本發(fā)明涉及工業(yè)儀表醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域，具體地講，涉及一種工業(yè)儀表數(shù)據(jù)安全存儲(chǔ)方法。

背景技術(shù)：

在工業(yè)應(yīng)用中儀表的存儲(chǔ)器故障是儀表?yè)p壞的重要因素之一，儀表的外置存儲(chǔ)器通常為IIC或SPI總線(xiàn)，讀寫(xiě)操作的指令和地址信息都是通過(guò)位標(biāo)志識(shí)別，當(dāng)出現(xiàn)外部電磁干擾時(shí)個(gè)別位信息干擾，而導(dǎo)致存儲(chǔ)區(qū)讀寫(xiě)顛倒、地址錯(cuò)誤、扇區(qū)錯(cuò)誤等。此為現(xiàn)有技術(shù)的不足之處。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種工業(yè)儀表數(shù)據(jù)安全存儲(chǔ)方法，該方法能夠極大的提高儀表數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，。

本發(fā)明采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的：

一種工業(yè)儀表數(shù)據(jù)安全存儲(chǔ)方法，其特征是，包括如下步驟：

(1)建立分別帶校驗(yàn)碼的主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)和備用副區(qū)；

(2)CPU初始化，完成存儲(chǔ)操作前準(zhǔn)備，讀取輪值副區(qū)標(biāo)識(shí)，確定輪值副區(qū)；

(3)判斷當(dāng)前RAM存儲(chǔ)器中的累積前的數(shù)據(jù)是否正確，如果數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，轉(zhuǎn)步驟(4)，如果數(shù)據(jù)正確，轉(zhuǎn)步驟(5)；

(4)分別對(duì)主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)或備用副區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，將主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)或備用副區(qū)內(nèi)校驗(yàn)正確的數(shù)據(jù)載入到RAM存儲(chǔ)器，轉(zhuǎn)步驟(5)；如果主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)或備用副區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)校驗(yàn)全部錯(cuò)誤，重新啟動(dòng)或者提示錯(cuò)誤，終止操作；

(5)在RAM存儲(chǔ)器中進(jìn)行累積計(jì)算，將RAM存儲(chǔ)器中的累積值存入主存儲(chǔ)區(qū)；

(6)輪值副區(qū)和備用副區(qū)進(jìn)行切換，；

(7)將RAM存儲(chǔ)器中的累積值存入輪值副區(qū)，完成一次存儲(chǔ)操作。

作為對(duì)本技術(shù)方案的進(jìn)一步限定，所述步驟(4)的具體流程為：

(4.1)讀主存儲(chǔ)區(qū)的校驗(yàn)碼判斷校驗(yàn)是否正確，如果校驗(yàn)正確，將主存儲(chǔ)區(qū)的數(shù)據(jù)載入RAM存儲(chǔ)器，如果校驗(yàn)錯(cuò)誤，延時(shí)設(shè)定時(shí)間錯(cuò)開(kāi)工頻干擾，如果主存儲(chǔ)區(qū)校驗(yàn)沒(méi)有超過(guò)3次，重復(fù)進(jìn)行主存儲(chǔ)區(qū)的校驗(yàn)，如果主存儲(chǔ)區(qū)校驗(yàn)超過(guò)3次，轉(zhuǎn)步驟(4.2)；

(4.2)讀輪值副區(qū)的校驗(yàn)碼判斷校驗(yàn)是否正確，如果校驗(yàn)正確，將輪值副區(qū)的數(shù)據(jù)載入RAM存儲(chǔ)器，如果校驗(yàn)錯(cuò)誤，延時(shí)設(shè)定時(shí)間錯(cuò)開(kāi)工頻干擾，如果輪值副區(qū)校驗(yàn)沒(méi)有超過(guò)3次，重復(fù)進(jìn)行輪值副區(qū)的校驗(yàn)，如果輪值副區(qū)校驗(yàn)超過(guò)3次，轉(zhuǎn)步驟(4.3)；

(4.3)讀備用副區(qū)的校驗(yàn)碼判斷校驗(yàn)是否正確，如果校驗(yàn)正確，將備用副區(qū)的數(shù)據(jù)載入RAM存儲(chǔ)器，如果校驗(yàn)錯(cuò)誤，延時(shí)設(shè)定時(shí)間錯(cuò)開(kāi)工頻干擾，如果備用副區(qū)校驗(yàn)沒(méi)有超過(guò)3次，重復(fù)進(jìn)行備用副區(qū)的校驗(yàn)，如果備用副區(qū)校驗(yàn)超過(guò)3次，重新啟動(dòng)或者提示錯(cuò)誤。

作為對(duì)本技術(shù)方案的進(jìn)一步限定，所述主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)和備用副區(qū)數(shù)據(jù)塊的地址均不連續(xù)，并且分布在不同的存儲(chǔ)芯片上。存儲(chǔ)塊地址的錯(cuò)開(kāi)和多芯片存儲(chǔ)對(duì)于解決儀表總線(xiàn)收到干擾時(shí)或芯片部分空間壽命是有效的解決辦法。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：本發(fā)明提出1個(gè)主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)和備用副區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，輪值副區(qū)和備用副區(qū)交替存儲(chǔ)的方法，節(jié)省了儀表數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和判斷數(shù)據(jù)有效的執(zhí)行時(shí)間，又有效的確保的數(shù)據(jù)安全；將同一數(shù)據(jù)的多個(gè)相同存儲(chǔ)空間定義到不同的位置，用來(lái)消除總線(xiàn)出差或芯片出差而可能導(dǎo)致的數(shù)據(jù)誤清除；存儲(chǔ)塊地址的錯(cuò)開(kāi)和多芯片存儲(chǔ)對(duì)于解決儀表總線(xiàn)收到干擾時(shí)或芯片部分空間壽命是有效的解決辦法。每次操作1個(gè)住區(qū)和一個(gè)副區(qū)，保留1個(gè)副區(qū)的方式，通過(guò)保留1個(gè)副區(qū)而為儀表保留1個(gè)安全的空間。

每次操作前先判斷儀表RAM存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)的正確性，當(dāng)校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)則按主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)、備用副區(qū)的順序讀取，將第一組校驗(yàn)正確的數(shù)據(jù)載入RAM存儲(chǔ)器，其操作保證了存入存儲(chǔ)空間的數(shù)據(jù)是正確的，防止非法數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器中；將輪值副區(qū)和備用副區(qū)進(jìn)行存儲(chǔ)的交叉管理，2個(gè)副區(qū)交替參與讀寫(xiě)，確保2個(gè)副區(qū)都為正確數(shù)據(jù)，即使某次操作出現(xiàn)錯(cuò)誤，在下一次交替存儲(chǔ)時(shí)其數(shù)據(jù)將得到校正。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的數(shù)據(jù)上電讀取操作流程圖。

圖2為本發(fā)明的數(shù)據(jù)累積操作流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述，但應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受具體實(shí)施方式的限制。

如圖1和圖2所示，本發(fā)明包括如下步驟：

(1)建立分別帶校驗(yàn)碼的主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)和備用副區(qū)；

(2)CPU初始化，完成存儲(chǔ)操作前準(zhǔn)備，讀取輪值副區(qū)標(biāo)識(shí)，確定輪值副區(qū)；

(3)判斷當(dāng)前RAM存儲(chǔ)器中的累積前的數(shù)據(jù)是否正確，如果數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，轉(zhuǎn)步驟(4)，如果數(shù)據(jù)正確，轉(zhuǎn)步驟(5)；

(4)分別對(duì)主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)或備用副區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，將主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)或備用副區(qū)內(nèi)校驗(yàn)正確的數(shù)據(jù)載入到RAM存儲(chǔ)器，轉(zhuǎn)步驟(5)；如果主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)或備用副區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)校驗(yàn)全部錯(cuò)誤，重新啟動(dòng)或者提示錯(cuò)誤，終止操作；

(5)在RAM存儲(chǔ)器中進(jìn)行累積計(jì)算，將RAM存儲(chǔ)器中的累積值存入主存儲(chǔ)區(qū)；

(6)輪值副區(qū)和備用副區(qū)進(jìn)行切換，輪值副區(qū)和備用副區(qū)進(jìn)行切換即是將輪值副區(qū)和備用副區(qū)的標(biāo)識(shí)進(jìn)行切換；

(7)將RAM存儲(chǔ)器中的累積值存入輪值副區(qū)，完成一次存儲(chǔ)操作。

所述步驟(4)的具體流程為：

(4.1)讀主存儲(chǔ)區(qū)的校驗(yàn)碼判斷校驗(yàn)是否正確，如果校驗(yàn)正確，將主存儲(chǔ)區(qū)的數(shù)據(jù)載入RAM存儲(chǔ)器，如果校驗(yàn)錯(cuò)誤，延時(shí)設(shè)定時(shí)間錯(cuò)開(kāi)工頻干擾，一般延時(shí)23毫秒，如果主存儲(chǔ)區(qū)校驗(yàn)沒(méi)有超過(guò)3次，重復(fù)進(jìn)行主存儲(chǔ)區(qū)的校驗(yàn)，如果主存儲(chǔ)區(qū)校驗(yàn)超過(guò)3次，轉(zhuǎn)步驟(4.2)；

(4.2)讀輪值副區(qū)的校驗(yàn)碼判斷校驗(yàn)是否正確，如果校驗(yàn)正確，將輪值副區(qū)的數(shù)據(jù)載入RAM存儲(chǔ)器，如果校驗(yàn)錯(cuò)誤，延時(shí)設(shè)定時(shí)間錯(cuò)開(kāi)工頻干擾，一般延時(shí)23毫秒，如果輪值副區(qū)校驗(yàn)沒(méi)有超過(guò)3次，重復(fù)進(jìn)行輪值副區(qū)的校驗(yàn)，如果輪值副區(qū)校驗(yàn)超過(guò)3次，轉(zhuǎn)步驟(4.3)；

(4.3)讀備用副區(qū)的校驗(yàn)碼判斷校驗(yàn)是否正確，如果校驗(yàn)正確，將備用副區(qū)的數(shù)據(jù)載入RAM存儲(chǔ)器，如果校驗(yàn)錯(cuò)誤，延時(shí)設(shè)定時(shí)間錯(cuò)開(kāi)工頻干擾，一般延時(shí)23毫秒，如果備用副區(qū)校驗(yàn)沒(méi)有超過(guò)3次，重復(fù)進(jìn)行備用副區(qū)的校驗(yàn)，如果備用副區(qū)校驗(yàn)超過(guò)3次，重新啟動(dòng)或者提示錯(cuò)誤。

所述主存儲(chǔ)區(qū)、輪值副區(qū)和備用副區(qū)數(shù)據(jù)塊的地址均不連續(xù)，并且分布在不同的存儲(chǔ)芯片上。存儲(chǔ)塊地址的錯(cuò)開(kāi)和多芯片存儲(chǔ)對(duì)于解決儀表總線(xiàn)收到干擾時(shí)或芯片部分空間壽命是有效的解決辦法。

儀表的外置存儲(chǔ)器通常為IIC或SPI總線(xiàn)，讀寫(xiě)操作的指令和地址信息都是通過(guò)位標(biāo)志識(shí)別，當(dāng)出現(xiàn)外部電磁干擾時(shí)個(gè)別位信息干擾，而導(dǎo)致存儲(chǔ)區(qū)讀寫(xiě)顛倒、地址錯(cuò)誤、扇區(qū)錯(cuò)誤等，本方法的主存儲(chǔ)區(qū)數(shù)據(jù)塊和2個(gè)副區(qū)數(shù)據(jù)塊的地址不連續(xù)，并且分布在不同的存儲(chǔ)芯片上，避免由于芯片或總線(xiàn)錯(cuò)誤導(dǎo)致數(shù)據(jù)誤改寫(xiě)行為,這是其他方法沒(méi)有涉及到的關(guān)鍵點(diǎn)之一。

從儀表數(shù)據(jù)的可靠性出發(fā)，應(yīng)避免出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失，過(guò)去專(zhuān)利方法提出了2區(qū)或備份時(shí)，不可避免出現(xiàn)單區(qū)的信息的丟失；而本方法提出的1主存儲(chǔ)區(qū)和2個(gè)副區(qū)交替操作方式，一直保持2個(gè)區(qū)(1主1副)的信息是最新的，在邏輯上增加數(shù)據(jù)的穩(wěn)定和可靠，這是其他方法沒(méi)有涉及到的關(guān)鍵點(diǎn)之一。

從儀表存儲(chǔ)操作的效率和安全角度出發(fā)，儀表每次對(duì)存儲(chǔ)器操作的時(shí)間越短越好，其可能受到的干擾風(fēng)險(xiǎn)也越低，因此本方法對(duì)兩個(gè)副區(qū)采用交替操作方式，而不是對(duì)所有存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行存儲(chǔ)。

本方法提出了在儀表存儲(chǔ)數(shù)據(jù)前，進(jìn)行RAM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)有效性判斷的步驟，確保預(yù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全，這個(gè)步驟是儀表數(shù)據(jù)安全的基礎(chǔ)，也是其他方法沒(méi)有涉及到的關(guān)鍵點(diǎn)之一。

以上公開(kāi)的僅為本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，但是，本發(fā)明并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。