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一種單面覆銅雙界面智能卡條帶的制作方法

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一種單面覆銅雙界面智能卡條帶的制作方法與工藝

本實(shí)用新型涉及智能卡生產(chǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域,尤其是雙界面智能卡條帶的生產(chǎn)及應(yīng)用。



背景技術(shù):

現(xiàn)有雙界面智能卡條帶使用雙面覆銅工藝,因環(huán)氧玻璃布兩面都需要覆一層銅箔,生產(chǎn)成本高。如圖1所示,為現(xiàn)有雙界面條帶接觸面俯視圖,接觸面覆有一層銅箔,銅箔通過(guò)化學(xué)蝕刻的方式形成有C1~C8共八個(gè)互不導(dǎo)通的觸點(diǎn),其尺寸及位置滿足ISO 7816協(xié)議要求,其中C1、C2、C3、C5、C7連接芯片接觸界面的輸出輸出端,C4、C6、C8三個(gè)觸點(diǎn)懸空。

如圖2所示,為現(xiàn)有雙界面條帶包封面俯視圖,其中,包封面的環(huán)氧玻璃布在C1~C8的位置各有一個(gè)沖孔,沖孔位置露出接觸面金屬形成8個(gè)焊盤(1),芯片(4)的接觸界面輸入輸出端通過(guò)金絲(5)與這些焊盤(1)鏈接。在環(huán)氧玻璃布的包封面同樣覆有一層銅箔,銅箔使用化學(xué)蝕刻的方式形成兩個(gè)非接外焊盤(2)和兩個(gè)或以上非接內(nèi)焊盤(3),其中非接外焊盤(2)用于制卡時(shí)和卡片的天線端連接,非接內(nèi)焊盤(3)用于模塊封裝時(shí)通過(guò)金絲(5)和芯片(4)非接觸界面的輸入輸出端連接。

如圖3所示,為現(xiàn)有雙界面條帶A-A剖面圖,條帶的包封面和接觸面分別覆有一層銅箔,兩層銅箔中間有一層環(huán)氧玻璃布(6),環(huán)氧玻璃布(6)起到固定接觸面和包封面的銅箔的作用。

如圖4所示,為現(xiàn)有雙界面制卡圖,卡片卡基有兩個(gè)長(zhǎng)邊和兩個(gè)寬邊,兩個(gè)長(zhǎng)邊之間的相對(duì)距離為86mm,兩個(gè)寬邊之間的相對(duì)距離為54mm,條帶邊緣距離其中一卡基長(zhǎng)邊的距離為18mm,距離其中一卡基寬邊的距離為9mm,以使得C1~C8觸點(diǎn)位置分別滿足ISO 7816協(xié)議要求。

現(xiàn)有雙界面智能卡條帶使用雙面覆銅工藝,其條帶生產(chǎn)廠買進(jìn)的原材料是一層銅箔和一層一面已經(jīng)覆銅環(huán)氧玻璃布,所以環(huán)氧玻璃布的表面無(wú)法再做處理,條帶包封面的金屬與UV膠的粘接力較差,影響雙界面模塊的可靠性,雙界面卡片的凸字打印位置距離模塊位置很近,打凸字時(shí)有造成模塊失效的風(fēng)險(xiǎn)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的雙界面智能卡條帶使用雙面覆銅工藝不足,本實(shí)用新型的目的是提供一種使用單面覆銅條帶工藝制作雙界面智能卡。

為了達(dá)到上述技術(shù)目的,本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:

一種單面覆銅雙界面智能卡條帶,包括包封面和接觸面,由銅箔和環(huán)氧玻璃布組成,接觸面的銅箔通過(guò)化學(xué)蝕刻的方式形成C1、C2、C3、C5、C6、C7六個(gè)互不導(dǎo)通的觸點(diǎn),觸點(diǎn)的尺寸及位置滿足ISO 7816協(xié)議要求,其中,

在C1、C5觸點(diǎn)的上方各新增一個(gè)互不導(dǎo)通的觸點(diǎn);

C1、C2、C3、C5、C7觸點(diǎn)連接在芯片接觸界面的輸出輸出端,新增的兩個(gè)觸點(diǎn)連接芯片非接觸界面的輸入輸出端口,C6懸空。

優(yōu)選地,在單面覆銅雙界面智能卡條帶中,所述包封面的環(huán)氧玻璃布在C1、C2、C3、C5、C6、C7觸點(diǎn)位置各有一個(gè)沖孔,沖孔位置露出銅箔形成六個(gè)焊盤,芯片的接觸界面輸入輸出端通過(guò)金絲與焊盤連接。

優(yōu)選地,在單面覆銅雙界面智能卡條帶中,所述包封面的環(huán)氧玻璃布在新增的觸點(diǎn)各有一個(gè)小圓形沖孔,小圓形沖孔位置各露出一個(gè)非接內(nèi)焊盤。

優(yōu)選地,在單面覆銅雙界面智能卡條帶中,所述新增的觸點(diǎn)各有一個(gè)大圓形沖孔,大圓形沖孔位置各露出一個(gè)非接外焊盤。

優(yōu)選地,在單面覆銅雙界面智能卡條帶中,所述非接內(nèi)焊盤用于封裝時(shí)通過(guò)金絲和芯片非接觸界面的輸入輸出端連接。

優(yōu)選地,在單面覆銅雙界面智能卡條帶中,所述非接外焊盤用于制卡時(shí)和卡片的天線端連接。

優(yōu)選地,在單面覆銅雙界面智能卡條帶中,在制卡時(shí),條帶邊緣距離一卡基長(zhǎng)邊的距離為16.5mm,距離一卡基寬邊的距離為9mm,使C1、C2、C3、C5、C6、C7觸點(diǎn)和新增觸點(diǎn)的位置滿足ISO 7816協(xié)議要求。

本實(shí)用新型采用了上述單面覆銅條帶工藝制作雙界面智能卡,所獲得的有益效果是,降低了雙界面智能卡的成本,解決了環(huán)氧玻璃布表面粗糙度一致性差的問(wèn)題,同時(shí)使得卡片打凸字位置與模塊位置增加,降低了打凸字時(shí)造成芯片損壞的風(fēng)險(xiǎn)。

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有的雙界面條帶接觸面平面圖。

圖2是現(xiàn)有的雙界面條帶包封面平面圖。

圖3是現(xiàn)有的雙界面條帶剖面圖。

圖4是現(xiàn)有的一種雙界面智能卡俯視圖。

圖5是本實(shí)用新型具體實(shí)施例的一種單面覆銅雙界面條帶接觸面平面圖。

圖6是本實(shí)用新型具體實(shí)施例的一種單面覆銅雙界面條帶包封面平面圖。

圖7是本實(shí)用新型具體實(shí)施例的一種單面覆銅雙界面條帶剖面圖。

圖8是本實(shí)用新型具體實(shí)施例的一種單面覆銅雙界面智能卡俯視圖。

具體實(shí)施方式

如圖5所示,為本實(shí)用新型具體實(shí)施例的一種單面覆銅雙界面條帶接觸面平面圖;在雙界面條帶中,接觸面覆有一層銅箔,銅箔通過(guò)化學(xué)蝕刻的方式形成有C1、C2、C3、C5、C6、C7共六個(gè)互不導(dǎo)通的觸點(diǎn),觸點(diǎn)的尺寸及位置滿足ISO 7816協(xié)議要求。去掉了下面不用的C4和C8兩個(gè)觸點(diǎn),另外在C1和C5這兩個(gè)觸點(diǎn)的上面各新增一個(gè)互不導(dǎo)通的觸點(diǎn)(20);其中C1、C2、C3、C5、C7觸點(diǎn)連接在芯片接觸界面的輸出輸出端,新增的兩個(gè)觸點(diǎn)(20)連接芯片非接觸界面的輸入輸出端口,C6懸空。去掉了不使用的C4和C8這兩個(gè)觸點(diǎn),C1和C5這兩個(gè)觸點(diǎn)的上方各新增加了一個(gè)觸點(diǎn)作為芯片和卡片非接觸界面的連接,這樣卡片在測(cè)試及使用過(guò)程中不受讀卡機(jī)C4、C8觸點(diǎn)狀態(tài)的影響。

如圖6所示,本實(shí)用新型具體實(shí)施例的一種單面覆銅雙界面條帶包封面平面圖;包封面的環(huán)氧玻璃布在C1、C2、C3、C5、C6、C7的位置各有一個(gè)沖孔,沖孔位置露出銅箔形成六個(gè)焊盤(21),芯片(24)的接觸界面輸入輸出端通過(guò)金絲(25)與這些焊盤(21)連接;包封面的環(huán)氧玻璃布在新增的觸點(diǎn)(20)位置各有一個(gè)小圓形沖孔,小圓形沖孔位置各露出一個(gè)非接內(nèi)焊盤(23),這兩個(gè)非接內(nèi)焊盤(23)用于封裝時(shí)通過(guò)金絲(25)和芯片(24)非接觸界面的輸入輸出端連接;新增的觸點(diǎn)(20)各有一個(gè)大圓形沖孔,大圓形沖孔位置各露出一個(gè)非接外焊盤(22),這兩個(gè)非接外焊盤焊盤(22)用于制卡時(shí)和卡片的天線端連接。

如圖7所示,本實(shí)用新型具體實(shí)施例的一種單面覆銅雙界面條帶剖面圖;由一層環(huán)氧玻璃布(26)和接觸面的一層銅箔組成,環(huán)氧玻璃布(26)起到固定接觸面銅箔的作用。

如圖8所示,本實(shí)用新型具體實(shí)施例的一種單面覆銅雙界面智能卡俯視圖;制卡時(shí),卡片卡基有兩個(gè)長(zhǎng)邊和兩個(gè)寬邊,兩個(gè)長(zhǎng)邊之間的相對(duì)距離為86mm,兩個(gè)寬邊之間的相對(duì)距離為54mm,條帶邊緣距離其中之一卡基長(zhǎng)邊的距離為16.5mm,距離其中之一卡基寬邊距離為9mm,使C1、C2、C3、C5、C6、C7觸點(diǎn)和新增觸點(diǎn)的位置滿足ISO 7816協(xié)議要求,這樣在個(gè)人化測(cè)試及終端用戶使用時(shí),讀卡機(jī)的C4、C8觸點(diǎn)狀態(tài)不會(huì)影響到卡片的正常工作。

上述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)思路的基礎(chǔ)上能有許多變形和變化,這些顯而易見(jiàn)形成的技術(shù)方案也包含在本實(shí)用新型保護(hù)的技術(shù)范圍內(nèi)。

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