技術特征：

1.一種基于三維點云模型的單晶硅棒外形尺寸測量方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)垂直于單晶硅棒三維點云模型的軸線方向，即y坐標方向等間隔的對點云進行分層，得到平行于xoz坐標平面的橫截面輪廓點云，共計N層；

2)分別計算每一層橫截面輪廓點云的幾何中心點，記為C_i(x_cen,i,y_i,z_cen,i)，i＝1,…,N；

3)對步驟2)中得到的N個幾何中心點進行直線擬合，得到的擬合直線即為單晶硅棒的幾何中心軸線；

4)計算單晶硅棒點云模型中任一點到擬合幾何中心軸線的距離，并記錄最大距離值、最小距離值和對應點的y坐標，即測得單晶硅棒的最大直徑、最小直徑和位置；

5)所得單晶硅棒三維點云模型中最大y坐標和最小y坐標的差值即為該單晶硅棒的高度值。

2.根據權利要求1所述的基于三維點云模型的單晶硅棒外形尺寸測量方法，其特征在于，步驟2)所述的計算每一層橫截面輪廓點云的幾何中心點坐標，是采用如下公式：

$\left\{\begin{array}{c}{x}_{cen,i}=\frac{1}{M_i}{\Σ}_{j=1}^{M_i}{x}_{ij}\\ z_{cen,i}=\frac{1}{M_i}{\Σ}_{j=1}^{M_i}{z}_{ij}\end{array}\right.---\left(1\right)$

式中，x_cen,i是幾何中心點的x坐標；z_cen,i是幾何中心點的z坐標；M_i是第i層橫截面輪廓點云的點的個數；x_ij是第i層橫截面輪廓點云第j個點的x坐標；z_ij是第i層橫截面輪廓點云第j個點的z坐標。

3.根據權利要求1所述的基于三維點云模型的單晶硅棒外形尺寸測量方法，其特征在于，步驟3)擬合后的幾何中心軸線方程如下：

$\frac{x-x_0}{m}=\frac{y-y_0}{l}=\frac{z-z_0}{n}---\left(2\right)$

式中m,l,n是幾何中心軸線的方向向量，x₀,y₀,z₀是擬合后幾何中心軸線上任一點的x、y、z坐標分量。

4.根據權利要求1所述的基于三維點云模型的單晶硅棒外形尺寸測量方法，其特征在于，步驟4)所述的計算單晶硅棒點云模型中任一點到擬合幾何中心軸線的距離，是采用如下公式：

$d_k=\frac{\sqrt{\left|\begin{array}{cc}{y}_0-y_k& z_0-z_k\\ n& l\end{array}\right|+\left|\begin{array}{cc}{z}_0-z_k& x_0-x_k\\ l& m\end{array}\right|+\left|\begin{array}{cc}{x}_0-x_k& y_0-y_k\\ m& n\end{array}\right|}}{\sqrt{m^2+n^2+l^2}}---\left(3\right)$

式中x_k,y_k,z_k是單晶硅棒點云模型中任一點的x、y、z坐標分量。