1.一種基于CFD技術(shù)的碳化硅合成爐模擬分析方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1基于待處理的碳化硅合成爐，進(jìn)行CFD前處理；
S2基于CFD的前處理的結(jié)果，進(jìn)行CFD求解；
S3基于CFD的求解結(jié)果，進(jìn)行CFD后處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于CFD技術(shù)的碳化硅合成爐模擬分析方法，其特征在于，所述步驟S1，具體包括：
(1)針對(duì)實(shí)際模型進(jìn)行簡(jiǎn)化假設(shè)，確定簡(jiǎn)化模型；
(2)設(shè)定物性參數(shù)，包括配合料的比熱容、導(dǎo)熱系數(shù)和密度，然后定義邊界；
(3)對(duì)模型進(jìn)行網(wǎng)格劃分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于CFD技術(shù)的碳化硅合成爐模擬分析方法，其特征在于，所述步驟(1)，進(jìn)一步包括：
使用DesignMolder建模軟件，對(duì)碳化硅合成爐建立三維模型，并根據(jù)需要對(duì)模擬整體進(jìn)行簡(jiǎn)化處理：
(1)合成爐除頂部外，做密封處理；
(2)將熱源設(shè)置在爐體中心部位。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于CFD技術(shù)的碳化硅合成爐模擬分析方法，其特征在于，所述步驟(2)，進(jìn)一步包括：
通過(guò)反應(yīng)配合料的物性參數(shù)，設(shè)置邊界條件、物理模型并初始化流場(chǎng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于CFD技術(shù)的碳化硅合成爐模擬 分析方法，其特征在于，所述步驟(3)，進(jìn)一步包括：
對(duì)熱源附近采用局部加密的方式進(jìn)行網(wǎng)格劃分，整體采用結(jié)構(gòu)化網(wǎng)格。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于CFD技術(shù)的碳化硅合成爐模擬分析方法，其特征在于，所述步驟S2，具體包括：
實(shí)驗(yàn)室測(cè)定了不同溫度下的配合料物性參數(shù)值，通過(guò)擬合處理獲得各物性參數(shù)隨溫度變化的多項(xiàng)式函數(shù)，將其帶入模擬軟件中進(jìn)行設(shè)定，加載熱源功率，完成基本的參數(shù)及邊界定義后開(kāi)始對(duì)碳化硅合成過(guò)程中的傳熱傳質(zhì)過(guò)程進(jìn)行求解分析。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于CFD技術(shù)的碳化硅合成爐模擬分析方法，其特征在于，所述步驟S3，具體包括：
對(duì)結(jié)果進(jìn)行分析，應(yīng)用后處理軟件得到碳化硅合成爐內(nèi)不同時(shí)刻爐內(nèi)溫度及壓力的分布情況、氣體流動(dòng)特性、配合料孔隙率對(duì)合成過(guò)程的影響，從而分析得出最適于生產(chǎn)的合成參數(shù)及改進(jìn)爐體設(shè)計(jì)方案。