本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種高電阻率的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用之觸控面板。

背景技術(shù)：

典型的觸控面板包含蓋板、觸控感應(yīng)層以及導(dǎo)線。觸控感應(yīng)層系設(shè)置于蓋板的可視區(qū)。導(dǎo)線系設(shè)置于蓋板的非可視區(qū)，并電性連接觸控感應(yīng)層。一般來說，觸控感應(yīng)層包含多個第一電極串以及多個第二電極串。第一電極串與第二電極串相間隔并絕緣，且這兩種電極串的末端均連接著導(dǎo)線，以利將感應(yīng)到的觸碰訊號傳遞給訊號處理單元。

在某些布線的形式下，連接第一電極串的導(dǎo)線與連接第二電極串的導(dǎo)線系平行地分布于蓋板的非可視區(qū)上，這樣的布線方式容易使得這兩種導(dǎo)線之間產(chǎn)生耦合電容，進而增加第一電極串與第二電極串之相交處的電容，導(dǎo)致此相交處的電容可能在未被觸碰前就已經(jīng)飽和，進而影響此相交處的觸控感應(yīng)功能。

因此，部分觸控面板還可包含金屬接地結(jié)構(gòu)，此金屬接地結(jié)構(gòu)系設(shè)置于連接第一電極串的導(dǎo)線與連接第二電極串的導(dǎo)線之間，以降低這兩種導(dǎo)線之間的耦合電容，從而降低第一電極串與第二電極串之相交處的電容。

然而，由于金屬接地結(jié)構(gòu)的電阻過低，故當(dāng)金屬結(jié)構(gòu)與導(dǎo)線的距離過近時，容易與導(dǎo)線短路。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明之實施方式所揭露的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)既可降低導(dǎo)線之間的耦合電容，還可防止與導(dǎo)線短路。

依據(jù)本發(fā)明之一實施方式，一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含一導(dǎo)電氧化層以及一介電氧化層。介電氧化層系設(shè)置于導(dǎo)電氧化層上。導(dǎo)電氧化層與介電氧化層的整體方阻r滿足105歐姆/方≤r≤135歐姆/方。

依據(jù)本發(fā)明之另一實施方式，一種觸控面板包含一透光蓋板、復(fù)數(shù)電極串、復(fù)數(shù)導(dǎo)線以及至少一前述之導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。此些電極串系設(shè)置于該透光蓋板上并相互絕緣。此些導(dǎo)線分別電性連接此些電極串。前述之導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與電極串及導(dǎo)線絕緣，且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之一部分系位于此些導(dǎo)線之間、或此些電極串之一者與此些導(dǎo)線之一者之間。

于上述實施方式中，由于導(dǎo)電氧化層與介電氧化層所共同形成的整體方阻r滿足105歐姆/方≤r≤135歐姆/方，故可提升導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之整體電阻率。由于高電阻率的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)系位于導(dǎo)線之間或?qū)Ь€與電極串之間，故不僅可藉由其導(dǎo)電性質(zhì)來降低導(dǎo)線之間或?qū)Ь€與電極串之間的耦合電容，還可藉由其高電阻率性質(zhì)來防止短路。

依據(jù)本發(fā)明之另一實施方式，一種觸控面板包含一透光蓋板、一觸控感應(yīng)層、一內(nèi)接地結(jié)構(gòu)以及一外接地結(jié)構(gòu)。觸控感應(yīng)層系設(shè)置于透光蓋板上。內(nèi)接地結(jié)構(gòu)系設(shè)置于透光蓋板上，并環(huán)繞觸控感應(yīng)層，并與觸控感應(yīng)層絕緣。內(nèi)接地結(jié)構(gòu)之方阻r滿足105歐姆/方≤r≤135歐姆/方。外接地結(jié)構(gòu)環(huán)繞內(nèi)接地結(jié)構(gòu)。內(nèi)接地結(jié)構(gòu)的電阻率高于外接地結(jié)構(gòu)的電阻率。

于上述實施方式中，由于內(nèi)接地結(jié)構(gòu)相較于外接地結(jié)構(gòu)為高電阻率的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，相同的長度及橫截面積情況下，內(nèi)接地結(jié)構(gòu)具有較高的電阻，故可利于靜電放電(electrostaticdischarge；esd)從外接地結(jié)構(gòu)導(dǎo)出觸控面板外，從而避 免靜電放電影響導(dǎo)線與觸控感應(yīng)層。

附圖說明

圖1繪示依據(jù)本發(fā)明一實施方式之觸控面板的上視圖；

圖2繪示圖1之觸控面板沿著2-2線的剖面圖；

圖3繪示在不同氧氣通量下所形成之氧化銦錫層的x光繞射圖；

圖4繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施方式之觸控面板的上視圖；

圖5繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施方式之觸控面板的上視圖；

圖6繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施方式之觸控面板的上視圖；

圖7繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施方式之觸控面板的上視圖。

主要符號說明：

100：透光蓋板

110：內(nèi)表面

112：不透光區(qū)域

114：透光區(qū)域

120：外表面

200：觸控感應(yīng)層

210：第一電極串

212：第一電極

214：第一連接部

220：第二電極串

222：第二電極

224：第二連接部

230：絕緣塊

300：第一導(dǎo)線

400：第二導(dǎo)線

500、500a：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)

510：導(dǎo)電氧化層

520：介電氧化層

530：接觸界面

600：絕緣結(jié)構(gòu)

700：接地端

800：外接地結(jié)構(gòu)

a：相交處

d1、d2：長度方向

g1、g2：間隙

具體實施方式

下面結(jié)合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。

以下將以圖式揭露本發(fā)明之復(fù)數(shù)實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，熟悉本領(lǐng)域之技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解到，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細節(jié)并非必要的，因此不應(yīng)用以限制本發(fā)明。此外，為簡化圖式起見，一些習(xí)知慣用的結(jié)構(gòu)與組件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。另外，為了便于讀者觀看，圖式中各組件的尺寸并非依實際比例繪示。

圖1繪示依據(jù)本發(fā)明一實施方式之觸控面板的上視圖。圖2繪示圖1之觸 控面板沿著2-2線的剖面圖。如圖1及圖2所示，觸控面板包含透光蓋板100、觸控感應(yīng)層200、第一導(dǎo)線300、第二導(dǎo)線400以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500。觸控感應(yīng)層200、第一導(dǎo)線300、第二導(dǎo)線400與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500系設(shè)置于透光蓋板100的相同側(cè)，而可被透光蓋板100所覆蓋及保護。觸控感應(yīng)層200包含第一電極串210以及第二電極串220。第一電極串210與第二電極串220系設(shè)置于透光蓋板100上。第一電極串210具有長度方向d1。第二電極串220具有長度方向d2。第一電極串210之長度方向d1與第二電極串220之長度方向d2相交，且第一電極串210與第二電極串220絕緣，以防止兩者短路。第一導(dǎo)線300電性連接第一電極串210。第二導(dǎo)線400電性連接第二電極串220。至少部分之導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500系位于第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400之間并與第一導(dǎo)線300及第二導(dǎo)線400分離。換句話說，第一導(dǎo)線300與部分導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500相隔間隙g1，且第二導(dǎo)線400與該部分導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500相隔間隙g2。

由于第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400之間存在著導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500，故導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500可避免第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400直接地產(chǎn)生耦合電容，從而降低第一電極串210與第二電極串220之相交處a的電容。換個方式來說，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500與最靠近導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500之第一導(dǎo)線300之間會產(chǎn)生耦合電容c1，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500與最靠近導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500之第二導(dǎo)線400會產(chǎn)生耦合電容c2。這兩個耦合電容c1與c2會形成等效串聯(lián)電容，而此等效串聯(lián)電容之值為相較于第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400直接形成的耦合電容，耦合電容c1與c2所形成的等效串聯(lián)電容系相對小的。因此，在第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400之間配置導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500可助于降低第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400之間的耦合電容。

此外，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500還可防止與第一導(dǎo)線300及/或第二導(dǎo)線400短路。進 一步來說，如圖2所示，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500包含導(dǎo)電氧化層510以及介電氧化層520。介電氧化層520系設(shè)置于導(dǎo)電氧化層510上。導(dǎo)電氧化層510與介電氧化層520的整體電阻率大于至少兩倍的導(dǎo)電氧化層510之材料的電阻率，以利使得導(dǎo)電氧化層510與介電氧化層520的整體方阻r滿足105歐姆/方≤r≤135歐姆/方。換句話說，若導(dǎo)電氧化層510與介電氧化層520所形成之導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500的整體電阻率為ρ1，且導(dǎo)電氧化層510之材料的電阻率為ρ2，則滿足ρ1＞2*ρ2。

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500之上述電阻率特性系由于導(dǎo)電氧化層510在制作時的氧氣通量所產(chǎn)生的。進一步來說，在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500的制作過程中，可先利用濺鍍的方式，將導(dǎo)電氧化層510的導(dǎo)電材料沉積于透光蓋板100上。在濺鍍的過程中，氧氣通量可被控制而介于20sccm(standardcubiccentimeterperminute，每分鐘標(biāo)準毫升)與50sccm之間，較佳為30sccm至40sccm。當(dāng)導(dǎo)電氧化層510形成后，介電氧化層520可形成于導(dǎo)電氧化層510上，而與導(dǎo)電氧化層510形成接觸界面530。當(dāng)導(dǎo)電氧化層510在這樣的氧氣通量下形成后，再于導(dǎo)電氧化層510上形成介電氧化層520時，這兩者的整體電阻率會大幅超越(超過兩倍)導(dǎo)電氧化層510的材料電阻率。藉由這樣的特性，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500的方阻r可滿足105歐姆/方≤r≤135歐姆/方而具有高電阻率，而利于防止與第一導(dǎo)線300短路、或與第二導(dǎo)線400短路、或與第一導(dǎo)線300及第二導(dǎo)線400均短路。

舉例來說，導(dǎo)電氧化層510之材料可包含氧化鋅(zno)、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化銦鎵鋅(igzo)、鋁氧化鋅(azo)、氧化銦鋁鋅(iazo)或上述任意組合，但本發(fā)明不以此為限。介電氧化層520之材料可包含硅氧化物，如二氧化硅(sio2)或有機氧化物，但本發(fā)明不以此為限。當(dāng)上述材料之導(dǎo)電氧化層510系以高通量(例如：介于20sccm與50sccm之間)的氧氣形成時，再搭配形成于其上的硅氧化物，可有效提高導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500的電阻率，而防止短路問題。

具體來說，于部分實施方式中，導(dǎo)電氧化層510之材料可為氧化銦錫(ito)，而介電氧化層520之材料可為二氧化硅。換句話說，導(dǎo)電氧化層510可為氧化銦錫層，而介電氧化層520可為二氧化硅層。二氧化硅層系形成于氧化銦錫層上，且在氧化銦錫層之后形成，使得氧化銦錫層與二氧化硅層接觸。在氧化銦錫層的形成過程中，氧氣的流量可介于20sccm與50sccm之間。如此一來，氧化銦錫層與二氧化硅層的整體電阻可達到至少60千歐姆(氧化銦錫層的厚度為60nm)，大于兩倍的氧化銦錫之電阻(約為30千歐姆)。由此可知，當(dāng)導(dǎo)電氧化層510系以高通量(例如：介于20sccm與50sccm之間)的氧氣形成時，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500可具有高電阻率。下表列舉導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500之實驗組與對照組的電阻，來協(xié)助說明高通量氧氣所形成的導(dǎo)電氧化層510，并結(jié)合二氧化硅層后，可助于大幅提升導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500之電阻率。

于上表中，實驗組之導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含氧化銦錫層與形成于氧化銦錫層上的二氧化硅層，且此氧化銦錫層系在高通量氧氣(例如：介于20sccm與50sccm之間)下形成的；對照組一之導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為相同長度及橫截面積的氧化銦錫層，對照組一與實驗組之差異在于對照組一之氧化銦錫層系在低通量氧氣(例如2sccm至3sccm)下形成的，且氧化氧化銦錫層上不覆蓋二氧化硅層；對照組二之導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含相同長度及橫截面積的氧化銦錫層，且此氧化銦錫層形成過程中的氧氣通量與實驗組之氧氣通量相同，對照組二與實驗組之差異在于對照組二之氧化銦錫層上沒有覆蓋二氧化硅層；對照組三之導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含相同長度及橫截面積的氧化銦錫層與形成于氧化銦錫層上的二氧化硅層，而對照組三與實驗組之差異在于對照組三之氧化銦錫層系在低通量氧氣(例如2sccm至3sccm)下形成的。由上表對照組一與對照組二的對比可得知，當(dāng)氧化銦錫層系在高通量氧氣下形成時，與低通量氧氣下形成的氧化銦錫層相比，阻值會有小幅提升，但變化不大。由上表對照組一與對照組三的對比可得知，低通量氧氣下形成的氧化銦錫層再結(jié)合二氧化硅層，阻值也并沒有大幅變化。由上表實驗組與對照組二、三的對比可得知，當(dāng)氧化銦錫層系在高通量氧氣下形成時所形成并與二氧化硅層結(jié)合后，所形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之電阻值(如：約介于99.3千歐姆至113.0千歐姆)，大幅地超越當(dāng)氧化銦錫層系在低通量氧氣下形成并與二氧化硅層結(jié)合后，所形成的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之電阻值(如：約介于20.3千歐姆至22.0千歐姆)。本發(fā)明之導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方阻r滿足105歐姆/方≤r≤135歐姆/方，而常規(guī)的如低通量氧氣下形成的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)方阻r為65歐姆/方≤r≤85歐姆/方。因此，當(dāng)氧化銦錫層系以高通量氧氣形成時，并與二氧化硅層結(jié)合后形成的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有較大的方阻及電阻率，也即同樣的厚度及橫截面積情況下，電阻較大。

部分實施方式中，當(dāng)導(dǎo)電氧化層510系以高通量(例如：介于20sccm與 50sccm之間)的氧氣形成時，導(dǎo)電氧化層510在(222)結(jié)晶方向上的結(jié)晶度可大于70％并小于100％。舉例來說，當(dāng)導(dǎo)電氧化層510為氧化銦錫層時，此氧化銦錫層在(222)結(jié)晶方向上的結(jié)晶度可大于70％并小于100％。以下以x光繞射數(shù)據(jù)來幫助說明氧氣通量對結(jié)晶度的影響，于此，可參閱圖3，本圖繪示在不同氧氣通量下所形成之氧化銦錫層的x光繞射圖(xrd圖)。經(jīng)由本圖之繞射資料的分析可知，氧化銦錫層在(222)結(jié)晶方向上的結(jié)晶度可藉由氧氣通量來控制，且氧化銦錫層在(222)結(jié)晶方向上的結(jié)晶度與氧氣通量系大致上正相關(guān)的。由于氧氣通量與(222)結(jié)晶方向上的結(jié)晶度系大致上正相關(guān)的，且氧氣通量與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500之電阻率亦系大致上正相關(guān)的，故可藉由結(jié)晶度來判斷導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500的整體電阻率。舉例來說，若導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500之氧化銦錫層在(222)結(jié)晶方向上的結(jié)晶度大于70％，則可判定導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500的電阻率足夠高到能夠防止與第一導(dǎo)線300及/或第二導(dǎo)線400短路?？闪私獾剑疚闹兴龅慕Y(jié)晶方向與其對應(yīng)的結(jié)晶度僅為例示，本發(fā)明并不以此為限。

于部分實施方式中，如圖2所示，導(dǎo)電氧化層510比介電氧化層520更靠近透光蓋板100。進一步來說，在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500的制作過程中，系先在高通量氧氣下，將導(dǎo)電氧化層510形成于透光蓋板100上，之后，再于導(dǎo)電氧化層510上形成介電氧化層520，故導(dǎo)電氧化層510會比介電氧化層520更靠近透光蓋板100。換句話說，導(dǎo)電氧化層510系位于介電氧化層520與透光蓋板100之間。

于部分實施方式中，如圖1及圖2所示，透光蓋板100包含內(nèi)表面110以及外表面120。內(nèi)表面110與外表面120系相背對的。外表面120可做為使用者的觸控操作面。于部分實施方式中，外表面120上可設(shè)置防臟污、防指紋、防刮或抗眩等功能層。內(nèi)表面110具有不透光區(qū)域112以及透光區(qū)域114。不透光區(qū)域112與透光區(qū)域114系相鄰接的。于本實施方式中，不透光區(qū)域112為內(nèi)表 面110之外側(cè)區(qū)域(或周邊區(qū)域)，透光區(qū)域114為內(nèi)表面110的內(nèi)側(cè)區(qū)域(或中央?yún)^(qū)域)，而被不透光區(qū)域112所圍繞。于部分實施方式中，內(nèi)表面110及外表面120可為經(jīng)過化學(xué)或物理強化的表面，以提升對透光蓋板100下方的觸控感應(yīng)層200、第一導(dǎo)線300、第二導(dǎo)線400及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500的保護效果。換句話說，觸控感應(yīng)層200、第一導(dǎo)線300、第二導(dǎo)線400與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500均系設(shè)置于透光蓋板100的內(nèi)表面110上，而可受透光蓋板100所保護。于部分實施方式中，不透光區(qū)域112可藉由在內(nèi)表面110上設(shè)置遮光層(如油墨)來實現(xiàn)，但本發(fā)明不以此為限。

于部分實施方式中，如圖1及圖2所示，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500系位于內(nèi)表面110的不透光區(qū)域112內(nèi)。但由于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500之導(dǎo)電氧化層510之材質(zhì)可為透光導(dǎo)電材料(如氧化銦錫)，且介電氧化層520之材質(zhì)可為透光介電材料(如二氧化硅)，故導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500為透光的，而不會遮蔽其他組件，因此，于部分實施方式中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500亦可至少部分地位于內(nèi)表面110的透光區(qū)域114內(nèi)，而助于擴大透光區(qū)域114的面積，亦即，可擴大觸控面板的可視區(qū)面積。值得說明的是，當(dāng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500位于透光區(qū)域114內(nèi)時，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500之至少一部分可位于第二電極串220與第一導(dǎo)線300之間，以隔開第二電極串220與第一導(dǎo)線300，從而避免第二電極串220與第一導(dǎo)線300直接地產(chǎn)生耦合電容。換句話說，當(dāng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500位于透光區(qū)域114內(nèi)時，可兼顧降低第二電極串220與第一導(dǎo)線300之耦合電容的效果與擴大可視區(qū)面積的效果。

于部分實施方式中，如圖1所示，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500與第一導(dǎo)線300在透光蓋板100之內(nèi)表面110上的投影相交，且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500與第一導(dǎo)線300絕緣，以免使得觸碰訊號產(chǎn)生不必要的外流。舉例來說，觸控面板還包含絕緣結(jié)構(gòu)600。絕緣結(jié)構(gòu)600系位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500與第一導(dǎo)線300的相交處，并隔開導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 500與第一導(dǎo)線300，從而使導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500與第一導(dǎo)線300絕緣。于部分實施方式中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500亦與第二導(dǎo)線400及觸控感應(yīng)層200絕緣，以免使得觸碰訊號產(chǎn)生不必要的外流。進一步來說，只要導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500在透光蓋板100之內(nèi)表面110上的投影系與第一電極串210、第二電極串220、第一導(dǎo)線300或第二導(dǎo)線400在內(nèi)表面110上的投影相交，則絕緣結(jié)構(gòu)600會位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500與第一電極串210、第二電極串220、第一導(dǎo)線300或第二導(dǎo)線400之間，以利導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500與這些電極串及導(dǎo)線絕緣，以免觸碰訊號產(chǎn)生不必要的外流。

于部分實施方式中，如圖1所示，第一電極串210之長度方向d1與第二電極串220之長度方向d2可相互垂直。進一步來說，長度方向d1可為圖1中的橫軸方向，而長度方向d2可為圖1中的縱軸方向。第一電極串210可包含復(fù)數(shù)第一電極212以及復(fù)數(shù)第一連接部214。這些第一電極212與第一連接部214系沿著長度方向d1交替地排列的。每一第一連接部214連接在長度方向d1上相鄰之兩第一電極212。相似地，第二電極串220可包含復(fù)數(shù)第二電極222以及復(fù)數(shù)第二連接部224。這些第二電極222以及第二連接部224系沿著長度方向d2交替地排列的。每一第二連接部224連接在長度方向d2上相鄰之兩第二電極222。于部分實施方式中，觸控感應(yīng)層200還包含絕緣塊230。絕緣塊230系位于第一電極串210與第二電極串220的相交處a，并隔開第一電極串210與第二電極串220，以使這兩者相絕緣。舉例來說，絕緣塊230可位于第一電極串210的第一連接部214與第二電極串220的第二連接部224之間，以隔開第一連接部214與第二連接部224。于部分實施方式中，第一電極212、第一連接部214、第二電極222與第二連接部224之材料可為氧化銦錫或氧化銦鋅，但本發(fā)明不以此為限。

于部分實施方式中，當(dāng)?shù)谝浑姌O串210與第二電極串220之材料為氧化銦 錫，且導(dǎo)電氧化層510之材料亦為氧化銦錫時，這兩種氧化銦錫在(222)結(jié)晶方向上的結(jié)晶度不同。進一步來說，導(dǎo)電氧化層510在(222)結(jié)晶方向上的結(jié)晶度較高，而具有較高的電阻率，以利防止短路，而由于第一電極串210與第二電極串220并無需刻意考慮與導(dǎo)線之間的短路問題，而可具有較低的電阻率，提高觸控靈敏度，故第一電極串210與第二電極串220在(222)結(jié)晶方向上的結(jié)晶度可比導(dǎo)電氧化層510在(222)結(jié)晶方向上的結(jié)晶度低。

圖4繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施方式之觸控面板的上視圖。如圖4所示，本實施方式與前述實施方式之間的主要差異在于：本實施方式之觸控面板還包含接地端700。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500電性連接接地端700。如此一來，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500不僅可用來降低第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400之間的耦合電容，還可用來做為觸控面板的接地結(jié)構(gòu)。從而防止外部靜電放電(esd)影響觸控感應(yīng)層200。

圖5繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施方式之觸控面板的上視圖。如圖5所示，本實施方式與圖4所示實施方式之間的主要差異在于：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a與前述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500的形狀不同。具體來說，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a為環(huán)狀的，并環(huán)繞觸控感應(yīng)層200。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a亦電性連接接地端700，而可做為觸控面板的接地結(jié)構(gòu)。換句話說，可用于接地的環(huán)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a環(huán)繞第一電極串210與第二電極串220，如此可更進一步地防止esd影響觸控感應(yīng)層200的觸控功能。

圖6繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施方式之觸控面板的上視圖。如圖6所示，本實施方式與圖5所示實施方式之間的主要差異在于：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a不電性連接接地端。也就是說，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a的環(huán)狀設(shè)計非接地的用途，而主要可起到降低第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400之間的耦合電容之作用。

圖7繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施方式之觸控面板的上視圖。如圖7所示，本實施方式與圖5所示實施方式之間的主要差異在于：本實施方式還包含外接地 結(jié)構(gòu)800。外接地結(jié)構(gòu)800環(huán)繞導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a，且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a的電阻率高于外接地結(jié)構(gòu)800的電阻率，藉此可利于大部分esd從外接地結(jié)構(gòu)800導(dǎo)出觸控面板外，而避免esd影響觸控感應(yīng)層200、第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400。進一步來說，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a與外接地結(jié)構(gòu)800均連接接地端700，且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a系被外接地結(jié)構(gòu)800所環(huán)繞，而可做為觸控面板的內(nèi)接地結(jié)構(gòu)。由于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a環(huán)繞觸控感應(yīng)層200，且外接地結(jié)構(gòu)800環(huán)繞導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a，故導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a比外接地結(jié)構(gòu)800更靠近觸控感應(yīng)層200。然而，由于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a的電阻率比外接地結(jié)構(gòu)800的電阻率更高，故當(dāng)觸控面板中出現(xiàn)esd時，esd較容易往電阻率低的外接地結(jié)構(gòu)800前進，而較不易往電阻率高的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a前進，如此一來，可防止esd進入導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a，而可進一步地防止esd影響導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a所環(huán)繞的觸控感應(yīng)層200。

于部分實施方式中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a的材料與外接地結(jié)構(gòu)800的材料不同。進一步來說，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a可如同導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500而具有導(dǎo)電氧化層510與介電氧化層520(如圖2所示)，外接地結(jié)構(gòu)800可為金屬，但本發(fā)明不以此為限。由于在高通量的氧氣下所形成的導(dǎo)電氧化層510可使得導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a具有比金屬更高的電阻率，故可利于使導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a的電阻率高于外接地結(jié)構(gòu)800的電阻率，從而幫助esd從外接地結(jié)構(gòu)800導(dǎo)出觸控面板外。

于部分實施方式中，外接地結(jié)構(gòu)800環(huán)繞第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400，以防止esd影響第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400。具體來說，于部分實施方式中，第一導(dǎo)線300與第二導(dǎo)線400系至少部分地位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)500a與外接地結(jié)構(gòu)800之間。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā) 明保護的范圍之內(nèi)。