本發(fā)明涉及一種內(nèi)存管理方法、內(nèi)存控制電路單元與內(nèi)存儲(chǔ)存裝置，尤其涉及用于可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊的內(nèi)存管理方法及使用此方法的內(nèi)存控制電路單元與內(nèi)存儲(chǔ)存裝置。
背景技術(shù)：
：：數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)與mp3在這幾年來(lái)的成長(zhǎng)十分迅速，使得消費(fèi)者對(duì)儲(chǔ)存媒體的需求也急速增加。由于可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存(rewritablenon-volatilememory)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小、無(wú)機(jī)械結(jié)構(gòu)、讀寫速度快等特性，特別適于可攜式電子產(chǎn)品，例如筆記本電腦。固態(tài)硬盤就是一種以閃存作為儲(chǔ)存媒體的內(nèi)存儲(chǔ)存裝置。因此，近年閃存產(chǎn)業(yè)成為電子產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)熱門的一環(huán)。一般來(lái)說(shuō)，依據(jù)每個(gè)記憶胞可儲(chǔ)存的位數(shù)，反及(nand)型閃存可區(qū)分為單階儲(chǔ)存單元(singlelevelcell,slc)nand型閃存、多階儲(chǔ)存單元(multilevelcell,mlc)nand型閃存與三階儲(chǔ)存單元(trinarylevelcell,tlc)nand型閃存。其中slcnand型閃存的每個(gè)記憶胞可儲(chǔ)存1個(gè)位的數(shù)據(jù)(即，“1”與“0”)，mlcnand型閃存的每個(gè)記憶胞可儲(chǔ)存2個(gè)位的數(shù)據(jù)(即，“11”、“10”、“01”與“00”)并且tlcnand型閃存的每個(gè)記憶胞可儲(chǔ)存3個(gè)位的數(shù)據(jù)(即，“111”、“110”、“101”、“100”、“011”、“010”、“001”與“000”)。以slcnand型閃存與mlcnand型閃存為例，slcnand型閃存使用一組高低電壓以區(qū)分出兩種電荷值(即，“1”與“0”)，而mlcnand型閃存采用較高的電壓驅(qū)動(dòng)，并通過(guò)不同級(jí)別的電壓記錄2個(gè)位的數(shù)據(jù)，因此，mlcnand型閃存的數(shù)據(jù)記錄的密度會(huì)比slcnand型閃存多一倍。此外，由于slcnand型閃存結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其在寫入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化較小，所以壽命較長(zhǎng)；而mlcnand型閃存則為了增加記錄空間，其電壓區(qū)間較小且在寫入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化較頻繁，需要更多的循環(huán)冗余校驗(yàn)(cyclicredundancycheck,crc)空間，因此mlcnand型閃存在壽命方面僅約可承受1萬(wàn)次的讀寫，遠(yuǎn)低于slcnand型閃存的10萬(wàn)次。綜合而言，slcnand型閃存在壽命和性能方面擁有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，不過(guò)容量較低且價(jià)格昂貴，而mlcnand型閃存雖然在容量方面有優(yōu)勢(shì)，但在速度和壽命方面卻存在先天的不足。為了能夠在不影響閃存效能的情況下有效降低成本，目前的做法傾向在可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存中同時(shí)配置slc與mlc(或tlc)兩種不同形態(tài)的區(qū)域，并利用較快速的slc區(qū)域來(lái)記錄較重要、需要頻繁讀取的信息與管理用的表格，利用較低成本的mlc區(qū)域來(lái)記錄一般的檔案數(shù)據(jù)，由此可兼顧閃存低成本高效能的需求。由于對(duì)slc區(qū)域與mlc區(qū)域之不同的使用行為會(huì)造成此兩個(gè)區(qū)域的磨損情況不同，因此，在經(jīng)常發(fā)生斷電的內(nèi)存儲(chǔ)存裝置中，由于常常需要更新數(shù)據(jù)與重建表格，因此會(huì)造成slc區(qū)域的磨損程度升高；反之，在經(jīng)常寫入大量隨機(jī)數(shù)據(jù)的內(nèi)存儲(chǔ)存裝置中，則容易造成mlc 區(qū)域的磨損程度升高，據(jù)此，當(dāng)其中一個(gè)區(qū)域的壽命提前結(jié)束，則相當(dāng)于內(nèi)存儲(chǔ)存裝置的整體壽命的結(jié)束，且當(dāng)其中一個(gè)區(qū)域的磨損特別嚴(yán)重時(shí)，更大幅縮短內(nèi)存儲(chǔ)存裝置的整體壽命。以往在可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存的管理中，僅會(huì)使用slc區(qū)域來(lái)記錄上述較重要且需要頻繁讀取的信息與表格，因此為了確保存放此些特定信息與表格的slc區(qū)域有足夠的空間可以運(yùn)用，會(huì)預(yù)先配置出足夠大的空間給slc區(qū)域，因而造成存放數(shù)據(jù)的mlc區(qū)域(或tlc區(qū)域)被壓縮。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供一種內(nèi)存管理方法、內(nèi)存控制電路單元與內(nèi)存儲(chǔ)存裝置，可改善因slc區(qū)域與mlc區(qū)域的磨損情況不同所導(dǎo)致的內(nèi)存儲(chǔ)存裝置的整體壽命的下降。本發(fā)明的一范例實(shí)施例提供一種內(nèi)存管理方法，其用于可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊，其中所述可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊包括多個(gè)實(shí)體抹除單元，其中所述實(shí)體抹除單元包括多個(gè)第一實(shí)體抹除單元與多個(gè)第二實(shí)體抹除單元，其中所述第一實(shí)體抹除單元被配置為基于第一程序化模式來(lái)程序化，其中所述第二實(shí)體抹除單元被初始地配置為基于第二程序化模式來(lái)程序化，其中所述數(shù)據(jù)程序化方法包括：從主機(jī)系統(tǒng)接收第一數(shù)據(jù)，且此第一數(shù)據(jù)欲被儲(chǔ)存至至少一第一邏輯單元；判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足一相對(duì)關(guān)系；倘若第一磨耗數(shù)值與第二磨耗數(shù)值不滿足所述相對(duì)關(guān)系時(shí)，從所述第二實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第三實(shí)體抹除單元；以及基于第一程序化模式程序化至少一第三實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至至少一第三實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第三實(shí)體抹除單元。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述內(nèi)存管理方法，還包括：倘若第一磨耗數(shù)值與第二磨耗數(shù)值滿足所述相對(duì)關(guān)系時(shí)，從所述第一實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第四實(shí)體抹除單元；以及基于第一程序化模式程序化至少一第四實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至至少一第四實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第四實(shí)體抹除單元。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述內(nèi)存管理方法，還包括：判斷至少一第一邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元；以及在至少一第一邏輯單元為使用頻繁的邏輯單元時(shí)，執(zhí)行判斷所述第一磨耗數(shù)值與所述第二磨耗數(shù)值是否滿足所述相對(duì)關(guān)系的步驟。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述判斷至少一第一邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元的步驟包括：判斷至少一第一邏輯單元的使用次數(shù)值是否大于使用次數(shù)門檻值；以及當(dāng)至少一第一邏輯單元的使用次數(shù)值大于使用次數(shù)門檻值時(shí)，將至少一第一邏輯單元設(shè)為使用頻繁的邏輯單元。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述內(nèi)存管理方法，還包括：在所述至少一第三實(shí)體抹除單元被抹除后，配置所述至少一第三實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述相對(duì)關(guān)系為第一磨耗數(shù)值不大于第二磨耗數(shù)值。所述第一磨耗數(shù)值為所述第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)、讀取次數(shù)、程序化次數(shù)、錯(cuò)誤更正碼的錯(cuò)誤位數(shù)與低密度奇偶校正碼總和的其中之一或其組合，且所述第二磨耗數(shù)值為所述第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)、讀取次數(shù)、程序化次數(shù)、錯(cuò)誤更正碼的錯(cuò)誤位數(shù)與低密度奇偶校正碼總和的其中之一或其組合。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述第一磨耗數(shù)值為所述第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)，且所述第二磨耗數(shù)值為所述第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)。每一個(gè)第一實(shí)體抹除單元的第一最大抹除次數(shù)大于每一個(gè)第二實(shí)體抹除單元的第二最大抹除次數(shù)，且所述第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量小于所述第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量。所述內(nèi)存管理方法還包括：為所述第一實(shí)體抹除單元記錄第一總抹除次數(shù)，以及為所述第二實(shí)體抹除單元的記錄第二總抹除次數(shù)；以及每當(dāng)抹除所述第一實(shí)體抹除單元的至少其中之一時(shí)計(jì)數(shù)第一總抹除次數(shù)，且每當(dāng)抹除第二實(shí)體抹除單元的至少其中之一時(shí)計(jì)數(shù)第二總抹除次數(shù)。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足所述相對(duì)關(guān)系的步驟之前，還包括：根據(jù)所述第一最大抹除次數(shù)與所述第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得所述第一實(shí)體抹除單元的第一最大總抹除次數(shù)；根據(jù)所述第二最大抹除次數(shù)與所述第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得所述第二實(shí)體抹除單元的第二最大總抹除次數(shù)；根據(jù)所述第一最大總抹除次數(shù)與所述第二最大總抹除次數(shù)的比值獲得權(quán)重值；以及根據(jù)所述權(quán)重值將第一磨耗數(shù)值設(shè)為第一總抹除次數(shù)，以及將第二磨耗數(shù)值設(shè)為第二總抹除次數(shù)。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足所述相對(duì)關(guān)系的步驟之前，還包括：根據(jù)所述第一總抹除次數(shù)與所述第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得對(duì)應(yīng)每一個(gè)第一實(shí)體抹除單元的第一平均抹除次數(shù)，且將第一磨耗數(shù)值設(shè)為第一平均抹除次數(shù)；以及根據(jù)所述第二總抹除次數(shù)與所述第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得對(duì)應(yīng)每一個(gè)第二實(shí)體抹除單元的第二平均抹除次數(shù)，且將第二磨耗數(shù)值設(shè)為第二平均抹除次數(shù)。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，若所述實(shí)體抹除單元中的一個(gè)記憶胞被基于所述第一程序化模式來(lái)程序化，則第一數(shù)目的位數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存至所述記憶胞，若所述記憶胞被基于所述第二程序化模式來(lái)程序化，則第二數(shù)目的位數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存至所述記憶胞，其中所述第一數(shù)目小于所述第二數(shù)目。本發(fā)明的另一范例實(shí)施例提供一種內(nèi)存控制電路單元，其用于控制可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊，其中所述可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊包括多個(gè)實(shí)體抹除單元，其中所述實(shí)體抹除單元包括多個(gè)第一實(shí)體抹除單元與多個(gè)第二實(shí)體抹除單元，其中所述第一實(shí)體抹除單元被配置為基于第一程序化模式來(lái)程序化，其中所述第二實(shí)體抹除單元被初始地配置為基于第二程序化模式來(lái)程序化，其中所述內(nèi)存控制電路單元包括主機(jī)接口、內(nèi)存接口及內(nèi)存管理電路。所述主機(jī)接口用以耦接至主機(jī)系統(tǒng)。所述內(nèi)存接口用以耦接至所述可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊。所述內(nèi)存管理電路耦接至所述主機(jī)接口與所述內(nèi)存接口，其中所述內(nèi)存管理電路用以從所述主機(jī)系統(tǒng)接收第一數(shù)據(jù)，所述第一數(shù)據(jù)欲被儲(chǔ)存至至少一第一邏輯單元，其中所述內(nèi)存管理電路更用以判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足一相對(duì)關(guān)系，其中倘若判定第一磨耗數(shù)值與第二磨耗數(shù)值不滿足所述相對(duì)關(guān)系時(shí)，內(nèi)存管理電路更用以從所述第二實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第三實(shí)體抹除單元，所述內(nèi)存管理電路更用以發(fā)送第一寫入指令序列以指示基于第一程序化模式程序化至少一第三實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至至少一第三實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第三實(shí)體抹除單元。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，倘若判定第一磨耗數(shù)值與第二磨耗數(shù)值滿足所述相對(duì)關(guān)系 時(shí)，所述內(nèi)存管理電路更用以從所述第一實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第四實(shí)體抹除單元，所述內(nèi)存管理電路更用以發(fā)送第二寫入指令序列以指示基于第一程序化模式程序化至少一第四實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至至少一第四實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第四實(shí)體抹除單元。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述內(nèi)存管理電路更用以判斷所述至少一第一邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元，在判定所述至少一第一邏輯單元為使用頻繁的邏輯單元時(shí)，內(nèi)存管理電路更用以執(zhí)行判斷第一磨耗數(shù)值與第二磨耗數(shù)值是否滿足所述相對(duì)關(guān)系的操作。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述判斷至少一第一邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元的操作中，所述內(nèi)存管理電路更用以判斷至少一第一邏輯單元的使用次數(shù)值是否大于使用次數(shù)門檻值，其中當(dāng)判定所述至少一第一邏輯單元的使用次數(shù)值大于使用次數(shù)門檻值時(shí)，所述內(nèi)存管理電路更用以將至少一第一邏輯單元設(shè)為使用頻繁的邏輯單元。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在所述至少一第三實(shí)體抹除單元被抹除后，所述內(nèi)存管理電路更用以配置所述至少一第三實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述相對(duì)關(guān)系為第一磨耗數(shù)值不大于第二磨耗數(shù)值。所述第一磨耗數(shù)值為所述第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)、讀取次數(shù)、程序化次數(shù)、錯(cuò)誤更正碼的錯(cuò)誤位數(shù)與低密度奇偶校正碼總和的其中之一或其組合，且所述第二磨耗數(shù)值為所述第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)、讀取次數(shù)、程序化次數(shù)、錯(cuò)誤更正碼的錯(cuò)誤位數(shù)與低密度奇偶校正碼總和的其中之一或其組合。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述第一磨耗數(shù)值為所述第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)，且所述第二磨耗數(shù)值為所述第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)。每一個(gè)第一實(shí)體抹除單元的第一最大抹除次數(shù)大于每一個(gè)第二實(shí)體抹除單元的第二最大抹除次數(shù)，且所述第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量小于所述第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量。所述內(nèi)存管理電路更用以為所述第一實(shí)體抹除單元記錄第一總抹除次數(shù)，以及為所述第二實(shí)體抹除單元的記錄一第二總抹除次數(shù)。所述內(nèi)存管理電路更用以在抹除所述第一實(shí)體抹除單元的至少其中之一時(shí)計(jì)數(shù)所述第一總抹除次數(shù)，且在抹除所述第二實(shí)體抹除單元的至少其中之一時(shí)計(jì)數(shù)所述第二總抹除次數(shù)。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述在判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足所述相對(duì)關(guān)系的操作之前，所述內(nèi)存管理電路更用以根據(jù)所述第一最大抹除次數(shù)與所述第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得所述第一實(shí)體抹除單元的第一最大總抹除次數(shù)。所述內(nèi)存管理電路更用以根據(jù)所述第二最大抹除次數(shù)與所述第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得所述第二實(shí)體抹除單元的第二最大總抹除次數(shù)。其中所述內(nèi)存管理電路更用以根據(jù)所述第一最大總抹除次數(shù)與所述第二最大總抹除次數(shù)的比值獲得一權(quán)重值，以及根據(jù)此權(quán)重值將第一磨耗數(shù)值設(shè)為第一總抹除次數(shù)，以及將第二磨耗數(shù)值設(shè)為第二總抹除次數(shù)。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述在判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足所述相對(duì)關(guān)系的操作之前，所述內(nèi)存管理電路更用以根據(jù)所述第一總抹除次數(shù)與所述第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得對(duì)應(yīng)每一個(gè)第一實(shí)體抹除單元的第一平均抹除次數(shù)，且將第一磨耗數(shù)值設(shè)為第一平均抹除次數(shù)。所述內(nèi)存管理電路更用以根據(jù)所述第二總抹除次數(shù)與所述第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得對(duì)應(yīng)每一個(gè)第二實(shí)體抹除單元的第二平均抹除次數(shù)，且將第二磨耗數(shù)值設(shè)為第二平均抹除次數(shù)。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，若所述實(shí)體抹除單元中的一個(gè)記憶胞被基于所述第一程序化模式來(lái)程序化，則第一數(shù)目的位數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存至所述記憶胞，若所述記憶胞被基于所述第二程序化模式來(lái)程序化，則第二數(shù)目的位數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存至所述記憶胞，其中所述第一數(shù)目小于所述第二數(shù)目。本發(fā)明的另一范例實(shí)施例提供一種內(nèi)存儲(chǔ)存裝置，其包括連接接口單元、可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊及內(nèi)存控制電路單元。所述連接接口單元用以耦接至主機(jī)系統(tǒng)。所述可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊包括多個(gè)實(shí)體抹除單元，其中所述實(shí)體抹除單元包括多個(gè)第一實(shí)體抹除單元與多個(gè)第二實(shí)體抹除單元，其中所述第一實(shí)體抹除單元被配置為基于第一程序化模式來(lái)程序化，其中所述第二實(shí)體抹除單元被初始地配置為基于第二程序化模式來(lái)程序化。所述內(nèi)存控制電路單元耦接至所述連接接口單元與所述可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊，其中所述內(nèi)存控制電路單元用以從所述主機(jī)系統(tǒng)接收第一數(shù)據(jù)，其中第一數(shù)據(jù)欲被儲(chǔ)存至至少一第一邏輯單元，其中所述內(nèi)存控制電路單元更用以判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足一相對(duì)關(guān)系。倘若判定第一磨耗數(shù)值與第二磨耗數(shù)值不滿足所述相對(duì)關(guān)系時(shí)，所述內(nèi)存控制電路單元更用以從所述第二實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第三實(shí)體抹除單元，以及發(fā)送第一寫入指令序列以指示基于所述第一程序化模式程序化至少一第三實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至所述至少一第三實(shí)體抹除單元，并且將所述至少一第一邏輯單元映像至所述至少一第三實(shí)體抹除單元。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，倘若判定所述第一磨耗數(shù)值與所述第二磨耗數(shù)值滿足所述相對(duì)關(guān)系時(shí)，所述內(nèi)存控制電路單元更用以從所述第一實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第四實(shí)體抹除單元。所述內(nèi)存控制電路單元更用以發(fā)送第二寫入指令序列以指示基于所述第一程序化模式程序化至少一第四實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至所述至少一第四實(shí)體抹除單元，并且將所述至少一第一邏輯單元映像至所述至少一第四實(shí)體抹除單元。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述內(nèi)存控制電路單元更用以判斷所述至少一第一邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元，且在判定所述至少一第一邏輯單元為使用頻繁的邏輯單元時(shí)，所述內(nèi)存控制電路單元更用以執(zhí)行判斷所述第一磨耗數(shù)值與所述第二磨耗數(shù)值是否滿足所述相對(duì)關(guān)系的操作。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述在判斷所述至少一第一邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元的操作中，所述內(nèi)存控制電路單元更用以判斷所述至少一第一邏輯單元的使用次數(shù)值是否大于使用次數(shù)門檻值，以及當(dāng)判定所述至少一第一邏輯單元的使用次數(shù)值大于使用次數(shù)門檻值時(shí)，所述內(nèi)存控制電路單元更用以將所述至少一第一邏輯單元設(shè)為使用頻繁的邏輯單元。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在所述至少一第三實(shí)體抹除單元被抹除后，所述內(nèi)存控制電路單元更用以配置所述至少一第三實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述相對(duì)關(guān)系為第一磨耗數(shù)值不大于第二磨耗數(shù)值。所述第一磨耗數(shù)值為所述第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)、讀取次數(shù)、程序化次數(shù)、錯(cuò)誤更正碼的錯(cuò)誤位數(shù)與低密度奇偶校正碼總和的其中之一或其組合，且所述第二磨耗數(shù)值為所述第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)、讀取次數(shù)、程序化次數(shù)、錯(cuò)誤更正碼的錯(cuò)誤位數(shù)與低密度奇偶校正碼總和的其中之一或其組合。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述第一磨耗數(shù)值為所述第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)， 且所述第二磨耗數(shù)值為所述第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)。每一個(gè)第一實(shí)體抹除單元的第一最大抹除次數(shù)大于每一個(gè)第二實(shí)體抹除單元的第二最大抹除次數(shù)，且所述第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量小于所述第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量。所述內(nèi)存控制電路單元更用以為所述第一實(shí)體抹除單元記錄第一總抹除次數(shù)，以及為所述第二實(shí)體抹除單元的記錄第二總抹除次數(shù)。所述內(nèi)存控制電路單元更用以在抹除所述第一實(shí)體抹除單元的至少其中之一時(shí)計(jì)數(shù)第一總抹除次數(shù)，且在抹除所述第二實(shí)體抹除單元的至少其中之一時(shí)計(jì)數(shù)第二總抹除次數(shù)。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述在判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足所述相對(duì)關(guān)系的操作之前，所述內(nèi)存控制電路單元更用以根據(jù)所述第一最大抹除次數(shù)與所述第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得所述第一實(shí)體抹除單元的第一最大總抹除次數(shù)，以及根據(jù)所述第二最大抹除次數(shù)與所述第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得所述第二實(shí)體抹除單元的第二最大總抹除次數(shù)。所述內(nèi)存控制電路單元更用以根據(jù)所述第一最大總抹除次數(shù)與所述第二最大總抹除次數(shù)的比值獲得一權(quán)重值，以及根據(jù)所述權(quán)重值將第一磨耗數(shù)值設(shè)為第一總抹除次數(shù)，以及將第二磨耗數(shù)值設(shè)為第二總抹除次數(shù)。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足所述相對(duì)關(guān)系的操作之前，所述內(nèi)存控制電路單元更用以根據(jù)所述第一總抹除次數(shù)與所述第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得對(duì)應(yīng)每一個(gè)第一實(shí)體抹除單元的第一平均抹除次數(shù)，且將所述第一磨耗數(shù)值設(shè)為所述第一平均抹除次數(shù)。以及，所述內(nèi)存控制電路單元更用以根據(jù)所述第二總抹除次數(shù)與所述第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量獲得對(duì)應(yīng)每一個(gè)第二實(shí)體抹除單元的第二平均抹除次數(shù)，且將第二磨耗數(shù)值設(shè)為第二平均抹除次數(shù)。在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，若所述實(shí)體抹除單元中的一個(gè)記憶胞被基于所述第一程序化模式來(lái)程序化，則第一數(shù)目的位數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存至所述記憶胞，若所述記憶胞被基于所述第二程序化模式來(lái)程序化，則第二數(shù)目的位數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存至所述記憶胞，其中所述第一數(shù)目小于所述第二數(shù)目?；谏鲜?，本發(fā)明范例實(shí)施例是根據(jù)被配置為基于第一程序化模式來(lái)程序化的第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)與初始地配置為基于第二程序化模式來(lái)程序化的第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)來(lái)判斷第一實(shí)體抹除單元與第二實(shí)體抹除單元的磨損程度，以動(dòng)態(tài)地決定要從第一實(shí)體抹除單元中或者第二實(shí)體抹除單元中選擇實(shí)體抹除單元來(lái)更新需要頻繁存取的信息與管理用的表格，并且皆以第一程序化模式程序化來(lái)程序化從第一實(shí)體抹除單元中或者第二實(shí)體抹除單元中所選擇的實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存需要頻繁存取的信息與管理用的表格。如此一來(lái)，可使得第一實(shí)體抹除單元的磨損與第二實(shí)體抹除單元的磨損達(dá)到平衡狀態(tài)，進(jìn)而有效地改善因slc區(qū)域與mlc區(qū)域(或tlc區(qū)域)的磨損情況不同所導(dǎo)致的內(nèi)存儲(chǔ)存裝置的整體壽命的下降。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。附圖說(shuō)明圖1是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的主機(jī)系統(tǒng)、內(nèi)存儲(chǔ)存裝置及輸入/輸出(i/o)裝 置的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一范例實(shí)施例所顯示的主機(jī)系統(tǒng)、內(nèi)存儲(chǔ)存裝置及i/o裝置的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一范例實(shí)施例所顯示的主機(jī)系統(tǒng)與內(nèi)存儲(chǔ)存裝置的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存儲(chǔ)存裝置的概要方框圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存控制電路單元的概要方框圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的管理可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊的示意圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的記憶胞的臨界電壓分布的示意圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存控制電路單元(或內(nèi)存管理電路)執(zhí)行內(nèi)存管理方法的范例流程圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的另一范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存控制電路單元(或內(nèi)存管理電路)執(zhí)行內(nèi)存管理方法的范例流程圖；圖10a～圖10c是根據(jù)本發(fā)明范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存控制電路單元(或內(nèi)存管理電路)執(zhí)行內(nèi)存管理方法的范例示意圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存管理方法的流程圖。附圖標(biāo)記：10、30：內(nèi)存儲(chǔ)存裝置11、31：主機(jī)系統(tǒng)110：系統(tǒng)總線111：處理器112：隨機(jī)存取內(nèi)存113：只讀存儲(chǔ)器114：數(shù)據(jù)傳輸接口12：輸入/輸出(i/o)裝置20：主板201：隨身碟202：記憶卡203：固態(tài)硬盤204：無(wú)線內(nèi)存儲(chǔ)存裝置205：全球定位系統(tǒng)模塊206：網(wǎng)絡(luò)適配器207：無(wú)線傳輸裝置208：鍵盤209：屏幕210：喇叭32：sd卡33：cf卡34：嵌入式儲(chǔ)存裝置341：嵌入式多媒體卡342：嵌入式多芯片封裝儲(chǔ)存裝置402：連接接口單元404：內(nèi)存控制電路單元406：可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊502：內(nèi)存管理電路504：主機(jī)接口506：內(nèi)存接口508：錯(cuò)誤檢查與校正電路510：緩沖存儲(chǔ)器512：電源管理電路601：slc區(qū)域602：mlc區(qū)域610(0)～610(b)：實(shí)體抹除單元612(0)～612(c)：邏輯單元701、702、711～714、721～728：分布1000：第一數(shù)據(jù)1002：下實(shí)體程序化單元1004：上實(shí)體程序化單元s801：步驟(初始地配置所述第一實(shí)體抹除單元基于第一程序化模式來(lái)程序化，以及所述第二實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化)s803：步驟(從主機(jī)系統(tǒng)接收第一數(shù)據(jù)，且所述第一數(shù)據(jù)欲被儲(chǔ)存至至少一第一邏輯單元)s805：步驟(判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足一相對(duì)關(guān)系)s807：步驟(從所述第二實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第三實(shí)體抹除單元)s809：步驟(基于第一程序化模式程序化至少一第三實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至至少一第三實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第三實(shí)體抹除單元)s811：步驟(在至少一第三實(shí)體抹除單元被抹除后，配置至少一第三實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化)s813：步驟(從所述第一實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第四實(shí)體抹除單元)s815：步驟(基于第一程序化模式程序化至少一第四實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至至少一第四實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第四實(shí)體抹除單元)s817：步驟(在至少一第四實(shí)體抹除單元被抹除后，配置至少一第四實(shí)體抹除單元基于第一程序化模式來(lái)程序化)s901：步驟(初始地配置所述第一實(shí)體抹除單元基于第一程序化模式來(lái)程序化，以及所述第二實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化)s903：步驟(從主機(jī)系統(tǒng)接收第一數(shù)據(jù)，且所述第一數(shù)據(jù)欲被儲(chǔ)存至至少一第一邏輯單元)s904：步驟(判斷至少一第一邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元)s905：步驟(判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足一相對(duì)關(guān)系)s907：步驟(從所述第二實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第三實(shí)體抹除單元)s909：步驟(基于第一程序化模式程序化至少一第三實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至至少一第三實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第三實(shí)體抹除單元)s911：步驟(在至少一第三實(shí)體抹除單元被抹除后，配置至少一第三實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化)s913：步驟(從所述第一實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第四實(shí)體抹除單元)s915：步驟(基于第一程序化模式程序化至少一第四實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至至少一第四實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第四實(shí)體抹除單元)s917：步驟(在至少一第四實(shí)體抹除單元被抹除后，配置至少一第四實(shí)體抹除單元基于第一程序化模式來(lái)程序化)s919：步驟(從所述第二實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第五實(shí)體抹除單元)s921：步驟(基于第二程序化模式程序化至少一第五實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至至少一第五實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第五實(shí)體抹除單元)s923：步驟(在至少一第五實(shí)體抹除單元被抹除后，配置至少一第五實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化)s1101：步驟(初始地配置所述第一實(shí)體抹除單元基于第一程序化模式來(lái)程序化，以及所述第二實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化)s1103：步驟(從主機(jī)系統(tǒng)接收第一數(shù)據(jù)，且所述第一數(shù)據(jù)欲被儲(chǔ)存至至少一第一邏輯單元)s1105：步驟(判斷所述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與所述第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足一相對(duì)關(guān)系)s1107：步驟(倘若所述第一磨耗數(shù)值與所述第二磨耗數(shù)值不滿足所述相對(duì)關(guān)系時(shí)，從所述第二實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第三實(shí)體抹除單元)s1109：步驟(基于第一程序化模式程序化至少一第三實(shí)體抹除單元，以儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)至至少一第三實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第三實(shí)體抹除單元)具體實(shí)施方式一般而言，內(nèi)存儲(chǔ)存裝置(亦稱，內(nèi)存儲(chǔ)存系統(tǒng))包括可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊(rewritablenon-volatilememorymodule)與控制器(亦稱，控制電路)。通常內(nèi)存儲(chǔ)存裝置是與主機(jī)系統(tǒng)一起使用，以使主機(jī)系統(tǒng)可將數(shù)據(jù)寫入至內(nèi)存儲(chǔ)存裝置或從內(nèi)存儲(chǔ)存裝置中讀取數(shù)據(jù)。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的主機(jī)系統(tǒng)、內(nèi)存儲(chǔ)存裝置及輸入/輸出(i/o)裝置的示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一范例實(shí)施例所顯示的主機(jī)系統(tǒng)、內(nèi)存儲(chǔ)存裝置及i/o裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖2，主機(jī)系統(tǒng)11一般包括處理器111、隨機(jī)存取內(nèi)存(randomaccessmemory,ram)112、只讀存儲(chǔ)器(readonlymemory,rom)113及數(shù)據(jù)傳輸接口114。處理器111、隨機(jī)存取內(nèi)存112、只讀存儲(chǔ)器113及數(shù)據(jù)傳輸接口114皆耦接至系統(tǒng)總線(systembus)110。在本范例實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)11是通過(guò)數(shù)據(jù)傳輸接口114與內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10耦接。例如，主機(jī)系統(tǒng)11可經(jīng)由數(shù)據(jù)傳輸接口114將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存至內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10或從內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10中讀取數(shù)據(jù)。此外，主機(jī)系統(tǒng)11是通過(guò)系統(tǒng)總線110與i/o裝置12耦接。例如，主機(jī)系 統(tǒng)11可經(jīng)由系統(tǒng)總線110將輸出信號(hào)傳送至i/o裝置12或從i/o裝置12接收輸入信號(hào)。在本范例實(shí)施例中，處理器111、隨機(jī)存取內(nèi)存112、只讀存儲(chǔ)器113及數(shù)據(jù)傳輸接口114可設(shè)置在主機(jī)系統(tǒng)11的主板20上。數(shù)據(jù)傳輸接口114的數(shù)目可以是一或多個(gè)。通過(guò)數(shù)據(jù)傳輸接口114，主板20可以經(jīng)由有線或無(wú)線方式耦接至內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10。內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10可例如是隨身碟201、記憶卡202、固態(tài)硬盤(solidstatedrive,ssd)203或無(wú)線內(nèi)存儲(chǔ)存裝置204。無(wú)線內(nèi)存儲(chǔ)存裝置204可例如是近距離無(wú)線通信(nearfieldcommunication,nfc)內(nèi)存儲(chǔ)存裝置、無(wú)線傳真(wifi)內(nèi)存儲(chǔ)存裝置、藍(lán)牙(bluetooth)內(nèi)存儲(chǔ)存裝置或低功耗藍(lán)牙內(nèi)存儲(chǔ)存裝置(例如，ibeacon)等以各式無(wú)線通信技術(shù)為基礎(chǔ)的內(nèi)存儲(chǔ)存裝置。此外，主板20也可以通過(guò)系統(tǒng)總線110耦接至全球定位系統(tǒng)(globalpositioningsystem,gps)模塊205、網(wǎng)絡(luò)適配器206、無(wú)線傳輸裝置207、鍵盤208、屏幕209、喇叭210等各式i/o裝置。例如，在一范例實(shí)施例中，主板20可通過(guò)無(wú)線傳輸裝置207存取無(wú)線內(nèi)存儲(chǔ)存裝置204。在一范例實(shí)施例中，所提及的主機(jī)系統(tǒng)為可實(shí)質(zhì)地與內(nèi)存儲(chǔ)存裝置配合以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的任意系統(tǒng)。雖然在上述范例實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)是以計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)作說(shuō)明，然而，圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一范例實(shí)施例所顯示的主機(jī)系統(tǒng)與內(nèi)存儲(chǔ)存裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3，在另一范例實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)31也可以是數(shù)碼相機(jī)、攝影機(jī)、通信裝置、音頻播放器、視頻播放器或平板計(jì)算機(jī)等系統(tǒng)，而內(nèi)存儲(chǔ)存裝置30可為其所使用的sd卡32、cf卡33或嵌入式儲(chǔ)存裝置34等各式非易失性內(nèi)存儲(chǔ)存裝置。嵌入式儲(chǔ)存裝置34包括嵌入式多媒體卡(embeddedmmc,emmc)341和/或嵌入式多芯片封裝儲(chǔ)存裝置(embeddedmultichippackage,emcp)342等各類型將內(nèi)存模塊直接耦接于主機(jī)系統(tǒng)的基板上的嵌入式儲(chǔ)存裝置。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存儲(chǔ)存裝置的概要方框圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10包括連接接口單元402、內(nèi)存控制電路單元404與可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406。在本范例實(shí)施例中，連接接口單元402是兼容于序列先進(jìn)附件(serialadvancedtechnologyattachment,sata)標(biāo)準(zhǔn)。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，連接接口單元402亦可以是符合并列先進(jìn)附件(paralleladvancedtechnologyattachment,pata)標(biāo)準(zhǔn)、電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(instituteofelectricalandelectronicengineers,ieee)1394標(biāo)準(zhǔn)、高速周邊零件連接接口(peripheralcomponentinterconnectexpress,pciexpress)標(biāo)準(zhǔn)、通用串行總線(universalserialbus,usb)標(biāo)準(zhǔn)、安全數(shù)字(securedigital,sd)接口標(biāo)準(zhǔn)、超高速一代(ultrahighspeed-i,uhs-i)接口標(biāo)準(zhǔn)、超高速二代(ultrahighspeed-ii,uhs-ii)接口標(biāo)準(zhǔn)、記憶棒(memorystick,ms)接口標(biāo)準(zhǔn)、多芯片封裝(multi-chippackage)接口標(biāo)準(zhǔn)、多媒體儲(chǔ)存卡(multimediacard,mmc)接口標(biāo)準(zhǔn)、嵌入式多媒體儲(chǔ)存卡(embeddedmultimediacard,emmc)接口標(biāo)準(zhǔn)、通用閃存(universalflashstorage,ufs)接口標(biāo)準(zhǔn)、嵌入式多芯片封裝(embeddedmultichippackage,emcp)接口標(biāo)準(zhǔn)、小型快閃(compactflash,cf)接口標(biāo)準(zhǔn)、整合式驅(qū)動(dòng)電子接口(integrateddeviceelectronics,ide)標(biāo)準(zhǔn)或其他適合的標(biāo)準(zhǔn)。連接接口單元402可與內(nèi)存控制電路單元404封裝在一個(gè)芯片中，或者連接接口單元402是布設(shè)于一包含內(nèi)存控制電路單元404的芯片外。內(nèi)存控制電路單元404用以執(zhí)行以硬件型式或固件型式實(shí)作的多個(gè)邏輯門或控制指令并且根據(jù)主機(jī)系統(tǒng)11的指令在可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406中進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作?？蓮?fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406是耦接至內(nèi)存控制電路單元404并且用以儲(chǔ)存主機(jī)系統(tǒng) 11所寫入的數(shù)據(jù)?？蓮?fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406可以是單階記憶胞(singlelevelcell,slc)nand型閃存模塊(即，一個(gè)記憶胞中可儲(chǔ)存1個(gè)位的閃存模塊)、多階記憶胞(multilevelcell,mlc)nand型閃存模塊(即，一個(gè)記憶胞中可儲(chǔ)存2個(gè)位的閃存模塊)、三階記憶胞(triplelevelcell，tlc)nand型閃存模塊(即，一個(gè)記憶胞中可儲(chǔ)存3個(gè)位的閃存模塊)、其他閃存模塊或其他具有相同特性的內(nèi)存模塊。可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406中的每一個(gè)記憶胞是以電壓(以下亦稱為臨界電壓)的改變來(lái)儲(chǔ)存一或多個(gè)位。具體來(lái)說(shuō)，每一個(gè)記憶胞的控制柵極(controlgate)與信道之間有一個(gè)電荷捕捉層。通過(guò)施予一寫入電壓至控制柵極，可以改變電荷補(bǔ)捉層的電子量，進(jìn)而改變記憶胞的臨界電壓。此改變臨界電壓的程序亦稱為“把數(shù)據(jù)寫入至記憶胞”或“程序化記憶胞”。隨著臨界電壓的改變，可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406中的每一個(gè)記憶胞具有多個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)。通過(guò)施予讀取電壓可以判斷一個(gè)記憶胞是屬于哪一個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)，藉此取得此記憶胞所儲(chǔ)存的一或多個(gè)位。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存控制電路單元的概要方框圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，內(nèi)存控制電路單元404包括內(nèi)存管理電路502、主機(jī)接口504及內(nèi)存接口506。內(nèi)存管理電路502用以控制內(nèi)存控制電路單元404的整體運(yùn)作。具體來(lái)說(shuō)，內(nèi)存管理電路502具有多個(gè)控制指令，并且在內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10運(yùn)作時(shí)，此些控制指令會(huì)被執(zhí)行以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。以下說(shuō)明內(nèi)存管理電路502的操作時(shí)，等同于說(shuō)明內(nèi)存控制電路單元404的操作。在本范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502的控制指令是以固件型式來(lái)實(shí)作。例如，內(nèi)存管理電路502具有微處理器單元(未顯示)與只讀存儲(chǔ)器(未顯示)，并且此些控制指令是被刻錄至此只讀存儲(chǔ)器中。當(dāng)內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10運(yùn)作時(shí)，此些控制指令會(huì)由微處理器單元來(lái)執(zhí)行以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。在另一范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502的控制指令亦可以程序代碼型式儲(chǔ)存于可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的特定區(qū)域(例如，內(nèi)存模塊中專用于存放系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)區(qū))中。此外，內(nèi)存管理電路502具有微處理器單元(未顯示)、只讀存儲(chǔ)器(未顯示)及隨機(jī)存取內(nèi)存(未顯示)。特別是，此只讀存儲(chǔ)器具有開(kāi)機(jī)碼(bootcode)，并且當(dāng)內(nèi)存控制電路單元404被致能時(shí)，微處理器單元會(huì)先執(zhí)行此開(kāi)機(jī)碼來(lái)將儲(chǔ)存于可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406中的控制指令加載至內(nèi)存管理電路502的隨機(jī)存取內(nèi)存中。之后，微處理器單元會(huì)運(yùn)轉(zhuǎn)此些控制指令以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。此外，在另一范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502的控制指令亦可以一硬件型式來(lái)實(shí)作。例如，內(nèi)存管理電路502包括微控制器、記憶胞管理電路、內(nèi)存寫入電路、內(nèi)存讀取電路、內(nèi)存抹除電路與數(shù)據(jù)處理電路。記憶胞管理電路、內(nèi)存寫入電路、內(nèi)存讀取電路、內(nèi)存抹除電路與數(shù)據(jù)處理電路是耦接至微控制器。記憶胞管理電路用以管理可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的記憶胞或其群組。內(nèi)存寫入電路用以對(duì)可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406下達(dá)寫入指令序列以將數(shù)據(jù)寫入至可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406中。內(nèi)存讀取電路用以對(duì)可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406下達(dá)讀取指令序列以從可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406中讀取數(shù)據(jù)。內(nèi)存抹除電路用以對(duì)可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406下達(dá)抹除指令序列以將數(shù)據(jù)從可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406中抹除。數(shù)據(jù)處理電路用以處理欲寫入至可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的數(shù)據(jù)以及從可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406中讀取的數(shù)據(jù)。寫入指令序列、讀取指令序列 及抹除指令序列可各別包括一或多個(gè)程序代碼或腳本并且用以指示可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406執(zhí)行相對(duì)應(yīng)的寫入、讀取及抹除等操作。在一范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502還可以下達(dá)其他類型的指令序列給可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406以指示執(zhí)行相對(duì)應(yīng)的操作。主機(jī)接口504是耦接至內(nèi)存管理電路502并且用以接收與識(shí)別主機(jī)系統(tǒng)11所傳送的指令與數(shù)據(jù)。也就是說(shuō)，主機(jī)系統(tǒng)11所傳送的指令與數(shù)據(jù)會(huì)通過(guò)主機(jī)接口504來(lái)傳送至內(nèi)存管理電路502。在本范例實(shí)施例中，主機(jī)接口504是兼容于sata標(biāo)準(zhǔn)。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，主機(jī)接口504亦可以是兼容于pata標(biāo)準(zhǔn)、ieee1394標(biāo)準(zhǔn)、pciexpress標(biāo)準(zhǔn)、usb標(biāo)準(zhǔn)、sd標(biāo)準(zhǔn)、uhs-i標(biāo)準(zhǔn)、uhs-ii標(biāo)準(zhǔn)、ms標(biāo)準(zhǔn)、mmc標(biāo)準(zhǔn)、emmc標(biāo)準(zhǔn)、ufs標(biāo)準(zhǔn)、cf標(biāo)準(zhǔn)、ide標(biāo)準(zhǔn)或其他適合的數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)。內(nèi)存接口506是耦接至內(nèi)存管理電路502并且用以存取可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406。也就是說(shuō)，欲寫入至可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的數(shù)據(jù)會(huì)經(jīng)由內(nèi)存接口506轉(zhuǎn)換為可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406所能接受的格式。具體來(lái)說(shuō)，若內(nèi)存管理電路502要存取可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406，內(nèi)存接口506會(huì)傳送對(duì)應(yīng)的指令序列。例如，這些指令序列可包括指示寫入數(shù)據(jù)的寫入指令序列、指示讀取數(shù)據(jù)的讀取指令序列、指示抹除數(shù)據(jù)的抹除指令序列、以及用以指示各種記憶體操作(例如，改變讀取電壓準(zhǔn)位或執(zhí)行垃圾回收程序等等)的相對(duì)應(yīng)的指令序列。這些指令序列例如是由內(nèi)存管理電路502產(chǎn)生并且通過(guò)內(nèi)存接口506傳送至可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406。這些指令序列可包括一或多個(gè)信號(hào)，或是在總線上的數(shù)據(jù)。這些信號(hào)或數(shù)據(jù)可包括腳本或程序代碼。例如，在讀取指令序列中，會(huì)包括讀取的辨識(shí)碼、內(nèi)存地址等信息。在一范例實(shí)施例中，內(nèi)存控制電路單元404還包括錯(cuò)誤檢查與校正電路508、緩沖存儲(chǔ)器510與電源管理電路512。錯(cuò)誤檢查與校正電路508是耦接至內(nèi)存管理電路502并且用以執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與校正程序以確保數(shù)據(jù)的正確性。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)內(nèi)存管理電路502從主機(jī)系統(tǒng)11中接收到寫入指令時(shí)，錯(cuò)誤檢查與校正電路508會(huì)為對(duì)應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤更正碼(errorcorrectingcode,ecc)和/或錯(cuò)誤檢查碼(errordetectingcode，edc)，并且內(nèi)存管理電路502會(huì)將對(duì)應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤更正碼和/或錯(cuò)誤檢查碼寫入至可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406中。之后，當(dāng)內(nèi)存管理電路502從可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406中讀取數(shù)據(jù)時(shí)會(huì)同時(shí)讀取此數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤更正碼和/或錯(cuò)誤檢查碼，并且錯(cuò)誤檢查與校正電路508會(huì)依據(jù)此錯(cuò)誤更正碼和/或錯(cuò)誤檢查碼對(duì)所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與校正程序。緩沖存儲(chǔ)器510是耦接至內(nèi)存管理電路502并且用以暫存來(lái)自于主機(jī)系統(tǒng)11的數(shù)據(jù)與指令或來(lái)自于可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的數(shù)據(jù)。電源管理電路512是耦接至內(nèi)存管理電路502并且用以控制內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10的電源。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的管理可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊的示意圖。必須了解的是，必須了解的是，在此描述可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的實(shí)體抹除單元的運(yùn)作時(shí)，以“選擇”與“分組”等詞來(lái)操作實(shí)體抹除單元是邏輯上的概念。也就是說(shuō)，可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的實(shí)體抹除單元的實(shí)際位置并未更動(dòng)，而是邏輯上對(duì)可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的實(shí)體抹除單元進(jìn)行操作。在本范例實(shí)施例中，可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的記憶胞會(huì)構(gòu)成多個(gè)實(shí)體程序化單元，并且此些實(shí)體程序化單元會(huì)構(gòu)成多個(gè)實(shí)體抹除單元。具體來(lái)說(shuō)，同一條字符在線的記憶 胞會(huì)組成一個(gè)或多個(gè)實(shí)體程序化單元。若每一個(gè)記憶胞可儲(chǔ)存2個(gè)以上的位，則同一條字符在線的實(shí)體程序化單元至少可被分類為下實(shí)體程序化單元與上實(shí)體程序化單元。例如，一個(gè)記憶胞的最低有效位(leastsignificantbit，lsb)是屬于下實(shí)體程序化單元，并且一個(gè)記憶胞的最高有效位(mostsignificantbit，msb)是屬于上實(shí)體程序化單元。一般來(lái)說(shuō)，在mlcnand型閃存中，下實(shí)體程序化單元的寫入速度會(huì)大于上實(shí)體程序化單元的寫入速度，和/或下實(shí)體程序化單元的可靠度是高于上實(shí)體程序化單元的可靠度。在本范例實(shí)施例中，實(shí)體程序化單元為程序化的最小單元。即，實(shí)體程序化單元為寫入數(shù)據(jù)的最小單元。例如，實(shí)體程序化單元為實(shí)體頁(yè)面(page)或是實(shí)體扇(sector)。若實(shí)體程序化單元為實(shí)體頁(yè)面，則此些實(shí)體程序化單元通常包括數(shù)據(jù)位區(qū)與冗余(redundancy)位區(qū)。數(shù)據(jù)位區(qū)包含多個(gè)實(shí)體扇，用以儲(chǔ)存用戶數(shù)據(jù)，而冗余位區(qū)用以儲(chǔ)存系統(tǒng)數(shù)據(jù)(例如，錯(cuò)誤更正碼)。在本范例實(shí)施例中，數(shù)據(jù)位區(qū)包含32個(gè)實(shí)體扇，且一個(gè)實(shí)體扇的大小為512字節(jié)(byte,b)。然而，在其他范例實(shí)施例中，數(shù)據(jù)位區(qū)中也可包含8個(gè)、16個(gè)或數(shù)目更多或更少的實(shí)體扇，并且每一個(gè)實(shí)體扇的大小也可以是更大或更小。另一方面，實(shí)體抹除單元為抹除的最小單位。亦即，每一實(shí)體抹除單元含有最小數(shù)目之一并被抹除的記憶胞。例如，實(shí)體抹除單元為實(shí)體區(qū)塊(block)。請(qǐng)參照?qǐng)D6，內(nèi)存管理電路502會(huì)將可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的實(shí)體抹除單元610(0)～610(b)邏輯地分組為slc區(qū)域601與mlc區(qū)域602。內(nèi)存管理電路502會(huì)配置邏輯單元612(0)～612(c)以映像slc區(qū)域601的實(shí)體抹除單元610(0)～610(a)中的部分實(shí)體抹除單元，以及mlc區(qū)域602的實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(b)中的部分實(shí)體抹除單元。例如，在本范例實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)11是通過(guò)邏輯地址(logicaladdress,la)來(lái)存取slc區(qū)域601與mlc區(qū)域602中的數(shù)據(jù)，因此，邏輯單元612(0)～612(c)中的每一個(gè)邏輯單元是指一個(gè)邏輯地址。此外，邏輯單元612(0)～612(c)中的每一個(gè)邏輯單元也可以是指一個(gè)邏輯程序化單元、一個(gè)邏輯抹除單元或者由多個(gè)連續(xù)或不連續(xù)的邏輯地址組成。并且，邏輯單元612(0)～612(c)中的每一個(gè)邏輯單元可被映像至一或多個(gè)實(shí)體抹除單元。值得注意的是，在本發(fā)明范例實(shí)施例中，是以內(nèi)存管理電路502將可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的實(shí)體抹除單元610(0)～610(b)邏輯地分組為slc區(qū)域601與mlc區(qū)域602的例子進(jìn)行說(shuō)明，然而，本發(fā)明并不限于此。例如，在另一范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502亦可以是將可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的實(shí)體抹除單元610(0)～610(b)邏輯地分組為slc區(qū)域與tlc區(qū)域。內(nèi)存管理電路502會(huì)將邏輯單元與實(shí)體抹除單元之間的映像關(guān)系(亦稱為邏輯-實(shí)體映像關(guān)系)記錄于至少一邏輯-實(shí)體映像表。當(dāng)主機(jī)系統(tǒng)11欲從內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10讀取數(shù)據(jù)或?qū)懭霐?shù)據(jù)至內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10時(shí)，內(nèi)存管理電路502可根據(jù)此邏輯-實(shí)體映像表來(lái)執(zhí)行對(duì)于內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10的數(shù)據(jù)存取。在本范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502會(huì)將屬于slc區(qū)域601的實(shí)體抹除單元610(0)～610(a)(以下亦稱為第一實(shí)體抹除單元)配置為初始地(或者，僅能)基于某一程序化模式(以下亦稱為第一程序化模式)來(lái)程序化并且將屬于mlc區(qū)域602的實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(b)(以下亦稱為第二實(shí)體抹除單元)初始地配置為基于另一程序化模式(以下亦稱為第二程序化模式)來(lái)程序化。一般來(lái)說(shuō)，基于第一程序化模式來(lái)程序化記憶胞的程序化速度會(huì)高于基于第二程序化模式來(lái)程序化記憶胞的程序化速度。此外，基于第一程序化模式而被 儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的可靠度也往往高于基于第二程序化模式而被儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的可靠度。在本范例實(shí)施例中，第一程序化模式是指單層記憶胞(singlelayermemorycell,slc)模式、下實(shí)體程序化(lowerphysicalprogramming)模式、混合程序化(mixtureprogramming)模式及少層記憶胞(lesslayermemorycell)模式的其中之一。在單層記憶胞模式中，一個(gè)記憶胞只儲(chǔ)存一個(gè)位的數(shù)據(jù)。在下實(shí)體程序化模式中，只有下實(shí)體程序化單元會(huì)被程序化，而此下實(shí)體程序化單元所對(duì)應(yīng)的上實(shí)體程序化單元可不被程序化。在混合程序化模式中，有效數(shù)據(jù)(或，真實(shí)數(shù)據(jù))會(huì)被程序化于下實(shí)體程序化單元中，而同時(shí)虛擬數(shù)據(jù)(dummydata)會(huì)被程序化至儲(chǔ)存有效數(shù)據(jù)的下實(shí)體程序化單元所對(duì)應(yīng)的上實(shí)體程序化單元中。在少層記憶胞模式中，一個(gè)記憶胞儲(chǔ)存一第一數(shù)目的位的數(shù)據(jù)。例如，此第一數(shù)目可設(shè)為“1”。在本范例實(shí)施例中，第二程序化模式是指多階記憶胞(mlc)程序化模式、三階(tlc)記憶胞程序化模式或類似模式。在第二程序化模式中，一個(gè)記憶胞儲(chǔ)存有一第二數(shù)目的位的數(shù)據(jù)，其中此第二數(shù)目等于或大于“2”。例如，此第二數(shù)目可設(shè)為2或3。在另一范例實(shí)施例中，上述第一程序化模式中的第一數(shù)目與第二程序化模式中的第二數(shù)目皆可以是其他數(shù)目，只要滿足第二數(shù)目大于第一數(shù)目即可。圖7是根據(jù)本發(fā)明的一范例實(shí)施例所顯示的記憶胞的臨界電壓分布的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7，在本范例實(shí)施例中，若基于第一程序化模式來(lái)程序化多個(gè)記憶胞，則程序化后的記憶胞的臨界電壓分布可能會(huì)包括分布701與分布702。例如，若某一個(gè)記憶胞被程序化以儲(chǔ)存位“0”，則此記憶胞的臨界電壓會(huì)屬于分布701；若某一個(gè)記憶胞被程序化以儲(chǔ)存位“1”，則此記憶胞的臨界電壓會(huì)屬于分布702。然而，在另一范例實(shí)施例中，臨界電壓屬于分布701的記憶胞也可以是被用以儲(chǔ)存位“1”，并且臨界電壓屬于分布702的記憶胞也可以是被用以儲(chǔ)存位“0”。此外，若基于第二程序化模式來(lái)程序化多個(gè)記憶胞，則程序化后的記憶胞的臨界電壓分布可能會(huì)包括分布711～714或者分布721～728。在第二數(shù)目是“2”的范例實(shí)施例中，若某一個(gè)記憶胞被程序化以儲(chǔ)存位“00”，則此記憶胞的臨界電壓會(huì)屬于分布711；若某一個(gè)記憶胞被程序化以儲(chǔ)存位“01”，則此記憶胞的臨界電壓會(huì)屬于分布712；若某一個(gè)記憶胞被程序化以儲(chǔ)存位“10”，則此記憶胞的臨界電壓會(huì)屬于分布713；若某一個(gè)記憶胞被程序化以儲(chǔ)存位“11”，則此記憶胞的臨界電壓會(huì)屬于分布714。然而，在另一范例實(shí)施例中，臨界電壓屬于分布711～714的記憶胞也可以分別用以儲(chǔ)存位“11”、“10”、“01”及“00”或者其他位總數(shù)為“2”的位值。在第二數(shù)目是“3”的范例實(shí)施例中，屬于分布721～728的記憶胞分別用以儲(chǔ)存位“000”、“001”、“010”、“011”、“100”、“101”、“110”及“111”。然而，在另一范例實(shí)施例中，屬于分布721～728的記憶胞也可以分別用以儲(chǔ)存位“111”、“110”、“101”、“100”、“011”、“010”、“001”及“000”或者其他位總數(shù)為“3”的位值。為了說(shuō)明方便，在以下范例實(shí)施例中，是以每一個(gè)記憶胞儲(chǔ)存“1”個(gè)位的數(shù)據(jù)的少層記憶胞模式來(lái)作為第一程序化模式的范例，并且以每一個(gè)記憶胞儲(chǔ)存有“2”或“3”個(gè)位的數(shù)據(jù)的程序化模式來(lái)作為第二程序化模式的范例。但是，在其他范例實(shí)施例中，只要滿足上述條件的第一程序化模式與第二程序化模式皆可以被采用。此外，為了更清楚地描述本發(fā)明的內(nèi)存管理電路502執(zhí)行內(nèi)存管理方法的運(yùn)作，以下將參照?qǐng)D8、圖9與圖10a～圖10c以數(shù)個(gè)范例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。圖8～圖9是根據(jù)不同的范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存控制電路單元(或內(nèi)存管理電路)執(zhí)行內(nèi)存管理方法的范例流程圖。圖10a～圖10c是根據(jù)本發(fā)明范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存控制電 路單元(或內(nèi)存管理電路)執(zhí)行內(nèi)存管理方法的范例示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D8與圖10a，首先，如上所述，在步驟s801中，內(nèi)存管理電路502會(huì)初始地配置第一實(shí)體抹除單元基于第一程序化模式來(lái)程序化，以及第二實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化，例如，將屬于slc區(qū)域601的第一實(shí)體抹除單元610(0)～610(a)配置為初始地基于第一程序化模式來(lái)程序化并且將屬于mlc區(qū)域602的第二實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(b)初始地配置為基于第二程序化模式來(lái)程序化。接著，在步驟s803中，當(dāng)主機(jī)系統(tǒng)11欲儲(chǔ)存數(shù)據(jù)時(shí)，主機(jī)系統(tǒng)11會(huì)發(fā)送寫入指令至內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10。此寫入指令會(huì)指示將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存至某一個(gè)邏輯單元(亦稱為至少一第一邏輯單元)，而儲(chǔ)存至此至少一第一邏輯單元的數(shù)據(jù)(亦稱為第一數(shù)據(jù)1000)會(huì)被視為是屬于此至少一第一邏輯單元的數(shù)據(jù)。換言之，內(nèi)存管理電路502會(huì)從主機(jī)系統(tǒng)11接收此第一數(shù)據(jù)1000。在步驟s805中，內(nèi)存管理電路502會(huì)判斷第一實(shí)體抹除單元610(0)～610(a)的磨耗數(shù)值(亦稱為第一磨耗數(shù)值)是否與第二實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(b)的磨耗數(shù)值(亦稱為第二磨耗數(shù)值)滿足一相對(duì)關(guān)系。在此，相對(duì)關(guān)系指的是第一磨耗數(shù)值不大于第二磨耗數(shù)值的情況，或者第一磨耗數(shù)值小于或等于第二磨耗數(shù)值的情況。換言之，內(nèi)存管理電路502是判斷第一實(shí)體抹除單元610(0)～610(a)的第一磨耗數(shù)值是否非大于第二實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(b)的第二磨耗數(shù)值。然而，本發(fā)明并不加以限制相對(duì)關(guān)系的定義，例如，在另一范例實(shí)施例中，相對(duì)關(guān)系亦可以是第一磨耗數(shù)值大于第二磨耗數(shù)值的情況。第一實(shí)體抹除單元與第二實(shí)體抹除單元各自的磨耗數(shù)值用以作為兩者之間的磨耗程度的比較，以下將以第一磨耗數(shù)值為第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)，且第二磨耗數(shù)值為第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)的范例進(jìn)行說(shuō)明。值得注意的是，本發(fā)明并不欲限制磨耗數(shù)值的類型，例如，上述第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值可以是第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)、讀取次數(shù)、程序化次數(shù)、錯(cuò)誤更正碼的錯(cuò)誤位數(shù)與低密度奇偶校正碼總和的其中之一或其組合，而第二磨耗數(shù)值為第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)、讀取次數(shù)、程序化次數(shù)、錯(cuò)誤更正碼的錯(cuò)誤位數(shù)與低密度奇偶校正碼總和的其中之一或其組合。也就是說(shuō)，磨耗數(shù)值可以是任何可用以判斷磨損程度的依據(jù)。在本范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502會(huì)為第一實(shí)體抹除單元記錄對(duì)應(yīng)的總抹除次數(shù)(亦稱為第一總抹除次數(shù))，以及為第二實(shí)體抹除單元的記錄對(duì)應(yīng)的總抹除次數(shù)(亦稱為第二總抹除次數(shù))。具體而言，每一實(shí)體抹除單元610(0)～610(b)的抹除次數(shù)是有限的，在此以配置為基于第一程序化模式來(lái)程序化的slc區(qū)域601與初始地配置為基于第二程序化模式來(lái)程序化的mlc區(qū)域602為例來(lái)說(shuō)明記錄抹除次數(shù)的方法。由于mlc區(qū)域602的數(shù)據(jù)記錄的密度比slc區(qū)域601多一倍，因此，mlc區(qū)域602的每一個(gè)第二實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(b)平均會(huì)在抹除1萬(wàn)次(亦稱為第一最大抹除次數(shù))之后就會(huì)損壞，而slc區(qū)域601的每一個(gè)第一實(shí)體抹除單元610(0)～610(a)則平均是在抹除10萬(wàn)次(亦稱為第二最大抹除次數(shù))之后才會(huì)損壞，并且當(dāng)實(shí)體抹除單元磨損導(dǎo)致儲(chǔ)存容量的部分容量損失或性能明顯退化時(shí)，會(huì)造成用戶所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)遺失或無(wú)法儲(chǔ)存數(shù)據(jù)等不利影響。特別是，實(shí)體抹除單元的磨損取決于每一實(shí)體抹除單元中被程序化或抹除的次數(shù)。也就是說(shuō)，若一實(shí)體抹除單元僅被程序化(或者寫入)一次，然后未被再次程序化時(shí)，此實(shí)體抹除單元的磨損程度將相對(duì)地低。反之，若一個(gè)實(shí)體抹除單元被重復(fù)地程序化與抹除時(shí)，則此實(shí)體抹除單元的磨損程度就會(huì)相對(duì)地高。例如，當(dāng)可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的第一實(shí)體抹除單元610(0)～610(a)中的一個(gè)實(shí)體抹除單元被抹除時(shí)， 內(nèi)存管理電路502會(huì)將對(duì)應(yīng)第一實(shí)體抹除單元610(0)～610(a)的第一總抹除次數(shù)加1，而當(dāng)可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的第二實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(b)中的一個(gè)實(shí)體抹除單元被抹除時(shí)，內(nèi)存管理電路502會(huì)將對(duì)應(yīng)第二實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(b)的第二總抹除次數(shù)加1。例如，第一總抹除次數(shù)與第二總抹除次數(shù)可被記錄于一抹除次數(shù)表中或者其所對(duì)應(yīng)的實(shí)體抹除單元中。一般而言，根據(jù)slc區(qū)域601的壽命長(zhǎng)、速度快、容量低與價(jià)格貴的特性，以及mlc區(qū)域602的容量大與價(jià)格低的特性，通常會(huì)將可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的容量的8％～9％劃分為slc區(qū)域601，而其余的91％～92％劃分為mlc區(qū)域602。據(jù)此，每一個(gè)第一實(shí)體抹除單元的第一最大抹除次數(shù)(例如，1萬(wàn)次)會(huì)大于每一個(gè)第二實(shí)體抹除單元的第二最大抹除次數(shù)(例如，10萬(wàn)次)，且第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量會(huì)小于第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量。由于每一個(gè)第一實(shí)體抹除單的第一最大抹除次數(shù)與每一個(gè)第二實(shí)體抹除單元的第二最大抹除次數(shù)的不同，會(huì)造成內(nèi)存管理電路502判斷對(duì)應(yīng)第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)是否大于對(duì)應(yīng)第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)的判斷基準(zhǔn)的不同。因此，在本范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502會(huì)根據(jù)一個(gè)權(quán)重值對(duì)第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)(即，第一磨耗數(shù)值)或第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)(即，第二磨耗數(shù)值)進(jìn)行加權(quán)運(yùn)算，再根據(jù)加權(quán)后的結(jié)果比較(即，第一磨耗數(shù)值)與第二磨耗數(shù)值兩者之間的大小。所述權(quán)重值用以使得對(duì)應(yīng)第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)與對(duì)應(yīng)第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)在對(duì)等的基礎(chǔ)上進(jìn)行比較。例如，所述權(quán)重值可以是根據(jù)內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10出廠時(shí)的技術(shù)規(guī)格來(lái)設(shè)定，亦可以是根據(jù)內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10的可復(fù)寫式非易失性內(nèi)存模塊406的配置結(jié)構(gòu)而被設(shè)定。具體而言，在判斷第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足相對(duì)關(guān)系的步驟之前，內(nèi)存管理電路502會(huì)先根據(jù)第一最大抹除次數(shù)與第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量計(jì)算對(duì)應(yīng)第一實(shí)體抹除單元的最大總抹除次數(shù)(亦稱為第一最大總抹除次數(shù))，以及根據(jù)第二最大抹除次數(shù)與第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量計(jì)算對(duì)應(yīng)第二實(shí)體抹除單元的最大總抹除次數(shù)(亦稱為第二最大總抹除次數(shù))，以獲得所述權(quán)重值。在第一最大抹除次數(shù)與第二最大抹除次數(shù)分別為1萬(wàn)次與10萬(wàn)次，且第一實(shí)體抹除單元的總數(shù)量與第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量分別為60個(gè)與100個(gè)的例子中，第一最大總抹除次數(shù)即為60萬(wàn)次(即，1萬(wàn)次*60個(gè))，而第二最大總抹除次數(shù)即為1000萬(wàn)次，據(jù)此，內(nèi)存管理電路502會(huì)根據(jù)第一最大總抹除次數(shù)(即，60萬(wàn)次)與第二最大總抹除次數(shù)(即，1000萬(wàn)次)的比值獲得所述權(quán)重值大約為“16.7”(即，1000萬(wàn)次/60萬(wàn)次)。在此假設(shè)，上述內(nèi)存管理電路502所記錄的第一總抹除次數(shù)與所記錄的第二總抹除次數(shù)分別為50萬(wàn)次與60萬(wàn)次，則內(nèi)存管理電路502接著會(huì)將第一磨耗數(shù)值設(shè)為第一總抹除次數(shù)(即，50萬(wàn)次)乘上權(quán)重值(即，16.7)所獲得的次數(shù)(即，833萬(wàn)次)，以及直接將第二磨耗數(shù)值設(shè)為第二總抹除次數(shù)(即，60萬(wàn))。之后，內(nèi)存管理電路502即可根據(jù)第一磨耗數(shù)值(即，833萬(wàn)次)與第二磨耗數(shù)值(即，60萬(wàn))，在對(duì)等的基礎(chǔ)上進(jìn)行判斷第一實(shí)體抹除單元的抹損程度是否大于第二實(shí)體抹除單元的抹損程度的操作。值得注意的是，本發(fā)明并不加以限制記錄抹除次數(shù)以判斷第一實(shí)體抹除單元的抹損程度是否大于第二實(shí)體抹除單元的抹損程度的方法。例如，在另一范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502是計(jì)算對(duì)應(yīng)每一個(gè)第一實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)(亦稱為第一平均抹除次數(shù))，以及對(duì)應(yīng)每一個(gè)第二實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)(亦稱為第二平均抹除次數(shù))以使得對(duì)應(yīng)第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)與對(duì)應(yīng)第二實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)在對(duì)等的基礎(chǔ)上進(jìn)行比較。例如，在所記錄的第一總抹除次數(shù)與所記錄的第二總抹除次數(shù)分別為50萬(wàn)次與60萬(wàn)次，且第一實(shí) 體抹除單元的總數(shù)量與第二實(shí)體抹除單元的總數(shù)量分別為60個(gè)與100個(gè)的例子中，第一平均抹除次數(shù)即為8333次(即，50萬(wàn)次/60個(gè))，而第二平均抹除次數(shù)即為600次(即，60萬(wàn)次/1000個(gè))。因此，內(nèi)存管理電路502會(huì)將第一磨耗數(shù)值設(shè)為第一平均抹除次數(shù)，以及將第二磨耗數(shù)值設(shè)為第二平均抹除次數(shù)，并進(jìn)行判斷第一實(shí)體抹除單元的抹損程度是否大于第二實(shí)體抹除單元的抹損程度的操作。在上述范例實(shí)施例中，所獲得的第一磨耗數(shù)值(即，833萬(wàn)次或8333次)大于所獲得的第二磨耗數(shù)值(即，60萬(wàn)次或600次)，亦即，內(nèi)存管理電路502判定第一磨耗數(shù)值與第二磨耗數(shù)值不滿足所述相對(duì)關(guān)系，換言之，內(nèi)存管理電路502是判定mlc區(qū)域602的磨損程度較slc區(qū)域601的磨損程度低，因此，內(nèi)存管理電路502會(huì)在步驟s807中，從磨損程度較低的mlc區(qū)域602的第二實(shí)體抹除單元602之中選擇至少一實(shí)體抹除單元(亦稱為第三實(shí)體抹除單元)來(lái)寫入所接收的第一數(shù)據(jù)1000。如圖10a所示，主機(jī)系統(tǒng)11所發(fā)送的寫入指令指示將第一數(shù)據(jù)1000儲(chǔ)存至第一邏輯單元612(0)～612(1)，而內(nèi)存管理電路502選擇第二實(shí)體抹除單元602中的第三實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(a+2)來(lái)寫入所接收的第一數(shù)據(jù)1000。接著，在步驟s809中，內(nèi)存管理電路502會(huì)基于第一程序化模式程序化原先初始地配置為基于第二程序化模式來(lái)程序化的第二實(shí)體抹除單元中的第三實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(a+2)。在本范例實(shí)施例中，由于在第一程序化模式的下實(shí)體程序化模式中，只有下實(shí)體程序化單元1002會(huì)被程序化，而此下實(shí)體程序化單元1002所對(duì)應(yīng)的上實(shí)體程序化單元1004可不被程序化，因此，內(nèi)存管理電路502是將第一數(shù)據(jù)1000依序?qū)懭氲谌龑?shí)體抹除單元610(a+1)～610(a+2)的下實(shí)體程序化單元1002，并且將第一邏輯單元612(0)～612(1)映像至第三實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(a+2)的下實(shí)體程序化單元1002。之后，在步驟s811中，倘若對(duì)應(yīng)第一邏輯單元612(0)～612(1)的第一數(shù)據(jù)被更新，且第三實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(a+2)被抹除后，內(nèi)存管理電路502會(huì)將已被配置為基于第一程序化模式來(lái)程序化的第三實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(a+2)歸類為屬于mlc區(qū)域602的第二實(shí)體抹除單元，并且將實(shí)體抹除單元610(a+1)～610(a+2)重新配置為原先所配置的基于第二程序化模式來(lái)程序化的實(shí)體抹除單元。請(qǐng)參照?qǐng)D8與圖10b，假設(shè)在另一范例實(shí)施例中，于步驟s805中判斷所獲得的第一磨耗數(shù)值非大于所獲得的第二磨耗數(shù)值，亦即，內(nèi)存管理電路502判定第一磨耗數(shù)值與第二磨耗數(shù)值滿足所述相對(duì)關(guān)系，換言之，slc區(qū)域601的磨損程度較mlc區(qū)域602的磨損程度低，因此，內(nèi)存管理電路502會(huì)在步驟s813中，從磨損程度較低的slc區(qū)域601的第一實(shí)體抹除單元之中選擇至少一實(shí)體抹除單元(亦稱為第四實(shí)體抹除單元)來(lái)寫入所接收的第一數(shù)據(jù)1000。如圖10b所示，主機(jī)系統(tǒng)11所發(fā)送的寫入指令指示將第一數(shù)據(jù)1000儲(chǔ)存至第一邏輯單元612(0)～612(1)，而內(nèi)存管理電路502選擇第一實(shí)體抹除單元601中的第四實(shí)體抹除單元610(0)～610(1)來(lái)寫入所接收的第一數(shù)據(jù)1000。接著，在步驟s815中，內(nèi)存管理電路502會(huì)基于第一程序化模式程序化原先配置為基于第一程序化模式來(lái)程序化的第一實(shí)體抹除單元中的第四實(shí)體抹除單元610(0)～610(1)，并且將第一邏輯單元612(0)～612(1)映像至第四實(shí)體抹除單元610(0)～610(1)。之后，在步驟s817中，倘若對(duì)應(yīng)第一邏輯單元612(0)～612(1)的第一數(shù)據(jù)1000被更新，且第四實(shí)體抹除單元610(0)～610(1)被抹除后，內(nèi)存管理電路502仍是將被配置為基于第一程序化模式來(lái)程序化的第四實(shí)體抹除單元610(0)～610(1)歸類為屬于slc區(qū)域601的第一實(shí)體抹 除單元，亦即，實(shí)體抹除單元610(0)～610(1)并未改變其原先的配置，仍是被配置為基于第一程序化模式來(lái)程序化的實(shí)體抹除單元。圖9所示的范例實(shí)施例是類似于圖8所示的范例實(shí)施例，不同之處在于，圖9的范例實(shí)施例是在主機(jī)系統(tǒng)11所寫入的第一數(shù)據(jù)所欲儲(chǔ)存的第一邏輯單元為使用頻繁的邏輯單元時(shí)，內(nèi)存管理電路502才會(huì)執(zhí)行判斷第一磨耗數(shù)值與第二磨耗數(shù)值是否大滿足所述相對(duì)關(guān)系的步驟。在此，判斷所述第一邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元的目的在于，確認(rèn)主機(jī)系統(tǒng)11所寫入的第一數(shù)據(jù)是否為需要頻繁存取的信息或特定的管理用的表格。也就是說(shuō)，圖9的范例實(shí)施例僅有在主機(jī)系統(tǒng)11所寫入的數(shù)據(jù)為需要頻繁存取的信息或特定的管理用的表格時(shí)，才會(huì)進(jìn)行比較兩區(qū)塊的磨損程度的操作以從slc區(qū)域601與mlc區(qū)域602中選擇的磨損程度較低的區(qū)域來(lái)寫入上述數(shù)據(jù)。請(qǐng)參照?qǐng)D9與圖10c，其中步驟s901與步驟s903是相同于圖8的步驟s801與步驟s803，在此不再重述。在內(nèi)存管理電路502接收欲被儲(chǔ)存至至少一第一邏輯單元的第一數(shù)據(jù)之后，內(nèi)存管理電路502會(huì)進(jìn)一步的在步驟s904中，判斷所述至少一第一邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元。具體而言，內(nèi)存管理電路502會(huì)記錄每一邏輯單元的使用次數(shù)值以判斷此使用次數(shù)值是否大于使用次數(shù)門檻值，例如，在內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10運(yùn)作期間記錄主機(jī)系統(tǒng)11于每一邏輯單元中下達(dá)寫入指令的次數(shù)作為使用次數(shù)值。類似地，使用次數(shù)值可被記錄于一使用計(jì)數(shù)表中，并且在內(nèi)存儲(chǔ)存裝置10運(yùn)作時(shí)，內(nèi)存管理電路502會(huì)將使用計(jì)數(shù)表加載至緩沖存儲(chǔ)器510以進(jìn)行讀取與更新。在此，使用次數(shù)門檻值是由內(nèi)存儲(chǔ)存裝置設(shè)計(jì)人員于出廠時(shí)即完成設(shè)定，也就是說(shuō)，使用次數(shù)門檻值是內(nèi)存儲(chǔ)存裝置設(shè)計(jì)上的選擇，不同的需求可做相對(duì)應(yīng)的調(diào)整及優(yōu)化。此外，本發(fā)明并不加以限制確定所寫入的數(shù)據(jù)是否為頻繁存取的特定數(shù)據(jù)的方法或者判斷所述至少一第一邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元的方法，例如，在另一范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502可根據(jù)所接收的數(shù)據(jù)的類型、大小或格式直接判斷其是否為需要頻繁存取的信息或特定的管理用的表格。在本發(fā)明又一范例實(shí)施例中，內(nèi)存管理電路502是藉由計(jì)數(shù)每一邏輯單元的連續(xù)使用次數(shù)，并判斷一邏輯單元的連續(xù)使用次數(shù)是否達(dá)到連續(xù)使用次數(shù)門檻值，由此來(lái)決定此邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元；或者內(nèi)存管理電路502是在一預(yù)定時(shí)間內(nèi)判斷一邏輯單元的使用次數(shù)是否達(dá)到一預(yù)定門檻值，來(lái)決定此邏輯單元是否為使用頻繁的邏輯單元。在上述至少一第一邏輯單元的使用次數(shù)值大于使用次數(shù)門檻值時(shí)，內(nèi)存管理電路502會(huì)判斷此至少一第一邏輯單元為使用頻繁的邏輯單元，并進(jìn)行步驟s905～s917的平衡slc區(qū)域601的抹損程度與mlc區(qū)域602的抹損程度的操作，以使得磨損特別嚴(yán)重的區(qū)域能夠趨緩，進(jìn)而讓slc區(qū)域601的實(shí)體抹除單元的磨損與mlc區(qū)域602的實(shí)體抹除單元的磨損達(dá)到平衡狀態(tài)。類似地，由于圖9的步驟s905～s917相同于圖8的步驟s805～s817，因此不再重述。特別是，在步驟s904中，倘若內(nèi)存管理電路502判斷至少一第一邏輯單元非為使用頻繁的邏輯單元時(shí)，內(nèi)存管理電路502會(huì)進(jìn)行一般的寫入操作，并使用容量較大的mlc區(qū)域602的實(shí)體抹除單元來(lái)記錄所接收的一般的檔案數(shù)據(jù)。例如，在步驟s919中，內(nèi)存管理電路502會(huì)從mlc區(qū)域602的第二實(shí)體抹除單元602之中選擇至少一實(shí)體抹除單元(亦稱為第五實(shí)體抹除單元)來(lái)寫入所接收的第一數(shù)據(jù)1000。如圖10c所示，主機(jī)系統(tǒng)11所發(fā)送的寫入指令指示將第一數(shù)據(jù)1000儲(chǔ)存至第一邏輯單元612(0)～612(1)，而內(nèi)存管理電路502選擇第二實(shí)體抹除單元602中的第五實(shí)體抹除單元610(a+1)來(lái)寫入所接收的第一數(shù)據(jù)1000。接著，在步驟s921中，內(nèi)存管理電路502會(huì)基于第二程序化模式程序化原先即初始地配置為基于第二程序化模式來(lái)程序化的第二實(shí)體抹除單元中的第五實(shí)體抹除單元610(a+1)，并且將第一邏輯單元612(0)～612(1)映像至第五實(shí)體抹除單元610(a+1)。值得注意的是，在本范例實(shí)施例中，由于在第二程序化模式的多階記憶胞(mlc)程序化模式中，下實(shí)體程序化單元1002與上實(shí)體程序化單元1004皆會(huì)被用來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，并且當(dāng)使用第二程序化模式來(lái)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，內(nèi)存管理電路502會(huì)對(duì)一個(gè)實(shí)體抹除單元的下實(shí)體程序化單元1002與上實(shí)體程序化單元1004執(zhí)行程序化操作，因此，內(nèi)存管理電路502是將第一數(shù)據(jù)1000依序?qū)懭氲谖鍖?shí)體抹除單元610(a+1)的下實(shí)體程序化單元1002與上實(shí)體程序化單元1004，并且將第一邏輯單元612(0)～612(1)映像至第五實(shí)體抹除單元610(a+1)的下實(shí)體程序化單元1002與上實(shí)體程序化單元1004。之后，在步驟s923中，倘若對(duì)應(yīng)第一邏輯單元612(0)～612(1)的第一數(shù)據(jù)被更新，且第五實(shí)體抹除單元610(a+1)被抹除后，內(nèi)存管理電路502會(huì)將第五實(shí)體抹除單元610(a+1)歸類為屬于mlc區(qū)域602的第二實(shí)體抹除單元，且不更動(dòng)實(shí)體抹除單元610(a+1)的配置，亦即，其仍為基于第二程序化模式來(lái)程序化的實(shí)體抹除單元。如此一來(lái)，藉由頻繁存取的特定數(shù)據(jù)來(lái)平衡slc區(qū)域601中的第一實(shí)體抹除單元與mlc區(qū)域602中的第二實(shí)體抹除單元的抹損程度，不僅達(dá)到更快的讀寫速度，更有效地使得第一實(shí)體抹除單元的磨損與第二實(shí)體抹除單元的磨損達(dá)到平衡狀態(tài)，進(jìn)而有效地改善因slc區(qū)域與mlc區(qū)域(或tlc區(qū)域)的磨損情況不同所導(dǎo)致的內(nèi)存儲(chǔ)存裝置的整體壽命的下降。圖11是根據(jù)本發(fā)明的范例實(shí)施例所顯示的內(nèi)存管理方法的流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D11，在步驟s1101中，內(nèi)存管理電路502會(huì)初始地配置第一實(shí)體抹除單元基于第一程序化模式來(lái)程序化，以及第二實(shí)體抹除單元基于第二程序化模式來(lái)程序化。在步驟s1103中，內(nèi)存管理電路502從主機(jī)系統(tǒng)11接收第一數(shù)據(jù)，且此第一數(shù)據(jù)欲被儲(chǔ)存至至少一第一邏輯單元。在步驟s1105中，內(nèi)存管理電路502會(huì)判斷第一實(shí)體抹除單元的第一磨耗數(shù)值是否與第二實(shí)體抹除單元的第二磨耗數(shù)值滿足一相對(duì)關(guān)系。倘若第一磨耗數(shù)值與第二磨耗數(shù)值不滿足所述相對(duì)關(guān)系時(shí)，在步驟s1107中，內(nèi)存管理電路502會(huì)從所述第二實(shí)體抹除單元之中選擇至少一第三實(shí)體抹除單元。接著，在步驟s1107中，內(nèi)存管理電路502會(huì)基于第一程序化模式程序化至少一第三實(shí)體抹除單元，并且將至少一第一邏輯單元映像至至少一第三實(shí)體抹除單元。然而，圖11中各步驟已詳細(xì)說(shuō)明如上，在此便不再贅述。值得注意的是，圖11中各步驟可以實(shí)作為多個(gè)程序代碼或是電路，本發(fā)明不加以限制。此外，圖11的方法可以搭配以上范例實(shí)施例使用，也可以單獨(dú)使用，本發(fā)明不加以限制。綜上所述，本發(fā)明范例實(shí)施例的內(nèi)存管理方法、內(nèi)存控制電路單元與內(nèi)存儲(chǔ)存裝置藉由判斷被配置為基于第一程序化模式來(lái)程序化的第一實(shí)體抹除單元與初始地配置為基于第二程序化模式來(lái)程序化的第二實(shí)體抹除單元的磨損程度，以動(dòng)態(tài)地從第一實(shí)體抹除單元中或者第二實(shí)體抹除單元中選擇磨損程度較低的實(shí)體抹除單元來(lái)更新或?qū)懭霐?shù)據(jù)，并且皆以第一程序化模式程序化來(lái)程序化從第一實(shí)體抹除單元中或者第二實(shí)體抹除單元中所選擇的實(shí)體抹除單元，由此使得第一實(shí)體抹除單元的磨損與第二實(shí)體抹除單元的磨損達(dá)到平衡狀態(tài)，且有效地改善因slc區(qū)域與mlc區(qū)域(或tlc區(qū)域)的磨損情況不同所導(dǎo)致的內(nèi)存儲(chǔ)存裝置的整體壽 命的下降。此外，藉由本范例實(shí)施例的利用頻繁存取的特定數(shù)據(jù)來(lái)平衡slc區(qū)域與mlc區(qū)域(或tlc區(qū)域)的抹損程度的方法，不僅提升內(nèi)存儲(chǔ)存裝置整體的讀寫速度，更在兼顧存放數(shù)據(jù)的mlc區(qū)域(或tlc區(qū)域)不被壓縮的情況下，確保存放特定信息與表格的slc區(qū)域也有足夠的空間可以運(yùn)用。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
：中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的改動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求界定范圍為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁(yè)12當(dāng)前第1頁(yè)12