有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制造方法
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包含一基底、一像素定義層、多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管、多個(gè)光間隔物、一第一隔絕層、一第二隔絕層、一第三隔絕層、一觸控模塊以及一封裝基底。像素定義層位于基底上方。有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置于像素定義層中。光間隔物位于像素定義層上方，且對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置。第一隔絕層位于光間隔物上方，且包含多個(gè)第一隔絕體。第一隔絕體對(duì)應(yīng)于光間隔物設(shè)置。第二隔絕層位于第一隔絕層上方。第三隔絕層位于第二隔絕層上方，而觸控模塊設(shè)置于第三隔絕層中。封裝基底位于第三隔絕層上方，且與基底對(duì)應(yīng)設(shè)置。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示裝置，特別是一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著觸控顯示面板制造技術(shù)的發(fā)展，電容式觸控顯示面板已廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。
[0003]目前的電容式觸控顯示面板一般多由雙面工藝形成，亦即將觸控模塊以及發(fā)光元件分別設(shè)置于封裝玻璃的兩側(cè)。如此一來，可以解決電容式觸控顯示面板中的電容耦合現(xiàn)象，但卻導(dǎo)致封裝玻璃無法薄化，以至于電容式觸控顯示面板的厚度難以降低，造成制作電容式觸控顯示面板的一大瓶頸。
[0004]然而，若將觸控模塊以及發(fā)光元件設(shè)置于封裝玻璃的同一側(cè)，雖然可以降低封裝玻璃的厚度，使得觸控顯示面板的厚度得以降低，但如此一來，卻會(huì)造成電容耦合的現(xiàn)象。亦即，由于觸控模塊以及發(fā)光元件設(shè)置于封裝玻璃的同一側(cè)，導(dǎo)致觸控模塊以及發(fā)光元件的電極間距離減少，造成寄生電容變大，使得觸控模塊的信噪比變差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，以克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(organic lightemitting d1de ；0LED)顯示裝置，包含一基底(substrate)、一像素定義層(pixel definelayer ；PDL)、多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管、多個(gè)光間隔物(photo spacer ；PS)、一第一隔絕層、一第二隔絕層、一第三隔絕層、一觸控模塊以及一封裝基底(encapsulat1n substrate)。像素定義層位于基底上方。有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置于像素定義層中。光間隔物位于像素定義層上方，且對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置。第一隔絕層位于光間隔物上方。第一隔絕層包含多個(gè)第一隔絕體。第一隔絕體對(duì)應(yīng)于光間隔物設(shè)置。第二隔絕層位于第一隔絕層上方。第三隔絕層位于第二隔絕層上方，而觸控模塊設(shè)置于第三隔絕層中。封裝基底位于第三隔絕層上方，且與基底對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0007]本發(fā)明的技術(shù)效果在于:
[0008]應(yīng)用本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于通過設(shè)置包含多個(gè)第一隔絕體的第一隔絕層，可使得因?yàn)閷⒂|控模塊以及發(fā)光元件設(shè)置于封裝玻璃的同一側(cè)所造成的寄生電容有效地降低，進(jìn)而提高觸控模塊的信噪比。另外，通過對(duì)應(yīng)密封層設(shè)置第二隔絕體，可避免因?yàn)樵O(shè)置了第一隔絕體，而需要增加密封層的高度，造成有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置于封裝上的困難。
[0009]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中，一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不裝置的不意圖；
[0011]圖2為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，繪示有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的截面示意圖；
[0012]圖3A為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，繪示第一隔絕層以及第二隔絕層的高度與寄生電容值間的關(guān)系圖；
[0013]圖3B為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，繪示第一隔絕層以及第二隔絕層的高度與寄生電容值間的關(guān)系圖；
[0014]圖4為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，繪示有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的截面示意圖。
[0015]其中，附圖標(biāo)記
[0016]100有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置
[0017]110 基底
[0018]120像素定義層
[0019]130、132有機(jī)發(fā)光二極管
[0020]140光間隔物
[0021]145共通電極
[0022]150第一隔絕層
[0023]160第一隔絕體
[0024]170第二隔絕層
[0025]180第三隔絕層
[0026]182第一感測電極
[0027]184第二感測電極
[0028]186 第一電橋
[0029]190封裝基底
[0030]AA、BB 線段
[0031]a, b, c, d 端點(diǎn)
[0032]310密封層
[0033]320第二隔絕體

【具體實(shí)施方式】
[0034]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述:
[0035]下文舉實(shí)施例配合所附圖作詳細(xì)說明，但所提供的實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明所涵蓋的范圍，而結(jié)構(gòu)運(yùn)作的描述非用以限制其執(zhí)行的順序，任何由元件重新組合的結(jié)構(gòu)，所產(chǎn)生具有均等功效的裝置，皆為本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外，附圖僅以說明為目的，并未依照原尺寸作圖。為使便于理解，下述說明中相同元件將以相同的符號(hào)標(biāo)示來說明。
[0036]在全篇說明書與權(quán)利要求書所使用的用詞(terms)，除有特別注明外，通常具有每個(gè)用詞使用在此領(lǐng)域中、在此公開的內(nèi)容中與特殊內(nèi)容中的平常意義。某些用以描述本發(fā)明的用詞將于下或在此說明書的別處討論，以提供本領(lǐng)域技術(shù)人員在有關(guān)本公開的描述上額外的引導(dǎo)。
[0037]另外，關(guān)于本文中所使用的“耦接”或“連接”，均可指二或多個(gè)元件相互直接作實(shí)體或電性接觸，或是相互間接作實(shí)體或電性接觸，亦可指二或多個(gè)元件相互操作或動(dòng)作。
[0038]于本文中，除非內(nèi)文中對(duì)于冠詞有所特別限定，否則“一”與“該”可泛指單一個(gè)或多個(gè)。將進(jìn)一步理解的是，本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”及相似詞匯，指明其所記載的特征、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件與/或組件，但不排除其所述或額外的其一個(gè)或多個(gè)其它特征、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件，與/或其中的群組。
[0039]另外，在本文中，使用第一、第二與第三等等的詞匯，是用于描述各種元件、組件、區(qū)域、層與/或區(qū)塊是可以被理解的。但是這些元件、組件、區(qū)域、層與/或區(qū)塊不應(yīng)該被這些術(shù)語所限制。這些詞匯只限于用來辨別單一元件、組件、區(qū)域、層與/或區(qū)塊。因此，在下文中的一第一元件、組件、區(qū)域、層與/或區(qū)塊也可被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層與/或區(qū)塊，而不脫離本發(fā)明的本意。
[0040]請參照圖1。圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中，一種有機(jī)發(fā)光二極管(organic lightemitting d1de ；0LED)顯示裝置100的示意圖。于一實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置100包含一觸控模塊(圖未不)，上述觸控模塊包含多個(gè)第一感測電極182以及多個(gè)第二感測電極184。第一感測電極182中每兩者間以一第一電橋(bridge)連接(如圖2所示的第一電橋186),第二感測電極184中每兩者間以一第二電橋連接(圖未不)。
[0041]請同時(shí)參照圖2。圖2為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，如圖1所示的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置100中線段AA所對(duì)應(yīng)的位置的截面示意圖。
[0042]如圖2所示，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置100包含一基底(substrate) 110、一像素定義層(pixel define layer ;H)L) 120、多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管130以及132、多個(gè)光間隔物(photo spacer ；PS) 140>一第一隔絕層 150 (insulating layer) >一第二隔絕層 170、一第三隔絕層180、一觸控模塊(包含多個(gè)第一感測電極182、多個(gè)第二感測電極184以及第一電橋 186)以及一封裝基底 190 (encapsulat1n substrate)。
[0043]于一實(shí)施例中，基底110可為但不限于一包含二氧化娃(Si02)的玻璃基底。像素定義層120位于基底110上方，而有機(jī)發(fā)光二極管130以及132設(shè)置于像素定義層120中。像素定義層120的材料可為但不限于聚酰亞胺(Polyimide ;PI)。于另一實(shí)施例中，像素定義層120還包含多個(gè)用以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管130以及132的薄膜晶體管(thin-filmtransistor ；TFT)(圖未不)。
[0044]光間隔物140對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管130以及132設(shè)置于像素定義層120上方。如圖2所示，于有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置100中線段AA所對(duì)應(yīng)的位置的截面上，光間隔物140設(shè)置于有機(jī)發(fā)光二極管130以及132的上方兩側(cè)。
[0045]第一隔絕層150位于光間隔物140上方。第一隔絕層150包含多個(gè)第一隔絕體160，第一隔絕體160對(duì)應(yīng)于光間隔物140設(shè)置。于一實(shí)施例中，第一隔絕體160的材料包含二氧化硅(Si02)或是氮化硅(SiNx)。于另一實(shí)施例中，第一隔絕體160的高度約為0.5um。于圖2所不的實(shí)施例中，第一隔絕體160對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管130以及132的上方兩側(cè)的光間隔物140而設(shè)置。
[0046]于又一實(shí)施例中，如圖2所示，第一隔絕體160不連續(xù)地設(shè)置于第一隔絕層150中。第一隔絕體160可對(duì)應(yīng)于每一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管(如:有機(jī)發(fā)光二極管130以及132)所對(duì)應(yīng)設(shè)置的光間隔物140而設(shè)置。于另一實(shí)施例中，第一隔絕體160對(duì)應(yīng)于多個(gè)特定有機(jī)發(fā)光二極管所對(duì)應(yīng)設(shè)置的光間隔物而設(shè)置。
[0047]于再一實(shí)施例中，第一隔絕體160對(duì)應(yīng)于多個(gè)特定顏色的有機(jī)發(fā)光二極管所對(duì)應(yīng)設(shè)置的光間隔物而設(shè)置。于一例子中，第一隔絕體160對(duì)應(yīng)于多個(gè)藍(lán)光有機(jī)發(fā)光二極管所對(duì)應(yīng)設(shè)置的光間隔物而設(shè)置。
[0048]于一實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管顯不裝置100還包含一共通電極145。共通電極145位于像素定義層120以及光間隔物140上方。于一實(shí)施例中，共通電極145用以提供一共通電壓予有機(jī)發(fā)光二極管130以及132。
[0049]再如圖2所示，第二隔絕層170位于第一隔絕層150上方。第二隔絕層170的材料可為但不限于氧化硅或氮化硅。
[0050]于一實(shí)施例中，第二隔絕層170的高度約為0.5um。
[0051]其次，第三隔絕層180位于第二隔絕層170上方。于一實(shí)施例中，第三隔絕層180中設(shè)置有上述觸控模塊(包含多個(gè)第一感測電極182、多個(gè)第二感測電極184以及第一電橋186)。
[0052]以上述實(shí)施例而言，通過設(shè)置包含多個(gè)第一隔絕體160的第一隔絕層150，可使得因觸控模塊以及發(fā)光元件設(shè)置于封裝玻璃的同一側(cè)所造成的寄生電容有效地降低，進(jìn)而提高觸控模塊的信噪比。
[0053]其中，當(dāng)包含多個(gè)第一隔絕體160的第一隔絕層150的高度越高，寄生電容的電容值會(huì)越低，觸控模塊的信噪比也會(huì)越高。然而，當(dāng)?shù)谝桓艚^層150的高度越高，工藝上也會(huì)越困難。于一實(shí)施例中，第一隔絕層150與第二隔絕層170的總高度介于0.35um至1.0um。
[0054]圖3A為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，繪示第一隔絕層150以及第二隔絕層170的高度與上述寄生電容值(Cp)間的關(guān)系圖。為方便及清楚說明起見，圖3A是根據(jù)圖2所示實(shí)施例為例來作說明，但不以此為限。如圖2和圖3A所示，實(shí)線代表未設(shè)置第一隔絕層150時(shí)，第二隔絕層170的高度與寄生電容值間的關(guān)系。虛線則代表當(dāng)設(shè)置第一隔絕層150 (包含高度為0.5um的第一隔絕體160)時(shí)，第一隔絕層150與第二隔絕層170的總高度與寄生電容值間的關(guān)系。于圖3A所示的實(shí)施例中，第一隔絕層150中的第一隔絕體160以及第二隔絕層170的主要材料為二氧化硅。
[0055]如圖3A所示，當(dāng)未設(shè)置第一隔絕層150且第二隔絕層170的高度為0.5um時(shí)，寄生電容值約為37.4pF(如圖3A中的端點(diǎn)a)。當(dāng)設(shè)置包含高度為0.5um的第一隔絕體160的第一隔絕層150以及高度為0.5um的第二隔絕層170時(shí)，寄生電容值則下降至約30.7pF (如圖3A中的端點(diǎn)b)。
[0056]由上述結(jié)果可知，當(dāng)?shù)谝桓艚^層150中的第一隔絕體160以及第二隔絕層170的主要材料為二氧化硅，且第二隔絕層170的高度為0.5um時(shí)，通過設(shè)置高度為0.5um的第一隔絕體160，可使得寄生電容值降低約18%。
[0057]圖3B為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，繪示第一隔絕層150以及第二隔絕層170的高度與上述寄生電容值(Cp)間的關(guān)系圖。為方便及清楚說明起見，圖3B是根據(jù)圖2所示實(shí)施例為例來作說明，但不以此為限。如圖2和圖3B所示，實(shí)線代表未設(shè)置第一隔絕層150時(shí)，第二隔絕層170的高度與寄生電容值間的關(guān)系。虛線則代表當(dāng)設(shè)置第一隔絕層150 (包含高度為0.5um的第一隔絕體160)時(shí)，第一隔絕層150與第二隔絕層170的總高度與寄生電容值間的關(guān)系。于圖3B所示的實(shí)施例中，第一隔絕層150中的第一隔絕體160以及第二隔絕層170的主要材料為氮化硅。
[0058]如圖3B所示，當(dāng)未設(shè)置第一隔絕層且第二隔絕層的高度為0.5um時(shí)，寄生電容值約為38.5pF(如圖3B中的端點(diǎn)c)。當(dāng)設(shè)置包含高度為0.5um的第一隔絕體的第一隔絕層以及高度為0.5um的第二隔絕層時(shí)，寄生電容值則下降至約31.6pF(如圖3B中的端點(diǎn)d)。
[0059]由上述結(jié)果可知，當(dāng)?shù)谝桓艚^層中的第一隔絕體以及第二隔絕層的主要材料為氮化硅，且第二隔絕層的高度為0.5um時(shí)，通過設(shè)置高度為0.5um的第一隔絕體，可使得寄生電容值降低約18%。
[0060]請同時(shí)參照圖4。圖4為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例,繪示如圖1所示的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置100中線段AA以及線段BB所對(duì)應(yīng)的位置的截面示意圖。
[0061 ] 相較于圖2所示的實(shí)施例，于本實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置100中線段BB所對(duì)應(yīng)的位置的截面還包含一密封層310 (sealant)。密封層310位于像素定義層120上方。于一實(shí)施例中，密封層310的材質(zhì)包含玻料(frit)。而第一隔絕層150還包含一對(duì)應(yīng)于密封層310所設(shè)置的第二隔絕體320。于另一實(shí)施例中，第二隔絕體320的材料包含二氧化硅(Si02)或是氮化硅(SiNx)。通過對(duì)應(yīng)密封層310設(shè)置第二隔絕體320，可避免因?yàn)樵O(shè)置了第一隔絕體160，而需要增加密封層310的高度，造成有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置于封裝上的困難。
[0062]綜上所述，本發(fā)明通過設(shè)置包含多個(gè)第一隔絕體的第一隔絕層，可使得因?yàn)閷⒂|控模塊以及發(fā)光元件設(shè)置于封裝玻璃的同一側(cè)所造成的寄生電容有效地降低，進(jìn)而提高觸控模塊的信噪比。另外，通過對(duì)應(yīng)密封層設(shè)置第二隔絕體，可避免因?yàn)樵O(shè)置了第一隔絕體，而需要增加密封層的高度，造成有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置于封裝上的困難。
[0063]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包含: 一基底; 一像素定義層，位于該基底上方； 多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管，設(shè)置于該像素定義層中； 多個(gè)對(duì)應(yīng)于該多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置的光間隔物,其中該多個(gè)光間隔物位于該像素定義層上方； 一第一隔絕層，位于該多個(gè)光間隔物上方，該第一隔絕層包含多個(gè)第一隔絕體，其中該多個(gè)第一隔絕體對(duì)應(yīng)于該多個(gè)光間隔物設(shè)置； 一第二隔絕層，位于該第一隔絕層上方； 一第三隔絕層，位于該第二隔絕層上方； 一觸控模塊，設(shè)置于該第三隔絕層中；以及 一封裝基底，與該基底對(duì)應(yīng)設(shè)置，該封裝基底位于該第三隔絕層上方。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包含: 一密封層，位于該像素定義層上方，而該第一隔絕層還包含一對(duì)應(yīng)于該密封層所設(shè)置的第二隔絕體。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，該第二隔絕體的材料包含二氧化硅或氮化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該多個(gè)第一隔絕體為不連續(xù)地設(shè)置于該第一隔絕層中。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該多個(gè)第一隔絕體對(duì)應(yīng)于多個(gè)對(duì)應(yīng)藍(lán)光有機(jī)發(fā)光二極管所設(shè)置的光間隔物而設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該觸控模塊包含多個(gè)第一感測電極以及多個(gè)第二感測電極，該多個(gè)第一感測電極中每兩者間以一第一電橋連接，該多個(gè)第二感測電極中每兩者間以一第二電橋連接。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包含: 一共通電極，位于該像素定義層以及該多個(gè)光間隔物上方。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該多個(gè)第一隔絕體的材料包含二氧化硅或氮化硅。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該多個(gè)第一隔絕體的高度約為0.5um。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該第二隔絕層的高度約為0.5um。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該第一隔絕層與第二隔絕層的總高度介于 0.35um 至 1.0um0
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK104360784SQ201410718723
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年12月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月6日
【發(fā)明者】林峰生, 賴俊吉, 王倉鴻, 吳仲容, 陳佩瑜, 詹晉瑜, 郭漢浤, 蘇怡如, 黃彥士, 鄭仲豪, 徐旭昇, 呂佳蘋 申請人:友達(dá)光電股份有限公司