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一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法

文檔序號:6636844閱讀:168來源:國知局
一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法,包括有以下步驟:根據(jù)電容觸控膜的尺寸將其按照長和寬的方向分成單個(gè)電容檢測芯片處理的分區(qū);分別按照電容觸控膜長和寬的方向區(qū)域的個(gè)數(shù)連接電容檢測芯片;分別觸發(fā)電容觸控膜長和寬的方向連接的電容檢測芯片同步掃描;讀取上述同步掃描得到的坐標(biāo)數(shù)據(jù),計(jì)算電容觸控膜的觸摸坐標(biāo)信息。本發(fā)明方法對電容觸控膜采用分區(qū)并行處理的方法,從長和寬兩個(gè)方向?qū)⒛し殖蛇m用于單個(gè)芯片處理的分區(qū),解決了大尺寸電容觸控膜難以快速掃描檢測的問題,并且利用并行處理將處理時(shí)間極大地減小,提高處理效率和精度。本發(fā)明作為一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法可廣泛應(yīng)用于電容檢測領(lǐng)域。
【專利說明】一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電容檢測領(lǐng)域,尤其是一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法。

【背景技術(shù)】
[0002]電容觸控技術(shù)經(jīng)過多年的發(fā)展,在小尺寸領(lǐng)域已經(jīng)非常成熟,大量使用在手機(jī)、平板等消費(fèi)電子設(shè)備上。但大尺寸領(lǐng)域,發(fā)展相當(dāng)緩慢,原因主要有兩個(gè)方面:一個(gè)是目前電容觸控膜基本上都是采用ITO原材料,價(jià)格昂貴;另一個(gè)是當(dāng)前電容膜生產(chǎn)基本都是采用濺射工藝,不僅會帶來原材的一定程度浪費(fèi),而且產(chǎn)線建設(shè)投入巨大。在這種背景下,電容觸控掃描檢測技術(shù)發(fā)展情況與電容膜的發(fā)展情況基本吻合,針對小尺寸的掃描檢測技術(shù)相當(dāng)成熟,市面上有眾多的方案供應(yīng)商,但這些方案商目前都沒有針對超大尺寸的電容觸控掃面檢測提供相關(guān)的解決方案。
[0003]當(dāng)前電容觸控掃描基本上是一張膜,一個(gè)掃描檢測專用芯片,采用時(shí)序的策略進(jìn)行處理,即按照一定的規(guī)則(比如從上到下,從左到右),逐個(gè)通道掃描檢測。這種解決方案基本上是用來解決小尺寸電容膜(15尺以下),其對應(yīng)的電容通道數(shù)在2(Γ60個(gè)之間,基本上不會超過70個(gè)。這種解決方案用來處理小尺寸電容觸控膜,有足夠的余量來平衡速度和靈敏度的指標(biāo),以保證良好的用戶體驗(yàn)。
[0004]目前在42尺及以上的電容觸控膜領(lǐng)域,沒有專用IC解決方案。如果借用小尺寸掃描檢測思路來處理超大尺寸電容觸控膜,則會遇到一定的局限。超大尺寸電容膜的通道數(shù)一般都是好幾百個(gè),數(shù)量是小尺寸的好幾倍,這就意味著,按照同樣的處理方案,如果想在同樣的時(shí)間內(nèi)掃描檢測完所有通道,則需要大幅度縮短每一個(gè)通道的掃描時(shí)間,通道檢測速度過快,則會大幅度降低感應(yīng)靈敏度,這會導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中會漏掉很多觸控操作。如果不按照不縮短單通道的掃描檢測時(shí)間,則掃描完所有通道,則需要很長的時(shí)間周期,在實(shí)際的應(yīng)用中會遲滯現(xiàn)象,即用戶操作完之后需要過一段時(shí)間才能顯示出來,這樣的結(jié)果是用戶無法接受的。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的目的是:提供一種大尺寸電容觸控膜的高靈敏度、快速掃描檢測方法。
[0006]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:將大尺寸電容觸控膜分成單個(gè)電容檢測芯片可檢測的分區(qū),每塊分區(qū)的掃描策略跟現(xiàn)有技術(shù)中小尺寸電容觸控膜的掃描策略一樣,即在掃描的過程中不壓縮單個(gè)通道的掃描檢測時(shí)間,保證電容觸控的靈敏度,各個(gè)模塊并行工作并且并行采集掃描的信息,這樣掃描檢測N個(gè)模塊跟掃描檢測一個(gè)模塊所用的時(shí)間是一樣,對于整體而言,與現(xiàn)有的時(shí)序掃描檢測策略相比,大幅度縮短了整體掃描所需要的時(shí)間,不僅可以保證掃描檢測速度指標(biāo),而且可以不改變原有的靈敏度。
[0007]—種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法,包括有以下步驟:
Α、根據(jù)電容觸控膜的尺寸,將電容觸控膜按照長和寬的方向分成單個(gè)電容檢測芯片處理的分區(qū);
B、分別按照電容觸控膜長和寬的方向區(qū)域的個(gè)數(shù)連接電容檢測芯片;
C、觸發(fā)電容觸控膜長的方向連接的電容檢測芯片同步掃描;
D、觸發(fā)電容觸控膜寬的方向連接的電容檢測芯片同步掃描;
E、讀取上述長和寬的方向同步掃描得到的坐標(biāo)數(shù)據(jù),計(jì)算電容觸控膜的觸摸坐標(biāo)信肩、O
[0008]進(jìn)一步,所述步驟A中,同一方向上區(qū)域的通道數(shù)在單個(gè)電容檢測芯片所能接入的最大通道數(shù)之內(nèi)。
[0009]進(jìn)一步,所述步驟A中,同一方向上區(qū)域的通道數(shù)平均分配。
[0010]進(jìn)一步,所述步驟E包括有以下子步驟:
E1、讀取上述長和寬的方向同步掃描得到的坐標(biāo)數(shù)據(jù);
E2、計(jì)算每個(gè)分區(qū)的觸控情況,得到觸摸坐標(biāo)信息。
[0011]進(jìn)一步,還包括有步驟E3:
若上述觸控情況中存在多個(gè)分區(qū)得到觸摸坐標(biāo)信息,則根據(jù)觸摸坐標(biāo)信息判斷是否為單點(diǎn)觸控。
[0012]進(jìn)一步,所述單點(diǎn)觸控的判斷方法為:若多個(gè)分區(qū)得到的觸摸坐標(biāo)信號在分區(qū)交界邊緣處且觸控點(diǎn)到分區(qū)邊界的距離小于每個(gè)通道所占的分辨率,則是單點(diǎn)觸控,否則判斷為異常情況。
[0013]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明方法對電容觸控膜采用分區(qū)并行處理的方法,從長和寬兩個(gè)方向?qū)⒛し殖蛇m用于單個(gè)芯片處理的分區(qū),解決了大尺寸電容觸控膜難以快速掃描檢測的問題,并且利用并行處理將處理時(shí)間極大地減小,提高處理效率和精度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明方法的主步驟流程圖;
圖2為本發(fā)明方法中電容觸控膜分區(qū)示意圖;
圖3為本發(fā)明電容觸控膜與電容檢測芯片連接示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步說明:
參照圖1,一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法,包括有以下步驟:
A、根據(jù)電容觸控膜的尺寸,將電容觸控膜按照長和寬的方向分成單個(gè)電容檢測芯片處理的分區(qū);
參照圖2,將大尺寸的電容觸控膜按照長和寬兩個(gè)方向分成nXm個(gè)分區(qū)
B、分別按照電容觸控膜長和寬的方向區(qū)域的個(gè)數(shù)連接電容檢測芯片,如圖3所示;
C、觸發(fā)電容觸控膜長的方向連接的電容檢測芯片同步掃描;
D、觸發(fā)電容觸控膜寬的方向連接的電容檢測芯片同步掃描;
分塊完成以后,給每塊分區(qū)配置的一個(gè)電容檢測芯片可以獨(dú)立完成單獨(dú)區(qū)域的掃描檢測,同一方向同步觸發(fā)掃描檢測,即長方向(Cul,Cu..., Cun)同步觸發(fā)掃描;寬方向(Lul,Lu..., Lum)同步觸發(fā)掃描。因此每次掃描的時(shí)間跟單芯片的掃描時(shí)間是完全一致的。
[0016]E、讀取上述長和寬的方向同步掃描得到的坐標(biāo)數(shù)據(jù),計(jì)算電容觸控膜的觸摸坐標(biāo)信息。
[0017]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式,所述步驟A中,同一方向上區(qū)域的通道數(shù)在單個(gè)電容檢測芯片所能接入的最大通道數(shù)之內(nèi)。
[0018]最大通道數(shù)跟電容檢測芯片相關(guān),例如ATA5008可以接入的最大通道數(shù)為42個(gè)。
[0019]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式,所述步驟A中,同一方向上區(qū)域的通道數(shù)平均分配。
[0020]為了保持同一個(gè)方向上每個(gè)檢測芯片的盡可能同步,分區(qū)方式上采用均分的原貝U。例如42尺16:9的電容觸控膜,長約920mm,高約520mm,假設(shè)以常規(guī)的1mm作為通道間距,就可以得到42尺電容膜長有92個(gè)通道,寬有52個(gè)通道;于是在長方向通道分成3塊,每塊31個(gè)通道,在單個(gè)ATA5008檢測范圍內(nèi),高方向通道分成2塊,每塊26個(gè)通道,在單個(gè)ATA5008檢測范圍內(nèi)。因此,對于42寸的電容膜,一共采用5塊電容檢測芯片,其中長方向3個(gè),高方向2個(gè)。其它尺寸也是遵守這一個(gè)原則:同一方向通道數(shù)均分,單塊通道數(shù)在單個(gè)芯片的檢測范圍內(nèi)。
[0021]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式,所述步驟E包括有以下子步驟:
E1、讀取上述長和寬的方向同步掃描得到的坐標(biāo)數(shù)據(jù);
E2、計(jì)算每個(gè)分區(qū)的觸控情況,得到觸摸坐標(biāo)信息。
[0022]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式,還包括有步驟E3:
若上述觸控情況中存在多個(gè)分區(qū)得到觸摸坐標(biāo)信息,則根據(jù)觸摸坐標(biāo)信息判斷是否為單點(diǎn)觸控。
[0023]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式,所述單點(diǎn)觸控的判斷方法為:若多個(gè)分區(qū)得到的觸摸坐標(biāo)信號在分區(qū)交界邊緣處且觸控點(diǎn)到分區(qū)邊界的距離小于每個(gè)通道所占的分辨率,則是單點(diǎn)觸控,否則判斷為異常情況。
[0024]在同一方方向如果只有一個(gè)分區(qū)有觸控坐標(biāo)信息,該觸控坐標(biāo)信息就是整個(gè)膜的這個(gè)方向的觸控坐標(biāo),如果兩塊交界邊緣都有觸控(觸控點(diǎn)到分塊邊界的距離小于每個(gè)通道所占的分辨率),則求兩坐標(biāo)平均得到膜在這個(gè)方向的坐標(biāo),如果有兩個(gè)或者兩個(gè)以上的觸控點(diǎn),且這些點(diǎn)都遠(yuǎn)離邊緣(觸控點(diǎn)到分界邊界的距離大于通道所占分辨率),可以做區(qū)域多點(diǎn)觸控處理或者異常處理,通常情況下電容檢測只考慮單一觸控的情況。
[0025]以上是對本發(fā)明的較佳實(shí)施進(jìn)行了具體說明,但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明精神的前提下還可以作出種種的等同變換或替換,這些等同的變形或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法,其特征在于:包括有以下步驟: A、根據(jù)電容觸控膜的尺寸,將電容觸控膜按照長和寬的方向分成單個(gè)電容檢測芯片處理的分區(qū); B、分別按照電容觸控膜長和寬的方向區(qū)域的個(gè)數(shù)連接電容檢測芯片; C、觸發(fā)電容觸控膜長的方向連接的電容檢測芯片同步掃描; D、觸發(fā)電容觸控膜寬的方向連接的電容檢測芯片同步掃描; E、讀取上述長和寬的方向同步掃描得到的坐標(biāo)數(shù)據(jù),計(jì)算電容觸控膜的觸摸坐標(biāo)信肩、O
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法,其特征在于:所述步驟A中,同一方向上區(qū)域的通道數(shù)在單個(gè)電容檢測芯片所能接入的最大通道數(shù)之內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法,其特征在于:所述步驟A中,同一方向上區(qū)域的通道數(shù)平均分配。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法,其特征在于:所述步驟E包括有以下子步驟: E1、讀取上述長和寬的方向同步掃描得到的坐標(biāo)數(shù)據(jù); E2、計(jì)算每個(gè)分區(qū)的觸控情況,得到觸摸坐標(biāo)信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法,其特征在于:還包括有步驟E3: 若上述觸控情況中存在多個(gè)分區(qū)得到觸摸坐標(biāo)信息,則根據(jù)觸摸坐標(biāo)信息判斷是否為單點(diǎn)觸控。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種大尺寸電容觸控膜的快速掃描檢測方法,其特征在于:所述單點(diǎn)觸控的判斷方法為:若多個(gè)分區(qū)得到的觸摸坐標(biāo)信號在分區(qū)交界邊緣處且觸控點(diǎn)到分區(qū)邊界的距離小于每個(gè)通道所占的分辨率,則是單點(diǎn)觸控,否則判斷為異常情況。
【文檔編號】G06F3/044GK104461197SQ201410718858
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月26日
【發(fā)明者】曾德文, 彭海炎, 吳曉鸰, 王硯文, 陳傳友, 錢小立, 侯偉強(qiáng), 王文韜 申請人:廣州中國科學(xué)院先進(jìn)技術(shù)研究所
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