雙界面智能卡的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供了一種雙界面智能卡，其包括卡基、IC芯片和天線(xiàn)，其特征是，卡基包括天線(xiàn)層和層壓在其背面的背面防護(hù)層；卡基正面開(kāi)有外沿能容納IC芯片的凹槽，凹槽外沿內(nèi)環(huán)繞環(huán)形的第一凹槽；第一凹槽深度等于或略大于IC芯片的厚度，但是并不深及天線(xiàn)層的背面；第一凹槽內(nèi)沿環(huán)繞的部分是深及天線(xiàn)層的背面的容納空隙；天線(xiàn)設(shè)置在天線(xiàn)層的背面和背面防護(hù)層之間；以及，天線(xiàn)的兩端從容納槽底部一側(cè)的兩個(gè)位置進(jìn)入容納空隙，并與IC芯片電連接。該雙界面智能卡在日常使用中不易接觸不良，甚至還可以帶有一定防拆解或防偽的功能，制備便于自動(dòng)化，便于設(shè)置檢測(cè)、定位，原材料適應(yīng)性好，不易斷線(xiàn)，速度快，無(wú)需繁瑣步驟，對(duì)焊接工藝要求簡(jiǎn)單。
【專(zhuān)利說(shuō)明】雙界面智能卡
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于帶有集成電路(IC)芯片的記錄載體領(lǐng)域，具體而言，本實(shí)用新型涉及一種雙界面智能卡的制造工藝及其制造的雙界面智能卡。
技術(shù)背景
[0002]帶有集成電路芯片的智能卡已經(jīng)在生活中廣泛利用于銀行及小額支付、電話(huà)通訊、公交系統(tǒng)以及公共服務(wù)等方面。盡管當(dāng)前無(wú)線(xiàn)通訊和近場(chǎng)通訊(NFC)等非接觸式的讀卡方式成為研究的熱點(diǎn)，但是現(xiàn)有銀行、通訊以及公共服務(wù)機(jī)構(gòu)的接觸式讀卡設(shè)施中普遍存在，而且數(shù)量占絕大多數(shù)，全部更新的成本巨大，而且非接觸式的讀寫(xiě)卡方式也不符合一些消費(fèi)者的習(xí)慣。
[0003]因此，雙界面智能卡，其包括兩至七層主要由PVC材料構(gòu)成的保護(hù)層，至少有一個(gè)可接觸面暴露在智能卡表面的IC芯片，與該芯片電連接的天線(xiàn)。其中，IC芯片既可以通過(guò)接觸觸點(diǎn)的方式來(lái)進(jìn)行信息讀寫(xiě)，也可以在相隔一定距離的情況下通過(guò)天線(xiàn)感應(yīng)方式來(lái)訪問(wèn)，前者可以遵循IS0/IEC7816等接觸式IC卡的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，后者可以遵循IS0/IEC14443等非接觸式IC卡的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，但是兩者共享同一個(gè)微處理器、操作系統(tǒng)以及存儲(chǔ)器。
[0004]目前，已經(jīng)有文獻(xiàn)報(bào)道雙界面智能卡及其制造工藝。傳統(tǒng)工藝是埋線(xiàn)，然后銑槽，挑線(xiàn)后與芯片焊接，其速度慢(其中挑線(xiàn)和/或其以后的步驟需要手工完成)、天線(xiàn)容易銑斷和挑斷，所以已經(jīng)被當(dāng)前的研究所摒棄，尤其是近期的研究都盡量避免出現(xiàn)挑線(xiàn)的步驟。例如，中國(guó)專(zhuān)利200910105480依次采用修正位置、碰焊、在修正位置、點(diǎn)焊并層壓來(lái)生產(chǎn)雙界面卡，但是本發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，這樣頻繁的修正位置操作難度大，而且容易造成虛焊，或者焊料過(guò)多或位移而損傷芯片，因此成品率低。
[0005]又如，中國(guó)專(zhuān)利201010542938公開(kāi)了一種智能雙界面卡，其制備方法對(duì)挑線(xiàn)-焊接的傳統(tǒng)工藝進(jìn)行了改進(jìn)，需要至少兩次層壓步驟以方便期間留出容納導(dǎo)電焊接材料的空間并填充，然后銑出能容納芯片的槽，然后扣入芯片焊接，但是本發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，該焊接難度很高，因?yàn)槿菁{焊頭的空間極小或根本沒(méi)有，校空間的高溫容易損傷芯片，而且為防止熱量消散，對(duì)環(huán)境溫度要求很高，有時(shí)生產(chǎn)線(xiàn)附近的工人呼吸劇烈都可能造成虛焊。
[0006]還有，中國(guó)專(zhuān)利201010580948公開(kāi)了一種雙界面智能卡，其制備也是利用在卡基上專(zhuān)門(mén)銑出能容納導(dǎo)電材料的空間，而且裝填彈簧等導(dǎo)電材料，但是仍需要碰焊、位置修正和熱焊等過(guò)程。
[0007]另外，單純的接觸式智能卡不帶有天線(xiàn)，無(wú)需考慮電連接天線(xiàn)和IC芯片；而單純的非接觸式智能卡，如RFID標(biāo)簽卡等，通常IC芯片和天線(xiàn)都完全封裝在保護(hù)層內(nèi)部，所以電連接方式簡(jiǎn)單而且要求低(由于使用時(shí)芯片更容易位移，雙界面智能卡中天線(xiàn)和芯片的電連接牢固要求高得多)，通過(guò)簡(jiǎn)單的焊接即可完成，然后再封裝入保護(hù)層內(nèi)(參見(jiàn)中國(guó)專(zhuān)利 200410027952、200710030900、200810213009、201110048619 等。
[0008]本發(fā)明人經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的研究實(shí)踐發(fā)現(xiàn)，雙界面智能卡的傳統(tǒng)工藝并非無(wú)一是處，其速度慢是挑線(xiàn)的步驟不容易被夾具準(zhǔn)確夾起而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，天線(xiàn)容易被銑斷的缺點(diǎn)盡管需要克服，但是可以作為銑槽質(zhì)量的直觀檢查指標(biāo)；近期研發(fā)的新工藝除了前述缺點(diǎn)外，即使焊接牢固，但是由于天線(xiàn)和焊接點(diǎn)等約束過(guò)緊且受到IC芯片擠壓，而日常使用中頻繁接觸讀卡或不良使用習(xí)慣(如，反復(fù)彎曲，使用時(shí)的環(huán)境溫度變化很大)會(huì)使得芯片有細(xì)微位移，與天線(xiàn)之間產(chǎn)生分離，造成接觸不良的現(xiàn)象?；谶@些發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過(guò)本發(fā)明人艱苦研究，令人意外地摸索出一種雙界面智能卡的制造方法，其克服了傳統(tǒng)工藝的缺陷，便于自動(dòng)化夾起挑線(xiàn)，天線(xiàn)不容易銑斷，也不容易挑斷；克服了近期研究的工藝的缺陷，使得天線(xiàn)有非約束的冗余來(lái)應(yīng)付日常使用中芯片的微小位移而不至于接觸不良，無(wú)需繁瑣的步驟；還保留了傳統(tǒng)工藝的優(yōu)點(diǎn)，如焊接本身的工藝簡(jiǎn)單、操作方便，而且可以繼續(xù)使用或保留售價(jià)較低的傳統(tǒng)工藝設(shè)備，成本更低；更令人意想不到的是，該方法還對(duì)受?chē)?guó)內(nèi)塑料制品、線(xiàn)材前后批次(甚至同一批次)不穩(wěn)定影響的生產(chǎn)廠家來(lái)說(shuō)，容錯(cuò)度更高，而且銑槽步驟的質(zhì)量能夠的直觀檢查，另外還能在一定程度上防偽。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供新的雙界面智能卡制造方法以及由此生產(chǎn)的雙界面智能卡等。
[0010]具體而言，在第一方面，本實(shí)用新型提供了一種雙界面智能卡，其包括卡基、IC芯片(8)和天線(xiàn)(13)，其特征在于，
[0011 ] 卡基包括天線(xiàn)層(I)和層壓在其背面(bl)的背面防護(hù)層(4);
[0012]卡基正面開(kāi)有外沿能容納(優(yōu)選是契合)IC芯片(8)的凹槽，凹槽外沿內(nèi)環(huán)繞環(huán)形的第一凹槽(21)；
[0013]第一凹槽(21)深度等于或略大于IC芯片(8)的厚度，但是并不深及天線(xiàn)層(I)的背面(Ib);
[0014]第一凹槽(21)內(nèi)沿環(huán)繞的部分是深及天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)的容納空隙(240)；
[0015]天線(xiàn)(13)設(shè)置在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)和背面防護(hù)層(4)之間，優(yōu)選埋置于天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)上；以及，
[0016]天線(xiàn)(13)的兩端從容納槽(240)底部一側(cè)的兩個(gè)位置(13c和13d)進(jìn)入容納空隙(240)，并與IC芯片(8)電連接(如，焊接)。
[0017]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在位置(13e)上具有或不具有(優(yōu)選具有)不電連通的天線(xiàn)殘留，
[0018]該位置(13e)在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)和背面防護(hù)層(4)之間，優(yōu)選埋置于天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)上，
[0019]而且該位置(13e)不位于所述兩個(gè)位置(13c和13d)所處容納空隙(240)的同一偵牝優(yōu)選位于所述兩個(gè)位置(13c和13d)所處容納空隙(240)的對(duì)側(cè)之外。
[0020]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，第一凹槽(21)上帶有比第一凹槽(21)底部更深但并不深及天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)的耳形凹槽(23)。
[0021]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，天線(xiàn)(13)的兩端與IC芯片(8)的電連接(如，焊接)點(diǎn)位于容納空隙(240)內(nèi)或耳形凹槽(23)內(nèi)。
[0022]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，卡基至少包括五層，這五層從正面到背面依次為正面防護(hù)膜(2)、正面保護(hù)層(3)、天線(xiàn)層(I)、背面防護(hù)層(4)以及背面防護(hù)膜(5)。更優(yōu)選其中，背面防護(hù)膜(5)帶有磁條。
[0023]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，容納空隙(240)內(nèi)的天線(xiàn)部分以冗余狀態(tài)和非為IC芯片擠壓狀態(tài)存在。
[0024]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，第一凹槽(21)底面上或者耳形凹槽(23)內(nèi)或者容納空隙(240)內(nèi)，有膠。
[0025]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，容納空隙(240)底部帶有隔離膜(14)殘留。
[0026]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，天線(xiàn)(13)設(shè)置設(shè)置一圈或多圈。
[0027]更優(yōu)選在本實(shí)用新型中，所述的雙界面智能卡是由如下雙界面智能卡制造方法制造的而且?guī)в衅渲圃焖鶐?lái)的結(jié)構(gòu)，所述雙界面智能卡制造方法，其中所述雙界面智能卡包括卡基、IC芯片(8)和天線(xiàn)(13)，其特征在于，所述方法包括:
[0028](I)在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib )上埋置天線(xiàn)(13 )，而且天線(xiàn)(13 )在孤塊區(qū)域(11)內(nèi)蛇形埋置，其中孤塊區(qū)域(11)是對(duì)應(yīng)并且小于所述雙界面智能卡上的IC芯片(8)的區(qū)域；
[0029](2)在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)的孤塊區(qū)域(11)上覆蓋隔離膜(14)，然后將背面保護(hù)層(4)結(jié)合在天線(xiàn)層(I)的背面(lb)，以形成卡基，其中所述隔離膜(14)能防止孤塊區(qū)域
(11)與背面保護(hù)層(4)的相應(yīng)部分結(jié)合；
[0030](3)在卡基上銑槽，以銑出第一凹槽(21)和第三凹槽(24)，其中，所述第一凹槽
(21)為不帶有間斷的環(huán)形凹槽，深度等于或略大于IC芯片(8)的厚度但不深及天線(xiàn)層(I)的背面(lb)，外沿能容納(優(yōu)選是契合)IC芯片(8)的外沿，內(nèi)沿是第三凹槽(24)的外沿；所述第三凹槽(24)為有間斷的環(huán)形凹槽，深度深及天線(xiàn)層(I)的背面(lb)，內(nèi)沿是孤塊區(qū)域(11)的外沿，其中所述間斷使得所述雙界面智能卡的連接IC芯片(8)的天線(xiàn)(13)不被統(tǒng)斷；
[0031](4)提升(優(yōu)選用夾具提升)孤塊區(qū)域(11)使之與卡基脫離，同時(shí)使得孤塊區(qū)域
(11)中蛇形埋置的天線(xiàn)被牽引出適合與IC芯片(8)進(jìn)行電連接的長(zhǎng)度；和，
[0032](5)將IC芯片(8)與牽引出的天線(xiàn)電連接，并與孤塊區(qū)域(11)脫離，然后將IC芯片(8)固定入第一凹槽(21)的外沿所圍成的區(qū)域，從而使得IC芯片(8)、第一凹槽(21)內(nèi)沿與背面保護(hù)層(4)之間具有容納空隙(240)。
[0033]其中，容納空隙(240)能夠容納一部分天線(xiàn)，提供了拉伸冗余，而且由于沒(méi)有緊貼IC芯片，所以IC芯片即使有輕微位移，也不會(huì)磨損該部分天線(xiàn)，所以提高了雙界面智能卡的耐用度。所以，優(yōu)選容納空隙(240)內(nèi)的天線(xiàn)部分以冗余狀態(tài)和非為IC芯片擠壓狀態(tài)存在。容納空隙(240)底部是由背面保護(hù)層(4)構(gòu)成的。另外，優(yōu)選容納空隙(240)還能夠容納天線(xiàn)與IC芯片的電連接點(diǎn)。
[0034]在本文中，“蛇形”也稱(chēng)“Z”形或“之”字形，其能夠大量提供天線(xiàn)的拉伸長(zhǎng)度。而且在步驟(4)中，蛇形埋置的天線(xiàn)被牽引出，也帶有檢測(cè)天線(xiàn)線(xiàn)材質(zhì)量的作用，提高了雙界面智能卡的耐用度。如果天線(xiàn)的蛇形埋置部分因牽引而拉斷，則其耐用性不佳，而回收并拆解出IC芯片重復(fù)利用的工序?qū)⒊杀靖摺Ｋ?，?yōu)選在步驟(4)中，孤塊區(qū)域(11)中蛇形埋置的天線(xiàn)被牽引出適合與IC芯片(8)進(jìn)行電連接的長(zhǎng)度后，檢測(cè)天線(xiàn)是否因牽引而斷。
[0035]在本文中，“1C芯片”是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能理解的術(shù)語(yǔ)，指的是適合用于雙界面智能卡的IC芯片，任選包括PCB。市場(chǎng)上已經(jīng)有大量適合用于雙界面智能卡的IC芯片，可供方便獲取。[0036]在本文中，“對(duì)應(yīng)”的位置是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能理解的術(shù)語(yǔ)，如無(wú)相反指示，其指的是在雙界面智能卡從正面到反面方向上垂直投影的位置?！皩?duì)應(yīng)并且小于”指的是落于雙界面智能卡上某個(gè)基準(zhǔn)位置(如，IC芯片垂直投影的范圍以?xún)?nèi)的位置)。
[0037]在本文中，“略大于”所限定的深度指的是比IC芯片的厚度大10%以?xún)?nèi)，優(yōu)選大5%以?xún)?nèi)，如等于IC芯片的厚度以及其下用于固定的膠的厚度之和。
[0038]由于天線(xiàn)非常細(xì)，所以在本文中，深度“深及”天線(xiàn)層的背面指的是達(dá)到能銑斷天線(xiàn)的深度。此時(shí)，如果所銑位置包括有天線(xiàn)，則天線(xiàn)被銑斷；不包括有天線(xiàn)，則也達(dá)到包括有天線(xiàn)的所銑位置要銑的深度。同樣，在本文中，深度“不深及”天線(xiàn)層的背面指的是達(dá)不到能銑斷天線(xiàn)的深度。
[0039]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在步驟(I)中，在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)上，從孤塊區(qū)域
(11)之外的位置(13e)開(kāi)始向孤塊區(qū)域(11)內(nèi)的一側(cè)位置(13a)蛇形埋置天線(xiàn)，經(jīng)位于孤塊區(qū)域(11)之外的位置(13e)對(duì)側(cè)的孤塊區(qū)域(11)的邊沿位置(13c)埋置到孤塊區(qū)域(11)以外并繼續(xù)在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)上埋置一圈或多圈，直至從位于孤塊區(qū)域(11)之外的位置(13e)對(duì)側(cè)的孤塊區(qū)域(11)的邊沿位置(13d)埋置進(jìn)入孤塊區(qū)域(11)內(nèi)并埋置到與孤塊區(qū)域(11)內(nèi)的一側(cè)位置(13a)相對(duì)的另一側(cè)位置(13b)，然后在孤塊區(qū)域11內(nèi)蛇形埋置天線(xiàn)，最終向孤塊區(qū)域(11)之外的位置(13e)延伸并終止埋置，其中兩個(gè)所述的邊沿位置(13c和13d)是不同的位置。
[0040]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在步驟(2)中，所述結(jié)合是通過(guò)層壓和/或沖壓進(jìn)行的結(jié)
八
口 ο
[0041]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在步驟(2)中，在天線(xiàn)層(I)正面(Ia)依次結(jié)合正面防護(hù)膜(3)和正面保護(hù)層(2)，并在天線(xiàn)層(I)背面(Ib)依次結(jié)合背面保護(hù)層(4)和背面防護(hù)膜
(5)。更優(yōu)選其中，所述背面防護(hù)膜(5)帶有磁條。
[0042]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在步驟(3)中，第一凹槽(21)的底面上有進(jìn)一步向下銑出耳形凹槽(23)，其中所述耳形凹槽(23)的深度不深及天線(xiàn)層(I)的背面(lb)。耳形凹槽
(23)可以容納天線(xiàn)與IC芯片的電連接(如焊接)點(diǎn)，也可以容納滴膠工藝中的膠。
[0043]本發(fā)明人長(zhǎng)期實(shí)踐發(fā)現(xiàn)，國(guó)內(nèi)塑料制品前后批次(甚至同一批次)不穩(wěn)定，密度不統(tǒng)一，層壓出來(lái)的卡基厚度甚至在同一批次中都有區(qū)別，造成銑槽最容易導(dǎo)致廢件。所以，本實(shí)用新型通過(guò)分層銑，更容易質(zhì)量檢測(cè)，提前發(fā)現(xiàn)問(wèn)題。因此更優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在步驟(2)中，依次銑出第一凹槽(21)、第二凹槽(22)和第三凹槽(24)，其中所述第二凹槽
(22)是帶有或不帶有間斷的環(huán)形凹槽，深度是耳形凹槽(23)的深度，內(nèi)沿是孤塊區(qū)域(11)的外沿，外沿由第三凹槽(24)的外沿和耳形凹槽(23)的外沿構(gòu)成。這樣，銑出第一凹槽
(21)已經(jīng)隱約可見(jiàn)天線(xiàn)的話(huà)，第二凹槽(22)如果不帶有間斷，銑槽的深度參數(shù)要調(diào)低。
[0044]在本文中，凹槽上的“間斷”就是該凹槽上不銑的部分。由于不銑，即使凹槽“深及”天線(xiàn)層的背面，該間斷所對(duì)應(yīng)(即，以下)的天線(xiàn)不會(huì)被銑斷，起到了保護(hù)其下天線(xiàn)的作用。間斷細(xì)至方便提升時(shí)折斷。間斷的寬度理論上可以細(xì)至天線(xiàn)的寬度。優(yōu)選在本實(shí)用新型中，所述間斷形成天線(xiàn)層(I)其余部分(即，非孤塊區(qū)域(11))連接孤塊區(qū)域(11)的搭接部(25)。搭接部(25)優(yōu)選有且只有兩個(gè)，分別位于對(duì)應(yīng)于兩個(gè)邊沿位置(13c和13d)的部分。
[0045]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在步驟(4)中，所述長(zhǎng)度是適合與IC芯片(8)進(jìn)行貼合并電連接(如焊接)的長(zhǎng)度。
[0046]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在步驟(5)中，將IC芯片(8)貼合到牽引出的天線(xiàn)上進(jìn)行電連接(如焊接)。
[0047]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在步驟(5)中，所述與孤塊區(qū)域(11)脫離是剪斷電連接點(diǎn)(如焊點(diǎn))與孤塊區(qū)域(11)之間的天線(xiàn)。
[0048]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在步驟(5)中，所述固定是是用膠固定，如用滴膠工藝將IC芯片(8)通過(guò)耳形凹槽(23)固定，或用背膠工藝將IC芯片(8)固定于第一凹槽(21)的底面上。
[0049]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，孤塊區(qū)域(11)之外的位置(13e)位于對(duì)應(yīng)所述第三凹槽
(24)的外沿所圍繞的區(qū)域之內(nèi)。這樣，經(jīng)過(guò)步驟(3)后，孤塊區(qū)域(11)之外的位置(13e)上的天線(xiàn)全部被銑去，如果無(wú)法探測(cè)出該位置(13e)上的天線(xiàn)，則說(shuō)明第三凹槽(24)的深度深及天線(xiàn)層(I)的背面(Ib )，便于提升孤塊區(qū)域(11) 了。當(dāng)然，觀察孤塊區(qū)域(11)邊沿連接該位置(13e)的部分是否有天線(xiàn)的線(xiàn)頭，也能夠方便檢驗(yàn)第三凹槽(24)被銑出的深度。
[0050]也優(yōu)選在本實(shí)用新型中，孤塊區(qū)域(11)之外的位置(13e)位于對(duì)應(yīng)所述第三凹槽
(24)的外沿所圍繞的區(qū)域或之外。這樣，經(jīng)過(guò)步驟(3)后，孤塊區(qū)域(11)連接該位置(13e)的天線(xiàn)被銑去，但是在該位置(13e)上會(huì)保留天線(xiàn)殘留，由于該天線(xiàn)殘留靠近IC芯片而且是孤立的，所以是很好的定位基準(zhǔn)點(diǎn)。另外，如果無(wú)法探測(cè)出孤塊區(qū)域(11)連接該位置(13e)的天線(xiàn)，則說(shuō)明第三凹槽(24)的深度深及天線(xiàn)層(I)的背面(lb)，便于提升孤塊區(qū)域
(11)了。當(dāng)然，觀察孤塊區(qū)域(11)邊沿連接該位置(13e)的部分是否有天線(xiàn)的線(xiàn)頭，也能夠方便檢驗(yàn)第三凹槽(24)被銑出的深度。
[0051 ] 所以，優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在步驟(3 )中設(shè)置檢測(cè)步驟，以是否可見(jiàn)或可探測(cè)到孤塊區(qū)域(11)之外的位置(13e)上的天線(xiàn)或孤塊區(qū)域(11)之外的位置(13e)連接孤塊區(qū)域(11)之間的天線(xiàn)被銑掉以評(píng)價(jià)銑槽(優(yōu)選是第二凹槽(22)或第三凹槽(24))的質(zhì)量。
[0052]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，在埋置天線(xiàn)前，在所述間斷或搭接部(25)對(duì)應(yīng)的天線(xiàn)層
(I)的背面(Ib)上開(kāi)縫，以使得所述間斷或搭接部(25)處連接得不牢固。縫是從天線(xiàn)層的背面開(kāi)的，其深度底部不被第一凹槽(21)(和不帶有間斷的第二凹槽(22)，如有第二凹槽
(22)的時(shí)候)銑及。
[0053]優(yōu)選在本實(shí)用新型中，所述制造方法是通過(guò)自動(dòng)化設(shè)備完成的。由于雙界面智能卡傳統(tǒng)工藝設(shè)備只是挑線(xiàn)焊接部分不能自動(dòng)化，但是包括了自動(dòng)埋線(xiàn)設(shè)備和自動(dòng)銑槽設(shè)備，由于本實(shí)用新型的工序都沒(méi)有改變，所以完全可以完全保留這些設(shè)備及其連接，另外加上自動(dòng)提升(包含自動(dòng)夾具)和自動(dòng)焊接設(shè)備，即可完成自動(dòng)化，從而大大加快制造速度。其中，可夾持性遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于天線(xiàn)的孤塊區(qū)域(11)的運(yùn)用，使得用自動(dòng)夾具的自動(dòng)提升得以實(shí)現(xiàn)。提升后，隔離膜(14)會(huì)有部分(少量)殘留在容納空隙(240)底部。所以，優(yōu)選容納空隙(240)底部帶有隔離膜(14)殘留。
[0054]本實(shí)用新型取得的有益效果在于:克服了傳統(tǒng)工藝的缺陷，便于自動(dòng)化，天線(xiàn)不容易銑斷，也不容易挑斷；克服了近期研究的工藝的缺陷，使得天線(xiàn)有非約束的冗余來(lái)應(yīng)付日常使用中芯片的微小位移而不至于接觸不良，無(wú)需繁瑣的步驟；還保留了傳統(tǒng)工藝的優(yōu)點(diǎn)，如焊接本身的工藝簡(jiǎn)單、操作方便，而且可以繼續(xù)使用或保留售價(jià)較低的傳統(tǒng)工藝設(shè)備，成本更低；更令人意想不到的是，還針對(duì)國(guó)內(nèi)塑料制品、線(xiàn)材前后批次(甚至同一批次)的不穩(wěn)定性，容錯(cuò)度更高，而且銑槽步驟的質(zhì)量能夠的直觀檢查，另外還能在一定程度上防偽/防拆解。
[0055]為了便于理解，以下將通過(guò)具體的附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)地描述。需要特別指出的是，這些描述僅僅是示例性的描述，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型范圍的限制。依據(jù)本說(shuō)明書(shū)的論述，本實(shí)用新型的許多變化、改變對(duì)所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)都是顯而易見(jiàn)了。另外，本實(shí)用新型引用的公開(kāi)文獻(xiàn)是為了更清楚地描述本實(shí)用新型，它們的全文內(nèi)容均納入本文進(jìn)行參考，就好像它們的全文已經(jīng)在本文中重復(fù)敘述過(guò)一樣。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0056]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的雙界面智能卡制造方法中界定孤塊區(qū)域以及開(kāi)縫步驟的示意圖；
[0057]圖2是圖1所示實(shí)施例中埋置天線(xiàn)及形成蛇形埋置區(qū)域的的示意圖；
[0058]圖3是圖1所示實(shí)施例中設(shè)置隔離膜的示意圖；
[0059]圖4是層壓后卡基的剖面示意圖；
[0060]圖5是第一次銑槽的示意圖；
[0061]圖6是第二次銑槽的示意圖；
[0062]圖7是第三次銑槽的示意圖；
[0063]圖8是提升孤塊并牽拉蛇形埋置的線(xiàn)端的示意圖；
[0064]圖9是連接芯片的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0065]以下通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行示例性的描述，如有未盡之處，可以參考相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)手冊(cè)、設(shè)備和材料的使用說(shuō)明以及工信部的相關(guān)指引標(biāo)準(zhǔn)。
[0066]實(shí)施例1本實(shí)用新型的五層卡基雙界面智能卡及其制造方法的實(shí)例I
[0067]作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，制造方法的步驟如下:
[0068]( I)在天線(xiàn)層I上埋置天線(xiàn)13:
[0069]聚氯乙烯PVC材料(如，可購(gòu)自上海友浦塑膠有限公司，型號(hào):YP101A)的天線(xiàn)層I具有正面Ia和背面lb。如圖1和圖2所示，表面有絕緣漆的天線(xiàn)13 (如，可購(gòu)自上海鼎強(qiáng)電工器材有限公司的直焊性聚氨酯漆包圓銅線(xiàn)，型號(hào):QA-1〈薄漆膜>2UEW線(xiàn)材)埋置在天線(xiàn)層I的背面Ib上，即面向背面防護(hù)層4的那一側(cè)表面上。天線(xiàn)13從對(duì)應(yīng)但小于設(shè)置IC芯片8的區(qū)域(B卩，落于IC芯片8垂直投影的范圍內(nèi)，被命名為孤塊區(qū)域11)之外的位置13e (也在下文記載的第三凹槽24的外邊沿之外)開(kāi)始向孤塊區(qū)域11內(nèi)的一側(cè)位置13a蛇形埋置天線(xiàn)，經(jīng)位置13e的孤塊區(qū)域11對(duì)側(cè)的位置13c埋置到孤塊區(qū)域11以外并繼續(xù)埋置一圈或多圈，直至從位置13e的孤塊區(qū)域11對(duì)側(cè)的位置13d埋置進(jìn)入孤塊區(qū)域11內(nèi)，并埋置到與位置13a相對(duì)的另一側(cè)位置13b，然后在孤塊區(qū)域11內(nèi)蛇形埋置天線(xiàn)，最終向孤塊區(qū)域11之外的位置13e延伸并終止埋置。另外，在埋置天線(xiàn)前，在位置13c和位置13d的連線(xiàn)上在天線(xiàn)層I的背面Ib上割出淺淺(如不超過(guò)0.2mm，如0.1mm)的開(kāi)縫12。
[0070](2)在天線(xiàn)層I上設(shè)置隔離膜14并至少與背面保護(hù)層4結(jié)合以形成卡基:
[0071]如圖3、圖4所示，在天線(xiàn)層I背面Ib的孤塊區(qū)域11位置上設(shè)置一片隔離膜14(該膜可以涂覆一層隔離材料，如PET (聚酯)高溫遮蔽膠帶，可購(gòu)自上海楚暢實(shí)業(yè)有限公司，型號(hào):PET-201H)，以防止天線(xiàn)層I的該區(qū)域與背面保護(hù)層4結(jié)合。然后，在天線(xiàn)層I正面Ia的上方依次設(shè)置PE材料(如，可購(gòu)自上海友浦塑膠有限公司，型號(hào):YP203E)的正面防護(hù)膜3和PVC材料(如，可購(gòu)自上海友浦塑膠有限公司，型號(hào):YP102A)的正面保護(hù)層2，并在天線(xiàn)層I背面Ib的下方依次設(shè)置PVC材料(如，可購(gòu)自上海友浦塑膠有限公司，型號(hào):YP102A)的經(jīng)過(guò)表面印刷的背面保護(hù)層4和PE材料(如，可購(gòu)自上海友浦塑膠有限公司，型號(hào):YP203D)的帶有磁條的背面防護(hù)膜5，進(jìn)行層壓，然后進(jìn)行沖壓，形成牢固的雙界面智能卡的卡基。
[0072](3)銑槽:
[0073]從卡基的正面朝背面分三次銑槽。如圖5所示，銑出第一凹槽21，其為環(huán)形凹槽，其深度不及天線(xiàn)13，其外邊沿的形狀尺寸與IC芯片8的外形尺寸相對(duì)應(yīng)(B卩，其深度為IC芯片8的厚度，其內(nèi)邊沿所包圍的空間能容納并優(yōu)選契合IC芯片8的邊緣)，而且孤塊區(qū)域11對(duì)應(yīng)并小于其內(nèi)邊沿。
[0074]如圖6所示，銑出第二凹槽22，其為環(huán)形凹槽，其深度較第一凹槽21深但也不及天線(xiàn)13，其外邊沿為第一凹槽21的內(nèi)邊沿，其內(nèi)邊沿對(duì)應(yīng)并等于孤塊區(qū)域11的外邊沿。并且，從第二凹槽22向第一凹槽21銑出一個(gè)或多個(gè)(如兩個(gè))耳形凹槽23，以容納用于固定IC芯片8的膠。
[0075]如圖7所示，在第二凹槽22上但是不包括耳形凹槽23和連出天線(xiàn)的位置13c和位置13d的地方，繼續(xù)往下銑出第三凹槽24，深度是將整個(gè)天線(xiàn)層I銑穿至天線(xiàn)層I的背面lb。這樣，第三凹槽24上還保留了兩個(gè)搭接部25(其下具有開(kāi)縫12的部分，因此連接也不牢固)沒(méi)有被銑掉，因此孤塊區(qū)域11與外部天線(xiàn)連接的位置13c和位置13d處的天線(xiàn)沒(méi)有斷，從而使得孤塊區(qū)域11內(nèi)的天線(xiàn)與外部天線(xiàn)仍連接，但是孤塊區(qū)域11與位置13e之間連接的天線(xiàn)被統(tǒng)斷。
[0076]由于國(guó)內(nèi)各類(lèi)材料的規(guī)格同一性不佳，因此容易銑得過(guò)深或過(guò)淺，所以，孤塊區(qū)域11與位置13e之間連接的天線(xiàn)可以作為方便的質(zhì)量檢驗(yàn)的指標(biāo)。如果銑出第一凹槽21和/或第二凹槽22的時(shí)候，暴露出孤塊區(qū)域11與位置13e之間連接的天線(xiàn)，則這兩個(gè)凹槽銑得過(guò)深；如果銑出第三凹槽24的時(shí)候，沒(méi)有銑斷孤塊區(qū)域11與位置13e之間連接的天線(xiàn)，則銑得過(guò)淺，這很容易在生產(chǎn)線(xiàn)上被檢查出來(lái)。
[0077](4)提升孤塊區(qū)域11并焊接IC芯片8:
[0078]由于層壓工序前在IC芯片8位置已放置了隔離膜14，所以當(dāng)孤塊區(qū)域11被第三凹槽24與其他正面防護(hù)膜3、正面保護(hù)層2和天線(xiàn)層I基本隔開(kāi)后，孤塊區(qū)域11已經(jīng)與背面保護(hù)層4基本脫離，只是通過(guò)天線(xiàn)13的兩個(gè)位置13c、13d上面的兩個(gè)搭接部25與天線(xiàn)層I的其他部分相連。而搭接部25位置處的天線(xiàn)層I由于在埋置天線(xiàn)前已形成有開(kāi)縫12，所以孤塊區(qū)域11與卡基的連接也不牢固。如圖8所示，使用自動(dòng)化的夾具將孤塊區(qū)域11從卡基上提升起來(lái)，這時(shí)由于天線(xiàn)13在孤塊區(qū)域11內(nèi)的部分是以蛇形埋置的而且只有一面與孤塊區(qū)域11接觸(天線(xiàn)在其他卡基內(nèi)的部分被天線(xiàn)層I和背面保護(hù)層4約束得牢固得多)，隨著孤塊區(qū)域11的提升，孤塊區(qū)域11內(nèi)的天線(xiàn)13也在位置13c和13d處被從孤塊區(qū)域11中連續(xù)不斷地被牽引出來(lái)，形成兩連線(xiàn)；孤塊區(qū)域11提升后留下的空洞與第三凹槽24 一樣深，比第一凹槽21更深，所以設(shè)置了 IC芯片8后，空洞與第三凹槽24以及IC芯片8能形成容納空隙240，從而形成容納非約束的天線(xiàn)的非壓迫空間用以在IC芯片8有些微位移時(shí)不至于天線(xiàn)斷裂。
[0079]如圖9所示，當(dāng)天線(xiàn)13的線(xiàn)端牽引出適合IC芯片8貼合的長(zhǎng)度后，將IC芯片8 (可購(gòu)自恩智浦半導(dǎo)體公司(NXP Semiconductors N.V.)，型號(hào):SmartMX2_P60C080PHNHVQFN32高安全性微控制器芯片)貼合到天線(xiàn)13上，使得IC芯片8上需要與天線(xiàn)13焊接的部分與天線(xiàn)13相接觸。使用熱熔鍵合工藝在接觸的部分形成兩個(gè)焊接點(diǎn)分別與天線(xiàn)13的兩根線(xiàn)端進(jìn)行連接，實(shí)現(xiàn)天線(xiàn)13與芯片模塊的電連接。然后，將從孤塊區(qū)域11引出的焊接點(diǎn)后面的天線(xiàn)13部分一起剪除，將IC芯片8嵌入第一凹槽21中并利用滴膠工藝將芯片8通過(guò)耳形凹槽23固定。
[0080]由于在位置13e處有一段天線(xiàn)殘留，其就位于孤塊區(qū)域11附近而且不延伸，用金屬探測(cè)儀就能定位作為定位坐標(biāo)，這可以使得貼合并焊接IC芯片8時(shí)定位更準(zhǔn)確，更適合自動(dòng)化生產(chǎn)；另外，其也可以作為銑第二凹槽(22)和第三凹槽(24)的質(zhì)量時(shí)的定位依據(jù)，用金屬探測(cè)儀定位分析其附近的天線(xiàn)有無(wú)銑斷而判斷銑的深度。另外，直接卸下IC芯片8，重新焊接回原雙界面智能卡很難(焊點(diǎn)附近天線(xiàn)斷裂，重新焊接的長(zhǎng)度不夠)，所以將雙界面智能卡撥開(kāi)卸下IC芯片8，用讀卡器或其他黑客手段重寫(xiě)并偽造芯片，但是很容易丟失該段天線(xiàn)殘留，所以該段天線(xiàn)殘留也可以作為防止偽造的標(biāo)記，用以表征該雙界面智能卡是否被拆開(kāi)過(guò)。
[0081]這樣生產(chǎn)的雙界面智能卡，其包括卡基、IC芯片8和天線(xiàn)13，其中卡基由五層層壓構(gòu)成，這五層從正面到背面依次為正面防護(hù)膜2、正面保護(hù)層3、天線(xiàn)層1、背面防護(hù)層4以及背面防護(hù)膜5 (如圖4所示)；卡基正面開(kāi)有能容納(優(yōu)選是契合)IC芯片8的凹槽，凹槽外沿內(nèi)環(huán)繞環(huán)形的第一凹槽21，用于支撐IC芯片8 ;第一凹槽21深度等于IC芯片8的厚度，但是并不深及天線(xiàn)層I的背面Ib ;第一凹槽21上帶有比第一凹槽21底部更深但并不深及天線(xiàn)層I的背面Ib的耳形凹槽23，用于固定IC芯片8 ;第一凹槽21內(nèi)沿環(huán)繞的部分是深及天線(xiàn)層I的背面Ib的容納空隙240，用以在其中容納提供冗余的天線(xiàn)13的部分；天線(xiàn)13設(shè)置在天線(xiàn)層I (的背面Ib)和背面防護(hù)層4之間；天線(xiàn)13的兩端從容納空隙240底部一側(cè)的兩個(gè)位置13c和13d進(jìn)入容納空隙240，并與IC芯片8電連接；以及，在位置13e，該位置在天線(xiàn)層I (的背面Ib)和背面防護(hù)層4之間而且不位于前述兩個(gè)位置13c和13d的一偵牝具有不電連通的天線(xiàn)殘留。
[0082]實(shí)施例2本實(shí)用新型的五層卡基雙界面智能卡及其制造方法的實(shí)例2
[0083]基本相同于實(shí)施例1，所不同的是，省略設(shè)置實(shí)施例1中的開(kāi)縫12，但是兩個(gè)搭接部25的寬度較窄(如不超過(guò)1.2mm,如lmm、0.8mm),只要能分別覆蓋位置13c和位置13d下的天線(xiàn)13即可。使用自動(dòng)化的夾具將孤塊區(qū)域11從卡基上提升起來(lái)時(shí)，搭接部25被拉斷，使得孤塊區(qū)域11脫離卡基。
[0084]這樣生產(chǎn)的雙界面智能卡與實(shí)施例1的相同。
[0085]實(shí)施例3本實(shí)用新型的五層卡基雙界面智能卡及其制造方法的實(shí)例3
[0086]基本相同于實(shí)施例1，所不同的是，位置13e位于孤塊區(qū)域11之外，但在第三凹槽24的外邊沿之內(nèi)。
[0087]這樣生產(chǎn)的雙界面智能卡，相對(duì)于實(shí)施例1的，不具有位于位置13e的天線(xiàn)殘留，具體而言，其包括卡基、IC芯片8和天線(xiàn)13，其中卡基由五層層壓構(gòu)成，這五層從正面到背面依次為正面防護(hù)膜2、正面保護(hù)層3、天線(xiàn)層1、背面防護(hù)層4以及背面防護(hù)膜5 (如圖4所示);卡基正面開(kāi)有能容納(優(yōu)選是契合)IC芯片8的凹槽，凹槽外沿內(nèi)環(huán)繞環(huán)形的第一凹槽21，用于支撐IC芯片8 ;第一凹槽21深度等于IC芯片8的厚度，但是并不深及天線(xiàn)層I的背面Ib ;第一凹槽21上帶有比第一凹槽21底部更深但并不深及天線(xiàn)層I的背面Ib的耳形凹槽23，用于IC芯片8 ;第一凹槽21內(nèi)沿環(huán)繞的部分是深及天線(xiàn)層I的背面Ib的容納空隙240，用以在其中容納提供冗余的天線(xiàn)13的部分；天線(xiàn)13設(shè)置在天線(xiàn)層I (的背面Ib)和背面防護(hù)層4之間；以及，天線(xiàn)13的兩端從容納空隙240底部一側(cè)的兩個(gè)位置13c和13d進(jìn)入容納槽240，并與IC芯片8電連接。
[0088]實(shí)施例4本實(shí)用新型的五層卡基雙界面智能卡及其制造方法的實(shí)例4
[0089]基本相同于實(shí)施例1，所不同的是，不銑出第二凹槽22及耳形凹槽23，而直接銑出第三凹槽24 ;最后，將IC芯片8嵌入第一凹槽21中并利用背膠工藝將芯片8通過(guò)與第一凹槽21粘合而固定。
[0090]這樣生產(chǎn)的雙界面智能卡，相對(duì)于實(shí)施例1的，不具有耳形凹槽23，具體而言，其包括卡基、IC芯片8和天線(xiàn)13，其中卡基由五層層壓構(gòu)成，這五層從正面到背面依次為正面防護(hù)膜2、正面保護(hù)層3、天線(xiàn)層1、背面防護(hù)層4以及背面防護(hù)膜5 (如圖4所示)；卡基正面開(kāi)有能容納(優(yōu)選是契合)IC芯片8的凹槽，凹槽外沿內(nèi)環(huán)繞環(huán)形的第一凹槽21，用于支撐(和/或固定)IC芯片8 ;第一凹槽21深度等于IC芯片8的厚度，但是并不深及天線(xiàn)層I的背面Ib ;第一凹槽21內(nèi)沿環(huán)繞的部分是深及天線(xiàn)層I的背面Ib的容納空隙240，用以在其中容納提供冗余的天線(xiàn)13的部分；天線(xiàn)13設(shè)置在天線(xiàn)層I (的背面Ib)和背面防護(hù)層4之間；天線(xiàn)13的兩端從容納空隙240底部一側(cè)的兩個(gè)位置13c和13d進(jìn)入容納槽240，并與IC芯片8電連接；以及，在位置13e，該位置在天線(xiàn)層I (的背面Ib)和背面防護(hù)層4之間而且不位于前述兩個(gè)位置13c和13d的一側(cè)，具有不電連通的天線(xiàn)殘留。
[0091]實(shí)施例5本實(shí)用新型的雙層卡基雙界面智能卡及其制造方法的實(shí)例
[0092]基本相同于實(shí)施例1，所不同的是，卡基沒(méi)有正面防護(hù)膜2、正面保護(hù)層3和背面防護(hù)膜5，而只是由天線(xiàn)層I和背面防護(hù)層4組成。
[0093]這樣生產(chǎn)的雙界面智能卡，其包括卡基、IC芯片8和天線(xiàn)13，其中卡基包括天線(xiàn)層I和層壓在其背面bl的背面防護(hù)層4 ;卡基正面開(kāi)有能容納(優(yōu)選是契合)IC芯片8的凹槽，凹槽外沿內(nèi)環(huán)繞環(huán)形的第一凹槽21，用于支撐IC芯片8 ;第一凹槽21深度等于IC芯片8的厚度，但是并不深及天線(xiàn)層I的背面Ib ;第一凹槽21上帶有比第一凹槽21底部更深但并不深及天線(xiàn)層I的背面Ib的耳形凹槽23，用于固定IC芯片8 ;第一凹槽21內(nèi)沿環(huán)繞的部分是深及天線(xiàn)層I的背面Ib的容納空隙240 ;天線(xiàn)13設(shè)置在天線(xiàn)層I (的背面Ib)和背面防護(hù)層4之間；天線(xiàn)13的兩端從容納槽240底部一側(cè)的兩個(gè)位置13c和13d進(jìn)入容納空隙240，并與IC芯片8電連接；以及，在位置13e，該位置在天線(xiàn)層I (的背面Ib)和背面防護(hù)層4之間而且不位于前述兩個(gè)位置13c和13d的一側(cè)，具有不電連通的天線(xiàn)殘留。
【權(quán)利要求】
1.雙界面智能卡，其包括卡基、IC芯片(8)和天線(xiàn)(13)，其特征是， 卡基包括天線(xiàn)層(I)和層壓在其背面(bl)的背面防護(hù)層(4)； 卡基正面開(kāi)有外沿能容納IC芯片(8)的凹槽，凹槽外沿內(nèi)環(huán)繞環(huán)形的第一凹槽(21); 第一凹槽(21)深度等于或略大于IC芯片(8)的厚度，但是并不深及天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)； 第一凹槽(21)內(nèi)沿環(huán)繞的部分是深及天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)的容納空隙(240)； 天線(xiàn)(13)設(shè)置在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)和背面防護(hù)層(4)之間；以及， 天線(xiàn)(13)的兩端從容納槽(240)底部一側(cè)的兩個(gè)位置(13c、13d)進(jìn)入容納空隙(240)，并與IC芯片(8)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙界面智能卡，其特征是，卡基正面開(kāi)有外沿能契合IC芯片(8)的凹槽，凹槽外沿內(nèi)環(huán)繞環(huán)形的第一凹槽(21)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙界面智能卡，其特征是，天線(xiàn)(13)埋置于天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙界面智能卡，其特征是，天線(xiàn)(13)的兩端從容納槽(240)底部一側(cè)的兩個(gè)位置(13c、13d)進(jìn)入容納空隙(240)，并與IC芯片(8)焊接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所`述的雙界面智能卡，其特征是，在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)和背面防護(hù)層(4)之間的位置(13e)上具有或不具有不電連通的天線(xiàn)殘留，而且該位置(13e)不位于所述兩個(gè)位置(13 c、13d )所處容納空隙(240 )的同一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙界面智能卡，其特征是，在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)和背面防護(hù)層(4)之間的位置(13e)上具有不電連通的天線(xiàn)殘留，而且該位置(13e)不位于所述兩個(gè)位置(13c、13d)所處容納空隙(240)的同一側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙界面智能卡，其特征是，在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)和背面防護(hù)層(4)之間的位置(13e)埋置于天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)上，而且該位置(13e)不位于所述兩個(gè)位置(13c、13d )所處容納空隙(240 )的同一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙界面智能卡，其特征是，在天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)和背面防護(hù)層(4)之間的位置(13e)位于所述兩個(gè)位置(13c和13d)所處容納空隙(240)的對(duì)側(cè)之外。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙界面智能卡，其特征是，第一凹槽(21)上帶有比第一凹槽(21)底部更深但并不深及天線(xiàn)層(I)的背面(Ib)的耳形凹槽(23)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙界面智能卡，其特征是，天線(xiàn)(13)的兩端與IC芯片(8)的電連接點(diǎn)位于容納空隙(240)內(nèi)或耳形凹槽(23)內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的雙界面智能卡，其特征是，天線(xiàn)(13)的兩端與IC芯片(8)的焊接點(diǎn)位于容納空隙(240)內(nèi)或耳形凹槽(23)內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙界面智能卡，其特征是，卡基至少包括五層，這五層從正面到背面依次為正面防護(hù)膜(2)、正面保護(hù)層(3)、天線(xiàn)層(I)、背面防護(hù)層(4)以及背面防護(hù)膜(5)。
13.權(quán)利要求12所述的雙界面智能卡，其特征在于，背面防護(hù)膜(5)帶有磁條。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙界面智能卡，其特征是，容納空隙(240)內(nèi)的天線(xiàn)部分以冗余狀態(tài)和非為IC芯片擠壓狀態(tài)存在。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙界面智能卡，其特征是，第一凹槽(21)底面上或者耳形凹槽(23)內(nèi)或者容納空隙(240)內(nèi)，有膠。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙界面智能卡，其特征是，容納空隙(240)底部帶有隔離膜(14)殘留。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所`述的雙界面智能卡，其特征是，天線(xiàn)(13)設(shè)置一圈或多圈。
【文檔編號(hào)】G06K19/06GK203520431SQ201320354099
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】薛淵 申請(qǐng)人:薛淵