專利名稱：一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及塊存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
如今，ARM(AdvancedRISC Machines), MIPS (Million Instructions PerSecond), X86等越來越多的嵌入式系統(tǒng)，其內(nèi)部基本都不含只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-OnlyMemory)，需要外加非易失設(shè)備來保存啟動(dòng)代碼。目前的操作系統(tǒng)越來越復(fù)雜，代碼量越來
越大。與之對(duì)應(yīng)，所需的存貯設(shè)備，其容量要求也越來越高。其中，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPR0M, Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片，單純的EEPROM比較難做到大容量，而且寫速度太慢，不適合批量使用。于是非易失閃存FLASH漸漸成為一個(gè)主流，NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。但是大容量的NOR FLASH價(jià)格昂貴，不適合目前的市場竟?fàn)?；NAND FLASH容量大，價(jià)格便宜，并且使用廣泛，但是NAND FLASH有一個(gè)缺點(diǎn)，程序易丟失。很多廠家對(duì)此深感煩腦。為此NAND FLASH廠商，在制造NAND FLASH時(shí)，就預(yù)留了一個(gè)PIN腳，寫保護(hù)腳WP (Write Protect)，當(dāng)此PIN腳為低電平時(shí)，不可以對(duì)NAND FLASH進(jìn)行寫操作，從而保護(hù)內(nèi)部的內(nèi)容不被破壞。為了使NAND FLASH程序不丟失，同時(shí)要對(duì)NAND FLASH可寫，目前通常都會(huì)由中央處理器(CPU, Central Processing Unit)對(duì)NAND FLASH的寫保護(hù)腳進(jìn)行控制，以達(dá)到在不希望更改NAND FLASH內(nèi)容時(shí)，對(duì)其內(nèi)容進(jìn)行保護(hù)，具體使用如圖I :采用如I所示的方案，一般情況下，可以對(duì)NAND FLASH進(jìn)行保護(hù)，但是至少有兩種情況，無法保護(hù)NAND FLASH。I、Vccl突然掉電，此時(shí)WP引腳上的電壓會(huì)由高慢慢變低，在變低的過程中，如果數(shù)據(jù)線上有數(shù)據(jù)，就會(huì)造成NAND FLASH數(shù)據(jù)的損壞。2、復(fù)位RESET信號(hào)發(fā)生作用時(shí)，CPU處于不可控狀態(tài)，此時(shí)WP有可能為高電平，數(shù)據(jù)線同樣有可能會(huì)造成內(nèi)部數(shù)據(jù)的損壞。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路，用于在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時(shí)，保證了塊存儲(chǔ)器件內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路，包括復(fù)位模塊和電壓檢測模塊；復(fù)位模塊將控制器的復(fù)位引腳與塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳相連接，用于當(dāng)控制器復(fù)位時(shí)，控制塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳為低電平；電壓檢測模塊連接于控制器的電源引腳與塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳之間，用于當(dāng)檢測到控制器的電源引腳電壓低于預(yù)設(shè)閥值時(shí)，控制塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳為低電平。從以上技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路具有以下優(yōu)點(diǎn)在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時(shí)，控制塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳一直為低電平，保證了其內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中的一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路； 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路，用于在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時(shí)，保證了塊存儲(chǔ)器件內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說明。本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路，請(qǐng)參見圖2，包括 復(fù)位模塊10和電壓檢測模塊20 ；復(fù)位模塊10將控制器30的復(fù)位引腳與塊存儲(chǔ)器件40的寫保護(hù)引腳相連接，用于當(dāng)控制器30復(fù)位時(shí)，控制塊存儲(chǔ)器件40的寫保護(hù)引腳為低電平；電壓檢測模塊20連接于控制器30的電源引腳與塊存儲(chǔ)器件40的寫保護(hù)引腳之間，用于當(dāng)檢測到控制器30的電源引腳電壓低于預(yù)設(shè)閾值時(shí)，控制塊存儲(chǔ)器件40的寫保護(hù)引腳為低電平。具體地說，本實(shí)施例中的塊存儲(chǔ)器件40可以為NAND FLASH塊存儲(chǔ)器件。其中，塊存儲(chǔ)器件NAND FLASH的寫保護(hù)引腳，即WP引腳與控制器30的復(fù)位引腳相連，以組成復(fù)位模塊，用于當(dāng)控制器30復(fù)位時(shí)，NAND FLASH也處于寫保護(hù)狀態(tài)，即無法對(duì)NAND FLASH進(jìn)行寫操作，保證其內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。復(fù)位模塊10用于避免了當(dāng)復(fù)位RESET信號(hào)發(fā)生作用，CPU處于不可控狀態(tài)時(shí)，WP引腳有可能是高電平而導(dǎo)致數(shù)據(jù)線有可能會(huì)造成NAND FLASH內(nèi)部數(shù)據(jù)的損壞的問題。另外，電壓檢測模塊20連接于控制器30的電源引腳與塊存儲(chǔ)器件40的寫保護(hù)引腳之間。在某些實(shí)施方式中，電壓檢測模塊20連接于控制器30的電源引腳與塊存儲(chǔ)器件40的寫保護(hù)引腳之間，如圖2所示，即電壓檢測模塊20連接于電源Vccl與存儲(chǔ)器件40的寫保護(hù)引腳之間。其中，電壓檢測模塊20中可以包括一電壓監(jiān)測芯片，用于監(jiān)控電源Vccl電壓的變化，也可以說是，監(jiān)控WP引腳的電壓，當(dāng)電源Vccl斷電時(shí)，由于電壓不會(huì)馬上消失，而是一個(gè)從有到無的過渡過程。因此當(dāng)電壓低到一定程度時(shí)，在本實(shí)施例中，可以說是低于一預(yù)設(shè)閾值時(shí)，電壓監(jiān)測芯片輸出低電平，使NAND FLASH處于寫保護(hù)狀態(tài)。電壓檢測模塊20用于避免當(dāng)Vccl突然掉電時(shí)，電壓會(huì)有一個(gè)從有到無變低的過程，即WP引腳上的電壓也是會(huì)從高到低，如果數(shù)據(jù)線上有數(shù)據(jù)，就會(huì)造成NAND FLASH數(shù)據(jù)損壞的問題。可以理解的是，一般地，控制器對(duì)NAND FLASH進(jìn)行正常的讀操作和寫操作，以及其它控制；NAND FLASH是一種塊存儲(chǔ)設(shè)備，用來保存數(shù)據(jù)或代碼，由控制器對(duì)其進(jìn)行控制，如對(duì)其寫保護(hù)引腳進(jìn)行控制，以達(dá)到在不希望更改NAND FLASH內(nèi)容時(shí)，對(duì)其內(nèi)容進(jìn)行保護(hù)。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路，在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時(shí)，控制塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳一直為低電平，保證了其內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。以上對(duì)本實(shí)用新型所提供的一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的 一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
權(quán)利要求1.一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路，其特征在于，包括 復(fù)位模塊和電壓檢測模塊； 所述復(fù)位模塊將控制器的復(fù)位引腳與塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳相連接，用于當(dāng)控制器復(fù)位時(shí)，控制所述塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳為低電平； 所述電壓檢測模塊連接于所述控制器的電源引腳與所述塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳之間，用于當(dāng)檢測到所述控制器的電源引腳電壓低于預(yù)設(shè)閥值時(shí)，控制所述塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳為低電平。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述電路，其特征在于 所述塊存儲(chǔ)器件為NAND FLASH塊存儲(chǔ)器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述電路，其特征在于 所述電壓檢測模塊包括電壓監(jiān)測芯片，所述電壓監(jiān)測芯片用于監(jiān)控電源電壓的變化。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種塊存儲(chǔ)保護(hù)電路，用于在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時(shí)，保證了塊存儲(chǔ)器件內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。本實(shí)用新型實(shí)施例包括復(fù)位模塊和電壓檢測模塊；復(fù)位模塊將控制器的復(fù)位引腳與塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳相連接，用于當(dāng)控制器復(fù)位時(shí)，控制塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳為低電平；電壓檢測模塊連接于控制器的電源引腳與塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳之間，用于當(dāng)檢測到控制器的電源引腳電壓低于預(yù)設(shè)閥值時(shí)，控制塊存儲(chǔ)器件的寫保護(hù)引腳為低電平。
文檔編號(hào)G06F12/16GK202486769SQ20112057314
公開日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者蔡曉峰 申請(qǐng)人:深圳市凌啟電子有限公司