本發(fā)明是關(guān)于非揮發(fā)性存儲器的儲存裝置與控制器，且特別是關(guān)于具有異常狀況后修復功能的非揮發(fā)性存儲器的儲存裝置與控制器。

背景技術(shù)：

快閃存儲器等非揮發(fā)性存儲器近年來快速發(fā)展，并且出現(xiàn)在各式各樣的電子裝置。目前看來，接下來不管是容量或是技術(shù)的發(fā)展，還會繼續(xù)加強。一旦越來越多的數(shù)據(jù)被放在這類的非揮發(fā)性存儲器，為了確保儲存數(shù)據(jù)的正確性與安全性，如果發(fā)生異常現(xiàn)象，例如突然斷電等，提供有效而且可靠的修復機制也就越來越重要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種非揮發(fā)性儲存裝置，包括一非揮發(fā)性存儲器，劃分成多個實體區(qū)塊，每一實體區(qū)塊劃分成多個實體頁；一連接界面，供連接至一主機；以及一控制器，其中該控制器選定一個實體區(qū)塊作為一操作實體區(qū)塊，當收到該主機的一寫入命令，將對應(yīng)該寫入命令的數(shù)據(jù)寫入該操作實體區(qū)塊；當該控制器在正常讀取該操作實體區(qū)塊時，如果無法讀取數(shù)據(jù)，會啟動不同電位來進行一重試機制，但在一異常狀態(tài)后進行一修復操作時，關(guān)閉該重試機制，透過一預設(shè)電位讀取該操作實體區(qū)塊上次最后寫入的一實體頁，并且檢查該實體頁的錯誤驗證碼，如果該錯誤驗證碼顯示有錯誤發(fā)生，啟動該重試機制用不同電位再嘗試重新讀取該實體頁，并且重新程序化該實體頁。

本發(fā)明提供一種控制器，用于一非揮發(fā)性儲存裝置，該非揮發(fā)性儲存裝置包含一非揮發(fā)性存儲器與一連接界面，該非揮發(fā)性儲存器劃分成多個實體區(qū)塊，每一實體區(qū)塊劃分成多個實體頁，該連接界面連接一主機，其中該控制器選定一個實體區(qū)塊作為一操作實體區(qū)塊，當收到該主機的一寫入命令，將對應(yīng)該寫入命令的數(shù)據(jù)寫入該操作實體區(qū)塊；當該控制器在正常讀取該操作實體區(qū)塊時，如果無法讀取數(shù)據(jù)，會啟動不同電位來進行一重試機制，但在一異常狀態(tài)后進行一修復操作時，關(guān)閉該 重試機制，透過一預設(shè)電位讀取該操作實體區(qū)塊上次最后寫入的一實體頁，并且檢查該實體頁的錯誤驗證碼，如果該錯誤驗證碼顯示有錯誤發(fā)生，啟動該重試機制用不同電位再嘗試重新讀取該實體頁，并且重新程序化該實體頁。

附圖說明

圖1舉例說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的使用方式。

圖2舉例說明根據(jù)發(fā)明第一實施例的一種實作示意圖。

圖3舉例說明實體區(qū)塊與頁之間的關(guān)聯(lián)。

圖4舉例說明邏輯區(qū)塊被分成三種區(qū)域。

圖5舉例說明邏輯區(qū)塊跟實體區(qū)塊之間的對應(yīng)關(guān)系。

圖6舉例說明邏輯區(qū)塊和實體區(qū)塊之間的關(guān)聯(lián)。

圖7例示一個NAND結(jié)構(gòu)快閃存儲器的存儲元件的一個區(qū)塊。

圖8是一個三層式儲存單元(TLC)的快閃存儲器儲存單元存放電量跟操作電壓的示意圖。

圖9例示如果對儲存單元施加操作電壓VT_1所可能發(fā)生的情形。

圖10例示在一次的讀取操作時，依序使用7個不同的電壓對儲存單元進行讀取操作。

圖11例示用來找CSB的方法。

圖12例示用來找MSB的方法。

圖13例示一種修復操作的實施例。

符號說明

10：電腦； 12：隨身碟；

20：主機； 22：數(shù)據(jù)儲存裝置；

24：存儲器模塊； 41：系統(tǒng)區(qū)塊群組；

43：數(shù)據(jù)區(qū)塊群組； 45：備用區(qū)塊群組；

102：USB傳輸介面； 201：管理模塊；

203：第一傳輸介面； 221：微控制器；

223：存儲器管理模塊； 225：重組編碼模塊；

227：第二傳輸介面； 229：緩沖存儲器；

231：第一模塊介面； 241：第二模塊介面；

243：控制電路； 245：存儲器區(qū)塊陣列；

130～132P、PB0～PB9：實體區(qū)塊；

P1～P12：頁；

LB0～LB3：邏輯區(qū)塊；

1321、1322、P_1～P_N：數(shù)據(jù)頁；

VG_0～VG_N：電壓；

M_1～M_K：存儲單元；

VT_1～VT_7、VT_1’～VT_7’：操作電壓；

VLSB、VCSB1、VCSB2、VMSB1～VMSB4：電壓；

L0～L7：區(qū)間；

1301、1303、1305、1307、1309、1311、1313：步驟。

具體實施方式

本發(fā)明的實施例是一種非揮發(fā)性儲存裝置跟其中的控制器，例如一種閃存外接碟或一種閃存外接硬盤。這個非揮發(fā)性儲存裝置可透過USB、SATA等連接界面連接到一主機，作為該主機的存儲裝置。在非揮發(fā)性儲存裝置包含一個或多個非揮發(fā)性存儲器，也可包括一個或多個隨機讀取存儲器或傳統(tǒng)磁性硬碟。主機透過連接界面將存取命令，例如讀取或?qū)懭朊顐鞯竭@個非揮發(fā)性儲存裝置?？刂破鞲鶕?jù)這些讀取或?qū)懭朊?，對于存儲器進行操作。

為了加快閃存存儲器的整體存取速度或是減少耗損，可以透過設(shè)置一些隨機讀取存儲器作為快取或是緩存。換言之，有些數(shù)據(jù)并不是直接寫入到閃存存儲器，而是暫時先寫入到隨機讀取存儲器。另一種可能的做法是，將速度比較快的單層(SLC)閃存存儲器作為第一階的快取，另外配置比較便宜的多層(MLC)閃存存儲器實際存放大量數(shù)據(jù)。

在本發(fā)明的一個實施例中，對于單層閃存存儲器與多層閃存存儲器，在異常狀態(tài)結(jié)束后可根據(jù)其穩(wěn)定性采取不同的操作。具體來說，對于多層閃存存儲器在異常狀態(tài)結(jié)束后，對于先前的實體區(qū)塊，可以整個不再繼續(xù)寫入，而采用新的實體區(qū)塊繼續(xù)進行操作。

相對的，對于單層閃存存儲器，在異常狀態(tài)結(jié)束后，控制器需要對于先前實體區(qū)塊的最后實體頁進行對應(yīng)的處理。

以下將先介紹這些實施例所可適用的架構(gòu)，之后透過圖示解釋這些實施例的概念。

請參照圖1，其舉例示范根據(jù)本發(fā)明第一實施例的使用示意圖。

電腦10具有USB傳輸介面102，并且電腦10透過USB傳輸介面102對隨身碟12進行數(shù)據(jù)存取的操作。這個例子只是作為說明，并非用于限制本發(fā)明的范圍。舉例來說，電腦10可替換成各種電子裝置，例如手機、平板電腦、電視、相機等各類需要數(shù)據(jù)儲存裝置的電子設(shè)備。隨身碟12可替換成連接在電腦10外部的其他類別外接儲存裝置，也可替換成固定安裝在電腦內(nèi)部的內(nèi)部儲存裝置。USB傳輸介面102可替換成各種數(shù)據(jù)傳輸介面，例如IEEE1394介面、SATA介面、MS介面、MMC介面、SD介面、CF介面、IDE介面、PCI介面等。

以隨身碟、外接硬碟或是內(nèi)接磁盤或是快閃盤為例，當這些數(shù)據(jù)儲存裝置經(jīng)由傳輸介面被連接到電腦等電子裝置時，電腦等電子裝置會對這些數(shù)據(jù)儲存裝置進行數(shù)據(jù)讀取，以判斷這些數(shù)據(jù)儲存裝置是否已經(jīng)格式化。如果尚未格式化，電腦等電子裝置通常會詢問使用者是否對數(shù)據(jù)儲存裝置進行格式化操作。當使用者決定對數(shù)據(jù)儲存裝置進行格式化，電腦等電子裝置可發(fā)出命令給數(shù)據(jù)儲存裝置，由數(shù)據(jù)儲存裝置自行按照命令進行格式化。另一種做法是，電腦等電子裝置會提供格式化所需的細節(jié)控制指令，例如在數(shù)據(jù)儲存裝置中建立檔案對照表、預設(shè)數(shù)值填寫等等。

請參照圖2，其舉例示范圖1對應(yīng)的裝置內(nèi)部架構(gòu)的一種實作方式。

主機20具有管理模塊201與第一傳輸介面203。主機20透過管理模塊201的硬件或軟體或軟體硬件的組合，經(jīng)由第一傳輸介面203存取數(shù)據(jù)儲存裝置22。這里提到的主機20可以對應(yīng)到圖1的電腦10。其中管理模塊201的范例包括在主機上執(zhí)行，負責檔案與數(shù)據(jù)儲存的操作系統(tǒng)、對應(yīng)的驅(qū)動程序以及相關(guān)的控制電路的組合。

數(shù)據(jù)儲存裝置22則具有第二傳輸介面227、微控制器221、緩沖存儲器229、存儲器管理模塊223、重組編碼模塊225以及第一模塊介面231。數(shù)據(jù)儲存裝置22還具有存儲器模塊24，而存儲器模塊24則具有第二模塊介面241、控制電路243與存儲器區(qū)塊陣列245。

在這個范例中，第二傳輸介面227與主機20的第一傳輸介面203對應(yīng)，提供例如機械、電子跟相關(guān)的信號傳輸處理。緩沖存儲器227作為數(shù)據(jù)儲存裝置22在讀出跟寫入數(shù)據(jù)時，作為信號傳輸過程的緩沖或是建構(gòu)快取架構(gòu)使用。整個數(shù)據(jù)儲 存裝置22的運作則主要由微控制器221執(zhí)行預定的指令碼，在適當?shù)臅r候產(chǎn)生適當?shù)目刂菩盘杹砜刂聘鱾€元件的操作。存儲器管理模塊223與重組編碼模塊225可透過電路硬件來實作，或透過電路配合給微控制器221執(zhí)行的指令碼進行運作，也可全部透過對應(yīng)的指令碼實作，由微控制器221執(zhí)行。

第一模塊介面231用來跟存儲器模塊24進行溝通。存儲器模塊24內(nèi)的第二模塊介面241跟第一模塊介面231對應(yīng)，控制電路243根據(jù)微控制器221的指令對存儲器區(qū)塊陣列245進行存取。存儲器區(qū)塊陣列245可包括多個個快閃存儲器實體區(qū)塊。

存儲器管理模塊223包括處理邏輯跟對照表格，用來將存儲器區(qū)塊陣列245的實體區(qū)塊跟邏輯區(qū)塊進行比對紀錄。此外，數(shù)據(jù)儲存裝置22也可以包括錯誤更正模塊(未圖示)等。

其中，重組編碼模塊225負責對寫入存儲器模塊24的原始數(shù)據(jù)進行重組編碼，產(chǎn)生對應(yīng)的重組編碼數(shù)據(jù)，以及對于從存儲器模塊24讀出的重組編碼數(shù)據(jù)進行反重組編碼，以還原回原始數(shù)據(jù)的數(shù)值。這包括對于特定位置的位元進行位置交換、反相部分位置的位元、對于奇數(shù)地址跟偶數(shù)地址的數(shù)據(jù)用不同的方式進行反重組編碼等等。

重組編碼的目的可以包括數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。舉例來說，在快閃存儲器中，假如相鄰單元存放的數(shù)值相同，例如都是0或都是1，有可能會因為電子特性，影響到儲存數(shù)據(jù)存放的穩(wěn)定性。換言之，透過進行重組編碼，是相鄰單元存放的數(shù)字可以盡量是0與1交錯，就能增加數(shù)據(jù)存放的穩(wěn)定性。因此，具有重組編碼功能，就能使用成本更低的快閃存儲器，而仍能維持一定的儲存品質(zhì)。

重組編碼也可以基于各種其他的目的，例如避免存在數(shù)據(jù)儲存裝置的數(shù)據(jù)被未經(jīng)授權(quán)者讀取等等。重組編碼也可以使用任何目前已經(jīng)知道或日后開發(fā)的各種編碼方式，只要能夠?qū)⒃紨?shù)據(jù)進行編碼、解碼后再還原回原始數(shù)據(jù)，都算是重組編碼的范圍。

請參照圖3，其舉例說明在快閃存儲器中，實體區(qū)塊與頁之間的關(guān)系。

在圖3中，總共有四個實體區(qū)塊PB1、PB2、PB3跟PB4。每個實體區(qū)塊里頭進一步區(qū)隔成多個個頁，P1、P2、P3到P12。在這個范例中，一個實體區(qū)塊對應(yīng)到12個頁，當然，在實際的設(shè)計中，一個實體區(qū)塊包括的頁數(shù)目可以作各種不同的調(diào)整。在不同的應(yīng)用環(huán)境中，有可能對于實體區(qū)塊、頁給予不同的名稱，或甚 至對于實體區(qū)塊跟頁進行分組。這些都是熟悉此項技術(shù)領(lǐng)域的人所熟悉的，所以在此不再贅述。

對于快閃存儲器來說，例如NAND快閃存儲器或是NOR快閃存儲器，對于沒有使用過的快閃存儲器要進行數(shù)據(jù)寫入動作前，實體區(qū)塊必須先進行抹除動作。抹除動作以實體區(qū)塊作為基本單位，而寫入則可以頁作為基本單位。經(jīng)過抹除過的實體區(qū)塊接著就能對想寫入的頁進行數(shù)據(jù)寫入。然而，如果某個頁已經(jīng)被進行寫入操作，要再進行寫入操作的話，就必須先對包括這個頁的實體區(qū)塊進行抹除的處理。

由于實體區(qū)塊的范圍大于頁的范圍，所以，如果要進行上述曾經(jīng)寫入過的頁再進行寫入時，就必須先進行數(shù)據(jù)的搬移。換言之，對于邏輯上同樣地址的數(shù)據(jù)，可能在數(shù)據(jù)寫入跟重新寫入的過程，從一個實體區(qū)塊被搬移到另一個實體區(qū)塊。

接著，請參照圖4，其示范一種將實體區(qū)塊進行分類的做法。

所有的實體區(qū)塊被區(qū)分成三類，系統(tǒng)區(qū)塊群組41、數(shù)據(jù)區(qū)塊群組43跟備用區(qū)塊群組45。系統(tǒng)區(qū)塊群組41包括用來存放邏輯區(qū)塊跟實體區(qū)塊的對照表、微控制器的指令碼、各種指標等系統(tǒng)數(shù)據(jù)。除了系統(tǒng)區(qū)塊群組41，數(shù)據(jù)區(qū)塊群組43則指那些用來實際存放數(shù)據(jù)的實體區(qū)塊。備用區(qū)塊群組45則用來存放用來作數(shù)據(jù)搬移與備用的實體區(qū)塊。

如上所述，當進行對曾經(jīng)寫過的頁要再進行寫入時，需要先進行抹除操作才能進行。換言之，這個頁所處的實體區(qū)塊的其他頁的數(shù)據(jù)也要一起先復制到別的實體區(qū)塊，這個實體區(qū)塊就從備用區(qū)塊群組45中挑選。等數(shù)據(jù)復制到這個備用區(qū)塊群組45的實體區(qū)塊后，這個實體區(qū)塊被分類到數(shù)據(jù)區(qū)塊群組43，而原先的實體區(qū)塊則經(jīng)過抹除操作被分類到備用區(qū)塊群組45。

換言之，不但對應(yīng)到邏輯地址的實體區(qū)塊可能一直在改變，甚至哪個實體區(qū)塊對應(yīng)到哪個區(qū)域也在改變。因此系統(tǒng)必須紀錄邏輯區(qū)塊與實體區(qū)塊之間的對應(yīng)關(guān)系。

請參照圖5，其例示邏輯區(qū)塊與實體區(qū)塊的對應(yīng)關(guān)系。在這個例子中，邏輯區(qū)塊LB0對應(yīng)到實體區(qū)塊PB5，邏輯區(qū)塊LB1對應(yīng)到實體區(qū)塊PB0，邏輯區(qū)塊LB2對應(yīng)到實體區(qū)塊PB6，而邏輯區(qū)塊LB3則對應(yīng)到實體區(qū)塊PB9。

數(shù)據(jù)儲存裝置可以透過對照表或其他方式來儲存這些對應(yīng)關(guān)系。

圖6舉例示范用一個對照表來紀錄邏輯區(qū)塊跟實體區(qū)塊之間的對應(yīng)關(guān)系。在圖6的例子中，邏輯區(qū)塊435對應(yīng)到實體區(qū)塊221，邏輯區(qū)塊212對應(yīng)到實體區(qū)塊779，邏輯區(qū)塊112對應(yīng)到實體區(qū)塊832，并且邏輯區(qū)塊554對應(yīng)到實體區(qū)塊21。

請參考圖7，其例示一個NAND結(jié)構(gòu)快閃存儲器的存儲元件的一個區(qū)塊(block)。在這個區(qū)塊中具有一定數(shù)目的數(shù)據(jù)頁(page)，亦即P_0、P_1、P_2到P_N。每一個數(shù)據(jù)頁則具有M_0、M_1、M_2到M_K個存儲單元(cell)。透過對每數(shù)據(jù)頁設(shè)定適當?shù)碾妷篤G_0、VG_1、VG_2到VG_N，可讀取存于每個儲存單元的浮動閘(Floating Gate)的電位，進而得到每個儲存單元所存放的數(shù)據(jù)。

對于單層式儲存單元(SLC)快閃存儲器來說，每個儲存單元只存放一個位元的數(shù)據(jù)，也就是0或1。此時，理論上，只要給每數(shù)據(jù)頁適當?shù)囊粋€設(shè)定電壓VG_0、VG_1、VG_2到VG_N，就可以檢測出到底儲存單元存放的電量，而得出對應(yīng)的數(shù)據(jù)值。

相對的，假如是多層式儲存單元(MLC)快閃存儲器，針對一次的讀取動作就需要施加多個不同的設(shè)定電壓，以判斷到底儲存單元里頭存放的電量到底是多少，而換算出實際存放的數(shù)據(jù)內(nèi)容。

圖8是一個三層式儲存單元(TLC)的快閃存儲器儲存單元存放電量跟操作電壓的示意圖。在這個示意圖中可看到，一個儲存單元根據(jù)儲存的電量落在L0、L1、L2...L7區(qū)間，而代表存放的位元數(shù)據(jù)分別為111,011,001,...110。

對于這樣的儲存單元，理論上，在施加VT_1的操作電壓時，檢測電路可以判斷到底儲存單元存放的電量是屬于L0這一邊，也就是數(shù)據(jù)111，或是L1,L2,L3，L4,L5,L6,L7那一邊，也就是數(shù)據(jù)為111,011,001,101,100,000或110。

透過有次序的施加多個不同的電壓組合，理論上就可以判斷出所有三個位元的數(shù)據(jù)，也就是最大位元MSB(Most Significant Bit)、CSB(Central Significant Bit)與LSB(Least Significant Bit)的數(shù)據(jù)內(nèi)容。

但是，如上所述，隨著半導體制程持續(xù)朝密集化以及微小化的方向發(fā)展，以及快閃存儲器為了降低成本或是使用時間越來越長，相關(guān)的電路以及存儲器儲存單元的穩(wěn)定性的問題越來越大。

圖9例示一種可能的狀況，也就是如果對儲存單元施加操作電壓VT_1，有可能因為位元狀態(tài)間出現(xiàn)部分重迭或甚至位移，導致解讀出的數(shù)據(jù)發(fā)生不正確的情形。在這樣的情況下，就需要透過各種不同錯誤校驗方法，或是動態(tài)調(diào)整操作電壓來解決數(shù)據(jù)判斷不準確的問題。

圖10例示在一次的讀取操作時，依序使用7個不同的電壓對儲存單元進行讀取操作，檢測儲存單元內(nèi)浮動閘的電量，以判讀儲存單元存放的數(shù)據(jù)的LSB數(shù)值到底是0還是1。

從圖10可以清楚看到，如果儲存單元儲存的電量分布落在VLSB的左側(cè)L0，L1,L2,L3，代表LSB的內(nèi)容是0。相反的，如果是落在VLSB的右側(cè)L4,L5,L6,L7，則代表LSB的內(nèi)容是1。

由于在狀態(tài)間有重迭的問題，因此，可依序施加不同的電壓VLSB，VLSB+D,VLSB-D,VLSB+2D，VLSB-2D,VLSB+3D,VLSB-3D。藉此，假如儲存單元的電量分布剛好落在例如VLSB+D與VLSB之間，就可以從檢測的結(jié)果得到一定的情報。

每次施加一個電壓可以得到一個位元結(jié)果，因此7次電壓就可以得到7個位元。這7個位元總共有八種可能的組合。由這7個位元對應(yīng)的位元序(bit sequence)，可配合LDPC的解碼電路跟方法，用來計算校驗碼以及用來找出正確的位元數(shù)據(jù)，也就是利用所取得的軟資訊(soft information)搭配LDPC與BCH等方法，用來進行錯誤校驗。

圖11例示用來找CSB的方法。由于CSB代表第二個位元，在圖5中可看到如果儲存單元的電量是落在L2,L3,L4,L5則代表儲存單元儲存的CSB是0。另一方面，如果儲存單元的電量落在L0,L1,L6,L7區(qū)間，則代表儲存單元儲存的CSB是1。在這樣的配置下，可以理解的是需要使用VCSB1與VCSB2兩個操作電壓來過濾出到底儲存單元的電量是落在哪個區(qū)間。

相似于上述的說明，VCSB1與VCSB2也可以施加多個步進調(diào)整量，依序多次用不同的電壓進行讀取的動作。每次讀取的結(jié)果產(chǎn)生位元序，可搭配LDPC與BCH等方法，用來進行錯誤校驗。

圖12例示用來找MSB的方法。由于MSB代表最高的位元，在圖6中可看到如果儲存單元的電量是落在L0,L3,L4,L7區(qū)間，則代表儲存單元存放的MSB位元為1。相對的，假如儲存單元的電量是落在L1,L2,L5,L6區(qū)間，則代表儲存單元存放的MSB位元為0。

相似于上述的說明，VMSB1，VMSB2,VMSB3,VMSB4也可以施加多個步進調(diào)整量，依序多次用不同的電壓進行讀取的動作。每次讀取的結(jié)果產(chǎn)生位元序，可搭配LDPC與BCH等方法，用來進行錯誤校驗。

在上述的各種架構(gòu)說明后，以下配合圖示進一步說明本發(fā)明實施例在異常狀態(tài)后，進行修復操作時，如何找到先前有效寫入的數(shù)據(jù)頁，并進行適當?shù)牟僮鳎约訌姅?shù)據(jù)的穩(wěn)定性。當然，這樣的配置方法不限于一定要在異常狀態(tài)后才可以執(zhí)行。例如預定的數(shù)據(jù)檢查或修復工作也可以使用。

請參考圖13，其例示根據(jù)本發(fā)明實施例的一種做法，可快速找出先前最后一個有效寫入的數(shù)據(jù)頁位置。

首先，取消重讀機制、錯誤驗證機制與重組編碼機制(步驟1301)。接著，參考能獲得的表格，用預設(shè)電位讀取可能是最后一個數(shù)據(jù)頁的內(nèi)容(步驟1303)。由于曾經(jīng)經(jīng)過異常狀態(tài)，例如不正常的電源關(guān)閉，所以表格記載的最后一個數(shù)據(jù)頁的信息未必正確。在讀取數(shù)據(jù)后，進行驗證碼或更正碼(Error Correction Code)的操作(步驟1305)。如果檢查結(jié)果沒問題的話，在下個數(shù)據(jù)頁寫入空白數(shù)據(jù)(步驟1313)。

如果經(jīng)過檢查發(fā)現(xiàn)有問題，則開啟重讀機制，用不同的電位再嘗試讀取數(shù)據(jù)(步驟1307)。重讀后，再度檢查驗證碼(步驟1309)。假如能通過的話，將正確數(shù)據(jù)再寫入該數(shù)據(jù)頁(步驟1311)。最后，在下個數(shù)據(jù)頁寫入空白數(shù)據(jù)(步驟1313)。

這樣的機制適合用于混雜單層(SLC)閃存存儲器與多層(MLC)閃存存儲器架構(gòu)的非揮發(fā)性儲存裝置。對于多層閃存存儲器會設(shè)置比較復雜的修復操作。相對的，對于穩(wěn)定性較高的單層閃存存儲器可以用上述的方法快速完成修復的操作工作。

綜上所述，本發(fā)明無論就目的、手段及功效，在在均顯示其迥異于已有技術(shù)的特征。但應(yīng)注意的是，上述諸多實施例僅為了便于說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準，而非僅限于上述實施例。