基板結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及觸控【技術(shù)領(lǐng)域】，提供了一種基板結(jié)構(gòu)，包含基板、導電圖案、第一層迭結(jié)構(gòu)以及鈍化層。導電圖案位于基板上。第一層迭結(jié)構(gòu)位于導電圖案與基板上，其中第一層迭結(jié)構(gòu)包含第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜，第一上薄膜鄰接導電圖案與基板，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜依序堆棧。鈍化層位于第一層迭結(jié)構(gòu)上，第三上薄膜鄰接鈍化層，其中導電圖案、第一上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜和鈍化層之折射率依序遞減。本實用新型減少導電圖案與其上下層材料的折射率差異，借此改善導電圖案的可視性。
【專利說明】基板結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及觸控【技術(shù)領(lǐng)域】，尤指一種用于觸控面板的基板結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著觸控技術(shù)的發(fā)展，透明電極常應用于各式各樣的觸控面板中。透明電極可搭配觸控面板設置各種導電圖案，理想上透明電極具有高穿透率，并不會因?qū)щ妶D案的設置而影響視覺效果。然而，由于透明電極與其上下層材料的折射率差異，往往會導致設置有導電圖案的區(qū)域具有較高的反射率，而具有較低的穿透率，而未設置有導電圖案的區(qū)域則具有較高的穿透率，使用者因而可以看見導電圖案(pattern visibility)。如何改善導電圖案的可視問題，進而降低導電圖案對于觸控面板外觀的影響乃觸控面板產(chǎn)業(yè)的一項課題。
實用新型內(nèi)容
[0003]為了解決上述導電圖案可視的問題，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型利用漸變折射率之多層膜，將多層膜設置于導電圖案與其上下層材料之間，以減少導電圖案與其上下層材料的折射率差異，進而降低折射率差異所致的反射率，以此改善導電圖案的可視性(pattern visibility),并且降低導電圖案對于觸控面板外觀的影響。
[0004]本實用新型之一態(tài)樣提供了一種基板結(jié)構(gòu)，基板結(jié)構(gòu)包含基板、導電圖案、第一層迭結(jié)構(gòu)以及鈍化層。導電圖案位于基板上。第一層迭結(jié)構(gòu)位于導電圖案與基板上，其中第一層迭結(jié)構(gòu)包含第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜，第一上薄膜鄰接導電圖案與基板，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜依序堆棧。鈍化層位于第一層迭結(jié)構(gòu)上，第三上薄膜鄰接鈍化層，其中導電圖案、第一上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜和鈍化層之折射率依序遞減。
[0005]于本實用新型之一或多個實施例中，第一層迭結(jié)構(gòu)包含設置于第三上薄膜上之第四上薄膜和第五上薄膜，導電圖案、第一上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜、第四上薄膜、第五上薄膜和鈍化層之折射率依序遞減。
[0006]于本實用新型之一或多個實施例中，第一上薄膜、第二上薄膜以及第三上薄膜分別包含第一元素與第二元素，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜分別具有重量比值，重量比值為第一元素的重量比第二元素的重量，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜的重量比值均不相同。
[0007]于本實用新型之一或多個實施例中，第一元素為氮，第二元素為氧。
[0008]于本實用新型之一或多個實施例中，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜之重量比值依序遞減。
[0009]于本實用新型之一或多個實施例中，第一層迭結(jié)構(gòu)部份接觸基板。
[0010]于本實用新型之一或多個實施例中，基板結(jié)構(gòu)更包含第二層迭結(jié)構(gòu)，第二層迭結(jié)構(gòu)位于導電圖案與基板之間，其中第二層迭結(jié)構(gòu)包含第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜依序堆棧，第一下薄膜鄰接基板，第三下薄膜鄰接導電圖案，基板、第一下薄膜、第二下薄膜、第三下薄膜和導電圖案之折射率依序遞增。
[0011]于本實用新型之一或多個實施例中，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜包含第一元素與第二元素，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜分別具有重量比值，重量比值為之第一元素的重量比第二元素的重量，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜的重量比值均不相同。
[0012]于本實用新型之一或多個實施例中，第一層迭結(jié)構(gòu)為透明絕緣層。
[0013]于本實用新型之一或多個實施例中，第一層迭結(jié)構(gòu)之厚度范圍為30納米(nm)至150 納米(nm)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是本實用新型之一實施例中的基板結(jié)構(gòu)之剖面圖。
[0015]圖2A至2C是本實用新型之多個實施例中的導電圖案之上視圖。
[0016]圖3是本實用新型之另一實施例中的基板結(jié)構(gòu)之剖面圖。
[0017]圖4是本實用新型之再一實施例中的基板結(jié)構(gòu)之剖面圖。
[0018]圖5A至5G分別是本實用新型之又一實施例中的基板結(jié)構(gòu)之制作方法之示意圖。

【具體實施方式】
[0019]以下將以圖式揭露本實用新型之多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應了解到，這些實務上的細節(jié)不應用以限制本實用新型。也就是說，在本實用新型部分實施方式中，這些實務上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結(jié)構(gòu)與組件在圖式中將以簡單示意的方式為之。
[0020]關(guān)于本文中所使用之「約」、「大約」或「大致」，一般是指數(shù)值之誤差或范圍于百分之二十以內(nèi)，較好地是于百分之十以內(nèi)，更佳地是于百分之五以內(nèi)。文中若無明確說明，所提及的數(shù)值皆視為近似值，即具有如「約」、「大約」或「大致」所表示的誤差或范圍。
[0021]參照圖1，圖1為本實用新型之一實施例中的基板結(jié)構(gòu)100之剖面圖。基板結(jié)構(gòu)100包含基板110、導電圖案120、第一層迭結(jié)構(gòu)130以及鈍化層140?；?10理想上為一透明基板，詳細而言，可以為一硬式透明基板或一可饒式基板，其材料可以選自玻璃、壓克力(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)等透明材料。導電圖案120位于基板110上，導電圖案120理想上為透明電極，電極的材料可包括各種透明導電材料，例如氧化銦錫(IndiumTin Oxide, ITO)、氧化銦鋒(Indium Zinc Oxide, IZO)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide,CTO)或摻招氧化鋅(Aluminum-doped Zinc Oxide, ΑΖ0)等等。導電圖案120具有特定的配置。第一層迭結(jié)構(gòu)130位于導電圖案120與基板110上。鈍化層140位于第一層迭結(jié)構(gòu)130 上。
[0022]關(guān)于導電圖案120的配置，圖2A至圖2C為本實用新型之多個實施例中的導電圖案120之上視圖，導電圖案120可以是單層電極或雙層電極。導電圖案120可以是單層電極且具有交錯間隔的電極列122，電極列122可以以長條形、楔形(見圖2A)、菱形(見圖2B)、或波浪形等方式配置，以供用戶于基板110方向上的各點進行觸控感應。
[0023]參照圖2C，導電圖案120可以是雙層電極，導電圖案120包含彼此電性絕緣的第一電極層124與第二電極層126,第一電極層124具有多個沿第一方向Dl排列的第一電極列125，第二電極層126具有多個沿第二方向D2排列的第二電極列127，其中第一方向Dl與第二方向D2互相垂直，使用者可透過此種導電圖案120于基板110方向上的各點進行觸控感應。
[0024]再回到圖1，導電圖案120并未完全覆蓋于基板110之上，而使部份基板110外露于導電圖案120，而其中部份第一層迭結(jié)構(gòu)130直接接觸基板110。
[0025]第一層迭結(jié)構(gòu)130為一多層薄膜的結(jié)構(gòu)，理想上，第一層迭結(jié)構(gòu)130包含至少三層薄膜。于本實施例中，第一層迭結(jié)構(gòu)130包含第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c分別具有不同折射率。
[0026]第一上薄膜130a鄰接導電圖案120與基板110，第三上薄膜130c鄰接鈍化層140，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c依序堆棧，于此，導電圖案120、第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c和鈍化層140之折射率依序遞減。
[0027]詳細而言，于本實用新型之一或多個實施例中，鄰接鈍化層140之第三上薄膜130c之折射率與鈍化層140之折射率相近，鄰接導電圖案120之第一上薄膜130a之折射率與導電圖案120之折射率相近。
[0028]于本實用新型之一或多個實施例中，每一第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c包含第一元素與第二元素，第一元素與第二元素所組成的化合物分別具有不同之折射率。第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c分別具有重量比值，重量比值為第一元素的重量比上第二元素的重量，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c的重量比值均不相同，致使其第一元素與第二元素的含量不同，亦即第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c之第一元素與第二元素所組成的化合物含量不同。由于第一元素與第二元素所組成的化合物分別具有不同之折射率，因此，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c可分別具有不同之折射率。
[0029]舉例而言，于本實用新型之一或多個實施例中，薄膜是由硅靶(材料為硅的靶材)于氮氣和氧氣混合作用下濺鍍形成，薄膜之第一元素為氮，薄膜之第二元素為氧，氮可與硅組成硅氮化物，氧可與硅組成硅氧化物，而氮氧可與硅組成氮氧化硅。硅氮化物的折射率大約為2.05?2.2或2.2?2.3，硅氧化物的折射率大約為1.4?1.5或1.45，而氮氧化硅的折射率大約為1.45?2.05。第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c可分別為硅、氮和氧元素不同比例所產(chǎn)生之化合物，依照氮元素比氧元素的重量比值或是莫耳數(shù)比的不同，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c可具有不同之折射率。
[0030]在此，重量比值愈高，表示化合物中氮元素的含量愈高且氧元素含量愈低，而折射率愈高；反之，重量比值愈低，表示化合物中氮元素的含量愈低且氧元素含量愈高，而折射率愈低。重量比值可以為接近于無窮大，即薄膜可以幾乎完全是硅氮化物，其折射率接近于
2.05?2.2或2.2?2.3，相反地，重量比值亦可以接近為零，即薄膜可以幾乎完全是硅氧化物，其折射率接近于1.4?1.5或1.45。無論其重量比值之大小為何，其折射率仍介于第一元素、第二元素與硅元素所產(chǎn)生之化合物之折射率范圍之間，即1.4?2.3之間。
[0031]于本實用新型之一或多個實施例中，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c之重量比值依序遞減。如此一來，從第一上薄膜130a至第三上薄膜130c，因為氧元素的含量漸漸增高，氮元素的含量漸漸降低，而可以使第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c之折射率漸進式地變小，而達成折射率漸變的薄膜堆棧設計。
[0032]由于導電圖案120之折射率(例如氧化銦錫大約為1.85)與鈍化層140之折射率(例如大約為1.5)皆位于氮、硅和氧元素所產(chǎn)生之化合物之折射率之間(即1.4?2.3之間)，因此可以透過改變氮元素與氧元素的比例，亦即薄膜內(nèi)的氮和氧的重量比值，達到降低反射率之折射率漸變之薄膜堆棧設計。舉例而言，可以設計第一上薄膜130a之重量比值使其折射率大約等于1.75，并設計第三上薄膜130c之重量比值使其折射率大約等于1.6，且設計第二上薄膜130b之重量比值使其折射率大約為1.63。
[0033]由于光線正向入射時，反射率之公式為相鄰兩介質(zhì)折射率之差除上相鄰兩介質(zhì)折射率之和之平方值，因此，藉由漸變折射率的多層膜，降低相鄰兩介質(zhì)折射率之差，可以有效降低整體反射率之功效。
[0034]于本實用新型之一或多個實施例中，第一層迭結(jié)構(gòu)130之厚度范圍大約為30納米(nm)至150納米(nm)，其中第一層迭結(jié)構(gòu)130較佳的厚度約為70納米(nm)以上，此處所指第一層迭結(jié)構(gòu)130不包含接觸基板110部份之厚度(即導電圖案120之厚度)，其中第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c的厚度可以相同，但亦可以不同。
[0035]于本實用新型之一或多個實施例中，第一層迭結(jié)構(gòu)130為由透明絕緣材料所構(gòu)成，致使導電圖案120不會受到第一層迭結(jié)構(gòu)130的影響而改變相關(guān)電路特性，且穿透光亦不會受到第一層迭結(jié)構(gòu)130的吸收或散射而降低光強度。
[0036]參照圖3，圖3為本實用新型之另一實施例中的基板結(jié)構(gòu)100之剖面圖。本實施例為與圖1相似之實施例，差別在于本實施例之基板結(jié)構(gòu)100更包含第四上薄膜130d和第五上薄膜130e。
[0037]如同前述第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c之設置，第四上薄膜130d和第五上薄膜130e亦包含第一元素與第二元素，且第四上薄膜130d和第五上薄膜130e具有不同于第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c的重量比值，致使第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c、第四上薄膜130d和第五上薄膜130e分別具有不同之折射率。而導電圖案120、第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c、第四上薄膜130d、第五上薄膜130e和鈍化層140之折射率依序遞減，如此一來，可以形成漸進式地薄膜堆棧結(jié)構(gòu)。
[0038]舉例而言，以導電圖案120之材料為氧化銦錫為例，由于導電圖案120之折射率大約為1.85，而鈍化層140之折射率大約為1.5，可以設計第一上薄膜130a之重量比值使其折射率大約等于1.75，并設計第五上薄膜130e之重量比值使其折射率大約等于1.55，且可設計第二上薄膜130b、第三上薄膜130c和第四上薄膜130d之折射率分別為1.7、1.65、
1.6。如此一來,從第一上薄膜130a至第五上薄膜130e,折射率遞減。
[0039]由于光線正向入射時，反射率之公式為相鄰兩介質(zhì)折射率之差除上相鄰兩介質(zhì)折射率之和之平方值，如此，降低相鄰兩介質(zhì)折射率之差可以有效降低整體反射率之功效。而本實施例中，相鄰兩介質(zhì)折射率之差相較于圖1之實施例更小，因此可預期本實施例能更有效降低整體反射率。
[0040]于本實用新型之一或多個實施例中，第一層迭結(jié)構(gòu)130至少包含三層薄膜，薄膜的數(shù)量并不以上述實施例為限，薄膜的數(shù)量可以大于五。
[0041]參照圖4，圖4為本實用新型之再一實施例中的基板結(jié)構(gòu)100之剖面圖。本實施例為與圖3相似之實施例，差別在于本實施例之基板結(jié)構(gòu)100更包含第二層迭結(jié)構(gòu)150。第二層迭結(jié)構(gòu)150位于導電圖案120與基板110之間，如同第一層迭結(jié)構(gòu)130之設置，第二層迭結(jié)構(gòu)150包含第一下薄膜150a、第二下薄膜150b和第三下薄膜150c，分別具有不同折射率，且第一下薄膜150a、第二下薄膜150b和第三下薄膜150c依序堆棧，第一下薄膜150a、第二下薄膜150b和第三下薄膜150c之折射率由接近基板110的一端向接近導電圖案120的一端遞增。在此，第二層迭結(jié)構(gòu)150之薄膜數(shù)量僅為方便說明而設置，不應以此數(shù)量(三層)限制本實用新型之范圍。
[0042]于本實用新型之一或多個實施例中，第一下薄膜150a鄰接基板110，第三下薄膜150c鄰接導電圖案120，第一下薄膜150a之折射率與基板110之折射率相近，第三下薄膜150c之折射率與導電圖案120之折射率相近?；?10、第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c和導電圖案120之折射率依序遞增。
[0043]如同前述第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c之設置，每一第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c亦包含第一元素與第二元素，每一第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c具有一重量比值，重量比值為第一元素的重量比第二元素的重量，第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c的重量比值均不相同。由于第一元素、第二元素與硅元素所組成之化合物具有不同之折射率，致使具有不同重量比值之第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c可分別具有不同之折射率。
[0044]舉例而言，于本實用新型之一或多個實施例中，薄膜是由硅靶(材料為硅的靶材)于氮氣和氧氣混合作用下濺鍍形成，薄膜之第一元素為氮，薄膜之第二元素為氧。如同前述第一層迭結(jié)構(gòu)130之設置，第二層迭結(jié)構(gòu)150的第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c可分別為硅、氮和氧元素不同比例所產(chǎn)生之化合物，依照氮元素與氧元素重量比值或是莫耳數(shù)比的不同，第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c可具有不同之折射率。
[0045]在此,重量比值愈高,表示氮元素的含量愈高且氧元素含量愈低，而折射率愈高；反之，重量比值愈低，表示氮元素的含量愈低且氧元素含量愈高，而折射率愈低。重量比值可以為接近于無窮大，重量比值亦可以接近為零。無論其重量比值之大小為何，薄膜之折射率仍介于第一元素、第二元素與硅元素所產(chǎn)生之化合物之折射率范圍之間，即1.4?2.3之間。
[0046]于本實用新型之一或多個實施例中，第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c之重量比值由接近基板110的一端向接近導電圖案120的一端遞增。換句話說，第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c之重量比值依序遞增，而使第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c之折射率漸進式地變大，而達成折射率漸變的薄膜堆棧設計。
[0047]以導電圖案120之材料為氧化銦錫為例，由于導電圖案120之折射率大約1.85，基板110之折射率大約1.5，兩者之折射率皆位于氮、硅和氧元素所產(chǎn)生之化合物之折射率之間(即1.4?2.3之間)，因此可以透過改變氮元素與氧元素的比例達到折射率漸變的薄膜堆棧設計。舉例而言，第一下薄膜150a之重量比值可設計使其折射率大約等于1.6，而第三下薄膜150c之重量比值可設計使其折射率大約等于1.8，而第二下薄膜150b之重量比值可設計使其折射率大約等于1.7。如此一來，從第一下薄膜150a至第三下薄膜150c，折射率遞增。
[0048]本實施例增加第二層迭結(jié)構(gòu)150后使得基板110與導電圖案120之間的折射率的落差較小，因此可以降低整體反射率，而提高穿透率，并避免導電圖案容易被觀察到的問題。
[0049]參照圖5A至圖5G，圖5A至圖5G分別為本實用新型之又一實施例中的基板結(jié)構(gòu)之制作方法之示意圖。以下描述基板結(jié)構(gòu)之制作方法。
[0050]參照圖5A，首先將具有導電圖案120的基板110置入濺鍍機臺200之反應腔210。
[0051]接著注入反應氣體于反應腔210，反應氣體包含第一氣體與第二氣體。舉例而言，第一氣體為氮氣，而第二氣體為氧氣。反應氣體具有一氣體比例，此氣體比例指一定容量內(nèi)第一氣體的莫耳數(shù)比上第二氣體的莫耳數(shù)，即第一氣體比上第二氣體的值。
[0052]再來，參照圖5B，使用靶材300進行濺鍍，第一氣體與第二氣體分別受到靶材300之濺鍍作用，反應產(chǎn)生包含第一元素與第二元素之化合物，這些化合物具有不同之折射率。舉例而言，靶材300之材料為硅，濺鍍后與氮氣和氧氣反應，而形成氮硅氧化物。
[0053]這些化合物于基板110/導電圖案120上形成第一上薄膜130a，其中第一上薄膜130a之折射率小于導電圖案120之折射率。
[0054]接著，參照圖5C，同樣地，受到靶材300濺鍍作用，產(chǎn)生包含第一元素和第二元素之化合物，而形成第二上薄膜130b，第二上薄膜130b位于第一上薄膜130a上，其中第二上薄膜130b之折射率小于第一上薄膜130之折射率。
[0055]參照圖5D，相同地，受到靶材300濺鍍作用，產(chǎn)生包含第一元素和第二元素之化合物，以于第二上薄膜130b上形成第三上薄膜130c，其中第三上薄膜130c之折射率小于第二上薄膜130b之折射率。
[0056]參照圖5E，相同地，受到靶材300濺鍍作用，產(chǎn)生包含第一元素和第二元素之化合物，以于第三上薄膜130c上形成第四上薄膜130d，其中第四上薄膜130d之折射率小于第三上薄膜130c之折射率。
[0057]參照圖5F，相同地，受到靶材300濺鍍作用，產(chǎn)生包含第一元素和第二元素之化合物，以于第四上薄膜130d上形成第五上薄膜130e，其中第五上薄膜130e之折射率小于第四上薄膜130d之折射率。
[0058]最終，參照圖5G，形成鈍化層140于第五上薄膜130e之上，其中鈍化層140之折射率小于第五上薄膜130e之折射率。
[0059]在此，須注意的是，與本實用新型之實施例之基板結(jié)構(gòu)之制作方法中，導電圖案120、第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c、第四上薄膜130d、第五上薄膜130e和鈍化層140之折射率依序遞減，其中，于濺渡過程中形成折射率依序遞減的薄膜之方法有兩種，分別為控制氣體比例以及控制濺渡功率。
[0060]首先，介紹控制氣體比例的方法。由于化合物的產(chǎn)生來自于靶材、第一氣體與第二氣體的作用，因此藉由控制濺渡過程的氣體比例，可直接影響產(chǎn)生的化合物中第一元素和第二元素的含量，進而影響薄膜之折射率。
[0061]舉例而言，可藉由控制氧氣和氮氣的比例，隨著時間逐漸降低氣體比例(氮氣比上氧氣)，亦即逐漸降低氮氣的含量，造成較早形成的薄膜(即第一上薄膜130a)具有較高比例的氮元素，而較晚形成的薄膜(即第五上薄膜130e)具有較低比例的氮元素，進而造成較早形成的薄膜(即第一上薄膜130a)相較于較晚形成的薄膜(即第五上薄膜130e)具有較高的折射率。
[0062]詳細而言，假設圖5B至圖5F的氣體比例分別為第一數(shù)值、第二數(shù)值、第三數(shù)值、第四數(shù)值、第五數(shù)值。則若欲形成折射率遞減的第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c、第四上薄膜130d、第五上薄膜130e，可固定濺射功率，并設定第一數(shù)值、第二數(shù)值、第三數(shù)值、第四數(shù)值、第五數(shù)值之值逐漸降低，以達到折射率漸進的薄膜堆棧。
[0063]再來，介紹控制濺渡功率的方法。此方法是以濺射功率為變因來形成具有不同重量比值之多層薄膜，其間，可固定氣體比例，不同的功率下，形成的化合物中氮元素與氧元素之量并不相同，即薄膜內(nèi)的第一元素(氮)與第二元素(氧)之重量比值隨濺射功率而改變。
[0064]舉例而言，于本實用新型之一或多個實施例中，在濺射功率愈大時，第一元素(氮)之化合物相較于與第二元素(氧)之化合物更容易形成，即濺射功率愈大，化合物中氮元素之比例愈高。
[0065]因此為了形成折射率遞減的薄膜結(jié)構(gòu)，可于濺渡過程逐漸降低濺射功率，
[0066]造成化合物中氮元素之比例逐漸降低。因此，造成較早形成的薄膜(即第一上薄膜130a)具有較高比例的氮元素，而較晚形成的薄膜(即第五上薄膜130e)具有較低比例的氮元素，使得較早形成的薄膜(即第一上薄膜130a)相較于較晚形成的薄膜(即第五上薄膜130e)具有較高的折射率。
[0067]詳細而言，假設圖5B至圖5F的濺射功率分別為第一功率、第二功率、第三功率、第四功率、第五功率。則若欲形成折射率遞減的第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c、第四上薄膜130d、第五上薄膜130e，可固定氣體比例，并設定第一功率、第二功率、第三功率、第四功率、第五功率之數(shù)值逐漸降低，以達到折射率漸進的薄膜堆棧。
[0068]由于氣體比例或濺射功率可以達到數(shù)值化的控制，因此，理想上可以精準的控制薄膜內(nèi)第一元素與第二元素的重量比值，以達到理想的折射率，并達到良好的漸變折射率效果。雖然以上敘述中，僅調(diào)整氣體比例或濺射功率之其中之一，但本實用新型不以此為限，適當搭配不同的氣體比例與濺射功率，亦可以形成漸變折射率效果。
[0069]本實用新型之一實施例中，藉由將漸變折射率之多層膜設置于導電圖案與其上下層材料之間，降低因為導電圖案與其上下層材料的折射率差異所致的反射率，且利用調(diào)整氣體比例或濺射功率，使薄膜含有不同比例的氮元素與氧元素，使薄膜間之折射率差異可以設計成很小，并達到良好的折射率漸變效果，如此一來，可以改善導電圖案的接口反射率較高，而容易被觀察到的問題。
[0070]雖然本實用新型已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型，任何熟習此技藝者，在不脫離本實用新型之精神和范圍內(nèi)，當可作各種之更動與潤飾，因此本實用新型之保護范圍當視后附之申請專利范圍所界定者為準。
【權(quán)利要求】
1.一種基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一基板； 一導電圖案，位于該基板上； 一第一層迭結(jié)構(gòu)，位于該導電圖案與該基板上，其中該第一層迭結(jié)構(gòu)包含一第一上薄膜、一第二上薄膜和一第三上薄膜，該第一上薄膜鄰接該導電圖案與該基板，該第一上薄膜、該第二上薄膜和該第三上薄膜依序堆棧；以及 一鈍化層，位于該第一層迭結(jié)構(gòu)上，該第三上薄膜鄰接該鈍化層，其中該導電圖案、該第一上薄膜、該第二上薄膜、該第三上薄膜和該鈍化層之折射率依序遞減。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一層迭結(jié)構(gòu)還包含設置于該第三上薄膜上之一第四上薄膜和一第五上薄膜，該導電圖案、該第一上薄膜、該第二上薄膜、該第三上薄膜、該第四上薄膜、該第五上薄膜和該鈍化層之折射率依序遞減。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一上薄膜、該第二上薄膜以及該第三上薄膜分別包含一第一元素與一第二元素，該第一上薄膜、該第二上薄膜和該第三上薄膜分別具有一重量比值，該重量比值為該第一元素的重量比該第二元素的重量，該第一上薄膜、該第二上薄膜和該第三上薄膜的該重量比值均不相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一元素為氮，該第二元素為氧。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一上薄膜、該第二上薄膜和該第三上薄膜之該些重量比值依序遞減。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一層迭結(jié)構(gòu)部份接觸該基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含一第二層迭結(jié)構(gòu)，該第二層迭結(jié)構(gòu)位于該導電圖案與該基板之間，其中該第二層迭結(jié)構(gòu)包含一第一下薄膜、一第二下薄膜和一第三下薄膜，該第一下薄膜、該第二下薄膜和該第三下薄膜依序堆棧，其中該第一下薄膜鄰接該基板，該第三下薄膜鄰接該導電圖案，該基板、該第一下薄膜、該第二下薄膜、該第三下薄膜和該導電圖案之折射率依序遞增。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一下薄膜、該第二下薄膜和該第三下薄膜包含一第一元素與一第二元素，該第一下薄膜、該第二下薄膜和該第三下薄膜分別具有一重量比值，該重量比值為之該第一元素的重量比該第二元素的重量，該第一下薄膜、該第二下薄膜和該第三下薄膜的該重量比值均不相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一層迭結(jié)構(gòu)為一透明絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一層迭結(jié)構(gòu)之厚度范圍為30納米(nm)至150納米(nm)。
【文檔編號】G06F3/041GK204009813SQ201420365285
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月3日
【發(fā)明者】許毅中, 徐國書, 李鼎祥, 曾國瑋, 高常清 申請人:宸鴻科技(廈門)有限公司