選擇fe、ga雜化臺階分別確定其單鍵半距和共價電子數(shù),分別計算fega合金價電子結(jié)構和fegare合金價電子結(jié),具體為:
fe81ga19合金價電子結(jié)構計算:首先計算fe81ga19合金的價電子結(jié)構。晶格常數(shù)
fe80.7ga19ce0.3合金價電子結(jié)構計算:加入0.3at%ce后,晶格常數(shù)
fe80.3ga19ce0.7合金價電子結(jié)構計算:加入0.7at%ce后,晶格常數(shù)
fe80ga19ce1合金價電子結(jié)構計算:加入1at%ce后,晶格常數(shù)
磁致伸縮性能預測:根據(jù)上述計算可知,在ce摻入量為0.7at%時,合金的單價半距最大,而在a鍵(111)和b鍵(100)方向上的鍵共價電子對數(shù)最小,此時合金應具有最大的磁致伸縮系數(shù)。即ce摻入量為0.7at%時,具有最佳的磁致伸縮性能。經(jīng)測試,摻入ce量為0、0.3、0.7和1at%時,其磁致伸縮系數(shù)分別為25、29、35和20ppm,如圖2和圖3所示,與計算十分吻合。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應當理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式,不應看作是對其他實施例的排除,而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境,并能夠在本文所述構想范圍內(nèi),通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍,則都應在本發(fā)明所附權利要求的保護范圍內(nèi)。