技術(shù)特征：
1.一種用于分析中介層模型的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)，包括：處理器，被編程用于分析電路來為設(shè)計(jì)、制造以及測(cè)試所述電路中的至少一個(gè)確定所述電路對(duì)輸入射頻RF信號(hào)的響應(yīng)；中介層模型，有形地包括在將被所述處理器訪問的非暫時(shí)性機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，所述中介層模型由所述計(jì)算機(jī)處理以輸出表示襯底通孔(TSV)對(duì)所述射頻RF信號(hào)響應(yīng)的數(shù)據(jù)，所述中介層模型包括多個(gè)襯底通孔模型，每個(gè)襯底通孔模型都具有各自的三端口網(wǎng)絡(luò)，每個(gè)三端口網(wǎng)絡(luò)中的第一端口是浮置節(jié)點(diǎn)，第二端口是地電位端口，各三端口網(wǎng)絡(luò)的所述浮置節(jié)點(diǎn)相互連接，其中，每個(gè)三端口網(wǎng)絡(luò)包括：電容部件，包括固定電容部件以及表示所述中介層的電容和所述中介層的電阻的可變輸入部件，所述可變輸入部件表示相鄰襯底通孔之間的不同間距，所述電容部件連接至所述浮置節(jié)點(diǎn)；第一電感部件，連接至所述電容部件與所述第二端口之間；第二電感部件，連接至所述電容部件與第三端口之間，其中，所述第一電感部件和所述第二電感部件中的每一個(gè)都包括具有不同電感的至少兩個(gè)電感器。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述固定電容部件表示襯底通孔內(nèi)襯層的電容。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述襯底通孔模型是可調(diào)的以表示相鄰襯底通孔之間的不同間距。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述至少兩個(gè)電感器相互并聯(lián)連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述至少兩個(gè)電感器相互串聯(lián)連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述至少兩個(gè)電感器包括：相互并聯(lián)連接的第一電感器和第二電感器；以及與所述第一電感器和所述第二電感器串聯(lián)的第三電感器，所述第三電感器的電感與所述第一電感器和所述第二電感器中至少一個(gè)的電感不同。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中：所述固定電容部件表示襯底通孔內(nèi)襯層的電容，所述固定電容部件與所述可變輸入部件串聯(lián)。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中：所述第一電感部件的第一電感器和第二電感器表示位于所述中介層的第一側(cè)的電路元件的電感；所述第二電感部件的第一電感器和第二電感器表示位于所述中介層的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)的電路元件的電感；以及所述第三電感器表示所述襯底通孔的自感。9.一種用于分析中介層模型的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括：訪問存儲(chǔ)在有形、非暫時(shí)性機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中的中介層模型，所述中介層模型包括多個(gè)襯底通孔(TSV)模型，每個(gè)襯底通孔模型都具有各自的三端口網(wǎng)絡(luò)，每個(gè)三端口網(wǎng)絡(luò)中的第一端口是浮置節(jié)點(diǎn)，第二端口是地電位端口，各三端口網(wǎng)絡(luò)的所述浮置節(jié)點(diǎn)相互連接；在計(jì)算機(jī)處理器中處理所述中介層模型，其中，所述計(jì)算機(jī)處理器被編程用于分析電路來為設(shè)計(jì)、制造以及測(cè)試所述電路中的至少一個(gè)確定所述電路對(duì)輸入射頻RF信號(hào)的響應(yīng)；以及從所述計(jì)算機(jī)處理器輸出表示襯底通孔對(duì)所述射頻RF信號(hào)響應(yīng)的數(shù)據(jù)，其中，每個(gè)三端口網(wǎng)絡(luò)包括：電容部件，包括固定電容部件以及表示所述中介層的電容和所述中介層的電阻的可變輸入部件，所述可變輸入部件表示相鄰襯底通孔之間的不同間距，所述電容部件連接至所述浮置節(jié)點(diǎn)；第一電感部件，連接至所述電容部件與所述第二端口之間；第二電感部件，連接至所述電容部件與第三端口之間，其中，所述第一電感部件和所述第二電感部件中的每一個(gè)都包括具有不同電感的至少兩個(gè)電感器。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括：基于輸出數(shù)據(jù)提供中介層布局配置；以及形成用于制造具有所述中介層布局配置的中介層的一組光掩模。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括：基于輸出數(shù)據(jù)提供中介層布局配置；以及制造包括所述中介層布局配置的2.5DIC或者3DIC。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述固定電容部件表示襯底通孔內(nèi)襯層的電容，并且所述襯底通孔模型是可調(diào)的以表示相鄰襯底通孔之間的不同間距。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述至少兩個(gè)電感器包括：相互并聯(lián)連接的第一電感器和第二電感器；以及與所述第一電感器和所述第二電感器串聯(lián)的第三電感器，所述第三電感器的電感與所述第一電感器和所述第二電感器中至少一個(gè)的電感不同。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，處理包括在100MHz到100GHz的范圍內(nèi)仿真所述襯底通孔模型的性能。15.一種用于分析中介層模型的計(jì)算裝置，包括：訪問模塊，訪問存儲(chǔ)在有形、非暫時(shí)性機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中的中介層模型，所述中介層模型包括多個(gè)襯底通孔(TSV)模型，每個(gè)襯底通孔模型都具有各自的三端口網(wǎng)絡(luò)，每個(gè)三端口網(wǎng)絡(luò)中的第一端口是浮置節(jié)點(diǎn)，第二端口是地電位端口，各三端口網(wǎng)絡(luò)的所述浮置節(jié)點(diǎn)相互連接；處理模塊，處理所述中介層模型，其中，所述處理模塊被編程用于分析電路來為設(shè)計(jì)、制造以及測(cè)試所述電路中的至少一個(gè)確定所述電路對(duì)輸入射頻RF信號(hào)的響應(yīng)；以及輸出模塊，從所述處理模塊輸出表示襯底通孔對(duì)所述射頻RF信號(hào)響應(yīng)的數(shù)據(jù)，其中，每個(gè)三端口網(wǎng)絡(luò)包括：電容部件，包括固定電容部件以及表示所述中介層的電容和所述中介層的電阻的可變輸入部件，所述可變輸入部件表示相鄰襯底通孔之間的不同間距，所述電容部件連接至所述浮置節(jié)點(diǎn)；第一電感部件，連接至所述電容部件與所述第二端口之間；第二電感部件，連接至所述電容部件與第三端口之間，其中，所述第一電感部件和所述第二電感部件中的每一個(gè)都包括具有不同電感的至少兩個(gè)電感器。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)算裝置，其中，所述固定電容部件表示襯底通孔內(nèi)襯層的電容；以及所述至少兩個(gè)電感器包括：相互并聯(lián)連接的第一電感器和第二電感器；和與所述第一電感器和所述第二電感器串聯(lián)的第三電感器，所述第三電感器的電感與所述第一電感器和所述第二電感器中至少一個(gè)的電感不同。