技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種CL-20/DNB共晶基復(fù)合物的模擬方法，包括如下步驟：用材料工作站打開CL-20/DNB共晶的晶體信息文件，把文件中所有的N-O單鍵改為虛雙鍵，苯環(huán)改為諧振式的虛雙鍵苯環(huán)；建立超包模型，沿(001)晶面在不同高度處切割超包模型，得到切割模型；建立PEG分子鏈，控制粘結(jié)劑PEG的含量為4％～5％，將構(gòu)建好的PEG分子鏈逐步壓縮并進(jìn)行分子動(dòng)力學(xué)模擬，直至PEG分子鏈的密度達(dá)到理論值；在所得切割模型的上部設(shè)置真空層，并用壓縮后的PEG分子鏈填充該真空層，建立與該切割模型對(duì)應(yīng)的高聚物粘結(jié)復(fù)合物模型；對(duì)切割模型和與該切割模型對(duì)應(yīng)的高聚物粘結(jié)復(fù)合物模型進(jìn)行分子動(dòng)力學(xué)模擬。本發(fā)明研究同一晶面的不同切割位置所得模型的界面性能，方法簡(jiǎn)單安全、效果好、成本低。

技術(shù)研發(fā)人員：肖繼軍;張將;高培
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京理工大學(xué)
文檔號(hào)碼：201510752516
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.06
技術(shù)公布日：2017.05.17