本專利申請是2015年6月26日提交的美國非臨時(shí)專利申請?zhí)枮?4/752,052的國際申請，該專利申請要求于2014年11月24日提交的美國臨時(shí)專利申請?zhí)枮?2/083,818的權(quán)益，其通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開大體上涉及具有可編程塊的集成電路(IC)設(shè)備，并且更具體地涉及具有可編程模擬電路塊的IC設(shè)備。

背景

集成電路(IC)設(shè)備可以包括固定功能電路和可重配置電路二者?？删幊踢壿嬙O(shè)備是眾所周知的并且可以使IC設(shè)備能夠被重配置到廣泛的數(shù)字功能。

提供可重配置模擬電路的IC設(shè)備在尋址模擬應(yīng)用中享有提高的普及性。在一些傳統(tǒng)方法中，用于可編程模擬電路的配置數(shù)據(jù)被加載到儲存電路(例如，寄存器)中以建立期望的模擬功能。這種布置的缺點(diǎn)可以是在不同功能之間重配置電路所涉及的時(shí)間/工作量。

通常，在實(shí)現(xiàn)可重配置模擬電路中所涉及的連接/路由可以提出對IC設(shè)備的性能的限制。例如，一些傳統(tǒng)IC設(shè)備可能不適于非常低的噪聲應(yīng)用。類似地，在路由路徑中的非常小的阻抗失配防止了差分輸入信號的高保真度處理。

正如大多數(shù)IC設(shè)備一樣，在功率消耗中的任何降低可以是十分有價(jià)值的，尤其是在IC設(shè)備被部署在便攜式電子設(shè)備中時(shí)。

概述

公開了可配置電容器陣列?？膳渲秒娙萜麝嚵锌砂梢詥为?dú)配置或組合配置的多個(gè)電容器支路，以執(zhí)行多個(gè)模擬功能?？膳渲藐嚵械碾娙萜髦分械拿恳粋€(gè)可被配置成執(zhí)行模擬功能的特定子集?？膳渲秒娙萜麝嚵羞€可包括放大器電路，其可被配置成與電容器支路組合以執(zhí)行模擬功能。

公開了通用模擬塊?？膳渲秒娙萜麝嚵锌砂ǘ鄠€(gè)半通用模擬塊(半-UAB)，其包括可被單獨(dú)配置或組合配置以執(zhí)行多個(gè)模擬功能的電容器支路。UAB的電容器支路中的每一個(gè)可被配置成執(zhí)行模擬功能的特定子集。UAB陣列還可包括放大器電路，其可配置成與半-UAB的電容器支路組合來執(zhí)行模擬功能。

附圖說明

圖1A示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的一對具有可配置電容器支路的通用模擬塊。

圖1B示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的CMOS開關(guān)。

圖1C示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的T型開關(guān)。

圖1D示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的泵浦N型開關(guān)。

圖2示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的“A”型電容器支路。

圖3示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的“B”型電容器支路和衰減電路。

圖4示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的“C”型電容器支路。

圖5示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的“F”型電容器支路和積分電路。

圖6示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的在簡化方框圖中的圖1-5的電容器支路。

圖7示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的來自可配置電容器陣列的積分器反饋的級聯(lián)(CIFG)ΔΣ(delta sigma)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的一個(gè)實(shí)施例。

圖8示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的來自可配置電容器陣列的數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的一個(gè)實(shí)施例。

圖9示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的來自可配置電容器陣列的可編程增益放大器的一個(gè)實(shí)施例。

圖10示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的來自可配置電容器陣列的高Q雙二階濾波器(HiQ BiQuad filter)的一個(gè)實(shí)施例。

圖11示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的來自可配置電容器陣列的加法電路的一個(gè)實(shí)施例。

圖12示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的來自可配置電容器陣列的積分器的一個(gè)實(shí)施例。

圖13示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的來自可配置電容器陣列的混合電路的一個(gè)實(shí)施例。

圖14示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的來自可配置電容器陣列的采樣/保持比較器的一個(gè)實(shí)施例。

圖15示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的包括可配置電容器陣列的可編程模擬子系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例。

具體描述

在以下描述中，出于解釋的目的，闡述了許多具體細(xì)節(jié)以便提供本文所討論的本發(fā)明的實(shí)施例的全面理解。但是，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，這些和其他實(shí)施例可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下進(jìn)行實(shí)踐。在其他實(shí)例中，眾所周知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)沒有被具體示出，而且以框圖示出，以避免對本說明書的理解的不必要的模糊。

在本說明書中對“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”的引用意為結(jié)合實(shí)施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。位于本說明書中的各個(gè)位置中的短語“在一個(gè)實(shí)施例中”并不必須指代相同的實(shí)施例。

為了說明的簡潔和清楚，參考數(shù)字在各個(gè)附圖中可以重復(fù)以指示對應(yīng)或類似的元件。闡述了許多細(xì)節(jié)以提供對本文中所描述的實(shí)施例的理解。示例可以在沒有這些細(xì)節(jié)的情況下被實(shí)踐。在其他實(shí)例中，眾所周知的方法、程序和組件沒有被具體描述以避免使所描述的示例模糊。本說明書不被視為限于本文所描述的示例的范圍。

圖1A示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有兩個(gè)等份101和102的通用模擬塊(UAB)100。每個(gè)半-UAB 101和102可包括多個(gè)電容器支路和放大器電路。半-UAB 101可包括具有電容器陣列CA0的第一電容器支路152，“A”。電容器陣列CA0的底板可被耦合到包括電壓輸入端VIN00-VIN03的多個(gè)輸入端。為了說明的清楚起見，用于全部電容器陣列的電容器被示為極化電容器。底板由極化電容器的負(fù)極板表示，而頂板由極化電容器的正極板表示。本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將理解，非極化電容器可以使用，并且非極化電容器的板可被稱為“第一板”和“第二板”。

耦合到CA0的負(fù)極板的電壓輸入端可以來自半-UAB 101外部的源或者甚至來自集成電路外部的源，半-UAB 101可以是該集成電路的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，電壓輸入端VIN00-VIN03可通過T型開關(guān)被耦合到電容器陣列CA0的底板。T型開關(guān)可以由串聯(lián)的兩個(gè)開關(guān)組成，其中間節(jié)點(diǎn)在T型開關(guān)斷開時(shí)被拉至接地。這樣的布置可在T型開關(guān)斷開時(shí)提供更好的絕緣。在另一個(gè)實(shí)施例中，電容器陣列CA0的底板可通過其他開關(guān)裝置(諸如單極開關(guān))被耦合到電壓輸入端VIN00-VIN03。

電容器陣列CA0的底板也可分別被耦合到UAB 101和半-UAB 102二者的輸出端VOUT0和VOUT1。這種耦合可以如上所述的通過T型開關(guān)或利用其他開關(guān)等效裝置。

電容器陣列CA0的底板可通過泵浦N型開關(guān)被耦合到系統(tǒng)接地VSSa，該泵浦N型開關(guān)的配置可在圖1D中看到。

電容器陣列CA0的底板還可被耦合到半-UAB 101和半-UAB 102的電容器支路162的電容器陣列CA1之間的用于微分積分的公共輸入端ComA。兩個(gè)半-UAB的輸入端可以對其各自的Agnd電壓輸入分開采樣。在積分階段期間，每個(gè)電容器陣列的底板可通過ComA被短路。換言之，當(dāng)耦合到ComA時(shí)，半-UAB 101的電容器陣列CA0和半-UAB 102的電容器陣列CA1可分別被偽微分地配置，共享模擬接地緩沖器。在這個(gè)配置中，共模噪聲可被移除。另外，頂板可被耦合到參考電壓Ref0和模擬接地電位Agnd0，其可以不同于整體系統(tǒng)接地。在一個(gè)實(shí)施例中，與ComA、Ref0和Agnd的連接可以通過CMOS開關(guān)，如圖1C中所示。

電容器陣列CA0的頂板可被耦合到多個(gè)參考電壓，包括Ref0、Agnd0、VSSa(其全部還均可以被耦合到電容器陣列CA0的底板)以及Ref1。Ref1可通過T型開關(guān)耦合。Ref0和Agnd0可經(jīng)由CMOS開關(guān)耦合。VSSa可通過泵浦N型開關(guān)耦合。

半-UAB 101可包括具有電容器陣列CB0的第二電容器支路153，“B”。電容器陣列CB0的底板可被耦合到電壓輸入端VIN00-VIN03，如電容器陣列CA0的底板一樣。電容器陣列CB0的底板還可以以與電容器陣列CA0類似的方式被耦合到半-UAB 101和半-UAB 102二者的輸出端VOUT0和VOUT1。

類似于CA0的連接，電容器陣列CB0的底板可通過泵浦N型開關(guān)耦合到系統(tǒng)接地VSSa。

電容器陣列CB0的底板也可被耦合到半-UAB 101和半-UAB 102的電容器支路163的電容器陣列CB1之間的公共輸入端ComB。當(dāng)耦合到ComB時(shí)，電容器陣列CB0和CB1可如以上的電容器陣列CA0和CA1被偽微分地配置。另外，底板可被耦合到參考電壓Ref0和模擬接地電位Agnd0，其可不同于總體系統(tǒng)接地。在一個(gè)實(shí)施例中，與ComA、Ref0和Agnd0的連接可通過CMOS開關(guān)。

電容器陣列CB0的頂板可被耦合到多個(gè)參考電壓，包括Ref0、Agnd0、VSSa(其全部也均可被耦合到電容器陣列CB0的底板)。Ref0和Agnd0可經(jīng)由CMOS開關(guān)耦合。VSSa可通過泵浦N型開關(guān)耦合。

電容器陣列CB0的頂板還可被耦合到衰減電容器Catt0和Ctc0，其利用圖4被更詳細(xì)地討論。

半-UAB 101可包括具有電容器陣列CC0的第三電容器支路154，“C”。電容器陣列CC0的底板可被耦合到電壓輸入端VIN00-VIN03，如電容器陣列CA0和CB0一樣。電容器陣列CC0的底板還可以以與電容器陣列CA0和CB0類似的方式被耦合到半-UAB 101和半-UAB 102的電容器支路164的電容器陣列CB1二者的輸出端。

類似于與電容器陣列CA0和CB0的連接，電容器陣列CC0的底板可通過泵浦N型開關(guān)被耦合到系統(tǒng)接地VSSa。電容器陣列CC0的底板還可被耦合到在半-UAB 101的電容器支路154的電容器陣列CC0的底板和半-UAB 102的電容器支路164的電容器陣列CC1的底板之間共享的公共輸入端ComC。當(dāng)耦合到ComC時(shí)，如以上的電容器陣列CA0和CA1，電容器陣列CC0和CC1可被偽微分地配置。另外，底板可被耦合到參考電壓Ref0和模擬接地電位Agnd0，其可以不同于總體系統(tǒng)接地。在一個(gè)實(shí)施例中，可通過CMOS開關(guān)連接至ComA、Ref0和Agnd0。

電容器陣列CC0的頂板可被耦合到多個(gè)參考電壓，包括Ref0、Agnd0、VSSa(其全部還均可以被耦合到電容器陣列CB0的底板)。Ref0和Agnd0可經(jīng)由CMOS開關(guān)耦合。VSSa可通過泵浦N型開關(guān)耦合。

電容器陣列CC0的頂板還可被耦合到半-UAB102的(電容器支路162的)電容器陣列CA1的、(電容器支路163的)電容器陣列CB1的以及(電容器支路164的)電容器陣列CC1的頂板，其可允許與半-UAB 102的積分器的運(yùn)算放大器的輸入端的連接。

半-UAB 101可包括具有電容器陣列CF0的第四電容器支路155，“F”。電容器陣列CF0的頂板可被耦合到(電容器支路152的)電容器陣列CA0、(電容器支路153的)電容器陣列CB0以及(電容器支路154的)電容器陣列CC0的頂板。電容器陣列CF0的底板可通過CMOS開關(guān)被耦合到Agnd0。

電容器支路152、153、154和155中的全部電容器支路的頂板可被耦合到電壓輸出端VOUT0。

電容器陣列CA0、CB0、CC0和CF0的頂板可被耦合到放大器112的輸入端。放大器112可包括運(yùn)算放大器(opamp)120和比較器121。Opamp120的負(fù)輸入端可被耦合到電容器陣列CA0、CB0、CC0和CF0的頂板。Opamp 120的正輸入端可通過T型開關(guān)被耦合到電壓輸入端VIN00-VIN03并通過CMOS開關(guān)被耦合到Ref0和Agnd0。Opamp 120的輸出端可被耦合到比較器121的負(fù)輸入端。比較器121的正輸入端可通過T型開關(guān)被耦合到半-UAB1的輸出端VOUT1或通過CMOS開關(guān)被耦合到Ref0和Agnd0。比較器121可具有輸出端COMPOUT0。

半-UAB 102可包括具有電容器陣列CA1的第一電容器支路162，“A”。電容器陣列CA1的底板可被耦合到包括電壓輸入端VIN00-VIN03的多個(gè)輸入端，如來自半-UAB 101的電容器支路152的CA0一樣。在一個(gè)實(shí)施例中，電壓輸入端VIN00-VIN03可通過T型開關(guān)被耦合到電容器陣列CA1的頂板。

電容器陣列CA1的頂板還可分別被耦合到半-UAB 101的輸出端VOUT0和半-UAB 102的輸出端VOUT1。這種耦合可如上所述的通過T型開關(guān)或通過其他開關(guān)等效裝置。

如以上關(guān)于電容器支路152的電容器陣列CA0所述，電容器陣列CA1的底板可通過泵浦N型開關(guān)耦合到系統(tǒng)接地VSSa。

電容器陣列CA1的底板還可耦合到公共輸入端ComA，其同樣可耦合至電容器支路152的電容器陣列CA0的底板。當(dāng)耦合到ComA時(shí)，電容器陣列CA0和CA1可被偽微分地配置，共享模擬接地緩沖器。在這個(gè)配置中，電容器陣列CA0和CA1的電容器的底板可被一起短路，移除任何共模噪聲。另外，電容器陣列CA1的頂板可被耦合到參考電壓Ref1和模擬接地電位Agnd1，其可不同于總體系統(tǒng)接地Agnd0。在一個(gè)實(shí)施例中，類似于CA0與ComA、Ref0和Agnd0的連接，可通過CMOS開關(guān)連接至ComA、Ref1和Agnd1。

電容器陣列CA1的頂板可被耦合到多個(gè)參考電壓，包括Ref1、Agnd1、VSSa(其全部也均可耦合到電容器陣列CA1的底板)以及Ref0。Ref0可通過T型開關(guān)耦合。Ref1和Agnd1可經(jīng)由CMOS開關(guān)耦合。VSSa可通過泵浦N型開關(guān)耦合。

半-UAB 102可包括具有電容器陣列CB1的第二電容器支路163，“B”。電容器陣列CB1的底板可被耦合到電壓輸入端VIN00-VIN03，如電容器支路162的電容器陣列CA1的底板一樣。電容器陣列CB1的底板也可被分別耦合到半-UAB 101的輸出端VOUT0和半-UAB 102的輸出端VOUT1。

類似于CA1的連接，電容器陣列CB1的底板可通過泵浦N型開關(guān)被耦合到系統(tǒng)接地VSSa。

電容器陣列CB1的底板還可被耦合到公共輸入端ComB，其還可被耦合到半-UAB 101的電容器支路153的電容器陣列CB0的底板。當(dāng)耦合到ComB時(shí)，電容器陣列CB0和CB1可如以上的CA0和CA1一樣被偽微分地配置。另外，底板可被耦合到Ref1和Agnd0。在一個(gè)實(shí)施例中，類似于關(guān)于電容器陣列CB0所述的，可通過CMOS開關(guān)連接至ComA、Ref0以及Agnd0。

電容器陣列CB1的頂板可被耦合到多個(gè)參考電壓，包括Ref1、Agnd1、VSSa(其全部也均可被耦合到電容器陣列CB1的底板)。Ref1和Agnd 1可經(jīng)由CMOS開關(guān)耦合。VSSa可通過泵浦N型開關(guān)耦合。

電容器陣列CB1的頂板還可被耦合到衰減電容器Catt1和Ctc1，其利用圖4進(jìn)行更詳細(xì)地討論。

UAB 102可包括具有電容器陣列CC1的第三電容器支路164，“C”。電容器陣列CC1的底板可被耦合到電壓輸入端VIN00-VIN03，如可以與CA1和CB1的底板一樣。電容器陣列CC1的底板也可被分別耦合到半-UAB 101的輸出端VOUT0和半-UAB 102的輸出端VOUT1。

類似于CA1和CB1與系統(tǒng)接地VSSa的連接，電容器陣列CC1的底板可通過泵浦N型開關(guān)被耦合到系統(tǒng)接地VSSa。

電容器陣列CC1的底板還可被耦合到公共輸入端ComC，其還可被耦合到半-UAB 101的電容器支路154的電容器陣列CC0的底板。當(dāng)耦合到ComC時(shí)，電容器陣列CC0和CC1可如以上的CA0和CA1一樣被偽微分地配置。另外，頂板可被耦合到參考電壓Ref0和模擬接地電位Agnd0，其可以不同于總體系統(tǒng)接地。在一個(gè)實(shí)施例中，如以上關(guān)于電容器陣列CC0所述，可通過CMOS開關(guān)連接至ComC，Ref0和Agnd0。

電容器陣列CC1的頂板可被耦合到多個(gè)參考電壓，包括Ref1、Agnd1、VSSa(其全部也均可被耦合到電容器陣列CB0的底板)。Ref1和Agnd1可經(jīng)由CMOS開關(guān)耦合。VSSa可通過泵浦N型開關(guān)耦合。

電容器陣列CC1的頂板還可被耦合到半-UAB 101的(電容器支路152的)電容器陣列CA0、(電容器支路153的)電容器陣列CB0以及(電容器支路154的)電容器陣列CC0的底板，其還可允許與半-UAB 101的放大器112的運(yùn)算放大器120的負(fù)輸入端的連接。

半-UAB 102可包括具有電容器陣列CF1的第四電容器支路165，“F”。電容器陣列CF0的頂板可被耦合到電容器陣列CA1、CB1和CC1的頂板。電容器陣列CF1的底板可通過CMOS開關(guān)被耦合到Agnd1。

電容器支路162、163、164和165的輸出端可通過電容器陣列CA1、CB1、CC1和CF1的底板被耦合到電壓輸出端VOUT1。

電容器陣列CA1、CB1、CC1和CF1的頂板可被耦合到放大器113的負(fù)輸入端。放大器113可包括opamp 130和比較器131。Opamp 130的負(fù)輸入端可選擇性地耦合到電容器陣列CA1、CB1、CC1和CF1的頂板。Opamp 130的正輸入端可通過T型開關(guān)耦合到電壓輸入端VIN10-VIN13并且通過CMOS開關(guān)耦合到Ref0和Agnd0。Opamp 130的輸出端可被耦合到比較器131的負(fù)輸入端。比較器131的正輸入端可通過T型開關(guān)被耦合到半-UAB 102的輸出端VOUT1并且通過CMOS開關(guān)被耦合到Ref0和Agnd0。比較器131可具有輸出端COMPOUT1。

圖1示出了耦合到總和節(jié)點(diǎn)(對于每個(gè)半-UAB的全部的電容器支路共用的節(jié)點(diǎn))的電容器陣列的頂板。雖然沒有具體標(biāo)示，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，對于全部的支路共用的節(jié)點(diǎn)是這個(gè)總和節(jié)點(diǎn)。這個(gè)總和節(jié)點(diǎn)還可耦合到每個(gè)半-UAB的放大器電路的輸入端。每個(gè)半-UAB的“C”支路的頂板還耦合到另一半-UAB的放大器的輸入端。這種耦合可以是對于另一半-UAB的總和節(jié)點(diǎn)。寄生電容在底板上可以較高。由于寄生電容可降低性能，因此優(yōu)選的是降低總和節(jié)點(diǎn)上的寄生電容。

兩個(gè)半-UAB的電容器支路可被配置作為反饋路徑或前饋路徑。在一個(gè)實(shí)施例中，兩個(gè)半-UAB(第一和第二)可分別被配置作為第一級和第二級。在反饋實(shí)施方式中，第一半-UAB的電容器支路(A、B、C或F)可以被耦合到相同的半-UAB的輸入端。通過示例的方式，半-UAB 101的輸出端VOUT0可被耦合回到半-UAB 101的輸入端。在這種配置中，建立了反饋電路。在不同的實(shí)施例中，第二級半-UAB可具有被耦合到第一半-UAB的輸入端的輸出端以形成反饋路徑。通過示例的方式，半-UAB 102的輸出端VOUT1可被耦合回到半-UAB 101的輸入端。

在前饋實(shí)施方式中，第一級半-UAB的電容器支路(A、B、C或F)可被耦合到第二級半U(xiǎn)AB的輸入端。這種配置可通過將半-UAB 101的輸出端VOUT0耦合至半-UAB 102的輸入端來實(shí)現(xiàn)。

在以上所述的反饋和前饋路徑的各種實(shí)施例中，不同的電容器支路可被耦合到它們相應(yīng)的半-UAB的輸出端以如圖7-14所示的實(shí)現(xiàn)各種模擬功能。

圖1B示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的CMOS開關(guān)170的一個(gè)實(shí)施例。CMOS開關(guān)170可包括其源極和漏極耦合在一起的PFET 172和NFET 174。如在圖1-6中使用的CMOS開關(guān)170的符號被示為開關(guān)179。

圖1C示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的T型開關(guān)180的一個(gè)實(shí)施例。T型開關(guān)180可具有串聯(lián)的第一CMOS開關(guān)182和第二CMOS開關(guān)184。當(dāng)T型開關(guān)180斷開時(shí)，晶體管182和晶體管184之間的中間節(jié)點(diǎn)183可通過NFET 186被拉至接地。當(dāng)T型開關(guān)180斷開時(shí)，由于節(jié)點(diǎn)183被拉至接地，因此NFET 186可提供更好的絕緣。如在圖1-6中使用的T型開關(guān)180的符號被示為開關(guān)189。

圖1D示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的泵浦N型開關(guān)190的一個(gè)實(shí)施例。泵浦N型開關(guān)190可包括串聯(lián)的第一NFET 192、第二NFET 194和第三NFET196。NFET 192和NFET 196可使其源極和漏極短路。如在圖1-6中使用的泵浦N型開關(guān)190的符號被示為開關(guān)199。

圖2示出了“A”電容器支路200(圖1的電容器支路152和162)的一個(gè)實(shí)施例。電容器支路200可包括電容器陣列210，其中電容器的底板被耦合到多個(gè)電壓輸入端205。在一個(gè)實(shí)施例中，可施加于電壓輸入端的信號可包括關(guān)于圖1的電容器支路152和162所描述的那些信號，盡管僅示出來自電容器支路152的特定電壓信號。電容器陣列210的電容器可具有對每個(gè)底板至電壓輸入端205的單獨(dú)開關(guān)控制。電容器213和216可分別通過第一開關(guān)211和214耦合至電壓輸入端205，并且分別通過第二開關(guān)212和215耦合至模擬接地。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器213和216與電壓輸入端的連接可以被二進(jìn)制編碼。電容器陣列210還可包括電容器219.1-219.N，其可通過第一開關(guān)217.1-217.N耦合至電壓輸入端205并且通過第二開關(guān)218.1-218.N耦合至模擬接地。電容器213、216和219.1-219.N的頂板可被耦合到總和節(jié)點(diǎn)(圖1的141或142)。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器219.1-219.N可進(jìn)行溫度計(jì)編碼，其可提高電容器支路的微分非線性。在一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)211、214和217.1-217.N可以是T型開關(guān)，而開關(guān)212、215和218.1-218.N可以是CMOS開關(guān)。

電容器陣列210可以是能夠進(jìn)行6位微調(diào)的，具有50飛法的單位單元，從而產(chǎn)生從50飛法到3.2皮法的電容范圍。

圖3示出了“B”電容器支路300(圖1的電容器支路153和163)的一個(gè)實(shí)施例。電容器支路300可包括電容器陣列310，其中電容器的底板被耦合到多個(gè)電壓輸入端305。在一個(gè)實(shí)施例中，可施加到電壓輸入端的信號可包括關(guān)于圖1的電容器支路153和163所描述的那些信號，盡管僅示出來自電容器支路153的特定電壓信號。電容器支路300可包括具有通過底板開關(guān)311.1-311.N耦合到電壓輸入端的電容器313.1-313.N的電容器陣列310。電容器陣列310的電容器313.1-313.N可具有對每個(gè)底板的單獨(dú)開關(guān)控制。電容器313.1-313.N中的每一個(gè)的底板還可通過開關(guān)312.1-312.N耦合到模擬接地。在一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)311.1-311.N可以是T型開關(guān)。在另一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)312.1-312.N可以是CMOS開關(guān)。電容器陣列310可以是6位二進(jìn)制編碼的電容器陣列。電容器313.1-313.N的頂板也可以耦合到模擬接地、參考電壓Ref0或系統(tǒng)接地，以及耦合到總和節(jié)點(diǎn)(圖1的141或142)。電容器陣列310的電容器313.1-313.N的頂板還可以耦合到衰減電容器陣列340。衰減電容器陣列340可包括主衰減電容器330以及通過開關(guān)331和333分別耦合到電容器陣列310的可編程衰減電容器332和334。在一個(gè)實(shí)施例中，衰減電容器330可具有帶有2位微調(diào)的50飛法的值。雖然示出了兩個(gè)可編程衰減電容器，但是本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將理解，可以使用少至一個(gè)的電容器?？蛇x地，還可以使用多于兩個(gè)的多個(gè)可編程衰減電容器。在又一個(gè)實(shí)施例中，衰減電容器340可被開關(guān)335繞過，從而建立類似于圖1的“C”電容器支路且在圖4中具體描述的電容器支路。

圖4示出如在圖1中的電容器支路154和164所示的“C”電容器支路400的一個(gè)實(shí)施例。電容器支路400可包括電容器陣列410，其中電容器的底板耦合至多個(gè)電壓輸入端405。在一個(gè)實(shí)施例中，可施加于電壓輸入端的信號可包括關(guān)于圖1的電容器支路154和164所描述的那些信號，盡管僅示出了來自電容器支路154的特定電壓信號。電容器支路400可包括電容器陣列410，其可包括具有其底板通過底板開關(guān)411.1-411.N耦合至電壓輸入端405且通過開關(guān)412.1-412.N耦合到模擬接地的電容器413.1-413.N。電容器陣列410的電容器413.1-413.N可具有對每個(gè)底板的單獨(dú)開關(guān)控制。在一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)411.1-411.N可以是T型開關(guān)。在另一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)412.1-412.N可以是CMOS開關(guān)。在電容器陣列410中的電容器可具有頂板，該頂板可被耦合到總和節(jié)點(diǎn)(圖1的141和142)。電容器陣列410可以是6位二進(jìn)制編碼的電容器陣列。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器陣列410的每個(gè)電容器411.1-411.N可具有6位二進(jìn)制加權(quán)可編程性。正如電容器支路200和300一樣，電容器支路400可被用作反饋或前饋路徑以用于(圖1的)半-UAB或其他路徑。

圖5示出了來自圖1的“F”電容器支路500的一個(gè)實(shí)施例。電容器支路500可包括電容器陣列510，其中電容器的底板耦合到多個(gè)電壓輸入端505。在一個(gè)實(shí)施例中，可施加于電壓輸入端的信號可包括關(guān)于圖1的電容器支路155和165所描述的那些信號，盡管僅示出來自電容器支路155的特定電壓信號。F電容器支路500可包括具有電容器511.1-511.N的電容器陣列510，該電容器的頂板可被耦合至放大器電路540的輸入端，并且該電容器的底板可通過開關(guān)512.1-512.N被耦合至輸出端VOUT或模擬接地。

在一個(gè)實(shí)施例中，放大器540可包括opamp 542和比較器544。opamp的負(fù)輸入端可被耦合到電容器511.1-511.N的頂板時(shí)，而opamp 542的正輸入端可被耦合到電壓輸入端505的各個(gè)輸入端。Opamp 542的輸出端可被耦合到比較器544的負(fù)輸入端，并且正輸入端可被耦合到電壓輸入端505的其他不同輸入端。雖然圖5示出了opamp 542和比較器544的輸入端是互相排斥的，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，相同的信號根據(jù)設(shè)計(jì)需求可被耦合到opamp 542和opamp 544二者。圖5并不打算將放大器電路540的輸入端限制為本文所述的輸入端。類似地，雖然電壓輸入端505被示為耦合至opamp 542和544的正輸入端，以及電容器511.1-511.N的頂板被耦合至opamp 542的負(fù)輸入端，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，這些連接可以是開關(guān)。也就是說，電壓輸入端可以被耦合至opamp 542和比較器544的正輸入端。

雖然放大器540被示為電容器支路500的一部分，但是放大器540的負(fù)輸入端可被耦合至任意電容器支路200、300、400或500的頂板。在圖1中示出了這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

在一個(gè)實(shí)施例中，放大器540可以是能夠自動調(diào)零的，并且放大器540的輸出端可以制成在預(yù)先確定的時(shí)鐘相中可用。放大器540的增益可通過(來自如圖1中所示的A、B和C電容器支路的)輸入電容與電容器陣列510的電容的比值來確定。在一個(gè)實(shí)施例中，opamp輸入對是基于NMOS的，其可抵消由于關(guān)聯(lián)的雙采樣(自動調(diào)零)而引起的熱噪聲中的增加。

圖6示出了在UAB 600的簡化原理圖中的圖1-5的各個(gè)電容器支路。UAB 600可包括兩個(gè)等份或部分601和602。每個(gè)半-UAB或部分601和602可具有類似的元件。電容器支路A0、B0、C0和C1的頂板可通過總和節(jié)點(diǎn)641耦合至電容器支路F0的頂板和放大器Amp0。電容器支路A1、B1、C0和C1的頂板可通過總和節(jié)點(diǎn)642耦合至電容器支路F1的頂板和放大器Amp1。另外，電容器支路B0和B1的頂板可分別耦合至衰減器Att0和Att1。衰減器Att0和Att1可分別被耦合至電容器支路F0和F1的頂板和/或放大器Amp0和Amp1?？梢酝ㄟ^總和節(jié)點(diǎn)641和642將衰減器Att0和Att1連接至放大器Amp0和Amp1。半-UAB 601和602的全部支路的底板可被輸出至相應(yīng)的輸出信號VOUT0和VOUT1。

在各個(gè)實(shí)施例中，電容器支路200、300、400和500可以是離散時(shí)間或連續(xù)時(shí)間。它們還可以建立前饋路徑或反饋路徑。作為反饋路徑，在可以作為第一級或第二級的半-UAB的一部分的電容器支路200、300、400和500中的電容器的頂板和底板可以被耦合至第一級的半-UAB的輸入端。作為前饋路徑，如關(guān)于使用圖1的UAB 100的反饋和前饋路徑所述，在第一級的半-UAB的電容器支路200、300、400和500中的電容器的頂板可以被耦合至第二級的半-UAB的輸入電壓。

圖7-14示出了在圖1-6中示出的各個(gè)電容器支路的各種組合以實(shí)現(xiàn)各種功能。對特定電容器陣列的引用可以是用于圖1中所示的和在圖2-5中更具體示出的陣列。

圖7示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的使用可配置電容器支路的二階CIFBΔΣ調(diào)制器。電容器支路CA0的電容器陣列的頂板可被耦合至電壓輸入端VIN01-VIN03或Agnd0中的一個(gè)。電容器支路CB0的電容器陣列的頂板可以可選地耦合到Ref0或VSSa以及耦合到Agnd0。CA0和CB0的底板可以耦合到電容器支路CF0的電容器陣列的頂板且耦合到放大器112的opamp 120的負(fù)輸入端。電容器支路可與opamp 120形成反饋電路且opamp120的正輸入端可耦合至Agnd0。電容器支路CA1的電容器陣列可被耦合至opamp 120的輸出端且耦合至放大器113的opamp 130的負(fù)輸入端。電容器支路CB1的電容器陣列的底板也可被連接至放大器113的opamp 130的負(fù)輸入端以及Agnd1。電容器支路CB1的電容器陣列的頂板可被可選地耦合至Vref1和VSSa以及耦合至Agnd0。最終，電容器支路CF1的電容器陣列可被耦合在放大器113的opamp 130的輸出端和負(fù)輸入端之間。

在圖7中示出了用于以上配置的全部開關(guān)的開關(guān)相。

圖8示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的單端數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)800的一個(gè)實(shí)施例。圖8的單端DAC 800需要使用僅一個(gè)半-UAB，但也可以使用半-UAB101、半-UAB 102或來自二者的資源的組合來實(shí)現(xiàn)。電容器支路CA0和CB0的電容器陣列的頂板可被耦合至Vref0或Agnd。電容器支路CB0的電容器陣列的底板可被耦合至衰減電容器Cattn0，該衰減電容器Cattn0連同電容器支路CA0的電容器陣列的底板可被耦合至電容器支路CF0的電容器陣列的頂板以及opamp 120的負(fù)輸入端。電容器支路CF0可被耦合在opamp 120的負(fù)輸入端和輸出端之間。Opamp 120的輸出端可提供單端DAC 800的輸出電壓VOUT0。

因此，單端DAC 800的傳遞函數(shù)是：

其中，CA0、CB0和CF0分別是電容器支路的單位電容(unit cap)值，以及Catt0是衰減電容器的值。Bn是用于電容器支路CB0的電容器陣列中的電容器的最大位數(shù)。

在圖8中示出了用于單端DAC 800的以上配置的全部開關(guān)的開關(guān)相。

圖9示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可編程增益放大器(PGA)900的一個(gè)實(shí)施例。PGA900可要求使用僅一個(gè)半-UAB，但是也可以使用半-UAB 101、半-UAB 102或來自二者的資源的組合來實(shí)現(xiàn)。電容器支路CA0的電容器陣列的頂板可被耦合至Vref0或Agnd0。電容器支路CA0的電容器陣列的底板可被耦合至電容器支路CF0的電容器陣列的頂板并且耦合至opamp120的負(fù)輸入端。電容器支路CF0可被耦合在opamp 120的負(fù)輸入端和輸出端之間。Opamp 120的輸出端可提供PGA900的輸出電壓VOUT0。

因此，PGA 900的傳遞函數(shù)是：

其中，CA0和CF0分別是電容器支路的單位電容值。

在圖9中示出了用于PGA 900的以上配置的全部開關(guān)的開關(guān)相。

圖10示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的高Q雙二階濾波器1000的一個(gè)實(shí)施例。高Q雙二階濾波器1000可具有選擇性耦合至電容器支路CA0、CA1和CC1的底板的輸入電壓。電容器支路CA0、CA1、CB0、CC0、CC1和CF0的頂板可被耦合至opamp 120的總和節(jié)點(diǎn)155。在一個(gè)實(shí)施例中，CA0可被配置以依照離散時(shí)間操作，同時(shí)CC1可被配置為依照連續(xù)時(shí)間運(yùn)行。輸入電壓還可通過總和節(jié)點(diǎn)156前饋至opamp 130的輸入端。Opamp 130的輸入端還可被耦合至電容器支路CB1和CF1的頂板。Opamp 120的輸出端可通過電容器支路CC1驅(qū)動opamp 130的輸入端。Opamp 130的輸出端可通過電容器支路CC0反饋至opamp 120的輸入端。

在圖10中示出了用于高Q雙二階濾波器1000的以上配置的全部開關(guān)的開關(guān)相。

圖11示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的加法電路1100的一個(gè)實(shí)施例。加法電路1100可要求使用僅一個(gè)半-UAB，但是也可以使用半-UAB 101、半-UAB102或來自二者的資源的組合來實(shí)現(xiàn)。電容器支路CA0、CB0和CC0的電容器陣列的頂板可被分別耦合至VIN00或VIN01、VIN02和VIN03。電容器支路CB0和CC0的電容器陣列的頂板還可耦合至Agnd0。電容器支路CA0、CB0和CC0的電容器陣列的底板可被耦合至電容器支路CF0的電容器陣列的頂板以及耦合至Int1的opamp 120的負(fù)輸入端。電容器支路CF0的電容器陣列的底板可被耦合至opamp 120的輸出端并且耦合至Agnd0。Opamp 120的輸出端可以是加法電路1100的輸出電壓VOUT0。

在圖11中示出了用于加法電路1100的以上配置的全部開關(guān)的開關(guān)相。

圖12示出了使用本申請的電容器支路的積分器1200的一個(gè)實(shí)施例。積分器1200可要求使用僅一個(gè)半-UAB，但是也可以使用半-UAB 101、半-UAB 102或來自二者的資源的組合來實(shí)現(xiàn)。電容器支路CA0的電容器陣列的頂板可被耦合至Vref0或Agnd0。電容器支路CA0的電容器陣列的底板可被耦合至電容器支路CF0的電容器陣列的頂板并且耦合至opamp 120的負(fù)輸入端。電容器支路CF0可被耦合在opamp 120的負(fù)輸入端和輸出端之間。Opamp 120的輸出端可提供積分器1200的輸出電壓VOUT0。與圖9的PGA 900相反，采樣電壓被添加至電容器支路CF0的電容器，從而在其上積累電荷和電壓。

在圖12中示出了用于積分器1200的以上配置的全部開關(guān)的開關(guān)相。

圖13示出了使用本申請的電容器支路的混合電路1300的一個(gè)實(shí)施例?；旌想娐?300可要求使用僅一個(gè)半-UAB，但是也可以使用半-UAB101、半-UAB 102或來自二者的資源的組合來實(shí)現(xiàn)。電容器支路CA0的電容器陣列的頂板可耦合混合電路1300的第一輸入電壓VIN0和輸出電壓VOUT0。電容器支路CB0的電容器陣列的頂板可耦合混合電路1300的第二輸入電壓VIN1和輸出電壓VOUT0。電容器支路CA0和CB0的兩個(gè)電容器陣列的底板可被耦合至opamp 120的輸入端并且耦合至Agnd0。CA0和CB0可以以交替相位耦合至opamp 120的輸入端。Opamp 120的輸出端可以是混合電路1300的輸出電壓并且可以耦合至電容器支路CA0和CB0二者的輸入端。

在圖13中示出了用于混合電路1300的以上配置的全部開關(guān)的開關(guān)相。

圖14示出了使用本申請的電容器支路的采樣/保持比較器(S/H)1400的一個(gè)實(shí)施例。S/H 1400可要求使用僅一個(gè)半-UAB，但是也可以使用半-UAB 101、半-UAB 102或來自二者的資源的組合來實(shí)現(xiàn)。電容器支路CA0的電容器陣列的頂板可被耦合至輸入電壓VIN0或Agnd0。電容器支路CA0的電容器陣列的底板可被耦合至用于電容器支路CB0的電容器陣列的頂板且耦合至opamp 120的負(fù)輸入端。電容器支路CB0可以耦合在opamp 120的負(fù)輸入端和輸出端之間。Opamp 120的輸出端可提供S/H 1400的輸出電壓VOUT0。

在圖14中示出了用于S/H 1400的以上配置的全部開關(guān)的開關(guān)相。

本發(fā)明的可配置電容器陣列的不同的等份可被包括在可編程模擬子系統(tǒng)(PASS)中，如在圖15中所示。PASS 1500可包括一對UAB 1501和1502，其可類似于圖1的UAB 100。UAB 1501和1502可被耦合至軟IP塊1510。軟IP塊可包含寄存器、波形和狀態(tài)機(jī)，其可用于配置且操作包括UAB 1501和1502的PASS 1500的各個(gè)部分。在一個(gè)實(shí)施例中，軟IP塊1510還可包括抽取器，其可用于對圖7的ΔΣADC 700的輸出進(jìn)行濾波。同樣耦合至軟IP塊的可以是可編程參考塊(PRB)1520，其可用于向本申請的各個(gè)電容器支路的輸入端提供不同參考電壓。UAB0和UAB1可通過模擬路由塊1530耦合至PASS的其余部分。模擬路由塊1530可用于將PASS 1500的各個(gè)電路元件耦合在一起。多路復(fù)用器(MUX)1540可通過端口P0耦合PASS 1500外部的信號。來自MUX 1540的信號可通過模擬路由塊1530來引導(dǎo)。同樣耦合到模擬路由塊的可以是SAR數(shù)模轉(zhuǎn)換器(SAR DAC)1550以及兩個(gè)連續(xù)時(shí)間塊CTB0 1560和CTB1 1561。CTB0 1560和CTB1 1561可分別通過端口P1和P2耦合至PASS外部的信號。

在以上的描述中，闡述了許多細(xì)節(jié)。然而，對于獲得本公開的益處的本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將明顯的是，本發(fā)明的實(shí)施例可在沒有這些特定細(xì)節(jié)的情況下進(jìn)行實(shí)踐。在一些實(shí)例中，眾所周知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備以框圖形式而不是詳細(xì)地示出，以免使本說明書模糊。

詳細(xì)描述的一些部分依據(jù)對計(jì)算機(jī)存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)位的操作的算法和符號表示來呈現(xiàn)。這些算法描述和表示是數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域的技術(shù)人員所使用的手段，以最有效地向本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員傳達(dá)他們工作的實(shí)質(zhì)。算法在此處并且通常被設(shè)想為產(chǎn)生期望結(jié)果的前后一致的步驟序列。這些步驟是需要對物理量進(jìn)行物理操作的那些步驟。通常，雖然不是必須的，但是這些量采用能夠被存儲、傳遞、組合、比較和以其他方式操縱的電或磁信號的形式。主要出于習(xí)慣用法的原因，將這些信號稱為位、數(shù)值、元素、符號、字符、術(shù)語、數(shù)字等等已被證明有時(shí)是方便的。

然而，應(yīng)當(dāng)記住，所有的這些和類似的術(shù)語與適當(dāng)?shù)奈锢砹肯嚓P(guān)聯(lián)并且僅僅是應(yīng)用于這些量的方便標(biāo)記。除非另有特別說明，從以上討論中明顯的是，應(yīng)該認(rèn)識到，在整個(gè)說明書中，使用諸如“積分”、“比較”、“平衡”、“測量”、“執(zhí)行”、“積累”、“控制”、“轉(zhuǎn)換”、“累積”、“采樣”、“儲存”、“耦合”、“改變”、“緩沖”、“施加”等等術(shù)語的討論指的是計(jì)算系統(tǒng)或類似的電子計(jì)算設(shè)備的動作和過程，其將在計(jì)算系統(tǒng)的寄存器和存儲器內(nèi)表示為物理(例如，電子)量的數(shù)據(jù)進(jìn)行操縱并且轉(zhuǎn)換到在計(jì)算系統(tǒng)的存儲器或寄存器或其他這種信息存儲、傳輸或顯示設(shè)備內(nèi)的類似地表示為物理量的其他數(shù)據(jù)。

本文中使用的單詞“示例”或“示例性”意為用作示例、實(shí)例或例證。本文中描述為“示例”或“示例性”的任何方面或設(shè)計(jì)不一定被解釋為比其他方面或設(shè)計(jì)優(yōu)選或有利。相反，單詞“示例”或“示例性”的使用旨在以具體方式呈現(xiàn)概念。如在本申請中所使用的，術(shù)語“或”旨在表示包含性的“或”而不是排他性的“或”。也就是說，除非另有說明或從上下文中是清楚的，否則“X包括A或B”旨在表示自然包含的排列中的任一個(gè)。也就是說，如果X包括A；X包括B；或X包括A和B二者，那么在前述實(shí)例中的任一個(gè)下滿足“X包括A或B”。另外，如在本申請和所附權(quán)利要求中使用的冠詞“一(a)”和“一(an)”通常應(yīng)該被解釋為意指“一個(gè)或多個(gè)”，除非另有說明或從上下文中清楚地針對單數(shù)形式。此外，貫穿全文使用的術(shù)語“實(shí)施例”或“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施方式”或“一個(gè)實(shí)施方式”不旨在意指同一個(gè)實(shí)施例或?qū)嵤┓绞?，除非如此描述?/p>

本文所描述的實(shí)施例還可涉及用于執(zhí)行本文中的操作的裝置。該裝置可為了所需的目的而被特別構(gòu)造，或者它可包括由儲存在計(jì)算機(jī)中的計(jì)算機(jī)程序選擇性激活或重配置的通用計(jì)算機(jī)。這樣的計(jì)算機(jī)程序可被存儲在非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，諸如但不限于包括軟盤、光盤、CD-ROM和磁光盤的任意類型的盤、只讀存儲器(ROM)、隨機(jī)存取存儲器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡、閃存、或適用于儲存電子指令的任何類型的介質(zhì)。術(shù)語“計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)”應(yīng)被認(rèn)為包括儲存一組或多組指令的單個(gè)介質(zhì)或多個(gè)介質(zhì)(例如，集中式或分布式數(shù)據(jù)庫和/或相關(guān)聯(lián)的緩存和服務(wù)器)。術(shù)語“計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)”還應(yīng)該被認(rèn)為包括能夠存儲、編碼或承載用于由機(jī)器執(zhí)行的一組指令并且使機(jī)器執(zhí)行本實(shí)施例的方法的任意一個(gè)或多個(gè)的任何介質(zhì)。因此，術(shù)語“計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)”應(yīng)該被認(rèn)為包括但不限于固態(tài)存儲器、光學(xué)介質(zhì)、磁介質(zhì)、能夠儲存用于由機(jī)器執(zhí)行的一組指令且使機(jī)器執(zhí)行本實(shí)施例的方法的任意一個(gè)或多個(gè)的任意介質(zhì)。

本文所提出的算法和電路并不固有地涉及任意特定的計(jì)算機(jī)或其他裝置。各種通用系統(tǒng)可以根據(jù)本文的教導(dǎo)與程序一起使用，或者其可證明構(gòu)建更專用的裝置以執(zhí)行所需的方法步驟是方便的。用于這些系統(tǒng)中的各種系統(tǒng)所需的結(jié)構(gòu)將從以下描述中出現(xiàn)。另外，本實(shí)施例沒有參考任何特定的編程語言來描述。將認(rèn)識到，可以使用各種編程語言來實(shí)現(xiàn)如本文所述的實(shí)施例的教導(dǎo)。

以上描述闡述了諸如特定系統(tǒng)、組件、方法等的示例的許多特定細(xì)節(jié)，以便提供對本發(fā)明的若干實(shí)施例的良好理解。然而，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明顯的是，本發(fā)明的至少一些實(shí)施例可在沒有這些特定細(xì)節(jié)的情況下進(jìn)行實(shí)踐。在其他實(shí)例中，眾所周知的組件或方法沒有具體描述或者是以簡單的框圖的形式來呈現(xiàn)，以避免不必要地使本發(fā)明模糊。因此，以上闡述的特定細(xì)節(jié)僅僅是示例性的。特定的實(shí)施方式可以與這些示例性細(xì)節(jié)不同并且仍然被視為在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

將理解的是，以上描述旨在是例證性而不是限制性的。在閱讀并且理解以上描述之后，許多其他實(shí)施例對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是明顯的。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)參考所附權(quán)利要求連同這些權(quán)利要求有權(quán)要求的等效物的整個(gè)范圍來確定。