本發(fā)明涉及一種電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)電子設(shè)備如智能卡等與讀寫器通信時，智能卡通過線圈連接至讀寫器(POS機(jī)、NFC手機(jī)等)的線圈，同時，智能卡可以通過讀寫器線圈獲得供電，但現(xiàn)有的智能卡無法將讀寫器產(chǎn)生的場能量進(jìn)行有效利用，造成讀寫器線圈電能的浪費(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在解決上述問題之一。

本發(fā)明的主要目的在于提供一種電子設(shè)備。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明一方面提供了一種電子設(shè)備，包括：線圈和具有非接觸功能的芯片，還包括：整流裝置；其中，所述線圈的第一輸出端分別與所述整流裝置的第一輸入端和所述具有非接觸功能的芯片的第一端連接，所述線圈的第二輸出端分別與所述整流裝置的第二輸入端和所述具有非接觸功能的芯片的第二端連接。

此外，還包括：需供電裝置；其中，所述整流裝置的輸出端連接至所述需供電裝置。

此外，還包括：電池裝置；其中，所述電池裝置的一端與所述整流裝置的輸出端連接，所述整流裝置為所述電池裝置充電。

此外，所述電池裝置包括充電控制電路以及充電電池，所述充電控制電路導(dǎo)通時，所述線圈為所述充電電池充電。

此外，所述電池裝置另一端連接至所述具有非接觸功能的芯片的供電端，為所述具有非接觸功能的芯片供電。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備，在整流裝置與具有非接觸功能的芯片共用線圈時，在線圈與芯片處于連通狀態(tài)時，電子設(shè)備在與其他設(shè)備進(jìn)行近場通訊(NFC通訊)的同時，還可以從電子設(shè)備的線圈中取電，可以供電子設(shè)備工作，或?qū)﹄娮釉O(shè)備內(nèi)置的電源進(jìn)行充電，從而可以同時進(jìn)行通信和取電，提高電子設(shè)備的利用率，防止了電能的浪費(fèi)。此外，本實(shí)施例還可以關(guān)斷線圈與芯片之間的通路，在線圈與芯片處于關(guān)斷狀態(tài)時，由于芯片不再耗電，從而可以使的整流裝置能夠最大限度的接收電能，向外供電，可以提高整流裝置的取電效率。此外，本發(fā)明實(shí)施例中，由于在線圈和芯片之間加入了切換裝置，解決了系統(tǒng)共地的問題，使得無法共地的整流裝置和芯片可以共地，電子設(shè)備可以正常工作。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中智能卡的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例1和3提供的電子設(shè)備的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例1提供的電子設(shè)備中整流裝置的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例1提供的電子設(shè)備的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例2提供的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例5提供的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例7提供的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例8提供的切換裝置的結(jié)構(gòu)框圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例8提供的切換裝置的電路原理圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例9提供的切換裝置的電路原理圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例10提供的電子設(shè)備的電路原理圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例11提供的電子設(shè)備的電路原理圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例4提供的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅配置為描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或數(shù)量或位置。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

實(shí)施例1

在現(xiàn)技術(shù)領(lǐng)域里，以電子設(shè)備為智能卡為例，如圖1所示，智能卡包括：線圈和智能卡芯片，線圈是 與智能卡芯片直接相連，只要智能卡進(jìn)場(即，將智能卡放置在其他設(shè)備(如讀卡器、手機(jī))的射頻場中)，智能卡芯片的電路就會消耗場能量，取電電路無法與智能卡共用線圈而取得最佳取電效率，增加一個取電線圈則增大電路難度和成本，同時還會影響智能卡與設(shè)備通訊。因此，如何解決不增加取線線圈，而將取電電路(本實(shí)施例中也稱為“整流裝置”)與智能卡芯片共用線圈，并提高取電電路的取電效率是目前智能卡需要克服的一個難題。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種電子設(shè)備10。圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備10包括：線圈101、具有非接觸功能的芯片102，還包括整流裝置103和切換裝置104。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，線圈101的第一輸出端分別與整流裝置103的第一輸入端和切換裝置104的第一端連接，線圈101的第二輸出端分別與整流裝置103的第二輸入端和切換裝置104的第二端連接；其中，線圈101的第一輸出端和第二輸出端輸出相位相反的交流信號；從而使得切換裝置104在導(dǎo)通時，第一通斷模塊904和第二通斷模塊905(參見實(shí)施例8附圖9)中至少有一個處于導(dǎo)通狀態(tài)；

切換裝置104的第三端與具有非接觸功能的芯片102的第一輸入端連接，切換裝置104的第四端與具有非接觸功能的芯片102的第二輸入端連接；

切換裝置104的第五端，配置為接收工作電壓，使線圈101與具有非接觸功能的芯片102連通；本實(shí)施例中，在初始狀態(tài)下，切換裝置104的第五端接收到工作電壓，該工作電壓可以使線圈101與具有非接觸功能的芯片102連通，在沒有接收到控制信號時，默認(rèn)線圈101與具有非接觸功能的芯片102是保持連通狀態(tài)的；

切換裝置104的第六端，配置為接收控制信號，切換裝置根據(jù)控制信號受控地處于導(dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)，當(dāng)切換裝置處于關(guān)斷狀態(tài)下，控制線圈與具有非接觸功能的芯片進(jìn)行關(guān)斷，當(dāng)切換裝置處于導(dǎo)通狀態(tài)下，控制線圈與具有非接觸功能的芯片進(jìn)行導(dǎo)通。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，電子設(shè)備可以包括但不限于智能卡或其他具有NFC功能的電子設(shè)備。當(dāng)將該電子設(shè)備10置于其他設(shè)備的射頻場中進(jìn)行非接觸近場通訊時，電子設(shè)備10的線圈101分別與具有非接觸功能的芯片102和整流裝置103連接，利用該線圈101取電向整流裝置103(即取電電路)供電，并與具有非接觸功能的芯片102完成通信，整流裝置103對交流電進(jìn)行整流后輸出可以供電子設(shè)備工作的電源。由此，本實(shí)施例中的電子設(shè)備在與其他設(shè)備進(jìn)行近場通訊的同時，還可以從電子設(shè)備的線圈中取電，可以供電子設(shè)備工作，或?qū)﹄娮釉O(shè)備內(nèi)置的電源進(jìn)行充電，從而提高電子設(shè)備的利用率。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，為了克服取電線圈與智能卡芯片共用線圈，無法提高取電線圈的取電效率的問題，必須有效將線圈101和芯片102之間的射頻載波斷開。因此，本實(shí)施例中增加了切換裝置，該切換裝置連接在線圈101和具有非接觸功能的芯片102之間，切換裝置104與具有非接觸功能的芯片102接公共地(即，兩者共地)，通過接收的控制信號來控制線圈101與具有非接觸功能的芯片102的通斷，當(dāng)接收到表示切斷線圈101和具有非接觸功能的芯片102之間的通路的控制信號時，切換裝置斷開線圈101和具有非接觸功能的芯片102之間的通路，由此，具有非接觸功能的芯片102與線圈的射頻載波被斷開，在沒有具有非接觸功能的芯片102的影響下，線圈的電流則全部流入整流電路，使得整流電路能夠最大效率的獲取電量。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，電子設(shè)備可以包括但不限于智能卡或其他具有NFC功能的電子設(shè)備。可以帶有顯示、按鍵輸入等功能，同時，該智能卡中還可以包括安全芯片，安全芯片可以用于完成電子簽名、簽名驗(yàn)證、動態(tài)密碼生成和驗(yàn)證等功能；該電子設(shè)備可以通過無線方式(射頻、NFC等)與其他設(shè)備(如讀卡器、POS機(jī)、NFC手機(jī)等)進(jìn)行通信；具有非接觸功能的芯片可以包括但不限于智能卡芯片，或者是具有非接觸功能的接口芯片，該接口芯片可以與CPU連接，即，只要具有非接觸功能的芯片，均可以運(yùn)用到本實(shí)施例中。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，線圈101可以是射頻線圈或NFC線圈等，該線圈可以工作在13.56M；線圈101接收到的信號包括但不限于NFC信號、射頻信號等非接觸信號，而非接的方式即指非接觸方式，無需通過電連接就可以進(jìn)行通信。電子設(shè)備進(jìn)場時，(即，進(jìn)入其他設(shè)備(如讀卡器、手機(jī))的射頻場中)時，線圈通過非接的方式接收NFC信號取電向整流裝置輸出供電，具有非接觸功能的芯片與其他設(shè)備進(jìn)場NFC通訊。

在本實(shí)施例中，整流電路可以采用橋電路實(shí)現(xiàn)，在本實(shí)施例的一種可選實(shí)施方式中，整流電路采用的橋電路如圖3所示，只要增加兩只二極管口連接成的"橋"式結(jié)構(gòu)，便具有全波整流電路，該二級管整流橋的一端IB與線圈的第一輸入端連接，該二級管整流橋的另一端IA與線圈的第二輸入端連接。

在本發(fā)明實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方案中，切換裝置104的第六端與具有非接觸功能的芯片102的控制端連接(如圖2中實(shí)線所示)，接收具有非接觸功能的芯片102發(fā)送的控制信號。在本實(shí)施例中，具有非接觸功能的芯片102可以向切換裝置104發(fā)送控制信號，以控制切換裝置的通斷，從而實(shí)現(xiàn)對切換裝置的。在該可選實(shí)施方式中，該具有非接觸功能芯片102可以是集成有MCU的智能卡芯片(如圖2中實(shí)線所示)，也可以是具有非接觸功能的接口芯片(圖2中未示出)，該接口芯片可以連接一CPU，由該CPU通過接口芯片向切換裝置104發(fā)送控制信號。由此，可以通過具有非接觸功能的芯片102實(shí)現(xiàn)對切換裝置104的通斷的控制。

在本發(fā)明實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方案中，本實(shí)施例的電子設(shè)備還包括：與具有非接觸功能芯片102相連的中央控制單元MCU105(如圖2中虛線所示)；其中：

切換裝置104的第六端與MCU105的控制端連接，接收MCU發(fā)送的控制信號。由此，可以通過MCU105控制對切換裝置104的通斷的控制。

在本實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，默認(rèn)為切換裝置接入工作電壓Vcc，且與具有非接觸功能的芯片102共地，使得線圈101與具有非接觸功能的芯片102一直處于連通狀態(tài)，在本實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方式中，切換裝置104配置成受控地處于導(dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)；在切換裝置104接收到表示斷開的控制信號時，切換裝置104處于關(guān)斷狀態(tài)，控制線圈101和具有非接觸功能的芯片102進(jìn)行關(guān)斷，當(dāng)切換裝置104再次接收到表示導(dǎo)通的控制信號時，由于切換裝置接入工作電壓Vcc，切換裝置104處于導(dǎo)通狀態(tài)，控制線圈101和具有非接觸功能的芯片102進(jìn)行導(dǎo)通。

本實(shí)施例在整流裝置與具有非接觸功能的芯片共用線圈時，在線圈101與具有非接觸功能的芯片102處于連通狀態(tài)時，可以同時進(jìn)行通信和取電，在線圈101與具有非接觸功能的芯片102處于關(guān)斷狀態(tài)時，由于芯片不再耗電，從而可以使的整流裝置能夠最大限度的接收電能，可以提高整流裝置的取電效率。

此外，具有非接觸功能的芯片一般工作在一定的功率或電壓之下，一旦芯片的功率或者電壓超出其固 有功率或者固有電壓，則可能破壞芯片的元器件或者不能正常工作，因此，具有非接觸功能的芯片一般會對進(jìn)入其自身的電壓進(jìn)行限制，以維持自身工作的需求，而在本發(fā)明中，具有非接觸功能的芯片在接通到線圈時，需要對線圈的輸出電壓進(jìn)行限制，當(dāng)芯片與整流裝置共有線圈時，會導(dǎo)致整流裝置接收的電壓也會降低，則降低整流裝置的取電效率，導(dǎo)致其供電效率也降低，而利用本發(fā)明的切換裝置，可以在芯片不需要工作時，切斷線圈與芯片的通路，從而不會影響線圈的輸出電壓，從而能夠整流裝置能夠接收到讀卡器場最大可能的電壓，從而提高讀卡器場能量被利用的效率。

在本實(shí)施例的一種可選實(shí)施方式中，如圖4所示，切換裝置104的第五端，配置為與整流裝置103的輸出端導(dǎo)通，整流裝置103的輸出端向切換裝置104輸出工作電壓Vcc。在本電子設(shè)備進(jìn)入其他設(shè)備的射頻場時，由于線圈101產(chǎn)生的是交流電，而交流電的電壓會隨著線圈所產(chǎn)生的場強(qiáng)的變化而變化，因此，在將切換裝置的第五端和整流裝置103的輸出端導(dǎo)通后，在電子設(shè)備內(nèi)部，為切換裝置104提供的工作電壓與整流裝置輸出的輸出電壓是同一電壓，從而使切換裝置在初始狀態(tài)接入工作電壓時，可以一直保持導(dǎo)通狀態(tài)，從而使得線圈101與具有非接觸功能的芯片102連通。而且，在電子設(shè)備離場(即，遠(yuǎn)離其他設(shè)備的射頻場)時，線圈101產(chǎn)生的交流電逐級變小直至沒有電流產(chǎn)生，此時，切換裝置的工作電壓為零，切換裝置處于斷開狀態(tài)，線圈101與具有非接觸功能的芯片102也會自動斷開，即可以保證在電子設(shè)備離場時，線圈101與具有非接觸功能的芯片102之間的射頻載波斷開。

本實(shí)施例在整流裝置與具有非接觸功能的芯片共用線圈時，在線圈101與具有非接觸功能的芯片102處于連通狀態(tài)時，可以同時進(jìn)行通信和取電，在線圈101與具有非接觸功能的芯片102處于關(guān)斷狀態(tài)時，可以提高整流裝置的取電效率。

實(shí)施例2

如圖5所示，本實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于，本實(shí)施例中切換裝置104的第五端，沒有配置為與整流裝置103的輸出端導(dǎo)通，而是將切換裝置104的第五端連接至外接電源，由外接電源為切換裝置提供工作電壓Vee。

在本實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方式中，該外接電源的供電電壓Vee需滿足預(yù)設(shè)條件。

其中，在本實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方式中，以下以切換裝置采用NMOS管為例進(jìn)行說明，外接電源為切換裝置提供的工作電壓Vee大于或等于整流裝置103的輸出端輸出的電壓VCC。其中，作為一種可選方式，外接電源的供電電壓滿足大于整流裝置103的輸出端輸出的電壓+0.7V的和時，可以達(dá)到最優(yōu)效果。

VCC最佳方式是采用外部整流電平，VCC等于線圈兩端最大電平減去一個二極管壓降，如果外接電壓比外部整流電平小，當(dāng)線圈與芯片連通時，切換裝置接收到的最大工作電壓Vee為VCC減去MOS管開啟電壓，因此，當(dāng)外接電源時最佳的工作電壓Vee為大于等于整流電壓VCC，如果電壓小于整流VCC時，導(dǎo)通時具有能量損失，IC卡的工作距離受限于外接電壓。

當(dāng)然，切換裝置也可以采用PMOS管，外接電源為切換裝置提供的工作電壓Vee與整流裝置輸出端輸出的電壓需滿足的條件具體根據(jù)PMOS管的導(dǎo)通條件進(jìn)行設(shè)置，這里不再贅述。

通過本實(shí)施例提供的技術(shù)方案，當(dāng)外接電源的供電電壓滿足預(yù)設(shè)條件時，就可以保證無論電子設(shè)備進(jìn)場還是離場就可以使切換裝置處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而使得線圈101與具有非接觸功能的芯片102連通。

實(shí)施例3

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子設(shè)備。

圖2本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備10的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，該電子設(shè)備10包括：線圈101和具有非接觸功能的芯片102，其特征在于，還包括：整流裝置103和切換裝置104；切換裝置104連接在線圈101與具有非接觸功能的芯片102之間，線圈101的第一輸出端分別與整流裝置103的第一輸入端電連接，并通過所述切換裝置與具有非接觸功能的芯片102的第二輸入端電連接；其中，線圈101用于感應(yīng)并通過第一輸出端輸出交流信號；整流裝置103用于接收線圈101從第一輸入端輸入的交流信號，并通過整流裝置103的第二輸出端輸出電能或向外供電；切換裝置104用于在輸入的工作電壓的作用下連通線圈101與具有非接觸功能的芯片102，以及在接收控制信號的情況下，根據(jù)接收到的控制信號控制線圈101與具有非接觸功能的芯片102的通斷。

在本實(shí)施例提供的電子設(shè)備10中，通過整流裝置103使得線圈感應(yīng)的場能量能夠有效利用，通過切換裝置104，可以在芯片102沒有數(shù)據(jù)通訊時，切斷線圈與芯片102的連接，增加整流裝置103輸出的電能。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，以下以切換裝置采用NMOS管為例進(jìn)行說明，切換裝置104的工作電壓大于等于整流裝置103的輸出的電壓。在具體實(shí)施過程中，可以在電子設(shè)備10中設(shè)置一個電池，通過該電池為切換裝置104提供工作電壓，實(shí)現(xiàn)靈活。優(yōu)選地，工作電壓與整流裝置103輸出的電壓的差大于等于預(yù)定值。優(yōu)選地，該預(yù)定值為整流裝置103感應(yīng)的壓降(大于0V)，例如，可以為0.7V。從而可以最大限度的保證切換裝置104能夠?qū)ň€圈101與芯片102的連接。當(dāng)然，切換裝置也可以采用PMOS管，工作電壓與整流裝置輸出端輸出的電壓需滿足的條件具體根據(jù)PMOS管的導(dǎo)通條件進(jìn)行設(shè)置，這里不再贅述。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，整流裝置103與切換裝置104電連接，為切換裝置104提供工作電壓。通過該可選實(shí)施方案，由整流裝置103輸出的電壓向切換裝置104提供工作電壓，有效利用能量。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，切換裝置104與具有非接觸功能的芯片102的控制端電連接，接收具有非接觸功能的芯片102的控制端輸出的控制信號。通過該可選實(shí)施方案，由芯片102發(fā)送控制信號，不需要另外加控制器，節(jié)約了成本。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備10還可以包括：中央控制單元MCU 105；其中，切換模塊與MCU 105的控制端電連接，接收MCU 105的控制端輸出的控制信號。在該可選實(shí)施方式中，由MCU 105發(fā)送控制信號，從而可以方便控制。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案，電子設(shè)備10還可以包括：用電部件；其中，整流裝置103的第二輸出端與用電部件電連接，為用電部件提供電能。在該可選實(shí)施方案中，由整流裝置103輸出的電能向用電部件提供電能，有效地利用線圈感應(yīng)的場能量。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備10還可以包括：充電電池；其中，整流裝置103與充電電池電連接，為充電電池提供電能。在該可選實(shí)施方案中，由整流裝置103輸出的電能向充電電池進(jìn) 行充電，通過充電電池，可以在芯片102離開讀卡器后繼續(xù)為芯片102進(jìn)行供電，豐富智能卡的功能，有效利用場能量。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備10還可以包括：連接在整流裝置103和充電電池之間的充電電路，充電電路受控地對充電電池進(jìn)行充電。在該可選實(shí)施方案中，通過受控的進(jìn)行充電，可以在芯片102沒有使用時對電池進(jìn)行充電，在保證芯片102的通訊效果的情況下提高充電效率。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，在該可選結(jié)構(gòu)中，切換裝置104可以包括：交流輸入端、第三輸出端、控制模塊、第一通斷模塊以及第二通斷模塊；其中，第一通斷模塊，設(shè)置在交流輸入端的第一端以及第三輸出端的第一端之間，并配置成受控地處于導(dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)；其中，第一通斷模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)下，導(dǎo)通交流輸入端的第一端與第三輸出端的第一端之間的第一通路，關(guān)斷交流輸入端的第一端與第三輸出端的第一端之間的第二通路，第一通斷模塊處于關(guān)斷狀態(tài)下，關(guān)斷交流輸入端的第一端與第三輸出端的第一端之間的第一通路，導(dǎo)通交流輸入端的第一端與第三輸出端的第一端之間的第二通路，其中，第一通路與第二通路的方向相反，第一通路為從交流輸入端的第一端至第三輸出端的第一端的通路或者從第三輸出端的第一端至交流輸入端的第一端的通路；第二通斷模塊，設(shè)置在交流輸入端的第二端以及第三輸出端的第二端之間，并配置成受控地處于導(dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)；其中，第二通斷模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)下，導(dǎo)通交流輸入端的第二端與第三輸出端的第二端之間的第三通路，關(guān)斷交流輸入端的第二端與第三輸出端的第二端之間的第四通路，第二通斷模塊處于關(guān)斷狀態(tài)下，關(guān)斷交流輸入端的第二端與第三輸出端的第二端之間的第三通路，導(dǎo)通交流輸入端的第二端與第三輸出端的第二端之間的第四通路，其中，第三通路與第四通路的方向相反，第三通路為從交流輸入端的第二端至第三輸出端的第二端的通路或者從第三輸出端的第二端至交流輸入端的第一端的通路；控制模塊，設(shè)置在切換裝置的工作電壓與公共地之間，并配置成受控地處于導(dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)，其中，控制模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)下，控制第一通斷模塊和第二通斷模塊進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，控制模塊處于關(guān)斷狀態(tài)下，與交流輸入端配合控制第一通斷模塊和第二通斷模塊中的一個進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。

其中，當(dāng)?shù)谝煌〝嗄K的第一通路或第二通路與第二通斷模塊的第三通路或第四通路的方向相反時，將會在交流輸入端和第三輸出端形成回路，信號才能夠在交流輸入端和第三輸出端之間傳輸。

由此可見，通過本發(fā)明實(shí)施例提供的切換裝置104，可以受控的保證實(shí)現(xiàn)交流輸入端和輸出端之間的電壓輸出。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊包括第一可控開關(guān)和第一續(xù)流導(dǎo)通器件，其中，第一可控開關(guān)包括：第一連接端、第二連接端以及控制端，第一續(xù)流導(dǎo)通器件連接在第一可控開關(guān)的第一連接端與第一可控開關(guān)的第二連接端之間且與第一可控開關(guān)的導(dǎo)通方向相反；第一可控開關(guān)的第一連接端配置成與交流輸入端的第一端相連，第一可控開關(guān)的第二連接端配置成與第三輸出端的第一端相連，第一可控開關(guān)的控制端配置成從控制模塊接收控制信號，并在控制信號的控制下導(dǎo)通或關(guān)斷交流輸入端的第一端與第三輸出端的第一端之間的第一通路，交流輸入端的第一端與第三輸出端的第一端之間的第一通路為從交流輸入端的第一端至第三輸出端的第一端的通路或者從第三輸出端的第一端至交流輸入端的第一端的通路。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊包括第二可控開關(guān)和第二續(xù)流導(dǎo)通器件，其中，第二可控開關(guān)包括：第一連接端、第二連接端以及控制端，第二續(xù)流導(dǎo)通器件連接在第二可控開關(guān)的第一連接端與第二可控開關(guān)的第二連接端之間且與第二可控開關(guān)的導(dǎo)通方向相反；第二可控開關(guān)的第一連接端配置成與交流輸入端的第二端相連，第二可控開關(guān)的第二連接端配置成與第三輸出端的第二端相連，第二可控開關(guān)的控制端配置成從控制模塊接收控制信號，并在控制信號的控制下導(dǎo)通或關(guān)斷交流輸入端的第二端與第三輸出端的第二端之間的第一通路，交流輸入端的第二端與第三輸出端的第二端之間的第一通路為從交流輸入端的第二端至第三輸出端的第二端的通路或者從第三輸出端的第二端至交流輸入端的第二端的通路。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊可以采用與第二通斷模塊相同的可控開關(guān)，也可以采用與第二通斷模塊不同的可控開關(guān)，只要可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例中第一通斷模塊與第二通斷模塊的功能的可控開關(guān)，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊可以包括：第一增強(qiáng)型MOS管(MOSFET管)，第二通斷模塊可以包括：第二增強(qiáng)型MOS管(MOSFET管)。可選的，第一通斷模塊與第二通斷模塊至少之一采用增強(qiáng)型MOS管，增強(qiáng)型MOS管中寄生有二極管。采用增強(qiáng)型MOS管可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)的通斷功能，利用其等效電阻較小，可以減小對與切換裝置配合的其他部件的影響，并且節(jié)省成本提高電路可靠性。

本實(shí)施例中，可以選取N溝道或P溝道增強(qiáng)型MOS管。以下，以第一增強(qiáng)型MOS管和第二增強(qiáng)型MOS管為N溝道增強(qiáng)型MOS管為例進(jìn)行說明：

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，將第一增強(qiáng)型NMOS管的源極連接交流輸入端的第一端，將漏極連接輸出端的第一端，將柵極連接控制模塊。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊除了包括第一增強(qiáng)型MOS管外，還可以包括第一偏置電阻R1，第一偏置電阻R1的一端連接第一增強(qiáng)型NMOS管的源極，另一端連接第一增強(qiáng)型NMOS管的柵極。采用偏置電阻連接在第一增強(qiáng)型NMOS管的源極和柵極之間，可以確定使第一增強(qiáng)型MOS管可靠截止，保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊除了包括第一增強(qiáng)型MOS管外，還可以包括第一負(fù)載器件，其中，第一負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第一負(fù)載器件的另一端連接控制模塊。采用負(fù)載部件連接第一增強(qiáng)型NMOS管和控制模塊，可以保證電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊可以包括第一增強(qiáng)型MOS管、第一負(fù)載器件和第一偏置電阻R1，將第一增強(qiáng)型NMOS管的源極連接交流輸入端的第一端，將漏極連接輸出端的第一端，將第一增強(qiáng)型NMOS管的柵極通過第一負(fù)載器件連接控制模塊，即第一負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第一負(fù)載器件的另一端連接控制模塊，第一偏置電阻R1的一端連接第一增強(qiáng)型NMOS管的源極，另一端連接第一增強(qiáng)型NMOS管的柵極。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一負(fù)載器件可以為電阻。當(dāng)?shù)谝黄秒娮鑂1的阻值較大時，對交流輸入端影響較小，此時第一負(fù)載部件可以采用電阻保證電路穩(wěn)定性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一負(fù)載器件也可以為第一單向?qū)ㄆ骷?，第一單向?qū)ㄆ? 件的輸出端作為第一負(fù)載器件的一端連接第一增強(qiáng)型NMOS管的柵極，第一單向?qū)ㄆ骷妮斎攵俗鳛榈谝回?fù)載器件的另一端連接控制模塊。當(dāng)?shù)谝黄秒娮鑂1的阻值較小時，對交流輸入端影響較大，此時第一負(fù)載部件可以采用單向?qū)ㄆ骷?，可以防止電路對交流輸入端的影響，提高電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一單向?qū)ㄆ骷梢圆捎枚O管或者三極管等任意具有單向?qū)üδ艿钠骷?shí)現(xiàn)。

當(dāng)然，作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊也可以采用P溝道MOS管，其連接關(guān)系根據(jù)MOS管的特性做適應(yīng)性修改即可。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，將第二增強(qiáng)型NMOS管的源極連接交流輸入端的第二端，將漏極連接輸出端的第二端，將柵極連接控制模塊。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊除了包括第二增強(qiáng)型MOS管外，還可以包括第二偏置電阻R1，第二偏置電阻R1的一端連接第二增強(qiáng)型NMOS管的源極，另一端連接第二增強(qiáng)型NMOS管的柵極。采用偏置電阻連接在第二增強(qiáng)型NMOS管的源極和柵極之間，可以確定使第二增強(qiáng)型MOS管可靠截止，保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊除了包括第二增強(qiáng)型MOS管外，還可以包括第二負(fù)載器件，其中，第二負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第二負(fù)載器件的另一端連接控制模塊。采用負(fù)載部件連接第二增強(qiáng)型NMOS管和控制模塊，可以保證電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊可以包括第二增強(qiáng)型MOS管、第二負(fù)載器件和第二偏置電阻R1，將第二增強(qiáng)型NMOS管的源極連接交流輸入端的第二端，將漏極連接輸出端的第二端，將第二增強(qiáng)型NMOS管的柵極通過第二負(fù)載器件連接控制模塊，即第二負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第二負(fù)載器件的另一端連接控制模塊，第二偏置電阻R1的一端連接第二增強(qiáng)型NMOS管的源極，另一端連接第二增強(qiáng)型NMOS管的柵極。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二負(fù)載器件可以為電阻。當(dāng)?shù)诙秒娮鑂1的阻值較大時，對交流輸入端影響較小，此時第二負(fù)載部件可以采用電阻保證電路穩(wěn)定性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二負(fù)載器件也可以為第二單向?qū)ㄆ骷?，第二單向?qū)ㄆ骷妮敵龆俗鳛榈诙?fù)載器件的一端連接第二增強(qiáng)型NMOS管的柵極，第二單向?qū)ㄆ骷妮斎攵俗鳛榈诙?fù)載器件的另一端連接控制模塊。當(dāng)?shù)诙秒娮鑂1的阻值較小時，對交流輸入端影響較大，此時第二負(fù)載部件可以采用單向?qū)ㄆ骷?，可以防止電路對交流輸入端的影響，提高電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二單向?qū)ㄆ骷梢圆捎枚O管或者三極管等任意具有單向?qū)üδ艿钠骷?shí)現(xiàn)。

當(dāng)然，作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊也可以采用P溝道MOS管，其連接關(guān)系根據(jù)MOS管的特性做適應(yīng)性修改即可。

作為本發(fā)明實(shí)施例的另一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊包括第一可控開關(guān)和第一續(xù)流導(dǎo)通器件，第二通斷模塊包括第二可控開關(guān)和第二續(xù)流導(dǎo)通器件。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊包括第一可控開關(guān)時，第一可控開關(guān)可以包括 第一MOS管，此時，第一可控開關(guān)還可以包括第一偏置電阻，作為本發(fā)明的一個可選實(shí)施方式，第一MOS管可以選取N溝道MOS管，將源極作為第一可控開關(guān)的第一連接端，連接交流輸入端的第一端，將漏極作為第一可控開關(guān)的第二連接端，連接輸出端的第一端，將柵極作為第一可控開關(guān)的控制端，通過第一偏置電阻的一端連接第一MOS管的源極，另一端連接第一MOS管的柵極。作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，為了保證電路的穩(wěn)定性，第一可控開關(guān)除了包括第一MOS管和第一單向?qū)ㄆ骷猓€可以包括第一負(fù)載器件，第一MOS管的柵極通過該第一負(fù)載器件連接控制模塊。當(dāng)然，第一可控開關(guān)也可以采用P溝道MOS管，其連接關(guān)系根據(jù)MOS管的特性做適應(yīng)性修改即可。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一負(fù)載器件可以為電阻或第一單向?qū)ㄆ骷谝粏蜗驅(qū)ㄆ骷梢圆捎枚O管或者三極管等任意具有單向?qū)üδ艿钠骷?shí)現(xiàn)。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一MOS管(包括第一NMOS管和第一PMOS管)可采用結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊包括第二可控開關(guān)時，第二可控開關(guān)可以包括第二MOS管，此時，第二可控開關(guān)還可以包括第二偏置電阻。作為本發(fā)明的一個可選實(shí)施方式，第二MOS管可以選取N溝道MOS管，將源極作為第二可控開關(guān)的第一連接端，連接交流輸入端的第二端，將漏極作為第二可控開關(guān)的第二連接端，連接輸出端的第二端，將柵極作為第二可控開關(guān)的控制端，第二偏置電阻的一端連接第二MOS管的源極，另一端連接第二MOS管的柵極。作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，為了保證電路的穩(wěn)定性，第二可控開關(guān)除了包括第一MOS管和第二偏置電阻外，還可以包括第二負(fù)載器件，第二MOS管的柵極通過第二負(fù)載器件連接控制模塊。當(dāng)然，第二可控開關(guān)也可以采用P溝道MOS管，其連接關(guān)系根據(jù)MOS管的特性做適應(yīng)性修改即可。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二負(fù)載器件可以為電阻或第二單向?qū)ㄆ骷?，其中，第二單向?qū)ㄆ骷梢圆捎枚O管或者三極管等任意具有單向?qū)üδ艿钠骷?shí)現(xiàn)。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二MOS管(包括第二NMOS管和第二PMOS管)可采用結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一可控開關(guān)還可以選取P溝道MOS管，第二可控開關(guān)也可以選取P溝道MOS管，當(dāng)然，第一可控開關(guān)與第二可控開關(guān)可以選擇不同種類的MOS管，例如第一可控開關(guān)采用N溝道MOS管，第二可控開關(guān)采用P溝道MOS管等，只要可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例中第一可控開關(guān)與第二可控開關(guān)的功能的可控開關(guān)，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，控制模塊也可以為可控開關(guān)，可控開關(guān)可以包括：第一連接端，第二連接端以及控制端；其中，第一連接端配置成與工作電壓相連，第二連接端配置成與公共地相連，控制端配置成從外部接收控制信號，并在控制信號的控制下導(dǎo)通或關(guān)斷，同時，第一連接端還可以配置成與第一通斷模塊和第二通斷模塊相連，并在控制模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)下，控制第一通斷模塊和第二通斷模塊進(jìn)入關(guān)斷模塊，在控制模塊處于關(guān)斷狀態(tài)下，與交流輸入端配合控制第一通斷模塊和第二通斷模塊中的一個進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，控制模塊為可控開關(guān)時，可以包括MOS管，此時，可控開 關(guān)還可以包括第三偏置電阻R3，以配合電路確定合理的負(fù)載。作為本發(fā)明的一個可選實(shí)施方式，MOS管可以選取N溝道MOS管，將漏極作為可控開關(guān)的第一連接端，通過第三偏置電阻R3連接工作電壓，即漏極連接第三偏置電阻R3的一端，第三偏置電阻R3的另一端連接工作電壓，將源極作為可控開關(guān)的第二連接端，連接公共地，將柵極作為控制端，接收外部的控制信號。當(dāng)然，控制模塊也可以采用P溝道MOS管，其連接關(guān)系根據(jù)MOS管的特性做適應(yīng)性修改即可。

實(shí)施例4

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，如圖13所示，提供了一種電子設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備包括：線圈和具有非接觸功能的芯片，其特征在于，還包括：整流裝置；線圈的輸出端分別與整流裝置的輸入端和具有非接觸功能的芯片的輸入端電連接；其中，線圈用于產(chǎn)生并通過輸出端輸出交流信號；整流裝置用于接收線圈從整流裝置的輸入端輸入的交流信號，并通過整流裝置的輸出端輸出電能或者向外提供電能。

通過本實(shí)施例提供的電子設(shè)備，可以將線圈產(chǎn)生的交流信號作為電能向外提供，提高場能量的有效利用。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，電子設(shè)備可以包括但不限于智能卡或其他具有NFC功能的電子設(shè)備。具有非接觸功能的芯片可以包括但不限于智能卡芯片，或者是具有非接觸功能的接口芯片，該接口芯片可以與CPU連接。在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，線圈101接收到的信號包括但不限于NFC信號、射頻信號等非接觸信號，而非接的方式即指非接觸方式，無需通過電連接就可以進(jìn)行通信。電子設(shè)備進(jìn)場時，(即，進(jìn)入其他設(shè)備(如讀卡器、手機(jī))的射頻場中)時，線圈通過非接的方式接收NFC信號，具有非接觸功能的芯片與其他設(shè)備進(jìn)場NFC通訊。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備還可以包括：連接在線圈與具有非接觸功能的芯片之間的切換裝置(圖上未示出)；其中，切換裝置用于在輸入的工作電壓的作用下連通線圈與具有非接觸功能的芯片，以及在接收控制信號的情況下，根據(jù)接收到的控制信號控制線圈與具有非接觸功能的芯片的通斷。在該可選方案中，通過切換裝置，可以在芯片沒有數(shù)據(jù)通訊時，切斷線圈與芯片的連接，增加整流裝置輸出的電能。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，以下以切換裝置采用NMOS管為例進(jìn)行說明，工作電壓等于或大于整流裝置的輸出的電壓。通過該可選實(shí)施方式，可以由電池向切換裝置提供工作電壓，靈活。在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，工作電壓與整流裝置輸出的電壓的差大于或等于預(yù)定值。優(yōu)選地，預(yù)定值可以為整流裝置產(chǎn)生的壓降(大于0V)，例如，可以為0.7V。通過該可選實(shí)施方式，可以最大限度的保證切換裝置能夠?qū)ň€圈與芯片的連接。當(dāng)然，切換裝置也可以采用PMOS管，工作電壓與整流裝置輸出端輸出的電壓需滿足的條件具體根據(jù)PMOS管的導(dǎo)通條件進(jìn)行設(shè)置，這里不再贅述。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，整流裝置與切換裝置電連接，為切換裝置提供工作電壓。通過該可選實(shí)施方案，由整流裝置輸出的電能向切換裝置提供工作電壓，有效利用能量。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，切換裝置與具有非接觸功能的芯片的控制端電連接，接收具有非接觸功能的芯片的控制端輸出的控制信號。通過該可選實(shí)施方案提供的電子設(shè)備，由芯片發(fā)送控制信 號，不需要另外加控制器。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，該電子設(shè)備還可以包括：中央控制單元MCU(圖上未示出)；其中，切換裝置與MCU的控制端電連接，接收MCU的控制端輸出的控制信號。通過該可選實(shí)施方案提供的電子設(shè)備，由MCU發(fā)送控制信號，方便控制)

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，線圈的輸出端包括第一輸出端口和第二輸出端口，具有非接觸功能的芯片的輸入端包括：第一輸入端口和第二輸入端口，切換裝置包括：第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口和第六端口；其中，切換裝置的第一端口與線圈的第一輸出端口電連接，切換裝置的第二端口與線圈的第二輸出端口連接，切換裝置的第三端口與具有非接觸功能的芯片的第一輸入端口連接，切換裝置的第四端口與具有非接觸功能的芯片的第二輸入端口連接，切換裝置的工作電壓從切換裝置的第五端口輸入，控制信號從切換裝置的第六端口輸出。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備還可以包括：用電部件(圖上未示出)；其中，整流裝置與用電部件電連接，為用電部件提供電能。在該可選實(shí)施方案，由整流裝置輸出的電能向用電部件提供電能，有效利用場能量。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備還可以包括：充電電池(圖上未示出)；其中，整流裝置的與充電電池電連接，為充電電池提供電能。在該可選實(shí)施方案中，由整流裝置輸出的電能向充電電池進(jìn)行充電，通過充電電池，可以在芯片離開讀卡器后繼續(xù)為芯片進(jìn)行供電，豐富智能卡的功能，有效利用場能量。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備還可以包括：連接在整流裝置和充電電池之間的充電電路(圖上未示出)，充電電路受控地對充電電池進(jìn)行充電。通過該可選實(shí)施方案，通過受控的進(jìn)行充電，可以在芯片沒有使用時對電池進(jìn)行充電，在保證芯片的通訊效果的情況下提高充電效率。

實(shí)施例5

本實(shí)施例提供一種電子設(shè)備70，如圖6所示，包括：線圈701、具有非接觸功能的芯片702、整流裝置703；具體的實(shí)施方式中，該電子設(shè)備可以為一張智能卡，該智能卡可以帶有顯示、按鍵輸入等功能，同時，該智能卡中還可以包括安全芯片，安全芯片可以用于完成電子簽名、簽名驗(yàn)證、動態(tài)密碼生成和驗(yàn)證等功能；該智能卡可以通過無線方式(射頻、NFC等)與讀寫器(POS機(jī)、NFC手機(jī)等)進(jìn)行通信；

在本實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方式中，線圈701可以是射頻線圈或NFC線圈等，利用該線圈701，電子設(shè)備70可以與讀寫器的線圈連接，從而實(shí)現(xiàn)與讀寫器的通信或?yàn)殡娮釉O(shè)備70供電；該智能卡芯片工作在13.56MHz，該線圈是符合1443協(xié)議規(guī)定頻率的線圈；線圈101接收到的信號包括但不限于NFC信號、射頻信號等非接觸信號，而非接的方式即指非接觸方式，無需通過電連接就可以進(jìn)行通信。電子設(shè)備進(jìn)場時，(即，進(jìn)入其他設(shè)備(如讀卡器、手機(jī))的射頻場中)時，線圈通過非接的方式接收NFC信號取電向整流裝置輸出供電，具有非接觸功能的芯片與其他設(shè)備進(jìn)場NFC通訊。

在本實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方式中，具有非接觸功能的芯片702為符合1443協(xié)議規(guī)定的芯片，可以為普通的IC卡芯片，也可以是包含了非接觸接口和CPU的芯片，即，只要具有非接觸功能的芯片，均可以運(yùn)用到本發(fā)明中來；

在本實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方式中，整流裝置703可以包括二極管等單向?qū)ㄆ骷?，具體可以是由4個二極管搭接的橋電路，用于對線圈輸出的電能進(jìn)行整流，以輸出電能；

線圈701的第一輸出端分別與整流裝置703的第一輸入端和具有非接觸功能的芯片702的第一端連接，線圈701的第二輸出端分別與整流裝置703的第二輸入端和具有非接觸功能的芯片702的第二端連接；具體的，線圈701分別連接到整流裝置703和具有非接觸功能的芯片702，可以同時向整流裝置703和具有非接觸功能的芯片702輸出電能。

根據(jù)本實(shí)施例提供的電子設(shè)備，可以在將該電子設(shè)備連接到讀卡器時，通過電子設(shè)備的線圈獲取電能，并將電能分別傳輸?shù)秸餮b置和芯片，在為芯片供電的同時，輸出電能到整流裝置，可以充分利用讀卡器線圈的場能量，防止了電能的浪費(fèi)。本實(shí)施例在整流裝置與具有非接觸功能的芯片共用線圈時，在線圈與具有非接觸功能的芯片處于連通狀態(tài)時，可以同時進(jìn)行通信和取電，在線圈與具有非接觸功能的芯片處于關(guān)斷狀態(tài)時，可以提高整流裝置的取電效率。

此外，整流裝置703的輸出端連接至電子設(shè)備70中的需供電裝置。具體的實(shí)施方式中，整流裝置703的輸出端連接到該電子設(shè)備70的其他需要供電的裝置，如顯示屏、按鍵、安全芯片等，以維持電子設(shè)備其他需供電裝置的正常工作，而無需為其他需供電裝置再配備電能，節(jié)省了能量。其中，整流裝置采用如圖3所示的二極管橋式整流電路，具體描述參見對圖3的描述；具有非接觸功能的芯片內(nèi)部也具有整流電路，該整流電路采用與圖3類似的二級管整流橋，該二級管整流橋的IA端與線圈的第一輸入端A連接，該二級管整流橋的IB端與線圈的第二輸入端B連接，該二級管整流橋的IC端為供電端VCC，該二級管整流橋的ID端接地，在供電端與地直接接入濾波電容，用于濾波。

此外，電子設(shè)備70還包括：電池裝置704；電池裝置704的一端與整流裝置703的輸出端連接。具體的實(shí)施方式中，為了更充分的利用電能，該電子設(shè)備還包括電池裝置704，可以將整流裝置703輸出的電能為電池裝置充電。

此外，電池裝置704還包括充電控制電路7041以及充電電池7042，充電控制電路7041導(dǎo)通時，線圈701為充電電池7042充電。具體的實(shí)施方式中，充電控制電路用于控制是否為充電電池充電，例如，充電控制電路可以是一個開關(guān)，通過控制開關(guān)的通斷來控制是否為充電電池充電，當(dāng)需要為充電電池7042充電時，連通開關(guān)，當(dāng)不需要為充電電池7042充電時，斷開開關(guān)。

此外，電池裝置704的另一端連接至具有非接觸功能的芯片702的供電端。具體的，該電池裝置704還可以連接至具有非接觸功能的芯片702，利用該電池裝置704為具有非接觸功能的芯片702供電，從而無需再為具有非接觸功能的芯片702配備電池，以便具有非接觸功能的芯片702在線圈斷開后也可以繼續(xù)工作。

實(shí)施例6

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種電子設(shè)備。

本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備主要包括：線圈和具有非接觸功能的芯片，其特征在于，還包括：連接在線圈與具有非接觸功能的芯片之間的切換裝置；其中，線圈用于產(chǎn)生并通過其輸出端輸出交流信號；切換裝置用于在輸入的工作電壓的作用下連通線圈的輸出端與具有非接觸功能的芯片的輸入端，以及在接收 控制信號的情況下根據(jù)接收到的控制信號控制線圈與具有非接觸功能的芯片的通斷。

通過本實(shí)施例提供的電子設(shè)備，通過切換裝置可以切斷線圈與芯片之間的連接，從而可以在芯片無通訊時，有效利用場能量。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，電子設(shè)備可以包括但不限于智能卡或其他具有NFC功能的電子設(shè)備。具有非接觸功能的芯片可以包括但不限于智能卡芯片，或者是具有非接觸功能的接口芯片，該接口芯片可以與CPU連接。在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，線圈101接收到的信號包括但不限于NFC信號、射頻信號等非接觸信號，而非接的方式即指非接觸方式，無需通過電連接就可以進(jìn)行通信。電子設(shè)備進(jìn)場時，(即，進(jìn)入其他設(shè)備(如讀卡器、手機(jī))的射頻場中)時，線圈通過非接的方式接收NFC信號，具有非接觸功能的芯片與其他設(shè)備進(jìn)場NFC通訊。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，切換裝置與具有非接觸功能的芯片的控制端電連接，接收具有非接觸功能的芯片的控制端輸出的控制信號。通過該可選實(shí)施方式，由芯片發(fā)送控制信號，不需要另外加控制器，節(jié)約成本。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備還可以包括：中央控制單元MCU；其中，切換裝置與MCU的控制端電連接，接收MCU的控制端輸出的控制信號。本可選實(shí)施方式中，由MCU發(fā)送控制信號，從而可以方便控制。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，線圈的輸出端包括：第一輸出端和第二輸出端，具有非接觸功能的芯片的輸入端包括：第一輸入端口和第二輸入端口，切換裝置包括：第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口和第六端口；其中，切換裝置的第一端口與線圈的第一輸出端口電連接，切換裝置的第二端口與線圈的第二輸出端口連接，切換裝置的第三端口與具有非接觸功能的芯片的第一輸入端口連接，切換裝置的第四端口與具有非接觸功能的芯片的第二輸入端口連接，切換裝置的工作電壓從切換裝置的第五端口輸入，控制信號從切換裝置的第六端口輸出。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備還可以包括：整流裝置；整流裝置的輸入端和線圈的輸出端電連接；其中，整流裝置用于接收線圈從整流裝置的輸入端輸入的交流信號，并通過整流裝置的輸出端輸出電能。通過該可選實(shí)施方式，電子設(shè)備可以向外提供電能，提高場能量的有效利用。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，以下以切換裝置采用NMOS管為例進(jìn)行說明，工作電壓大于等于整流裝置的輸出的電壓。通過該可選實(shí)施方式，可以由電池向切換裝置提供工作電壓，實(shí)現(xiàn)靈活。在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，工作電壓與整流裝置輸出的電壓的差大于等于預(yù)定值。優(yōu)選地，預(yù)定值可以為整流裝置產(chǎn)生的壓降(大于0V)，例如，可以為0.7V。通過該可選實(shí)施方式，可以最大限度的保證切換裝置能夠?qū)ň€圈與芯片的連接。當(dāng)然，切換裝置也可以采用PMOS管，工作電壓與整流裝置輸出端輸出的電壓需滿足的條件具體根據(jù)PMOS管的導(dǎo)通條件進(jìn)行設(shè)置，這里不再贅述。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，整流裝置的輸出端與切換裝置電連接，為切換裝置提供工作電壓。通過該可選實(shí)施方式，由整流裝置輸出的電能向切換裝置提供工作電壓，有效利用能量。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備還可以包括：用電部件；其中，整流裝置與用電部件電連接，為用電部件提供電能。通過該可選實(shí)施方式，由整流裝置輸出的電能向用電部件提供電能，有效利用線圈產(chǎn)生的場能量。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備還可以包括：充電電池；其中，整流裝置與充電電池電連接，為充電電池提供電能。通過該可選實(shí)施方式，由整流裝置輸出的電能向充電電池進(jìn)行充電，通過充電電池，可以在芯片離開讀卡器后繼續(xù)為芯片進(jìn)行供電，豐富智能卡的功能，有效利用場能量。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，電子設(shè)備還可以包括：連接在整流裝置和充電電池之間的充電電路，充電電路受控地對充電電池進(jìn)行充電。通過該可選實(shí)施方式，通過受控的進(jìn)行充電，可以在芯片沒有使用時對電池進(jìn)行充電，在保證芯片的通訊效果的情況下提高充電效率。

在本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方案中，充電電池與切換裝置電連接，用于向切換裝置輸入工作電壓。通過該可選實(shí)施方式，由充電電池向切換裝置提供工作電壓，從而可以有效的利用線圈產(chǎn)生的場能量。

實(shí)施例7

在現(xiàn)有技術(shù)中，智能卡線圈與智能卡芯片直接相連，智能卡入場(放置在射頻場)后與讀寫器線圈連接時，此時不管智能卡芯片是否需要處于工作狀態(tài)，智能卡芯片都會消耗場能量，造成電能的浪費(fèi)。要充分利用讀寫器產(chǎn)生的場能量，可以設(shè)置取電電路為智能卡取電，如果取電電路設(shè)置有單獨(dú)的取電線圈，該取電線圈的設(shè)置會增大電路的難度和成本，該取電線圈還會影響智能卡與讀寫器的通信。如果取電電路與智能卡共用線圈，由于智能卡芯片會分?jǐn)偩€圈的一部分電能，無法獲得最佳取電效率。

為了解決上述問題，本實(shí)施例提供一種電子設(shè)備80，如圖7所示，包括：線圈801、切換裝置802、具有非接觸功能的芯片803；具體的實(shí)施方式中，該電子設(shè)備可以為一張智能卡，該智能卡可以帶有顯示、按鍵輸入等功能，同時，該智能卡中還可以包括安全芯片，安全芯片可以用于完成電子簽名、簽名驗(yàn)證、動態(tài)密碼生成和驗(yàn)證等功能；該智能卡可以通過無線方式(射頻、NFC等)與讀寫器(POS機(jī)、NFC手機(jī)等)進(jìn)行通信；線圈801可以是射頻線圈或NFC線圈等，利用該線圈801，電子設(shè)備80可以與讀寫器的線圈連接，從而實(shí)現(xiàn)與讀寫器的通信或?yàn)殡娮釉O(shè)備80供電；該智能卡芯片工作在13.56MHz，該線圈是符合1443協(xié)議規(guī)定頻率的線圈；在本實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方式中，具有非接觸功能的芯片803為符合1443協(xié)議規(guī)定的芯片，也可以是包含了非接觸接口和CPU的芯片，即，只要具有非接觸功能的芯片，均可以運(yùn)用到本發(fā)明中來；切換裝置802的具體結(jié)構(gòu)參見實(shí)施例8以及圖8和圖9，在一種可選的實(shí)施例中，切換裝置可以采用圖9中的MOS管來實(shí)現(xiàn)。由于MOS管的電阻小，在導(dǎo)通時即使該MOS管被串入到電子設(shè)備(智能卡)的具有非接觸功能的芯片的第一輸入端LA、第二輸入端LB的諧振電路之間，也不會影響電子設(shè)備與讀寫器設(shè)備或NFC手機(jī)的通信。

線圈801的第一輸出端與切換裝置802的第一端連接，線圈801的第二輸出端與切換裝置802的第二端連接；

切換裝置802的第三端與具有非接觸功能的芯片803的第一輸入端連接，切換裝置802的第四端與具有非接觸功能的芯片803的第二輸入端連接；

切換裝置802的第五端，用于接收工作電壓，使線圈801與具有非接觸功能的芯片803連通；切換裝置802的第六端，用于接收控制信號，根據(jù)控制信號控制線圈801與具有非接觸功能的芯片803的通斷。具體的實(shí)施方式中，該控制信號可以是電平信號，利用高低電平信號的變化來控制線圈801與具有非接觸功能的芯片803的通斷。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，切換裝置802的第六端，用于接收控制信號，根據(jù)控制信號控制線圈801與具有非接觸功能的芯片803的通斷，包括：切換裝置802的第六端，用于接收控制信號，控制信號為高電平時，線圈801與具有非接觸功能的芯片803斷開。具體的，切換裝置接收到高電平信號時，通過切換裝置內(nèi)部電平的轉(zhuǎn)換，利用切換裝置中的MOS管等器件控制線圈與具有非接觸功能的芯片的一條通路或者兩條通路斷開，從而斷開線圈與具有非接觸功能的芯片的連接；當(dāng)切換裝置接收到低電平信號或者沒有接收到電平信號時，切換裝置保持線圈與具有非接觸功能的芯片的至少一條通路連通，從而保持線圈與具有非接觸功能的芯片的連接。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，切換裝置802的第六端，用于接收控制信號，根據(jù)控制信號控制線圈801與具有非接觸功能的芯片803的通斷，包括：切換裝置802的第六端，用于接收控制信號，控制信號為低電平時，線圈801與具有非接觸功能的芯片803斷開。具體的，切換裝置接收到低電平信號或者沒有接收到電平信號時，通過切換裝置內(nèi)部電平的轉(zhuǎn)換，利用切換裝置中的MOS管等器件控制線圈與具有非接觸功能的芯片的一條通路或者兩條通路斷開，從而斷開線圈與具有非接觸功能的芯片的連接；當(dāng)切換裝置接收到高電平信號時，切換裝置保持線圈與具有非接觸功能的芯片的至少一條通路連通，從而保持線圈與具有非接觸功能的芯片的連接。

根據(jù)本實(shí)施例提供的電子設(shè)備，可以在將該電子設(shè)備連接到讀卡器時，通過電子設(shè)備的線圈獲取電能，并將電能分別傳輸?shù)骄哂蟹墙佑|功能的芯片，在為具有非接觸功能的芯片供電時，通過切換裝置可以控制具有非接觸功能的芯片與線圈的通斷，可以充分利用讀卡器線圈的場能量，防止了電能的浪費(fèi)。

此外，本發(fā)明的切換裝置不同于模擬開關(guān)，由于模擬開關(guān)在導(dǎo)通時有導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通的時候?qū)娮璐肓穗娮釉O(shè)備(智能卡)的具有非接觸功能的芯片的第一輸入端LA、第二輸入端LB的諧振電路之間，降低了智能卡線圈諧振Q值，從而影響電子設(shè)備與讀寫器設(shè)備或NFC手機(jī)的通信。而利用本發(fā)明的切換裝置，該切換裝置可以采用圖9中的MOS管來實(shí)現(xiàn)，由于MOS管的電阻小，在導(dǎo)通時即使該MOS管被串入到電子設(shè)備(智能卡)的具有非接觸功能的芯片的第一輸入端LA、第二輸入端LB的諧振電路之間，也不會影響電子設(shè)備與讀寫器設(shè)備或NFC手機(jī)的通信。可見，在能夠控制芯片和線圈通斷的同時，采用本發(fā)明的切換裝置可以避免采用模擬開關(guān)導(dǎo)致的對通信的影響。

在具體的實(shí)施方式中，切換裝置可以通過至少以下幾種方式接收工作電壓：

(1)當(dāng)電子設(shè)備中還包括一個整流裝置時，線圈還連接到整流裝置，該切換裝置的第五端可以與整流裝置的輸出端導(dǎo)通，整流裝置的輸出端輸出工作電壓；采用整流裝置的輸出端作為切換裝置的工作電壓，可以使得整流裝置的輸出端與切換裝置的工作電壓的電平變化處于同步狀態(tài)，保證該切換裝置的工作電壓不會影響接收具有非接觸功能的芯片的正常工作，且不會影響電子設(shè)備的工作距離；

(2)當(dāng)該電子設(shè)備還包括一個為切換裝置供電的電池時，切換裝置的第五端與電池的供電端連接，通過電池為切換裝置提供工作電壓；此時，以下以切換裝置采用NMOS管為例進(jìn)行說明，切換裝置的工作電壓可以為大于或等于整流裝置(如有)的輸出端輸出的電壓，特別的，工作電壓與整流裝置輸出的電壓的差大于等于預(yù)定值。優(yōu)選地，該預(yù)定值為整流裝置感應(yīng)的壓降(大于0V)，切換裝置的工作電壓可以為整流裝置(如有)的輸出端輸出的電壓+0.7V，以保證該切換裝置可以正常工作；當(dāng)然，切換裝置也可以采用PMOS管，工作電壓與整流裝置輸出端輸出的電壓需滿足的條件具體根據(jù)PMOS管的導(dǎo)通條件進(jìn)行設(shè)置， 這里不再贅述。如果切換裝置的工作電壓小于整流裝置輸出端的輸出電壓，則切換裝置在導(dǎo)通時會產(chǎn)生能量損失，導(dǎo)致電子設(shè)備(智能卡)的工作距離受到限制，縮短智能卡工作距離。當(dāng)然，該電池在為切換裝置供電的同時，還可以為電子設(shè)備的其他裝置和模塊供電。

在具體的實(shí)施方式中，切換裝置可以通過至少以下幾種方式接收控制信號：

(1)切換裝置802的第六端與具有非接觸功能的芯片803的控制端連接，接收具有非接觸功能的芯片803發(fā)送的控制信號。當(dāng)具有非接觸功能的芯片803為普通的IC卡芯片時，由該IC卡芯片發(fā)送控制信號至切換裝置，當(dāng)具有非接觸功能的芯片803為包含了非接觸接口和CPU的芯片，則由該芯片的CPU發(fā)送控制信號。

(2)電子設(shè)備還包括：中央控制單元MCU 804；切換裝置802的第六端與MCU 804的控制端連接，接收MCU 804發(fā)送的控制信號。當(dāng)電子設(shè)備中還包括有MCU時，可以利用MCU來向切換裝置發(fā)送控制信號，也可以由智能卡向MCU發(fā)送控制信號，再由MCU向切換裝置發(fā)送控制信號。

實(shí)施例8

圖8出示了本發(fā)明實(shí)施例提供的切換裝置的結(jié)構(gòu)框圖，圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個可選的切換裝置的結(jié)構(gòu)框圖，在該可選結(jié)構(gòu)中，切換裝置90包括：交流輸入端901、輸出端902、控制模塊903、第一通斷模塊904以及第二通斷模塊905；其中：

第一通斷模塊904，設(shè)置在交流輸入端901的第一端以及輸出端902的第一端之間，并配置成受控地處于導(dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)；第一通斷模塊904處于導(dǎo)通狀態(tài)下，導(dǎo)通交流輸入端901的第一端與輸出端902的第一端之間的第一通路，關(guān)斷交流輸入端901的第一端與輸出端902的第一端之間的第二通路；第一通斷模塊904處于關(guān)斷狀態(tài)下，關(guān)斷交流輸入端901的第一端與輸出端902的第一端的第一通路，導(dǎo)通交流輸入端901的第一端與輸出端902的第一端之間的第二通路；其中，第一通路可以為從交流輸入端901的第一端至輸出端902的第一端的通路，第二通路可以為從輸出端902的第一端至交流輸入端901的第一端的通路，反之亦然。

第二通斷模塊905，設(shè)置在交流輸入端901的第二端以及輸出端902的第二端之間，并配置成受控地處于導(dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)；第二通斷模塊905處于導(dǎo)通狀態(tài)下，導(dǎo)通交流輸入端901的第二端與輸出端902的第二端之間的第一通路，關(guān)斷交流輸入端901的第二端與輸出端902的第二端之間的第二通路；第二通斷模塊905處于關(guān)斷狀態(tài)下，關(guān)斷交流輸入端901的第二端與輸出端902的第二端的第一通路，導(dǎo)通交流輸入端901的第二端與輸出端902的第二端之間的第二通路；其中，第一通路可以為從交流輸入端901的第二端至輸出端902的第二端的通路，第二通路可以為從輸出端902的第二端至交流輸入端901的第二端的通路，反之亦然。

控制模塊903，設(shè)置在工作電壓與公共地之間，并配置成受控地處于導(dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)，控制模塊903處于導(dǎo)通狀態(tài)下，控制第一通斷模塊904和第二通斷模塊905進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，控制模塊903處于關(guān)斷狀態(tài)下，與交流輸入端901配合控制第一通斷模塊904和第二通斷模塊905中的一個進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。

其中，當(dāng)?shù)谝煌〝嗄K的第一通路或第二通路與第二通斷模塊的第三通路或第四通路的方向相反時，將會在交流輸入端和第三輸出端形成回路，信號才能夠在交流輸入端和第三輸出端之間傳輸。

由此可見，通過本發(fā)明實(shí)施例提供的切換裝置90，可以受控的保證實(shí)現(xiàn)交流輸入端901和輸出端902之間的通斷，同時還可以保證該切換裝置90在交流輸入端901和輸出端902分別連接外部裝置后，在切換裝置90內(nèi)部形成電流回路。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904可以包括第一可控開關(guān)以及第一續(xù)流導(dǎo)通器件，第一可控開關(guān)可以包括：第一可控開關(guān)的第一連接端，第一可控開關(guān)的第二連接端以及第一可控開關(guān)的控制端，第一續(xù)流導(dǎo)通器件連接在第一可控開關(guān)的第一連接端以及第一可控開關(guān)的第二連接端之間，且與第一可控開關(guān)導(dǎo)通方向相反；其中，第一可控開關(guān)的第一連接端配置成與交流輸入端901的第一端相連，第一可控開關(guān)的第二連接端配置成與輸出端902的第一端相連，第一可控開關(guān)的控制端配置成從控制模塊903接收控制信號，并在控制信號的控制下導(dǎo)通或關(guān)斷交流輸入端901的第一端與輸出端902的第一端之間的第一通路的連接，其中，第一通路可以為從交流輸入端901的第一端至輸出端902的第一端的通路，或者第一通路也可以為從輸出端902的第一端至交流輸入端901的第一端的通路。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊905可以包括第二可控開關(guān)以及第二續(xù)流導(dǎo)通器件，第二可控開關(guān)可以包括：第二可控開關(guān)的第一連接端，第二可控開關(guān)的第二連接端以及第二可控開關(guān)的控制端，第二續(xù)流導(dǎo)通器件連接在第二可控開關(guān)的第一連接端以及第二可控開關(guān)的第二連接端之間，且與第二可控開關(guān)導(dǎo)通方向相反；其中，第二可控開關(guān)的第一連接端配置成與交流輸入端901的第二端相連，第二可控開關(guān)的第二連接端配置成與輸出端902的第二端相連，第二可控開關(guān)的控制端配置成從控制模塊903接收控制信號，并在控制信號的控制下導(dǎo)通或關(guān)斷交流輸入端901的第二端與輸出端902的第二端之間的第一通路的連接，其中，第一通路可以為從交流輸入端901的第二端至輸出端902的第二端的通路，或者第一通路也可以為從輸出端902的第二端至交流輸入端901的第二端的通路。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904可以采用與第二通斷模塊905相同的可控開關(guān)，也可以采用與第二通斷模塊905不同的可控開關(guān)，可以采用與第二通斷模塊905相同的續(xù)流導(dǎo)通器件，也可以采用與第二通斷模塊905不同的續(xù)流導(dǎo)通器件，只要可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例中第一通斷模塊904與第二通斷模塊905的功能，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904可以包括：第一增強(qiáng)型MOS管(MOSFET管)，第二通斷模塊905可以包括：第二增強(qiáng)型MOS管(MOSFET管)。可選的，第一通斷模塊904與第二通斷模塊905至少之一采用增強(qiáng)型MOS管，增強(qiáng)型MOS管中寄生有二極管。采用增強(qiáng)型MOS管可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)的通斷功能，利用其等效電阻較小，可以減小對與切換裝置配合的其他部件的影響，并且節(jié)省成本提高電路可靠性。

本實(shí)施例中，可以選取N溝道或P溝道增強(qiáng)型MOS管。以下，以第一增強(qiáng)型MOS管和第二增強(qiáng)型MOS管為N溝道增強(qiáng)型MOS管為例進(jìn)行說明：

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，將第一增強(qiáng)型NMOS管的源極連接交流輸入端901的第一端，將漏極連接輸出端902的第一端，將柵極連接控制模塊903。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904除了包括第一增強(qiáng)型MOS管外，還可以包括第一偏置電阻R1，第一偏置電阻R1的一端連接第一增強(qiáng)型NMOS管的源極，另一端連接第一增強(qiáng) 型NMOS管的柵極。采用偏置電阻連接在第一增強(qiáng)型NMOS管的源極和柵極之間，可以確定使第一增強(qiáng)型MOS管可靠截止，保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904除了包括第一增強(qiáng)型MOS管外，還可以包括第一負(fù)載器件，其中，第一負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第一負(fù)載器件的另一端連接控制模塊903。采用負(fù)載部件連接第一增強(qiáng)型NMOS管和控制模塊，可以保證電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904可以包括第一增強(qiáng)型MOS管、第一負(fù)載器件和第一偏置電阻R1，將第一增強(qiáng)型NMOS管的源極連接交流輸入端901的第一端，將漏極連接輸出端902的第一端，將第一增強(qiáng)型NMOS管的柵極通過第一負(fù)載器件連接控制模塊903，即第一負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第一負(fù)載器件的另一端連接控制模塊903，第一偏置電阻R1的一端連接第一增強(qiáng)型NMOS管的源極，另一端連接第一增強(qiáng)型NMOS管的柵極。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一負(fù)載器件可以為電阻。當(dāng)?shù)谝黄秒娮鑂1的阻值較大時，對交流輸入端影響較小，此時第一負(fù)載部件可以采用電阻保證電路穩(wěn)定性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一負(fù)載器件也可以為第一單向?qū)ㄆ骷?，第一單向?qū)ㄆ骷妮敵龆俗鳛榈谝回?fù)載器件的一端連接第一增強(qiáng)型NMOS管的柵極，第一單向?qū)ㄆ骷妮斎攵俗鳛榈谝回?fù)載器件的另一端連接控制模塊903。當(dāng)?shù)谝黄秒娮鑂1的阻值較小時，對交流輸入端影響較大，此時第一負(fù)載部件可以采用單向?qū)ㄆ骷?，可以防止電路對交流輸入端的影響，提高電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一單向?qū)ㄆ骷梢圆捎枚O管或者三極管等任意具有單向?qū)üδ艿钠骷?shí)現(xiàn)。

當(dāng)然，作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904也可以采用P溝道MOS管，其連接關(guān)系根據(jù)MOS管的特性做適應(yīng)性修改即可。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，將第二增強(qiáng)型NMOS管的源極連接交流輸入端901的第二端，將漏極連接輸出端902的第二端，將柵極連接控制模塊903。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊904除了包括第二增強(qiáng)型MOS管外，還可以包括第二偏置電阻R1，第二偏置電阻R1的一端連接第二增強(qiáng)型NMOS管的源極，另一端連接第二增強(qiáng)型NMOS管的柵極。采用偏置電阻連接在第二增強(qiáng)型NMOS管的源極和柵極之間，可以確定使第二增強(qiáng)型MOS管可靠截止，保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊904除了包括第二增強(qiáng)型MOS管外，還可以包括第二負(fù)載器件，其中，第二負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第二負(fù)載器件的另一端連接控制模塊903。采用負(fù)載部件連接第二增強(qiáng)型NMOS管和控制模塊，可以保證電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊904可以包括第二增強(qiáng)型MOS管、第二負(fù)載器件和第二偏置電阻R1，將第二增強(qiáng)型NMOS管的源極連接交流輸入端901的第二端，將漏極連接輸出端902的第二端，將第二增強(qiáng)型NMOS管的柵極通過第二負(fù)載器件連接控制模塊903，即第二負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第二負(fù)載器件的另一端連接控制模塊903，第二偏置電阻R1的一端連接第二增強(qiáng)型NMOS管的源極，另一端連接第二增強(qiáng)型NMOS管的柵極。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二負(fù)載器件可以為電阻。當(dāng)?shù)诙秒娮鑂1的阻值較大 時，對交流輸入端影響較小，此時第二負(fù)載部件可以采用電阻保證電路穩(wěn)定性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二負(fù)載器件也可以為第二單向?qū)ㄆ骷?，第二單向?qū)ㄆ骷妮敵龆俗鳛榈诙?fù)載器件的一端連接第二增強(qiáng)型NMOS管的柵極，第二單向?qū)ㄆ骷妮斎攵俗鳛榈诙?fù)載器件的另一端連接控制模塊903。當(dāng)?shù)诙秒娮鑂1的阻值較小時，對交流輸入端影響較大，此時第二負(fù)載部件可以采用單向?qū)ㄆ骷?，可以防止電路對交流輸入端的影響，提高電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二單向?qū)ㄆ骷梢圆捎枚O管或者三極管等任意具有單向?qū)üδ艿钠骷?shí)現(xiàn)。

當(dāng)然，作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊904也可以采用P溝道MOS管，其連接關(guān)系根據(jù)MOS管的特性做適應(yīng)性修改即可。

作為本發(fā)明實(shí)施例的另一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904包括第一可控開關(guān)和第一續(xù)流導(dǎo)通器件，第二通斷模塊905包括第二可控開關(guān)和第二續(xù)流導(dǎo)通器件。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904包括第一可控開關(guān)和第一續(xù)流導(dǎo)通器件時，第一通斷模塊904可以采用第一MOS管組件實(shí)現(xiàn)，該第一MOS管組件可以包含一個作為第一可控開關(guān)的第一MOS管，一個作為第一續(xù)流導(dǎo)通器件的第一續(xù)流二極管，該第一續(xù)流二極管連接第一MOS管源極和漏極之間，采用第一MOS管組件可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)的通斷功能，利用其等效電阻較小，可以減小對與切換裝置配合的其他部件的影響，并且節(jié)省成本提高電路可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一MOS管組件可以選取N溝道MOS管組件，可以包括一個N溝道第一MOS管，一個輸入端連接N溝道MOS管源極、輸出端連接N溝道MOS(NMOS)管漏極的第一續(xù)流二極管。以下，以第一MOS管組件包括第一NMOS管和第一續(xù)流二極管為例進(jìn)行說明：

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，將第一NMOS管的源極作為第一可控開關(guān)的第一連接端，連接交流輸入端901的第一端，將漏極作為第一可控開關(guān)的第二連接端，連接輸出端902的第一端，將柵極作為第一可控開關(guān)的控制端連接控制模塊903。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一可控開關(guān)除了包括第一MOS管組件外，還可以包括第一偏置電阻R1，將第一NMOS管的源極作為第一可控開關(guān)的第一連接端，連接交流輸入端901的第一端，將漏極作為第一可控開關(guān)的第二連接端，連接輸出端902的第一端，將柵極作為第一可控開關(guān)的控制端連接控制模塊903，第一偏置電阻R1的一端連接第一NMOS管的源極，另一端連接第一NMOS管的柵極。采用偏置電阻連接在第一NMOS管的源極和柵極之間，可以確定使第一MOS管組件中的第一NMOS管可靠截止，保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一可控開關(guān)除了包括第一MOS管組件外，還可以包括第一負(fù)載器件，其中，將第一NMOS管的源極作為第一可控開關(guān)的第一連接端，連接交流輸入端901的第一端，將漏極作為第一可控開關(guān)的第二連接端，連接輸出端902的第一端，將第一NMOS管的柵極通過第一負(fù)載器件連接控制模塊903，即第一負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第一負(fù)載器件的另一端作為第一可控開關(guān)的控制端，連接控制模塊903。采用負(fù)載部件連接第一NMOS管和控制模塊，可以保證電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一可控開關(guān)可以包括第一MOS管組件、第一負(fù)載器件和第一偏置電阻R1，將第一NMOS管的源極作為第一可控開關(guān)的第一連接端，連接交流輸入端901的第一端，將漏極作為第一可控開關(guān)的第二連接端，連接輸出端902的第一端，將第一NMOS管的柵極通過第一負(fù)載器件連接控制模塊903，即第一負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第一負(fù)載器件的另一端作為第一可控開關(guān)的控制端，連接控制模塊903，第一偏置電阻R1的一端連接第一NMOS管的源極，另一端連接第一NMOS管的柵極。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一負(fù)載器件可以為電阻。當(dāng)?shù)谝黄秒娮鑂1的阻值較大時，對交流輸入端影響較小，此時第一負(fù)載部件可以采用電阻保證電路穩(wěn)定性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一負(fù)載器件也可以為第一單向?qū)ㄆ骷谝粏蜗驅(qū)ㄆ骷妮敵龆俗鳛榈谝回?fù)載器件的一端連接第一NMOS管的柵極，第一單向?qū)ㄆ骷妮斎攵俗鳛榈谝回?fù)載器件的另一端連接控制模塊903。當(dāng)?shù)谝黄秒娮鑂1的阻值較小時，對交流輸入端影響較大，此時第一負(fù)載部件可以采用單向?qū)ㄆ骷梢苑乐闺娐穼涣鬏斎攵说挠绊?，提高電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一單向?qū)ㄆ骷梢圆捎枚O管或者三極管等任意具有單向?qū)üδ艿钠骷?shí)現(xiàn)。

當(dāng)然，作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904也可以采用P溝道MOS管組件，其連接關(guān)系根據(jù)MOS管組件的特性做適應(yīng)性修改即可。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一MOS管(包括第一NMOS管和第一PMOS管)可采用結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊905包括第二可控開關(guān)和第二續(xù)流導(dǎo)通器件時，第二通斷模塊905可以采用第二MOS管組件實(shí)現(xiàn)，該第二MOS管組件可以包含一個作為第二可控開關(guān)的第二MOS管，一個作為第二續(xù)流導(dǎo)通器件的第二續(xù)流二極管，該第二續(xù)流二極管連接第二MOS管源極和漏極之間，采用第二MOS管組件可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)的通斷功能，利用其等效電阻較小，可以減小對與切換裝置配合的其他部件的影響，并且節(jié)省成本提高電路可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二MOS管組件可以選取N溝道MOS管組件，可以包括一個N溝道第二MOS管，一個輸入端連接N溝道第二MOS管源極、輸出端連接N溝道MOS(NMOS)管漏極的第二續(xù)流二極管。以下，以第二MOS管組件包括第二NMOS管和第二續(xù)流二極管為例進(jìn)行說明：

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，將第二NMOS管的源極作為第二可控開關(guān)的第一連接端，連接交流輸入端901的第二端，將漏極作為第二可控開關(guān)的第二連接端，連接輸出端902的第二端，將柵極作為第二可控開關(guān)的控制端連接控制模塊903。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二可控開關(guān)除了包括第二MOS管組件外，還可以包括第二偏置電阻R2，將第二NMOS管的源極作為第二可控開關(guān)的第一連接端，連接交流輸入端901的第二端，將漏極作為第二可控開關(guān)的第二連接端，連接輸出端902的第二端，將柵極作為第二可控開關(guān)的控制端連接控制模塊903，第二偏置電阻R2的一端連接第二NMOS管的源極，另一端連接第二NMOS管的柵極。采用偏置電阻連接在第二NMOS管的源極和柵極之間，可以確定使第二MOS管組件中的第二NMOS管可靠截止，保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二可控開關(guān)除了包括第二MOS管組件外，還可以包括第二負(fù)載器件，其中，將第二NMOS管的源極作為第二可控開關(guān)的第一連接端，連接交流輸入端901的第二端，將漏極作為第二可控開關(guān)的第二連接端，連接輸出端902的第二端，將第二NMOS管的柵極通過第二負(fù)載器件連接控制模塊903，即第二負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第二負(fù)載器件的另一端作為第二可控開關(guān)的控制端，連接控制模塊903。采用負(fù)載部件連接第二NMOS管和控制模塊，可以保證電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二可控開關(guān)可以包括第二MOS管組件、第二負(fù)載器件和第二偏置電阻R2，將第二NMOS管的源極作為第二可控開關(guān)的第一連接端，連接交流輸入端901的第二端，將漏極作為第二可控開關(guān)的第二連接端，連接輸出端902的第二端，將第二NMOS管的柵極通過第二負(fù)載器件連接控制模塊903，即第二負(fù)載器件的一端連接?xùn)艠O，第二負(fù)載器件的另一端作為第二可控開關(guān)的控制端，連接控制模塊903，第二偏置電阻R2的一端連接第二NMOS管的源極，另一端連接第二NMOS管的柵極。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二負(fù)載器件可以為電阻。當(dāng)?shù)诙秒娮鑂2的阻值較大時，對交流輸入端影響較小，此時第二負(fù)載部件可以采用電阻保證電路穩(wěn)定性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二負(fù)載器件也可以為第二單向?qū)ㄆ骷?，第二單向?qū)ㄆ骷妮敵龆俗鳛榈诙?fù)載器件的一端連接第二NMOS管的柵極，第二單向?qū)ㄆ骷妮斎攵俗鳛榈诙?fù)載器件的另一端連接控制模塊903。當(dāng)?shù)诙秒娮鑂2的阻值較小時，對交流輸入端影響較大，此時第二負(fù)載部件可以采用單向?qū)ㄆ骷?，可以防止電路對交流輸入端的影響，提高電路穩(wěn)定性和可靠性。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二單向?qū)ㄆ骷梢圆捎枚O管或者三極管等任意具有單向?qū)üδ艿钠骷?shí)現(xiàn)。

當(dāng)然，作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二通斷模塊905也可以采用P溝道MOS管組件，其連接關(guān)系根據(jù)MOS管組件的特性做適應(yīng)性修改即可。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第二MOS管(包括第二NMOS管和第二PMOS管)可采用結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，第一通斷模塊904還可以選取P溝道MOS管組件，第二通斷模塊905也可以選取P溝道MOS管組件，當(dāng)然，第一通斷模塊904與第二通斷模塊905可以選擇不同種類的MOS管組件，例如第一通斷模塊904采用N溝道MOS管組件，第二通斷模塊905采用P溝道MOS管組件等，只要可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例中第一通斷模塊904與第二通斷模塊905的功能的可控開關(guān)，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，控制模塊903也可以為第三可控開關(guān)，第三可控開關(guān)可以包括：第三可控開關(guān)的第一連接端，第三可控開關(guān)的第二連接端以及第三可控開關(guān)的控制端；其中，第三可控開關(guān)的第一連接端配置成與工作電壓相連，第三可控開關(guān)的第二連接端配置成與公共地相連，第三可控開關(guān)的控制端配置成從外部接收控制信號，并在控制信號的控制下導(dǎo)通或關(guān)斷，同時，第三可控開關(guān)的第 一連接端還可以配置成與第一通斷模塊904的控制端和第二通斷模塊905的控制端相連，并在控制模塊903處于導(dǎo)通狀態(tài)下，控制第一通斷模塊904和第二通斷模塊905進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，在控制模塊903處于關(guān)斷狀態(tài)下，與交流輸入端901配合控制第一通斷模塊904和第二通斷模塊905中的一個進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。

作為本發(fā)明實(shí)施例的一個可選實(shí)施方式，控制模塊903為第三可控開關(guān)時，可以包括第三MOS管，此時，第三可控開關(guān)還可以包括第三偏置電阻R3，以提供向第一MOS管和/或第二MOS管提供偏置電壓，以及限制第三MOS管導(dǎo)通時的電流。作為本發(fā)明的一個可選實(shí)施方式，第三MOS管組件可以選取N溝道MOS管組件，將漏極作為第三可控開關(guān)的第一連接端，通過第三偏置電阻R3連接工作電壓，即漏極連接第三偏置電阻R3的一端，第三偏置電阻R3的另一端連接工作電壓，將源極作為第三可控開關(guān)的第二連接端，連接公共地，將柵極作為控制端，接收外部的控制信號。當(dāng)然，控制模塊903也可以采用P溝道MOS管組件，其連接關(guān)系根據(jù)MOS管組件的特性做適應(yīng)性修改即可。

本實(shí)施例中，第三MOS管可以選用結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)或增強(qiáng)型MOS管，本實(shí)施例不做限制。

以下，針對本發(fā)明提供的切換裝置進(jìn)行示例說明，圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個可選的切換裝置的電路原理圖，在該可選電路原理圖中，第一通斷模塊904包括作為第一MOS管組件的第一N溝道MOS管(結(jié)型場效應(yīng)管JFET)Q1和第一續(xù)流二極管E1、作為第一單向?qū)ㄆ骷牡谝欢O管D1、以及第一偏置電阻R1，第二通斷模塊905包括作為第二MOS管組件的第二N溝道MOS管Q2和第二續(xù)流二極管E2、作為第二單向?qū)ㄆ骷牡诙O管D2、以及第二偏置電阻R2，控制模塊903包括第三N溝道MOS管Q3以及第三偏置電阻R3；其中，交流輸入端901的第一端連接第一N溝道MOS管Q1的源極，第一N溝道MOS管Q1的漏極連接輸出端902的第一端，第一N溝道MOS管Q1的源極與柵極之間連接第一偏置電阻R1，第一N溝道MOS管Q1的柵極連接第一二極管D1的輸出端902，第一二極管D1的輸入端連接第三N溝道MOS管Q3的漏極，第一續(xù)流二極管E1的輸入端連接第一N溝道MOS管Q1的源極，第一續(xù)流二極管E1的輸出端連接第一N溝道MOS管Q1的漏極；交流輸入端901的第二端連接第二N溝道MOS管Q2的源極，第二N溝道MOS管Q2的漏極連接輸出端902的第一端，第二N溝道MOS管Q2的源極與柵極之間連接第二偏置電阻R2，第二N溝道MOS管Q2的柵極連接第二二極管D2的輸出端902，第二二極管D2的輸入端連接第三N溝道MOS管Q3的漏極，第二續(xù)流二極管E2的輸入端連接第二N溝道MOS管Q2的源極，第二續(xù)流二極管E2的輸出端連接第二N溝道MOS管Q2的漏極；第三N溝道MOS管Q3的漏極通過第三偏置電阻R3連接工作電壓，第三N溝道MOS管Q3的源極連接公共地，第三N溝道MOS管Q3的柵極連接外部控制端，接收外部的控制信號。其中，N溝道MOS管組件可以采用但不局限于如下型號：2N7002，F(xiàn)DV301，F(xiàn)DV303等，以上型號中，除了包含MOS管外，均包含續(xù)流二極管，當(dāng)然，還可以包括保護(hù)二極管等，在此不再詳述；二極管可以采用但不局限于如下型號：BAR43，BAR54，BAR46，BAR50等。另外，第一偏置電阻R1和第二偏置電阻R2的阻值可以根據(jù)需求進(jìn)行選擇，第三偏置電阻R3的阻值也可以根據(jù)需求進(jìn)行選擇，在此不再贅述。其中，第一偏置電阻R1和第二偏置電阻R2可以為大于等于第三偏置電阻R3十倍的阻值。例如：第一偏置電阻R1的阻值可以為10kΩ至10MΩ，優(yōu)選的可以為100kΩ至9MΩ，優(yōu)選為1MΩ至5MΩ；第三偏置電阻R3的阻值可以為1kΩ至1MΩ，優(yōu)選的可以為10kΩ至900kΩ，優(yōu)選為100kΩ至500kΩ。

以下，以交流輸入端901的第一端為高電平，交流輸入端901的第二端為低電平，在切換裝置的交流 輸入端連接第一外部裝置，輸出端連接第二外部裝置時為例，對本發(fā)明提供的切換裝置90的工作原理進(jìn)行簡單說明：初始態(tài)時，第一N溝道MOS管Q1的柵極與第二N溝道MOS管Q2的柵極分別通過二極管D1和二極管D2連接至VCC，處為高電平，當(dāng)外部控制端輸出的控制信號為低電平或沒有電平信號時，第三N溝道MOS管Q3處于截止?fàn)顟B(tài)，此時，第一N溝道MOS管Q1的柵極與第二N溝道MOS管Q2的柵極處為高電平，由于交流輸入端901的第一端為高電平，交流輸入端901的第二端為低電平，因此第一N溝道MOS管Q1為截止?fàn)顟B(tài)，第一續(xù)流二極管E1導(dǎo)通，第二N溝道MOS管Q2為導(dǎo)通狀態(tài)，此時，第一外部裝置可以通過交流輸入端901向連接輸出端902的第二外部裝置輸出交流信號，即電流的流向?yàn)椋旱谝煌獠吭O(shè)備……>交流輸入端901的第一端……>第一續(xù)流二極管E1……>輸出端902的第一端……>第二外部設(shè)備……>輸出端902的第二端……>第二N溝道MOS管Q2……>交流輸入端901的第二端……>第一外部設(shè)備。當(dāng)外部控制端輸出的控制信號為高電平時，第三N溝道MOS管Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時，第一N溝道MOS管Q1的柵極與第二N溝道MOS管Q2的柵極處為低電平，由于交流輸入端901的第一端為高電平，交流輸入端901的第二端為低電平，因此第一N溝道MOS管Q1為截止?fàn)顟B(tài)，第二N溝道MOS管Q2也為截止?fàn)顟B(tài)，此時，交流輸入端901與輸出端902之間斷開連接，第一外部裝置以及第二外部裝置之間無法實(shí)現(xiàn)信號傳輸。

當(dāng)然，如果交流輸入端901的第一端為低電平，交流輸入端901的第二端為高電平時，原理與上述原理相同，在此不再贅述。

實(shí)施例9

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種具體的切換裝置示例，如圖10所示，圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種可選的切換裝置的電路原理圖。

本實(shí)施例提供的切換裝置與實(shí)施例8圖9所示的切換裝置的區(qū)別在于：將第一通斷模塊904中的第一MOS管組件(第一N溝道MOS管(結(jié)型場效應(yīng)管JFET)Q1和第一續(xù)流二極管E1)替換為第一增強(qiáng)型MOS管Q1’，將第二通斷模塊904中的第二MOS管組件(第二N溝道MOS管(結(jié)型場效應(yīng)管JFET)Q2和第二續(xù)流二極管E2)替換為第二增強(qiáng)型MOS管Q2’，增強(qiáng)型MOS管內(nèi)部寄生有寄生二極管，該寄生二極管的作用與續(xù)流二極管的作用相同，其導(dǎo)通方向與MOS管的導(dǎo)通方向相反。具體電路連接關(guān)系見圖10，其他元件與圖9的相同，具體參見圖9部分的描述。

以下，以交流輸入端901的第一端為高電平，交流輸入端901的第二端為低電平，在切換裝置的交流輸入端連接第一外部裝置，輸出端連接第二外部裝置時為例，對本實(shí)施例提供的切換裝置90(如圖10所示)的工作原理進(jìn)行簡單說明：初始態(tài)時，第一增強(qiáng)型MOS管Q1’的柵極與第二增強(qiáng)型MOS管Q2’的柵極分別通過二極管D1和二極管D2連接至VCC，處為高電平，當(dāng)外部控制端輸出的控制信號為低電平或沒有電平信號時，第三N溝道MOS管Q3處于截止?fàn)顟B(tài)，此時，第一增強(qiáng)型MOS管Q1’的柵極與第二增強(qiáng)型MOS管Q2’的柵極處為高電平，由于交流輸入端901的第一端為高電平，交流輸入端901的第二端為低電平，因此第一增強(qiáng)型MOS管Q1’內(nèi)部的寄生二極管導(dǎo)通，即Q1’反向?qū)?，第二增?qiáng)型MOS管Q2’為導(dǎo)通狀態(tài)，此時，第一外部裝置可以通過交流輸入端901向連接輸出端902的第二外部裝置輸出交流信號，即電流的流向?yàn)椋旱谝煌獠吭O(shè)備……>交流輸入端901的第一端……>第一增強(qiáng)型MOS管 Q1’……>輸出端902的第一端……>第二外部設(shè)備……>輸出端902的第二端……>第二增強(qiáng)型MOS管Q2’……>交流輸入端901的第二端……>第一外部設(shè)備。當(dāng)外部控制端輸出的控制信號為高電平時，第三N溝道MOS管Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時，第一增強(qiáng)型MOS管Q1’的柵極與第二增強(qiáng)型MOS管Q2’的柵極處為低電平，由于交流輸入端901的第一端為高電平，交流輸入端901的第二端為低電平，因此第一增強(qiáng)型MOS管Q1’為截止?fàn)顟B(tài)，第二增強(qiáng)型MOS管Q2’也為截止?fàn)顟B(tài)，此時，交流輸入端901與輸出端902之間斷開連接，第一外部裝置以及第二外部裝置之間無法實(shí)現(xiàn)信號傳輸。

當(dāng)然，如果交流輸入端901的第一端為低電平，交流輸入端901的第二端為高電平時，原理與上述原理相同，在此不再贅述。

實(shí)施例10

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種電子設(shè)備20。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備20包括：線圈201、具有非接觸功能的芯片202，還包括整流裝置203和切換裝置204。圖11提供了一種本實(shí)施例的電子設(shè)備的電路原理圖。其中，整流裝置203采用如圖3所示的二極管橋式整流電路，具體描述參見對圖3的描述；切換裝置204采用實(shí)施例8中的切換裝置，具體電路參見圖9，具有非接觸功能的芯片內(nèi)部也具有整流電路，作為一種可選的方式，該整流電路采用與圖3類似的二級管整流橋，該二級管整流橋的IA端與線圈的第一輸入端A連接，該二級管整流橋的IB端與線圈的第二輸入端B連接，該二級管整流橋的IC端為供電端VCC，該二級管整流橋的ID端接地，在供電端與地直接接入濾波電容，用于濾波。

線圈的第一輸出端B與切換裝置204的交流輸入端的第一端TB端連接，線圈的第二輸出端A與切換裝置204的交流輸入端的第二端TA端連接，切換裝置204的輸出端的第一端HB端與芯片202的輸入端LB端連接,切換裝置204的輸出端的第二端HA端與芯片202的輸入端LA端連接，切換裝置204的HC端接收控制信號，NFC_SW為控制信號。如圖11所示，切換裝置202包括：第一N溝道MOS管Q1、第二N溝道MOS管Q2、第三N溝道MOS管Q3，續(xù)流二級管E1、E2，偏置電阻R1、R2、R3，二極管D1、D2，切換裝置的元器件具體連接以及電路原理可以參見實(shí)施例8中對圖9的描述。

以下，以線圈的第一輸出端A為高電平，線圈的第二輸出端B為低電平，對本發(fā)明提供的電子設(shè)備20的工作原理進(jìn)行簡單說明：：初始態(tài)時，第一N溝道MOS管Q1的柵極與第二N溝道MOS管Q2的柵極分別通過二極管D1和二極管D2連接至VCC，處為高電平，當(dāng)外部控制端HC輸出的控制信號為低電平或沒有電平信號時，第三N溝道MOS管Q3處于截止?fàn)顟B(tài)，此時，第一N溝道MOS管Q1的柵極與第二N溝道MOS管Q2的柵極處為高電平，由于TB為高電平，TA為低電平，因此第一N溝道MOS管Q1為截止?fàn)顟B(tài)，第一續(xù)流二極管E1導(dǎo)通，第二N溝道MOS管Q2為導(dǎo)通狀態(tài)，此時，線圈201可以通過切換裝置204的TB和TA向芯片202輸出交流信號，即電流的流向?yàn)椋壕€圈201的A……>TB……>第一續(xù)流二極管E1……>HB……>芯片202……>HA……>第二N溝道MOS管Q2……>TA……>線圈201的B。當(dāng)外部控制端HC輸出的控制信號NFC_SW為高電平時，第三N溝道MOS管Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時，第一N溝道MOS管Q1的柵極與第二N溝道MOS管Q2的柵極處為低電平，由于切換裝置204的交流輸入端的第一端TB端為高電平，切換裝置204的交流輸入端的第二端TA端為低電平，因此第一N溝道 MOS管Q1為截止?fàn)顟B(tài)，第二N溝道MOS管Q2也為截止?fàn)顟B(tài)，此時，TB與LB之間斷開連接，TA與LA之間斷開連接，線圈201以及芯片202之間無法實(shí)現(xiàn)信號傳輸。

當(dāng)然，如果線圈的第一輸出端B為低電平，線圈的第二輸出端A為高電平，原理與上述原理相同，在此不再贅述。

本實(shí)施例中，當(dāng)TB與LB之間斷開連接，TA與LA之間斷開連接，線圈201以及芯片202之間無法實(shí)現(xiàn)信號傳輸，芯片202內(nèi)部不消耗場能量，因此可以有效提高整流裝置的負(fù)載輸出能力。

實(shí)施例11

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種電子設(shè)備20。如圖12所示，圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種可選的電子設(shè)備的電路原理圖。

本實(shí)施例與實(shí)施例10中的區(qū)別在于：替換了實(shí)施例10中的切換裝置，將實(shí)施例10中的切換裝置中的第一N溝道MOS管(結(jié)型場效應(yīng)管JFET)Q1和續(xù)流二極管E1替換為第一增強(qiáng)型MOS管Q1’，將切換裝置中的第二N溝道MOS管(結(jié)型場效應(yīng)管JFET)Q2和第二續(xù)流二極管E2)替換為第二增強(qiáng)型MOS管Q2’，增強(qiáng)型MOS管內(nèi)部寄生有寄生二極管，該寄生二極管的作用與續(xù)流二極管的作用相同，其導(dǎo)通方向與MOS管的導(dǎo)通方向相反。具體電路連接關(guān)系見圖12，其他器元件與實(shí)施10相同，具體參見實(shí)施例10中對圖11的描述。

以下，以線圈的第一輸出端A為高電平，線圈的第二輸出端B為低電平，對本發(fā)明提供的電子設(shè)備20的工作原理進(jìn)行簡單說明：：初始態(tài)時，第一增強(qiáng)型MOS管Q1’的柵極與第二增強(qiáng)型MOS管Q2’的柵極分別通過二極管D1和二極管D2連接至VCC，處為高電平，當(dāng)外部控制端HC輸出的控制信號為低電平或沒有電平信號時，第三N溝道MOS管Q3處于截止?fàn)顟B(tài)，此時，第一增強(qiáng)型MOS管Q1’的柵極與第二增強(qiáng)型MOS管Q2’的柵極處為高電平，由于TB為高電平，TA為低電平，因此第一增強(qiáng)型MOS管Q1’內(nèi)部的寄生二極管反向?qū)ǎ碤1’反向?qū)?，第二增?qiáng)型MOS管Q2’為導(dǎo)通狀態(tài)，此時，線圈201可以通過切換裝置204的TB和TA向芯片202輸出交流信號，即電流的流向?yàn)椋壕€圈201的A……>TB……>第一增強(qiáng)型MOS管Q1’……>HB……>芯片202……>HA……>第二增強(qiáng)型MOS管Q2’……>TA……>線圈201的B。當(dāng)外部控制端HC輸出的控制信號NFC_SW為高電平時，第三N溝道MOS管Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時，第一增強(qiáng)型MOS管Q1’的柵極與第二增強(qiáng)型MOS管Q2’的柵極處為低電平，由于切換裝置204的交流輸入端的第一端TB端為高電平，切換裝置204的交流輸入端的第二端TA端為低電平，因此第一增強(qiáng)型MOS管Q1’為截止?fàn)顟B(tài)，第二增強(qiáng)型MOS管Q2’也為截止?fàn)顟B(tài)，此時，TB與LB之間斷開連接，TA與LA之間斷開連接，線圈201以及芯片202之間無法實(shí)現(xiàn)信號傳輸。

當(dāng)然，如果線圈的第一輸出端B為低電平，線圈的第二輸出端A為高電平，原理與上述原理相同，在此不再贅述。

本實(shí)施例中，當(dāng)TB與LB之間斷開連接，TA與LA之間斷開連接，線圈201以及芯片202之間無法實(shí)現(xiàn)信號傳輸，芯片202內(nèi)部不消耗場能量，因此可以有效提高整流裝置的負(fù)載輸出能力。

在上述實(shí)施例1-11中，作為一種可選的實(shí)施方式，整流裝置的輸出端連接至電子設(shè)備中的需供電裝置。在本實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方式中，整流裝置的輸出端連接到該電子設(shè)備的其他需要供電的裝置， 如顯示屏、按鍵、安全芯片等，以維持電子設(shè)備其他需供電裝置的正常工作，而無需為其他需供電裝置再配備電能，節(jié)省了能量。

此外，電子設(shè)備還包括：電池裝置；電池裝置的一端與整流裝置的輸出端連接。在本實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方式中，為了更充分的利用電能，該電子設(shè)備還包括電池裝置，可以將整流裝置輸出的電能為電池裝置充電。

此外，電池裝置還包括充電控制電路以及充電電池，充電控制電路導(dǎo)通時，交流線圈為充電電池充電。在本實(shí)施例中的一種可選實(shí)施方式中，充電控制電路用于控制是否為充電電池充電，例如，充電控制電路可以是一個開關(guān)，通過控制開關(guān)的通斷來控制是否為充電電池充電，當(dāng)需要為充電電池充電時，連通開關(guān)，當(dāng)不需要為充電電池充電時，斷開開關(guān)。

此外，電池裝置的另一端連接至具有非接觸功能的芯片的供電端。具體的，該電池裝置還可以連接至具有非接觸功能的芯片，利用該電池裝置為具有非接觸功能的芯片供電，從而無需再為具有非接觸功能的芯片配備電池，以便具有非接觸功能的芯片在交流線圈斷開后也可以繼續(xù)工作。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例提供的電子設(shè)備在與其他設(shè)備進(jìn)行近場通訊的同時，還可以從電子設(shè)備的交流線圈中取電，可以供電子設(shè)備工作，或?qū)﹄娮釉O(shè)備內(nèi)置的電源進(jìn)行充電，從而提高電子設(shè)備的利用率，防止了電能的浪費(fèi)。在整流裝置與具有非接觸功能的芯片共用交流線圈時，在交流線圈與芯片處于連通狀態(tài)時，可以同時進(jìn)行通信和取電，在交流線圈與芯片處于關(guān)斷狀態(tài)時，可以提高整流裝置的取電效率。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例提供的電子設(shè)備，在整流裝置與具有非接觸功能的芯片共用線圈時，在線圈與芯片處于連通狀態(tài)時，電子設(shè)備在與其他設(shè)備進(jìn)行近場通訊(NFC通訊)的同時，還可以從電子設(shè)備的線圈中取電，可以供電子設(shè)備工作，或?qū)﹄娮釉O(shè)備內(nèi)置的電源進(jìn)行充電，從而可以同時進(jìn)行通信和取電，提高電子設(shè)備的利用率，防止了電能的浪費(fèi)。在線圈與芯片處于關(guān)斷狀態(tài)時，由于芯片不再耗電，從而可以使的整流裝置能夠最大限度的接收電能，向外供電，可以提高整流裝置的取電效率。此外，本實(shí)施例中，由于在線圈和芯片之間加入了切換裝置，解決了系統(tǒng)共地的問題，使得無法共地的整流裝置和芯片可以共地，電子設(shè)備可以正常工作。

流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括一個或更多個配置為實(shí)現(xiàn)特定邏輯功能或過程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部分，并且本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的范圍包括另外的實(shí)現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時的方式或按相反的順序，來執(zhí)行功能，這應(yīng)被本發(fā)明的實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。

應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來實(shí)現(xiàn)。在上述實(shí)施方式中，多個步驟或方法可以用存儲在存儲器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來實(shí)現(xiàn)。例如，如果用硬件來實(shí)現(xiàn)，和在另一實(shí)施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項(xiàng)或他們的組合來實(shí)現(xiàn)：具有配置為對數(shù)據(jù)信號實(shí)現(xiàn)邏輯功能的邏輯門電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門電路的專用集成電路，可編程門陣列(PGA)，現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等。

本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法攜帶的全部或部分步驟是可以通過程序來 指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，包括方法實(shí)施例的步驟之一或其組合。

此外，在本發(fā)明各個實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個處理模塊中，也可以是各個單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時，也可以存儲在一個計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中。

上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個或多個實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。