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一種傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊的制作方法

文檔序號:11706369閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊,用于一傳感裝置,所述傳感裝置包括:

一中央處理器、所述傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊、一感應裝置、一傳感器以及一觸摸芯片,其特征在于,所述傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊與所述中央處理器電連接,且所述傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊的通斷電狀態(tài)受所述中央處理器控制,所述感應裝置與所述中央處理器電連接,所述傳感器與所述傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊電連接,所述傳感器與所述感應裝置電連接,且所述傳感器的通斷電狀態(tài)受所述傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊控制,所述觸摸芯片與所述傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊電連接,所述觸摸芯片與所述感應裝置電連接,且所述觸摸芯片的通斷電狀態(tài)受所述傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊控制。

2.如權利要求1所述的傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊,其特征在于,所述傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊包括一模擬開關芯片和一P型MOS管,且所述P型MOS管的狀態(tài)受所述模擬開關芯片控制。

3.如權利要求2所述的傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊,其特征在于,所述模擬開關芯片具有一第一引腳、一第二引腳以及一第三引腳,且所述模擬開關芯片通過所述第二引腳與所述感應裝置電連接。

4.如權利要求3所述的傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊,其特征在于,所述P型MOS管202具有一源極S、一柵極G以及一漏極D,且所述P型MOS管的所述源極S與所述模擬開關芯片通過所述第一引腳電連接,所述P型MOS管通過所述柵極G與所述傳感器電連接,所述P型MOS管通過所述漏極D與所述觸摸芯片電連接。

5.如權利要求4所述的傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊,其特征在于,所述P型MOS管通過所述第三引腳與所述模擬開關芯片電連接,所述P型MOS管通過所述第三引腳接收來自所述模擬開關芯片的電信號,且所述P型MOS管根據(jù)其接收到的電信號改變其狀態(tài)。

6.如權利要求1所述的傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊,其特征在于,所述傳感器具有一驅(qū)動引腳,所述傳感器通過所述驅(qū)動引腳與所述感應裝置電連接。

7.如權利要求1所述的傳感器轉(zhuǎn)換控制模塊,其特征在于,所述觸摸芯片具有一觸摸引腳,所述觸摸芯片通過所述觸摸引腳與所述感應裝置電連接。

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