1.混合傳感器/通信設備，其包括：
射頻識別(RFID)通信設備(12)，其中所述RFID設備(12)包括：
天線(22)；和
晶態(tài)無機半導體集成電路(20)，其與所述天線(22)結合以利于與所述混合設備外部的設備通信；以及
傳感器設備(14)，其與所述晶態(tài)無機半導體集成電路(20)可操作地連接；
其特征在于，所述傳感器設備(14)包括處理器，其包括有機半導體材料或非晶無機半導體材料中的至少一種，并且所述RFID設備(12)包括電源(60)，所述電源(60)提供高電壓和低電壓，其中所述低電壓用于所述晶態(tài)無機半導體集成電路(20)的內部運行，所述高電壓用于所述傳感器設備(14)的運行，并且其中所述集成電路和所述處理器由兩種不同的材料組成。
2.根據權利要求1所述的混合傳感器/通信設備，其中所述傳感器設備(14)包括所述有機半導體材料。
3.根據權利要求1所述的混合傳感器/通信設備，其中所述傳感器設備(14)包括所述非晶無機半導體材料。
4.根據權利要求1所述的混合傳感器/通信設備，其中所述傳感器設備(14)還包括與所述處理器(40)可操作地連接的一個或多個傳感器墊。
5.根據權利要求4所述的混合傳感器/通信設備，其中所述處理器(40)與所述晶態(tài)無機半導體集成電路(20)可操作地連接。
6.根據權利要求4所述的混合傳感器/通信設備，其中所述一個或多個傳感器墊(41-46)包括酶傳感器、化學傳感器、集成溫度/時間監(jiān)測器、光學傳感器、熱傳感器、壓力傳感器、濕度傳感器、電磁傳感器和聲傳感器中的一個或多個。
7.根據權利要求1所述的混合傳感器/通信設備，其中所述晶態(tài)無機半導體集成電路(20)是插件(26)的一部分，所述插件(26)包括與所述晶態(tài)無機半導體集成電路(20)和所述天線(22)都連接的導電引線(28)。
8.根據權利要求1所述的混合傳感器/通信設備，其中所述天線(22)是金屬箔天線。
9.根據權利要求1所述的混合傳感器/通信設備，進一步包括連接至所述金屬箔天線(22)的基底(56)，和所述傳感器設備(14)在一個或多個金屬片(58)上形成，以及所述金屬箔天線(22)從單個金屬箔層切割。
10.根據權利要求1所述的混合傳感器/通信設備，其中所述有機半導體材料或所述非晶無機半導體材料中的至少一種包括印制的材料。
11.根據權利要求1所述的混合傳感器/通信設備，其中所述電源(60)與所述天線(22)可操作地連接，以整流由所述天線(22)接收的能量，產生所述高電壓和所述低電壓。
12.制造混合傳感器/通信設備的方法，所述方法包括：
在金屬層上形成傳感器設備(14)，其中所述傳感器設備(14)包括處理器，其包括有機半導體材料或非晶無機半導體材料中的至少一種；
去除部分所述金屬層，以分開所述金屬層的天線(22)與所述傳感器設備(14)所處的金屬層的一個或多個金屬片(58)；和
將晶態(tài)無機半導體集成電路(20)與所述天線(22)連接，從而生產與所述傳感器設備(14)可操作地連接的射頻識別(RFID)通信設備(12)，并且所述RFID設備(12)包括電源(60)，所述電源(60)提供高電壓和低電壓，其中所述低電壓用于所述晶態(tài)無機半導體集成電路(20)的內部運行，所述高電壓用于所述傳感器設備(14)的運行，并且其中所述集成電路和所述處理器由兩種不同的材料組成。
13.根據權利要求12所述的方法，其中所述形成傳感器設備(14)包括將有機半導體材料或非晶無機半導體材料中的至少一種印制在所述金屬層上。
14.根據權利要求12所述的方法，其中所述去除包括模切所述金屬層。