一種非接觸智能識別卡inlay層及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種非接觸智能識別卡INLAY層及其制備方法，所述制備方法包括以下步驟：1）提供IC模塊、IC承載層、及天線承載層，于IC承載層上開設(shè)第一沖孔，以及于天線承載層上開設(shè)用于外露出IC模塊并與第一沖孔相對應(yīng)的第二沖孔，并將IC模塊填充于第一沖孔中；2）將天線承載層及填充有IC模塊的IC承載層上下疊合并裝訂為一體形成坯料；3）于坯料上繞制天線，以使天線形成在天線承載層上；4）將繞制完成的天線與IC模塊形成電性連接，以形成非接觸智能識別卡INLAY層。本發(fā)明與現(xiàn)有的工藝技術(shù)相比，開創(chuàng)性的將兩層材料或三層材料裝訂在一起繞制天線、IC模塊與天線的焊接，減少了繁瑣的工序，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說明】—種非接觸智能識別卡INLAY層及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及非接觸智能識別卡的制備領(lǐng)域，特別是涉及一種非接觸智能識別卡INLAY層及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]非接觸智能識別卡或裝置表面上無觸點，智能識別卡或裝置與讀寫器之間通過無線方式(即發(fā)射和接收電磁波)進行通信，非接觸智能識別卡或裝置的核心是INLAY層，INLAY包括IC模塊及IC承載層、天線及天線承載層，IC模塊與天線要焊接形成電連接。
[0003]現(xiàn)在INLAY的加工工藝主要有如下兩種:
[0004]第一種為:IC模塊按位置要求填到IC承載層上，IC承載層上有沖孔，使IC模塊的黑膠剛好填到?jīng)_孔里；然后在專用設(shè)備上利用超聲波將漆包線繞制在IC承載層上，形成天線；最后將IC模塊與天線焊接形成電連接。這種方法是IC承載層與天線承載層為同一層。
[0005]當(dāng)今IC模塊的厚度從0.4毫米為主流發(fā)展到了 0.3毫米為主流，這樣導(dǎo)致IC模塊承載層厚度也需變薄，需由原來的0.3毫米降低到0.2毫米，但只在0.2毫米厚的天線承載層上繞制天線設(shè)備速度會比在0.3毫米厚的承載層上降低一半，這樣會大大降低了生產(chǎn)效率。這是由于:天線的繞制是通過超聲波埋線頭的震動，將漆包線嵌入到天線承載層的，當(dāng)在厚度低于0.3毫米天線承載層繞制天線時，由于超聲波埋線頭與承載層下面的剛性工作平臺距離較近，以至于超聲波埋線頭的震動幅度會損耗，造成漆包線嵌入到承載層的深度減小，導(dǎo)致部分線圈(特別是拐角部分)容易從承載層上脫落，從而產(chǎn)生廢品。另外此種方法的INLAY，IC模塊裸露在外面，沒有保護層，對模塊的保護不夠，在后道的工序中如有外力會對IC模塊與天線的焊接質(zhì)量造成影響，容易造成脫焊、虛焊的問題。
[0006]第二種為:IC承載層與天線承載層分開的，是兩層結(jié)構(gòu)，其加工方法如下:
[0007]首先，將IC模塊填到IC承載層上，IC承載層上有孔，使IC模塊黑膠完全在孔內(nèi)；
[0008]然后，將天線承載層繞制天線，此工序要在專用設(shè)備上進行，用超聲波將漆包線按要求埋入到天線承載層上，天線承載層上有沖孔，天線的開始線和結(jié)束線露在孔上方，便于與模塊焊接；
[0009]接著，上面的兩層(IC承載層和天線承載層)點焊在一起，IC承載層在下，天線承載層在上，保證模塊完全露在天線承載層的孔內(nèi)，天線的開始線和結(jié)束線正好在IC模塊的焊盤區(qū)；
[0010]最后，將兩層承載層放到焊接設(shè)備上焊接，使天線與IC模塊焊接，形成電連接。
[0011]上述的第二種方法用的是分層結(jié)構(gòu)，IC承載層與天線承載層分開，因為天線承載層厚度比較薄，也同樣與上面的方法一樣，繞制天線的速度比較慢，遇到效率低下的問題，另外此種方法，工序比較繁瑣，需要埋線和焊接兩臺設(shè)備，或上兩次埋線焊接一體機設(shè)備，效率也很低下！還有焊接工序還需要人工挑線，保證天線的開始線和結(jié)束線在模塊的焊盤焊接區(qū)域，然后再焊接，大大降低了生產(chǎn)效率！
【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種非接觸智能識別卡INLAY層及其制備方法，用于解決現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝效率低等問題。
[0013]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法，所述制備方法包括以下步驟:1)提供一 IC模塊、一 IC承載層、以及一天線承載層，于所述IC承載層上開設(shè)用于填充所述IC模塊的第一沖孔，以及于所述天線承載層上開設(shè)用于外露出所述IC模塊并與所述第一沖孔相對應(yīng)的第二沖孔，并將所述IC模塊填充于所述第一沖孔中；2)將所述天線承載層及填充有IC模塊的IC承載層上下疊合并裝訂為一體形成坯料；3)于所述坯料上繞制天線，以使所述天線形成在所述天線承載層上；4)將繞制完成的天線與所述IC模塊形成電性連接，以形成非接觸智能識別卡INLAY層。
[0014]優(yōu)選地，于所述步驟I)中，還包括提供一墊平層；于所述步驟2)中，還包括將所述墊平層置于所述IC承載層下，將所述天線承載層、IC承載層以及墊平層、依序上下疊合并裝訂為一體形成坯料。具體地，于所述步驟2)中，將所述天線承載層、IC承載層以及墊平層、依序上下疊合并通過點焊工藝將三者裝訂為一體形成坯料。
[0015]優(yōu)選地，于所述步驟I)中，所述IC模塊經(jīng)由黏合或粘結(jié)工藝填充于所述第一沖孔中。
[0016]優(yōu)選地，于所述步驟2)中，將所述天線承載層及填充有IC模塊的IC承載層上下疊合并通過點焊工藝將二者裝訂為一體形成坯料。
[0017]優(yōu)選地，于所述步驟3)中，通過一超聲設(shè)備將所述天線繞制在所述坯料的天線承載層上。具體地，經(jīng)繞制的所述天線的始端及末端分別跨越所述第二沖孔的相對兩側(cè)，并分別與所述IC模塊兩側(cè)的焊盤相對應(yīng)。
[0018]優(yōu)選地，于所述步驟4)中，通過電阻焊工藝將繞制完成的天線與所述IC模塊形成電性連接。
[0019]本發(fā)明還提供一種經(jīng)由上述制備方法制備的非接觸智能識別卡INLAY層，包括:IC模塊，包括IC芯片，封裝所述IC芯片的封裝體，以及電性連接所述IC芯片引線并自所述封裝體相對兩側(cè)分別延伸出的二焊盤；IC承載層，開設(shè)有用于填充所述IC模塊的第一沖孔；天線承載層，疊合于所述IC承載層上并與其裝訂為一體，開設(shè)有用于外露出所述IC模塊并與所述第一沖孔相對應(yīng)的第二沖孔；天線，繞制于所述天線承載層上，其始端及末端分別跨越所述第二沖孔的相對兩側(cè)，并分別與所述IC模塊兩側(cè)的焊盤相對應(yīng)電性連接。
[0020]本發(fā)明的非接觸智能識別卡INLAY層還包括墊平層，疊合于所述IC承載層下，并與所述天線承載層及IC承載層裝訂為一體。
[0021]如上所述，本發(fā)明的非接觸智能識別卡INLAY層及其制備方法，與現(xiàn)有的工藝技術(shù)相比，開創(chuàng)性的將兩層材料或三層材料裝訂在一起繞制天線、IC模塊與天線的焊接,提高了繞制天線的效率；IC模塊層與天線層是分層結(jié)構(gòu)，因為天線層上有與IC模塊尺寸相同的沖孔，使IC模塊完全在孔內(nèi)，這樣更好的保護了 IC模塊不受外力破壞，大大提高了 INLAY性能的可靠性。另外，兩層或三層材料點焊在一起，可以直接在埋線焊接一體機上一次性完成，減少了繁瑣的工序，大大提高了生產(chǎn)效率！
【專利附圖】

【附圖說明】[0022]圖1至圖4顯示為本發(fā)明的非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法一種實施例中呈現(xiàn)的狀態(tài)示意圖。
[0023]圖5至圖7顯示為本發(fā)明的非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法另一種實施例中呈現(xiàn)的狀態(tài)示意圖。
[0024]元件標(biāo)號說明
[0025]
【權(quán)利要求】
1.一種非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟: 1)提供一IC模塊、一 IC承載層、以及一天線承載層，于所述IC承載層上開設(shè)用于填充所述IC模塊的第一沖孔，以及于所述天線承載層上開設(shè)用于外露出所述IC模塊并與所述第一沖孔相對應(yīng)的第二沖孔，并將所述IC模塊填充于所述第一沖孔中； 2)將所述天線承載層及填充有IC模塊的IC承載層上下疊合并裝訂為一體形成坯料； 3)于所述坯料上繞制天線，以使所述天線形成在所述天線承載層上； 4)將繞制完成的天線與所述IC模塊形成電性連接，以形成非接觸智能識別卡INLAY層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法，其特征在于:于所述步驟I)中，還包括提供一墊平層；于所述步驟2)中，還包括將所述墊平層置于所述IC承載層下，將所述天線承載層、IC承載層以及墊平層、依序上下疊合并裝訂為一體形成坯料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法，其特征在于:于所述步驟2)中，將所述天線承載層、IC承載層以及墊平層、依序上下疊合并通過點焊工藝將三者裝訂為一體形成還料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法，其特征在于:于所述步驟I)中，所述IC模塊經(jīng)由黏合或粘結(jié)工藝填充于所述第一沖孔中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法，其特征在于:于所述步驟2)中，將所述天線承載層及填充有IC模塊的IC承載層上下疊合并通過點焊工藝將二者裝訂為一體形成還料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法，其特征在于:于所述步驟3)中，通過一超聲設(shè)備將所述天線繞制在所述坯料的天線承載層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法，其特征在于:于所述步驟3)中，經(jīng)繞制的所述天線的始端及末端分別跨越所述第二沖孔的相對兩側(cè)，并分別與所述IC模塊兩側(cè)的焊盤相對應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸智能識別卡INLAY層的制備方法，其特征在于:于所述步驟4)中，通過電阻焊工藝將繞制完成的天線與所述IC模塊形成電性連接。
9.一種根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的制備方法制備的非接觸智能識別卡INLAY層，其特征在于，包括: IC模塊，包括IC芯片，封裝所述IC芯片的封裝體，以及電性連接所述IC芯片引線并自所述封裝體相對兩側(cè)分別延伸出的二焊盤； IC承載層，開設(shè)有用于填充所述IC模塊的第一沖孔； 天線承載層，疊合于所述IC承載層上并與其裝訂為一體，開設(shè)有用于外露出所述IC模塊并與所述第一沖孔相對應(yīng)的第二沖孔； 天線，繞制于所述天線承載層上，其始端及末端分別跨越所述第二沖孔的相對兩側(cè)，并分別與所述IC模塊兩側(cè)的焊盤相對應(yīng)電性連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非接觸智能識別卡INLAY層，其特征在于:還包括墊平層，疊合于所述IC承載層下，并與所述天線承載層及IC承載層裝訂為一體。
【文檔編號】G06K19/077GK103729675SQ201310648041
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月4日
【發(fā)明者】谷洪波 申請人:上海中卡智能卡有限公司