技術領域

本發(fā)明涉及指紋識別領域，尤其涉及一種新型指紋識別傳感器及其制造方法。

背景技術：

對于依據(jù)現(xiàn)有技術采用接觸發(fā)光元件的指紋識別傳感器來說，受光元件與內(nèi)置發(fā)光層的接觸發(fā)光元件是利用透明絕緣粘合劑相互粘合而成。在這種情況下，光線在受光元件與透明絕緣粘合劑的界面及接觸發(fā)光元件與透明絕緣粘合劑的界面就會發(fā)生散射，從而對相鄰像素產(chǎn)生影響。

除此之外，依據(jù)現(xiàn)有技術的指紋識別傳感器也包括采用圖像傳感器與接觸發(fā)光元件的類型及采用固體攝像器件的類型。但是，對于依據(jù)現(xiàn)有技術采用圖像傳感器與接觸發(fā)光元件的指紋識別傳感器來說,因制造手指寬的圖像傳感器會導致成本會上升，受沖擊容易破碎,而且不可能形成曲面， 采集側面部的指紋時，會造成指紋形狀失真。對于依據(jù)現(xiàn)有技術采用固體攝像器件的指紋識別傳感器來說，由于需要另行設置光學裝置，因此會導致其價格昂貴, 而且難以實現(xiàn)產(chǎn)品小型化。

技術實現(xiàn)要素：

根據(jù)以上技術問題，本發(fā)明提供一種新型指紋識別傳感器及其制造方法，一種新型指紋識別傳感器，其特征在于包括外殼、接觸發(fā)光元件、圖像傳感器、防水層，所述接觸發(fā)光元件、圖像傳感器、防水層安裝在外殼內(nèi)側，所述防水層安裝在接觸發(fā)光元件上，所述接觸發(fā)光元件下連接有圖像傳感器，所述圖像傳感器包括切換薄膜晶體管、存儲電容、傳感器薄膜晶體管，所述切換薄膜晶體管、存儲電容、傳感器薄膜晶體管依次連接，所述切換薄膜晶體管包括第三絕緣層、遮光層、第二絕緣層、切換源電極、切換漏電極、切換半導體層、第一絕緣層、切換柵電極、基板，所述基板上側安裝有切換柵電極，所述切換柵電極上連接有第一絕緣層，所述第一絕緣層上安裝有切換半導體層，所述切換半導體層兩側安裝有切換源電極、切換漏電極，所述切換半導體層上側為第二絕緣層，所述第二絕緣層上側為遮光層，所述遮光層上側包裹有第一絕緣層，所述存儲電容包括第三絕緣層、第二絕緣層、第二存儲電極、第一絕緣層、第一存儲電極、基板，所述基板上安裝有第一存儲電極、所述第一存儲電極上安裝有第一絕緣層，所述第一絕緣層上為第二存儲電極，所述第二存儲電極為第二絕緣層，所述第二絕緣層為第三絕緣層，所述傳感器薄膜晶體管包括第三絕緣層、第二絕緣層、傳感器源電極、傳感器漏電極、傳感器半導體層、第一絕緣層、傳感器柵電極、基板，所述基板上側連接有傳感器柵電極，所述傳感器柵電極上連接有第一絕緣層，所述第一絕緣層上側連接于傳感器半導體層，所述傳感器半導體層兩端連接有傳感器源電極和傳感器漏電極，所述傳感器半導體層上連接有第二絕緣層，所述第二絕緣層上連接有第三絕緣層。

所述存儲電容還包括設置在所述第二存儲電極上部的第三存儲電極以擴展存儲容量。

所述切換薄膜晶體管的柵電極處于打開狀態(tài)時就通過切換源電極釋放。

所述基板為玻璃或塑料。

一種指紋識別傳感器的制造方法，其特征在于包括以下幾個步驟：

(a)形成基板的步驟；

(b)在所述基板上設置帶有切換薄膜晶體管、存儲電容及傳感器薄膜晶體管的薄膜晶體管型圖像傳感器的步驟；

(c)在所述薄膜晶體管型圖像傳感器上設置接觸發(fā)光元件的步驟。

所述 (c)步驟就是沉積透明導電物質(zhì)。

所述透明導電物質(zhì)為ITO或SnO2。

本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明可以不使用固體攝像器件或CMOS等昂貴的不透明半導體而是在低廉的玻璃基板或塑料基板上設置指紋識別傳感器，從而能夠以低廉的成本制造出指紋識別傳感器。特別是，如果采用塑料基板，還可以形成曲面，因此可以防止指紋外圍的圖像失真，而且還能夠克服容易破碎的缺點。

本發(fā)明的指紋識別傳感器無需使用視窗，從而能夠制造出高分辨率的指紋識別裝置。另外,還無需另行設置光源，這樣不僅能夠降低電能消耗，而且還可以制造出更加輕薄短小的指紋識別裝置。本發(fā)明的指紋識別傳感器是通過沉積或涂布的方式直接在薄膜晶體管型圖像傳感器上設置接觸發(fā)光元件，因此可以減少制造工序，縮短制造工期。另外,可以在沒有光線散射的情況下直接對接觸發(fā)光元件產(chǎn)生的圖像信息進行判讀，從而獲取精確的圖像信息。本發(fā)明的指紋識別傳感器能夠充分存儲接觸發(fā)光元件產(chǎn)生的圖像信息，因此它也可用于大容量的圖像傳感器。

附圖說明

圖1為本發(fā)明結構示意圖。

圖2為本發(fā)明圖像傳感器結構示意圖。

如圖，外殼-1、接觸發(fā)光元件-2、圖像傳感器-3、防水層-4、切換薄膜晶體管-5、存儲電容-6、傳感器薄膜晶體管-7、第三絕緣層-8、遮光層-9、第二絕緣層-10、切換源電極-11、切換漏電極-12、切換半導體層-13、第一絕緣層-14、切換柵電極-15、基板-16、第二存儲電極-17、第一存儲電極-18、傳感器源電極-19、傳感器漏電極-20、傳感器半導體層-21、傳感器柵電極-22。

具體實施方式

根據(jù)圖1、圖2所示，對本發(fā)明進行進一步說明：

實施例1

本發(fā)明提供一種新型指紋識別傳感器及其制造方法，一種新型指紋識別傳感器，其特征在于包括外殼1、接觸發(fā)光元件2、圖像傳感器3、防水層4，接觸發(fā)光元件2、圖像傳感器3、防水層4安裝在外殼1內(nèi)側，防水層4安裝在接觸發(fā)光元件2上，接觸發(fā)光元件2下連接有圖像傳感器3，圖像傳感器3包括切換薄膜晶體管5、存儲電容6、傳感器薄膜晶體管7，切換薄膜晶體管5、存儲電容6、傳感器薄膜晶體管7依次連接，切換薄膜晶體管5包括第三絕緣層8、遮光層9、第二絕緣層10、切換源電極11、切換漏電極12、切換半導體層13、第一絕緣層14、切換柵電極15、基板16，基板16上側安裝有切換柵電極15，切換柵電極15上連接有第一絕緣層14，第一絕緣層14上安裝有切換半導體層13，切換半導體層13兩側安裝有切換源電極11、切換漏電極12，切換半導體層13上側為第二絕緣層10，第二絕緣層10上側為遮光層9，遮光層9上側包裹有第一絕緣層14，存儲電容6包括第三絕緣層8、第二絕緣層10、第二存儲電極17、第一絕緣層14、第一存儲電極18、基板16，基板16上安裝有第一存儲電極18、第一存儲電極18上安裝有第一絕緣層14，第一絕緣層14上為第二存儲電極17，第二存儲電極17為第二絕緣層10，第二絕緣層10為第三絕緣層8，傳感器薄膜晶體管7包括第三絕緣層8、第二絕緣層10、傳感器源電極19、傳感器漏電極20、傳感器半導體層21、第一絕緣層14、傳感器柵電極22、基板16，基板16上側連接有傳感器柵電極22，傳感器柵電極22上連接有第一絕緣層14，第一絕緣層14上側連接于傳感器半導體層21，傳感器半導體層21兩端連接有傳感器源電極19和傳感器漏電極20，傳感器半導體層21上連接有第二絕緣層10，第二絕緣層10上連接有第三絕緣層8。

實施例2

一種指紋識別傳感器的制造方法，其特征在于包括以下幾個步驟：

（a）形成基板16的步驟；

(b)在所述基板16上設置帶有切換薄膜晶體管5、存儲電容6及傳感器薄膜晶體管7的薄膜晶體管型圖像傳感器3的步驟；

(c)在所述薄膜晶體管型圖像傳感器3上設置接觸發(fā)光元件2的步驟。

實施例3

為了進行指紋識別，用戶按壓指紋識別傳感器的接觸發(fā)光元件2之后，就通過傳感器薄膜晶體管7接收從相關被攝物體(未圖示)受壓面?zhèn)鞒龅膱D像信息。當接觸發(fā)光元件2接觸到帶有凹凸面的被攝物體時,被攝物體的突出部產(chǎn)生白色光，凹陷部產(chǎn)生黑色光。同時，傳感器薄膜晶體管7的傳感器半導體層21檢測到所述圖像信息。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出的是，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進，這些改進也應視為本發(fā)明的保護范圍。