1.一種管理存儲區(qū)域的方法，其特征在于，應用于固態(tài)硬盤SSD，所述方法包括：
確定所述SSD的SLC存儲區(qū)域包括的多個SLC型存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)的第一讀寫特征，并確定所述SSD的TLC存儲區(qū)域包括的多個TLC型存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)的第二讀寫特征；
根據(jù)所述第一讀寫特征和所述第二讀寫特征中的至少一個，對所述TLC存儲區(qū)域與所述SLC存儲區(qū)域之間的比例進行調整。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
將所述SSD的用戶數(shù)據(jù)空間包括的部分存儲單元的工作模式設置為TLC模式，以得到所述TLC存儲區(qū)域；
將所述用戶數(shù)據(jù)空間中除所述部分存儲單元外的剩余存儲單元的工作模式設置為SLC模式，以得到所述SLC存儲區(qū)域，其中，請求寫入所述SSD的數(shù)據(jù)將被存儲在所述SLC存儲區(qū)域。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述第一讀寫特征和所述第二讀寫特征中的至少一個，對所述TLC存儲區(qū)域與所述SLC存儲區(qū)域之間的比例進行調整，包括：
將所述SLC存儲區(qū)域中讀寫頻率低于預設閾值的數(shù)據(jù)標記為待非等量搬移；
將所述SLC存儲區(qū)域包括的空閑SLC型存儲單元的工作模式由SLC模式轉換為TLC模式，以得到空閑TLC型存儲單元；
所述方法還包括：
將所述SLC存儲區(qū)域中標記為待非等量搬移的數(shù)據(jù)搬移到空閑TLC型存儲單元。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，將所述SLC存儲區(qū)域所存儲的讀寫頻率低于預設閾值的數(shù)據(jù)標記為待非等量搬移，包括：
對所述SLC存儲區(qū)域中所有數(shù)據(jù)的讀取頻率，按照從高到低的順序進行排序；
將排在后S位的數(shù)據(jù)標記為待非等量搬移，S為大于0的整數(shù)。
5.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
檢測所述SLC存儲區(qū)域已存儲的數(shù)據(jù)量是否超過預設數(shù)值，所述預設數(shù)值由所述SSD的標稱容量以及所述SLC存儲區(qū)域已存儲的數(shù)據(jù)量與所述TLC存儲區(qū)域已存儲的數(shù)據(jù)量之和確定；
將所述SLC存儲區(qū)域中讀寫頻率低于預設閾值的數(shù)據(jù)標記為待非等量搬移，包括：
在所述SLC存儲區(qū)域已存儲的數(shù)據(jù)量超過所述預設數(shù)值的情況下，將所述SLC存儲區(qū)域中讀寫頻率低于預設閾值的數(shù)據(jù)標記為待非等量搬移。
6.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，在將所述SLC存儲區(qū)域中標記為待非等量搬移的數(shù)據(jù)搬移到空閑TLC型存儲單元之后，所述方法還包括：
將所述TLC存儲區(qū)域中標記為待非等量搬移的數(shù)據(jù)標記為已非等量搬移；
根據(jù)所述第一讀寫特征和所述第二讀寫特征中的至少一個，對所述TLC存儲區(qū)域與所述SLC存儲區(qū)域之間的比例進行調整，包括：
將所述SLC存儲區(qū)域中滿足第一預設條件的數(shù)據(jù)標記為待等量搬移，并將所述TLC存儲區(qū)域中滿足第二預設條件的數(shù)據(jù)標記為待等量搬移，其中，所述第一預設條件為：未標記為待非等量搬移，且讀寫頻率小于所述TLC存儲區(qū)域中未標記為已非等量搬移的數(shù)據(jù)的讀寫頻率，所述第二預設條件為：未標記為已非等量搬移，且讀寫頻率大于所述SLC存儲區(qū)域中未標記為待非等量搬移的數(shù)據(jù)的讀寫頻率；
將所述SLC存儲區(qū)域包括的空閑SLC型存儲單元的工作模式由SLC模式轉換為TLC模式，以得到空閑TLC型存儲單元；
所述方法還包括：
將所述SLC存儲區(qū)域中標記為待等量搬移的數(shù)據(jù)搬移到空閑TLC型存儲單元，并將所述TLC存儲區(qū)域中標記為待等量搬移的數(shù)據(jù)搬移到所述SLC存儲區(qū)域包括的空閑SLC型存儲單元。
7.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述第一讀寫特征和所述第二讀寫特征中的至少一個，對所述TLC存儲區(qū)域與所述SLC存儲區(qū)域之間的比例進行調整，包括：
在所述SLC存儲區(qū)域已存儲的數(shù)據(jù)量未超過所述預設數(shù)值的情況下，將所述SLC存儲區(qū)域中讀寫頻率符合第三預設條件的數(shù)據(jù)記為待等量搬移，并將所述TLC存儲區(qū)域中讀寫頻率符合第四預設條件的數(shù)據(jù)記為待等量搬移，其中，所述第三預設條件為：讀寫頻率低于所述TLC存儲區(qū)域所存儲的數(shù)據(jù)的讀寫頻率，所述第四預設條件為：讀寫頻率高于所述SLC存儲區(qū)域所存儲的數(shù)據(jù)的讀寫頻率；
將所述SLC存儲區(qū)域包括的空閑SLC型存儲單元的工作模式由SLC模式轉換為TLC模式，以得到空閑TLC型存儲單元；
所述方法還包括：
將所述SLC存儲區(qū)域中標記為待等量搬移的數(shù)據(jù)搬移到空閑TLC型存儲單元，并將所述TLC存儲區(qū)域中標記為待等量搬移的數(shù)據(jù)搬移到所述SLC存儲區(qū)域包括的空閑SLC型存儲單元。
8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，將所述SLC存儲區(qū)域中滿足第一預設條件的數(shù)據(jù)標記為待等量搬移，并將所述TLC存儲區(qū)域中滿足第二預設條件的數(shù)據(jù)標記為待等量搬移，包括：
將所述TLC存儲區(qū)域中未標記為已非等量搬移的數(shù)據(jù)的讀寫頻率的最大值，與所述SLC存儲區(qū)域中未標記為待非等量搬移的數(shù)據(jù)的讀寫頻率的最小值進行比較；
在所述最大值大于所述最小值的情況下，確定所述SLC存儲區(qū)域中讀寫頻率小于所述最大值且未標記為待非等量搬移的數(shù)據(jù)量；
在所述數(shù)據(jù)量不小于所述TLC存儲區(qū)域中單個TLC型存儲單元的容量的情況下，將所述SLC存儲區(qū)域中讀寫頻率小于所述最大值且未標記為待非等量搬移的數(shù)據(jù)標記為待等量搬移，并將所述TLC存儲區(qū)域中讀寫頻率為所述最大值且未標記為已非等量搬移的數(shù)據(jù)標記為待等量搬移。
9.一種固態(tài)硬盤，其特征在于，包括：控制器、SLC存儲區(qū)域、TLC存儲區(qū)域，所述控制器用于：
確定所述SSD的SLC存儲區(qū)域包括的多個SLC型存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)的第一讀寫特征，并確定所述SSD的TLC存儲區(qū)域包括的多個TLC型存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)的第二讀寫特征；
根據(jù)所述第一讀寫特征和所述第二讀寫特征中的至少一個，對所述TLC存儲區(qū)域與所述SLC存儲區(qū)域之間的比例進行調整。
10.根據(jù)權利要求9所述的固態(tài)硬盤，其特征在于，所述控制器還用于：
將所述SSD的用戶數(shù)據(jù)空間包括的部分存儲單元的工作模式設置為TLC模式，以得到所述TLC存儲區(qū)域；
將所述用戶數(shù)據(jù)空間中除所述部分存儲單元外的剩余存儲單元的工作模式設置為SLC模式，以得到所述SLC存儲區(qū)域，其中，請求寫入所述SSD的數(shù)據(jù)將被存儲在所述SLC存儲區(qū)域。