技術(shù)特征：

1.一種CL-20/DNB共晶基復(fù)合物的模擬方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，用材料工作站打開CL-20/DNB共晶的晶體信息文件，把文件中所有的N-O單鍵改為虛雙鍵，苯環(huán)改為諧振式的虛雙鍵苯環(huán)；

步驟2，建立超包模型，沿(001)晶面在不同高度處切割超包模型，得到切割模型；

步驟3，建立PEG分子鏈，控制粘結(jié)劑PEG的含量為4.4％，將構(gòu)建好的PEG分子鏈逐步壓縮并進(jìn)行分子動力學(xué)模擬，直至PEG分子鏈的密度達(dá)到理論值；

步驟4，在步驟2所得切割模型的上部設(shè)置真空層，并用壓縮后的PEG分子鏈填充該真空層，建立與該切割模型對應(yīng)的高聚物粘結(jié)復(fù)合物模型；

步驟5，對切割模型和與該切割模型對應(yīng)的高聚物粘結(jié)復(fù)合物模型進(jìn)行分子動力學(xué)模擬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CL-20/DNB共晶基復(fù)合物的模擬方法，其特征在于，步驟1所述材料工作站采用軟件Materials Studio，晶體信息文件是以X-ray衍射晶體數(shù)據(jù)為依據(jù)的CL-20/DNB共晶的cif文件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CL-20/DNB共晶基復(fù)合物的模擬方法，其特征在于，步驟2所述的建立超包模型，沿(001)晶面在不同高度處切割超包模型，得到切割模型，具體為：建立3a×2b×1c超包模型，其中a、b、c為CL-20/DNB共晶的晶包參數(shù)，然后點(diǎn)擊MS任務(wù)欄中的Build，選擇Surfaces，再選其中的Cleave Surface；在Position部分，設(shè)置top的Angstrom值，點(diǎn)擊Cleave建立切割模型。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CL-20/DNB共晶基復(fù)合物的模擬方法，其特征在于，步驟5所述對切割模型和與該切割模型對應(yīng)的高聚物粘結(jié)復(fù)合物模型進(jìn)行分子動力學(xué)模擬，具體為：在MS的Discover模塊，對切割模型和與該切割模型對應(yīng)的高聚物粘結(jié)復(fù)合物模型進(jìn)行2ns的分子動力學(xué)模擬，其中的后1ns用于收集軌跡，并對收集的軌跡數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CL-20/DNB共晶基復(fù)合物的模擬方法，其特征在于，所述top的Angstrom值分別設(shè)置為和