技術(shù)特征：
1.一種MEMS傳聲器，包括：殼體，具有基本上實心的正面和基本上實心的背面，和側(cè)面；具有MEMS膜的底座，該底座安裝在正面的聲學(xué)端口的上方，MEMS膜背對正面；底座內(nèi)部的空的空間，超聲波穿過該空的空間以到達MEMS膜，該空的空間的尺寸低于對于感興趣的超聲波在空氣中的波長；包含在背面的PCB盤，其用于將傳聲器安裝在接收器中；以及覆蓋所述正面的導(dǎo)電的網(wǎng)，所述網(wǎng)對所述傳聲器靈敏的操作頻率范圍內(nèi)的至少一些頻率基本聲透明。2.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中該正面包括印刷電路板。3.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中該背面包括印刷電路板。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳聲器，其中該空的空間不會對感興趣的頻率形成共振腔。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳聲器，進一步包括安裝在所述正面的放大器。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳聲器，其中所述正面基本上實心，除了聲學(xué)端口。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳聲器，其中所述PCB盤包括位于所述背面的角的附近的四個PCB盤。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳聲器，其中存在大于25kHz的第一頻率，在所述第一頻率，所述傳聲器的靈敏度大于-60dB，0dB的定義為1伏特/每帕斯卡。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS傳聲器，其中所述第一頻率大于70kHz。10.根據(jù)權(quán)利要求8-9中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中所述第一頻率時的靈敏度大于-40dB。11.根據(jù)權(quán)利要求8-9中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中所述第一頻率時的靈敏度比20kHz時所述傳聲器的靈敏度低不到40dB。12.根據(jù)權(quán)利要求8-9中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中所述第一頻率時的靈敏度比在20kHz和所述第一頻率之間的頻率的靈敏度的最大值低不到40dB。13.根據(jù)權(quán)利要求8-9中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中在20kHz和所述第一頻率之間的某處，在至少40kHz內(nèi)，靈敏度變化不超過6dB。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳聲器，其中對于大于20kHz的靈敏度在最靈敏頻率的40dB內(nèi)的操作頻率范圍，對于所述網(wǎng)前面的方向，所述傳聲器的方向靈敏度變化不超過30dB。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳聲器，其中所述殼體包括平坦面，所述底座安裝在所述平坦面上，所述MEMS膜的中心在所述殼體的最大直徑的10％以內(nèi)與所述平坦面的中心對準。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳聲器，其最大尺寸小于7mm。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳聲器，其中所述殼體不具有包括邊長為2mm的立方體的內(nèi)部空體積。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的MEMS傳聲器，其中所述殼體不具有包括邊長為1.5mm的立方體的內(nèi)部空體積。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MEMS傳聲器，其中所述殼體不具有包括邊長為1mm的立方體的內(nèi)部空體積。