本發(fā)明是關(guān)于芯片互連裝置與芯片互連裝置的連接控制方法，尤其是關(guān)于超高速芯片互連裝置與超高速芯片互連裝置的連接控制方法。

背景技術(shù)：

超高速芯片互連(SuperSpeed Inter-Chip,SSIC)技術(shù)是由通用串行總線開發(fā)者論壇(USB-IF)所公布的開放性標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，具有低功耗與高傳輸速率等特性。

一般的SSIC裝置(SSIC Device)可以操作在以下四種模式底下以與SSIC主控端(SSIC Host)互連：

U0模式：U0模式是全速操作模式，在此模式下，SSIC裝置需處于能夠隨時(shí)進(jìn)行全速傳送與接收之狀態(tài)，因此在該四種模式中是耗功最多的模式。

U1模式：U1模式是快速回復(fù)模式，用來使SSIC裝置降低功耗并允許SSIC裝置快速地回到U0操作模式。

U2模式：U2模式是慢速回復(fù)模式，用來使SSIC裝置進(jìn)一步降低功耗并允許SSIC裝置較慢地回到U0操作模式。U2模式相較于U1模式來得省電。

U3模式：U3模式是種睡眠模式，用來使SSIC裝置達(dá)到該四種模式中最省電的狀態(tài)。

承上所述，U3模式雖然是四種模式中最省電的模式，但目前的SSIC裝置卻無法主動(dòng)進(jìn)入U(xiǎn)3模式，能否進(jìn)入U(xiǎn)3模式是由SSIC主控端來決定，因此即便SSIC裝置(例如SSIC讀卡裝置)處于未與外部對(duì)象(例如SSIC兼容記憶卡)連接的狀態(tài)或該外部對(duì)象無法被識(shí)別讀取，SSIC裝置仍無法主動(dòng)進(jìn)入U(xiǎn)3模式或主動(dòng)中止與SSIC主控端之間的傳收操作以節(jié)省功耗。請(qǐng)注意，所述SSIC裝置與SSIC主控端可以是一電子裝置(例如個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)裝置等)中的兩個(gè)部件(例如兩個(gè)芯片)，可設(shè)置于該電子裝置中的一電路板上而透過電路板的走線來達(dá)成電性連接，當(dāng)然也可設(shè)置于二電路板上再透過電路板間的連接接口而達(dá)成互連；另外，SSIC裝置與SSIC主控端也可能是兩個(gè)可相互連接及分離的部件，透過適當(dāng)?shù)慕涌谶B接在一起或分拆開來。

現(xiàn)有SSIC裝置與SSIC主控端的詳細(xì)介紹可見于下述規(guī)格書："Inter-Chip Supplement to the USB Revision 3.0Specification",Revision 1.01,February 11,2013。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于先前技術(shù)之不足，本發(fā)明之一目的在于提供一種超高速芯片互連裝置及一種超高速芯片互連裝置的連接控制方法，以改善先前技術(shù)。

本發(fā)明揭露一種超高速芯片互連(SuperSpeed Inter-Chip,SSIC)裝置，能夠主動(dòng)中斷與一SSIC主控端之間的一正常連接，該裝置之一實(shí)施例包含：一偵測(cè)電路、一控制電路與一移動(dòng)物理層電路。所述偵測(cè)電路用來執(zhí)行一第一偵測(cè)與一第二偵測(cè)中的至少一個(gè)，并據(jù)以產(chǎn)生一偵測(cè)結(jié)果，其中該第一偵測(cè)是用來偵測(cè)一SSIC兼容對(duì)象是否存在，該第二偵測(cè)是用來偵測(cè)該SSIC兼容對(duì)象是否符合一預(yù)設(shè)狀態(tài)，且該預(yù)設(shè)狀態(tài)包含一可中斷狀 態(tài)以及一可重新連接狀態(tài)中的至少一個(gè)。所述控制電路用來依據(jù)該偵測(cè)結(jié)果產(chǎn)生一控制信號(hào)。所述移動(dòng)物理層電路用來依據(jù)該控制信號(hào)執(zhí)行多個(gè)步驟中的至少一個(gè)，該多個(gè)步驟包含：當(dāng)該控制信號(hào)指出該SSIC兼容對(duì)象存在且符合該可中斷狀態(tài)，依據(jù)該控制信號(hào)主動(dòng)中斷與該SSIC主控端之間的該正常連接；以及當(dāng)該控制信號(hào)指出該SSIC兼容對(duì)象存在且符合該可重新連接狀態(tài)，依據(jù)該控制信號(hào)主動(dòng)重新與該SSIC主控端連接。

本發(fā)明另揭露一種超高速芯片互連裝置的連接控制方法，能夠允許一SSIC裝置主動(dòng)中斷與一SSIC主控端之間的一正常連接，該方法之一實(shí)施例包含：執(zhí)行一第一偵測(cè)與一第二偵測(cè)中的至少一個(gè)以產(chǎn)生一偵測(cè)結(jié)果，其中該第一偵測(cè)是用來偵測(cè)一SSIC兼容對(duì)象是否存在，該第二偵測(cè)是用來偵測(cè)該SSIC兼容對(duì)象是否符合一預(yù)設(shè)狀態(tài)，且該預(yù)設(shè)狀態(tài)包含一可中斷狀態(tài)以及一可重新連接狀態(tài)中的至少一個(gè)；依據(jù)該偵測(cè)結(jié)果產(chǎn)生一控制信號(hào)；以及依據(jù)該控制信號(hào)執(zhí)行多個(gè)步驟中的至少一個(gè)。所述多個(gè)步驟包含：當(dāng)該控制信號(hào)指出該SSIC兼容對(duì)象存在且符合該可中斷狀態(tài)，依據(jù)該控制信號(hào)令該SSIC裝置主動(dòng)中斷與該SSIC主控端之間的該正常連接；以及當(dāng)該控制信號(hào)指出該SSIC兼容對(duì)象存在且符合該可重新連接狀態(tài)，依據(jù)該控制信號(hào)令該SSIC裝置主動(dòng)與該SSIC主控端重新連接。

有關(guān)本發(fā)明的特征、構(gòu)造與功效，茲配合附圖作優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1為本發(fā)明之SSIC裝置之一實(shí)施例的示意圖；

圖2為本發(fā)明之SSIC連接控制方法之一實(shí)施例的示意圖；

圖3為本發(fā)明之SSIC連接控制方法之另一實(shí)施例的示意圖；以及

圖4為本發(fā)明之SSIC連接控制方法之又一實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下說明內(nèi)容之用語參照本技術(shù)領(lǐng)域之習(xí)慣用語，如本說明書對(duì)部分用語有加以說明或定義，該部分用語之解釋是以本說明書之說明或定義為準(zhǔn)。

本發(fā)明之揭露內(nèi)容包含超高速芯片互連(SuperSpeed Inter-Chip,SSIC)裝置與SSIC裝置的連接控制方法，能夠主動(dòng)中斷與SSIC主控端之間的正常連接以省電。在實(shí)施為可能的前提下，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠依本說明書之揭露選擇等效之組件來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。由于本發(fā)明之裝置之部分組件單獨(dú)而言可能為已知組件，在不影響該裝置之充分揭露及可實(shí)施性的前提下，以下說明對(duì)于個(gè)別已知組件的細(xì)節(jié)將予以節(jié)略。另外，本發(fā)明之方法可以是軟件及/或固件之形式，并可藉由本發(fā)明之裝置或其等效裝置來執(zhí)行，在符合揭露及可實(shí)施性要求的前提下，關(guān)于方法發(fā)明之說明將著重于步驟而非硬件。再者，只要實(shí)施為可能，實(shí)施本發(fā)明者可依本發(fā)明之揭露內(nèi)容及自身之需求選擇性地實(shí)施下述實(shí)施例中任一實(shí)施例之部分或全部技術(shù)特征，或者選擇性地實(shí)施多個(gè)實(shí)施例之部分或全部技術(shù)特征之組合，藉此增加本發(fā)明實(shí)施時(shí)的彈性。

請(qǐng)參閱圖1，其是本發(fā)明之SSIC裝置之一實(shí)施例的示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例之SSIC裝置100包含：一偵測(cè)電路110；一控制電路120；以及一移動(dòng)物理層(Mobile Physical Layer,M-PHY)電路130。所述偵測(cè)電路110用來執(zhí)行一第一偵測(cè)與一第二偵測(cè)中的至少一個(gè)，并據(jù)以產(chǎn)生一偵測(cè)結(jié)果，其中第一偵測(cè)例如是已知或自行開發(fā)的被動(dòng)式或主動(dòng)式的插接偵測(cè)，可偵測(cè)一SSIC兼容對(duì)象(SSIC Compatible Object)140是否存在；第二偵測(cè)例如是已知或自行開發(fā)的主動(dòng)式或被動(dòng)式測(cè)試技術(shù)，能夠透過信號(hào)的發(fā)送測(cè)試及/或信號(hào)的讀取比較來偵測(cè)SSIC兼容對(duì)象140是否符合一預(yù)設(shè)狀態(tài)，該預(yù)設(shè)狀態(tài)包含一可中斷狀態(tài)以及一可重新連接狀態(tài)中的至少一個(gè)。所述控制電路120可與該偵測(cè)電路110整合在一起或獨(dú)立于該偵測(cè)電路110之外，用來依據(jù)該偵測(cè)結(jié)果產(chǎn)生一控制信號(hào)。所述移動(dòng)物理層電 路130是一種高速序列物理層接口(High Speed Serial Physical Interface)，符合通用串行總線開發(fā)者論壇(USB-IF)的SSIC規(guī)范，用來依據(jù)該控制信號(hào)執(zhí)行多個(gè)步驟中的至少一個(gè)，該多個(gè)步驟包含：當(dāng)該控制信號(hào)指出SSIC兼容對(duì)象140存在且符合該可中斷狀態(tài)，依據(jù)該控制信號(hào)主動(dòng)中斷與一SSIC主控端(SSIC Host)150之間的正常連接；以及當(dāng)該控制信號(hào)指出SSIC兼容對(duì)象140存在且符合該可重新連接狀態(tài)，依據(jù)該控制信號(hào)主動(dòng)重新與SSIC主控端150連接。上述移動(dòng)物理層電路130、SSIC兼容對(duì)象140與SSIC主控端150之每一個(gè)的架構(gòu)單獨(dú)而言為已知。請(qǐng)注意，圖1中虛線用來表示未必存在的對(duì)象(例如SSIC兼容對(duì)象140)與未必存在的物理連接關(guān)系。

承上所述，該可中斷狀態(tài)的類型可能有一種或多種，舉例來說，該可中斷狀態(tài)包含一無法識(shí)別狀態(tài)、一未操作狀態(tài)以及一外部中斷狀態(tài)中的至少一個(gè)，其中無法識(shí)別狀態(tài)發(fā)生在SSIC兼容對(duì)象140(例如SSIC卡片閱讀機(jī)中的卡片或SSIC數(shù)據(jù)讀取裝置中的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存對(duì)象)無法被識(shí)別時(shí)；未操作狀態(tài)發(fā)生在SSIC兼容對(duì)象140(例如與SSIC集線器相連的對(duì)象)未與SSIC裝置100形成邏輯連接時(shí)，亦即SSIC兼容對(duì)象140無法被SSIC裝置100所發(fā)覺及/或使用時(shí)；外部中斷狀態(tài)發(fā)生在SSIC兼容對(duì)象140(例如SSIC攝影頭)經(jīng)由外力控制(例如經(jīng)由外力操控SSIC兼容對(duì)象140之按鈕或開關(guān))而被禁能時(shí)。當(dāng)該控制信號(hào)指出SSIC兼容對(duì)象140存在且符合該可中斷狀態(tài)時(shí)，SSIC裝置100是在與SSIC兼容對(duì)象140保持物理連接的情形下主動(dòng)中斷與SSIC主控端150之間的正常連接。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，在本裝置發(fā)明之一替代實(shí)施例中，移動(dòng)物理層電路130所執(zhí)行之多個(gè)步驟進(jìn)一步包含：當(dāng)該控制信號(hào)指出SSIC兼容對(duì)象140不存在時(shí)(例如SSIC卡片閱讀機(jī)中的卡片或SSIC數(shù)據(jù)讀取裝置中的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存對(duì)象被移除時(shí))，依據(jù)該控制信號(hào)主動(dòng)中斷與SSIC主控端150之間的正常連接。于本裝置發(fā)明之另一替代實(shí)施例中，控制電路120進(jìn)一步用來依據(jù)SSIC裝置100之當(dāng)前狀態(tài)產(chǎn)生該控制信號(hào)，且該多個(gè)步驟進(jìn)一步包 含：當(dāng)該控制信號(hào)指出SSIC裝置100的當(dāng)前狀態(tài)為一睡眠模式(例如SSIC規(guī)范所定義的U3模式)下的狀態(tài)且SSIC兼容對(duì)象140不存在時(shí)，依據(jù)該控制信號(hào)維持與SSIC主控端150之間的連接。在本裝置發(fā)明之又一替代實(shí)施例中，控制電路120同樣可用來依據(jù)SSIC裝置100之當(dāng)前狀態(tài)產(chǎn)生該控制信號(hào)，此時(shí)該多個(gè)步驟包含：當(dāng)該控制信號(hào)指出SSIC裝置100尚未與SSIC主控端150連接(例如SSIC裝置100剛通電時(shí))且SSIC兼容對(duì)象140不存在或符合該可中斷狀態(tài)時(shí)，依據(jù)該控制信號(hào)不建立與SSIC主控端150之間的連接。在本裝置發(fā)明之再一替代實(shí)施例中，前述被中斷的正常連接是下列模式下的連接的其中之一：一操作模式(例如SSIC規(guī)范所定義的U0模式)，用來使該SSIC裝置與該SSIC主控端執(zhí)行正常傳收作業(yè)；一第一省電模式(例如SSIC規(guī)范所定義的U1模式)，用來使該SSIC裝置降低功耗及/或允許該SSIC裝置于一第一時(shí)間內(nèi)回到該操作模式；以及一第二省電模式(例如SSIC規(guī)范所定義的U2模式)，用來使該SSIC裝置進(jìn)一步降低功耗及/或允許該SSIC裝置于一第二時(shí)間內(nèi)回到該操作模式，其中第二省電模式較第一省電模式來得省電及/或第二時(shí)間長于第一時(shí)間。于本裝置發(fā)明之再一替代實(shí)施例中，SSIC裝置100與SSIC主控端150共同包含于一SSIC系統(tǒng)裝置(例如桌上型或便攜計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話等等)中，且無論SSIC兼容對(duì)象140是否存在，SSIC裝置100與SSIC主控端150間的物理連接關(guān)系保持不變。

除上述SSIC裝置外，本發(fā)明另揭露一種超高速芯片互連裝置的連接控制方法。如圖2所示，該方法之一實(shí)施例包含：

步驟S210：執(zhí)行一第一偵測(cè)與一第二偵測(cè)中的至少一個(gè)以產(chǎn)生一偵測(cè)結(jié)果，其中該第一偵測(cè)是用來偵測(cè)一SSIC兼容對(duì)象是否存在，該第二偵測(cè)是用來偵測(cè)該SSIC兼容對(duì)象是否符合一預(yù)設(shè)狀態(tài)，且該預(yù)設(shè)狀態(tài)包含一可中斷狀態(tài)以及一可重新連接狀態(tài)中的至少一個(gè)。本步驟可由圖1之偵測(cè)電路110或其等效電路來執(zhí)行，且相關(guān)細(xì)節(jié)與實(shí)施變化已如前述。

步驟S220：依據(jù)該偵測(cè)結(jié)果產(chǎn)生一控制信號(hào)。本步驟可由圖1之控制電路120或其等效電路來執(zhí)行，且相關(guān)細(xì)節(jié)與實(shí)施變化已如前述。

步驟S230：依據(jù)該控制信號(hào)執(zhí)行多個(gè)步驟中的至少一個(gè)，該多個(gè)步驟包含：當(dāng)該控制信號(hào)指出該SSIC兼容對(duì)象存在且符合該可中斷狀態(tài)，依據(jù)該控制信號(hào)令一SSIC裝置主動(dòng)中斷與一SSIC主控端之間的該正常連接；以及當(dāng)該控制信號(hào)指出該SSIC兼容對(duì)象存在且符合該可重新連接狀態(tài)，依據(jù)該控制信號(hào)令該SSIC裝置主動(dòng)與該SSIC主控端重新連接。本步驟可由圖1之移動(dòng)物理層電路130或其等效電路來執(zhí)行，且相關(guān)細(xì)節(jié)與實(shí)施變化已如前述。

承上所述，于本方法發(fā)明之一替代實(shí)施例中，令SSIC裝置主動(dòng)中斷與SSIC主控端之間的正常連接之步驟是由該SSIC裝置之移動(dòng)物理層電路來執(zhí)行，并包含下列步驟如圖3所示：

步驟S310：令該SSIC裝置之移動(dòng)物理層電路之傳送電路發(fā)送一中斷要求。具體來說，本步驟需令該傳送電路發(fā)送第一差動(dòng)信號(hào)(DIF-N)以進(jìn)入一熄火(Stall)狀態(tài)，接著發(fā)送第二差動(dòng)信號(hào)(DIF-P)以進(jìn)入一線路重置(Line Reset)狀態(tài)，其中第二差動(dòng)信號(hào)DIF-P之發(fā)送時(shí)間不短于線路重置狀態(tài)所需之時(shí)間以實(shí)現(xiàn)后續(xù)禁能步驟。

步驟S320：在發(fā)送該中斷要求后，禁能該SSIC裝置的移動(dòng)物理層電路的傳送與接收電路。

步驟S330：使該SSIC裝置的鏈路訓(xùn)練與形態(tài)的狀態(tài)機(jī)(Link Training and Status State Machine,LTSSM)進(jìn)入一超高速禁能(SuperSpeed Disabled,SS.Disabled)狀態(tài)。請(qǐng)注意，本實(shí)施例中，步驟S330與步驟S310是同時(shí)進(jìn)行的；事實(shí)上，只要實(shí)施為可能，本方法發(fā)明之各步驟并無執(zhí)行順序之限制。

另外，如圖4所示，于本方法發(fā)明之另一替代實(shí)施例中，令該SSIC裝置主動(dòng)與該SSIC主控端重新連接之步驟包含：

步驟S410：于偵測(cè)到來自該SSIC裝置之一中斷要求后，令該SSIC主控端之移動(dòng)物理層電路之傳送與接收電路從一禁能狀態(tài)(Disabled State)進(jìn)入一休眠狀態(tài)(HIBERN8State)，以便進(jìn)入后述之接收偵測(cè)啟動(dòng)狀態(tài)。本步驟由圖1之SSIC主控端150來執(zhí)行。

步驟S420：使該SSIC主控端之鏈路訓(xùn)練與形態(tài)之狀態(tài)機(jī)進(jìn)入一接收偵測(cè)啟動(dòng)(Rx.Detect.Active)狀態(tài)，以偵測(cè)來自該SSIC裝置之一重新連接要求。本步驟由圖1之SSIC主控端150來執(zhí)行。

步驟S430：于該控制信號(hào)指出該SSIC兼容對(duì)象符合該可重新連接狀態(tài)后，令該SSIC裝置之傳送與接收電路由該禁能狀態(tài)進(jìn)入該休眠狀態(tài)，以便進(jìn)行后續(xù)連接動(dòng)作。本步驟由圖1之SSIC裝置100來執(zhí)行。

步驟S440：令該SSIC裝置之鏈路訓(xùn)練與形態(tài)之狀態(tài)機(jī)進(jìn)入該接收偵測(cè)啟動(dòng)狀態(tài)，以便進(jìn)行后續(xù)符合SSIC規(guī)范之連接動(dòng)作。本步驟由圖1之SSIC裝置100來執(zhí)行。

由于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠藉由所有實(shí)施例之揭露內(nèi)容來推知各實(shí)施例的實(shí)施細(xì)節(jié)與變化，更明確地說，任一實(shí)施例之技術(shù)特征均可合理應(yīng)用于其它實(shí)施例中，因此，在不影響各實(shí)施例之揭露要求與可實(shí)施性的前提下，重復(fù)及冗余之說明在此予以節(jié)略。

綜上所述，本發(fā)明之SSIC裝置與SSIC裝置之連接控制方法允許SSIC裝置主動(dòng)中斷其與SSIC主控端間的正常連接，藉此避免無謂的功耗。

雖然本發(fā)明之實(shí)施例如上所述，然而該些實(shí)施例并非用來限定本發(fā)明，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可依據(jù)本發(fā)明之明示或隱含之內(nèi)容對(duì)本發(fā)明之技術(shù)特征施以變化，凡此種種變化均可能屬于本發(fā)明所尋求之專利保護(hù)范 疇，換言之，本發(fā)明之專利保護(hù)范圍須視本說明書所附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。

【符號(hào)說明】

100 SSIC裝置

110 偵測(cè)電路

120 控制電路

130 移動(dòng)物理層電路

140 SSIC兼容對(duì)象

150 SSIC主控端

S210～S230 步驟

S310～S330 步驟

S410～S440 步驟。