1.一種可配置電容器陣列，包括：
第一多個(gè)電容器支路；
第二多個(gè)電容器支路；
多個(gè)開(kāi)關(guān)，所述多個(gè)開(kāi)關(guān)被耦合至所述第一多個(gè)電容器支路和所述第二多個(gè)電容器支路并且在所述第一多個(gè)電容器支路和所述第二多個(gè)電容器支路之間，
其中，所述第一多個(gè)電容器支路和所述第二多個(gè)電容器支路各自包括可單獨(dú)配置或組合配置以執(zhí)行多個(gè)預(yù)定義的模擬功能之一的至少一個(gè)電容器陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可配置電容器陣列，其中，所述第一多個(gè)電容器支路包括多個(gè)輸入端，所述多個(gè)輸入端選擇性地耦合至第一電容器陣列中的第一多個(gè)電容器的頂板，其中所述電容器陣列中的至少兩個(gè)電容器是二進(jìn)制加權(quán)的，并且其中所述電容器陣列中的至少兩個(gè)電容器是溫度計(jì)編碼的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可配置電容器陣列，其中，所述第一多個(gè)電容器支路包括多個(gè)輸入端，所述多個(gè)輸入端選擇性地耦合至第二電容器陣列中的第二多個(gè)電容器的頂板，并且其中所述第二電容器陣列中的所述第二多個(gè)電容器的底板選擇性地耦合至衰減電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可配置電容器陣列，其中，所述衰減電路包括：
第一衰減電容器；
與所述第一衰減電容器并聯(lián)的第二多個(gè)衰減電容器，所述第二多個(gè)衰減電容器選擇性地耦合至所述第二電容器陣列的所述多個(gè)電容器的底板；以及
旁通電路，所述旁通電路被配置成將所述第二電容器陣列的所述多個(gè)電容器的所述底板與所述第一衰減電容器的底板耦合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可配置電容器陣列，其中，所述第一多個(gè)電容器支路包括：
積分器；以及
第三電容器陣列中的第三多個(gè)電容器，其選擇性地耦合到所述積分器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可配置電容器陣列，其中，所述積分器包括：
第一運(yùn)算放大器，其在所述第一運(yùn)算放大器的第一輸入端處耦合至所述第三電容器陣列的頂板以及在所述第一運(yùn)算放大器的第二輸入端處耦合至第三多個(gè)輸入端；以及
第二運(yùn)算放大器，其在所述第二運(yùn)算放大器的第三輸入端處選擇性地耦合至在所述第三電容器陣列中的所述第三多個(gè)電容器的底板和所述第一運(yùn)算放大器的輸出端以及在所述第二運(yùn)算放大器的第四輸入端處選擇性地耦合至所述第三多個(gè)輸入端的至少一個(gè)子集。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可配置電容器陣列，其中，所述第一多個(gè)電容器支路包括選擇性耦合至第四電容器陣列中的第四多個(gè)電容器的頂板的多個(gè)輸入端，其中所述第四多個(gè)電容器的底板選擇性地耦合至在所述第二多個(gè)電容器支路中的電容器的至少一個(gè)底板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可配置電容器陣列，其中，預(yù)先確定的模擬功能選自由以下項(xiàng)構(gòu)成的組：
ΔΣ模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)；
數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)；
可編程增益放大器；
高-Q雙二階；
加法電路；
積分器；
混合電路；以及
采樣/保持(S/H)比較器。
9.一種方法，包括：
提供第一多個(gè)電容器支路；
提供第二多個(gè)電容器支路；
提供耦合至所述第一多個(gè)電容器支路和所述第二多個(gè)電容器支路并且在所述第一多個(gè)電容器支路和所述第二多個(gè)電容器支路之間的多個(gè)開(kāi)關(guān)，
其中，所述第一多個(gè)電容器支路和所述第二多個(gè)電容器支路各自包括可單獨(dú)配置或組合配置以執(zhí)行多個(gè)預(yù)定義的模擬功能之一的至少一個(gè)電容器陣列。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可配置電容器陣列，其中，所述第一多個(gè)電容器支路包括多個(gè)輸入端，所述多個(gè)輸入端選擇性地耦合至第一電容器陣列中的第一多個(gè)電容器的頂板，其中所述電容器陣列中的至少兩個(gè)電容器是二進(jìn)制加權(quán)的，并且其中所述電容器陣列中的至少兩個(gè)電容器是溫度計(jì)編碼的。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可配置模擬塊，其中，所述第一多個(gè)電容器支路包括多個(gè)輸入端，所述多個(gè)輸入端選擇性地耦合至第二電容器陣列中的第二多個(gè)電容器的頂板，并且其中所述第二電容器陣列中的所述第二多個(gè)電容器的底板選擇性地耦合至衰減電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的可配置模擬塊，其中，所述衰減電路包括：
第一衰減電容器；
與所述第一衰減電容器并聯(lián)的第二多個(gè)衰減電容器，所述第二多個(gè)衰減電容器選擇性地耦合至所述第二電容器陣列的多個(gè)電容器的底板；以及
旁通電路，所述旁通電路被配置成將所述第二電容器陣列的所述多個(gè)電容器的所述底板與所述第一衰減電容器的底板耦合。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可配置模擬塊，其中，所述第一多個(gè)電容器支路包括：
積分器；以及
第三電容器陣列中的第三多個(gè)電容器，其選擇性地耦合到所述積分器。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的可配置模擬塊，其中，所述積分器包括：
第一運(yùn)算放大器，其在所述第一運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端處耦合至所述第三電容器陣列的頂板以及在所述第一運(yùn)算放大器的正輸入端處耦合至第三多個(gè)輸入端；以及
第二運(yùn)算放大器，其在所述第二運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端處選擇性地耦合至在所述第三電容器陣列中的所述第三多個(gè)電容器的多個(gè)底板的底板和所述第一運(yùn)算放大器的輸出端以及在所述第二運(yùn)算放大器的正輸入端處選擇性地耦合至所述第三多個(gè)輸入端的至少一個(gè)子集。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可配置模擬塊，其中，所述第一多個(gè)電容器支路包括選擇性耦合至第四電容器陣列中的第四多個(gè)電容器的頂板的多個(gè)輸入端，其中所述第四多個(gè)電容器的底板選擇性地耦合至在所述第二多個(gè)電容器支路中的電容器的至少一個(gè)底板。
16.一種通用模擬塊，包括：
第一子部分；以及
第二子部分，其中：
所述第一子部分和所述第二子部分中的每一個(gè)包括：
第一可配置電容器支路，所述第一可配置電容器支路具有第一多個(gè)電容器，所述第一多個(gè)電容器在所述第一多個(gè)電容器的頂板處被耦合至第一多個(gè)輸入端；
第二可配置電容器支路，所述第二可配置電容器支路具有第二多個(gè)電容器，所述第二多個(gè)電容器在所述第二多個(gè)電容器的頂板處被耦合至第二多個(gè)輸入端，并且在所述第二多個(gè)電容器的底板處選擇性地耦合至衰減電容器網(wǎng)絡(luò)；
第三可配置電容器支路，所述第三可配置電容器支路具有第三多個(gè)電容器，所述第三多個(gè)電容器在所述第三多個(gè)電容器的頂板處被耦合至第一多個(gè)輸入端并且選擇性地耦合至另一個(gè)子部分的可配置電容器支路的至少一個(gè)頂板；以及
第四可配置電容器支路，所述第四可配置電容器支路具有選擇性地耦合至積分器的第四多個(gè)電容器。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的通用模擬塊，其中，所述第一多個(gè)輸入端和所述第二多個(gè)輸入端具有至少一個(gè)共用的信號(hào)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的通用模擬塊，其中，相應(yīng)的第一電容器支路、第二電容器支路和第三電容器支路可配置為接收用于所述第一子部分和所述第二子部分的差分輸入。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的通用模擬塊，其中，所述第一可配置電容器支路被配置成在一個(gè)配置中作為離散時(shí)間電路操作，并且在另一個(gè)配置中作為連續(xù)時(shí)間電路操作。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的通用模擬塊，其中，所述第一電容器支路、所述第二電容器支路和所述第三電容器支路中的每一個(gè)被選擇性地配置成在操作的第一模式中作為反饋電路操作，并且在操作的第二模式中作為前饋電路操作。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的通用模擬塊，其中，所述第一子部分和所述第二子部分被配置成在操作的第一模式中獨(dú)立地操作以執(zhí)行第一組模擬功能，并且在操作的第二模式中結(jié)合操作以執(zhí)行第二組模擬功能。