專利名稱：參考頻率設(shè)定方法、存儲器控制器及閃存儲存裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種參考頻率設(shè)定方法，且特別涉及一種以固件形式將參考頻率記錄于存儲器內(nèi)部的參考頻率設(shè)定方法及使用此方法的存儲器控制器與閃存儲存裝置。
背景技術(shù)：
通用串行總線(Universal Serial Bus,以下簡稱USB)裝置在消費市場上已是極為普遍且成熟的產(chǎn)品。其中為了產(chǎn)生一較為精確的參考頻率以供此電子裝置運作，常用的方式即利用一外部電路，即一石英振蕩電路來產(chǎn)生。且在已知技術(shù)中，若需調(diào)整晶片內(nèi)振蕩電路的特性時，制造商通常于開卡程序時，使用一硬件元件，如電子熔斷絲(e-fuse)或者微調(diào)連接墊(trim pad),來記錄調(diào)整的設(shè)定。然而,一方面,石英振蕩電路成本昂貴,另一方面，以此種方式來記記錄調(diào)整晶片內(nèi)振蕩電路的頻率設(shè)定勢必會增加USB裝置的硬件面積及成本，且于開卡后，因硬件元件已燒斷，故不易再修改所設(shè)定的頻率，進而將降低其競爭 力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種參考頻率設(shè)定方法，其以固件形式將參考頻率的調(diào)整設(shè)定記錄于存儲器上，進而節(jié)省存儲器儲存裝置的硬件成本。本發(fā)明提供一種存儲器控制器，其以固件形式將參考頻率的調(diào)整設(shè)定記錄于存儲器上，進而節(jié)省存儲器儲存裝置的硬件成本。本發(fā)明提供一種閃存儲存裝置，其以固件形式將參考頻率的調(diào)整設(shè)定記錄于存儲器上，進而節(jié)省存儲器儲存裝置的硬件成本。本發(fā)明提供一種參考頻率設(shè)定方法。閃存儲存裝置包括一閃存模塊、一儲存單元以及一振蕩電路。閃存儲存裝置不包括一石英振蕩器。參考頻率設(shè)定方法包括如下步驟。檢查一設(shè)定碼(Setting code)是否儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)，其中設(shè)定碼包括參考頻率的設(shè)定信息。若設(shè)定碼儲存于閃存模塊內(nèi)，讀取設(shè)定碼，以使振蕩電路依據(jù)設(shè)定碼產(chǎn)生參考頻率。在本發(fā)明的一實施例中，上述的儲存單元儲存一開機碼。在檢查設(shè)定碼的步驟中，閃存儲存裝置被開機后，依據(jù)開機碼，檢查設(shè)定碼是否儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的參考頻率設(shè)定方法還包括若設(shè)定碼未儲存于閃存模塊內(nèi)，經(jīng)由一耦接的主機產(chǎn)生設(shè)定碼，并將設(shè)定碼儲存于閃存模塊內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的設(shè)定碼的產(chǎn)生是依據(jù)主機所提供的一信號封包，調(diào)整振蕩電路的頻率，以獲得設(shè)定碼。設(shè)定碼包括一頻率調(diào)整幅度的信息。在本發(fā)明的一實施例中，上述的調(diào)整振蕩電路的頻率的步驟包括接收信號封包，以將振蕩電路所產(chǎn)生參考頻率設(shè)定至信號封包的基本頻率。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的參考頻率設(shè)定方法，還包括載入設(shè)定碼至一燒錄裝置(burner)，以藉由燒錄裝置將設(shè)定碼寫入閃存模塊或儲存單元內(nèi)。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的調(diào)整振蕩電路的頻率的步驟包括依據(jù)設(shè)定碼，將振蕩電路所產(chǎn)生的參考頻率設(shè)定至一耦接的主機所提供的一信號封包的基本頻率。本發(fā)明提供一種存儲器控制器，用于設(shè)定一閃存儲存裝置的參考頻率。閃存儲存裝置包括一閃存模塊以及一振蕩電路。存儲器控制器包括一存儲器接口、一存儲器管理電路以及一儲存單元。存儲器接口耦接至閃存模塊。存儲器管理電路耦接至存儲器接口。儲存單元耦接至存儲器管理電路。存儲器管理電路檢查一設(shè)定碼是否儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)。設(shè)定碼包括參考頻率的信息。若設(shè)定碼儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)，存儲器管理電路讀取設(shè)定碼，以使振蕩電路依據(jù)設(shè)定碼產(chǎn)生參考頻率。在本發(fā)明的一實施例中，上述的儲存單元儲存一開機碼。存儲器管理電路在閃存儲存裝置被開機后，依據(jù)開機碼，檢查設(shè)定碼是否儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的設(shè)定碼未儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)，存儲器管理電路經(jīng)由一耦接的主機產(chǎn)生設(shè)定碼，并將設(shè)定碼儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的設(shè)定碼的產(chǎn)生是存儲器管理電路依據(jù)主機所提供的一信號封包，調(diào)整振蕩電路的頻率，以獲得設(shè)定碼，其中設(shè)定碼還包括一頻率調(diào)整幅度的信息。在本發(fā)明的一實施例中，上述的存儲器管理電路接收信號封包，以將振蕩電路所產(chǎn)生參考頻率設(shè)定至信號封包的基本頻率。在本發(fā)明的一實施例中，上述的記憶體管理電路載入設(shè)定碼至一燒錄裝置，以藉由燒錄裝置將設(shè)定碼寫入閃存模塊或儲存單元內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的存儲器管理電路依據(jù)設(shè)定碼將振蕩電路所產(chǎn)生的參考頻率設(shè)定至一耦接的主機所提供的一信號封包的基本頻率。本發(fā)明提供一種閃存儲存裝置，包括一振蕩電路、一閃存模塊以及一存儲器控制器。振蕩電路適于依據(jù)一設(shè)定碼，產(chǎn)生一參考頻率。閃存模塊適于儲存設(shè)定碼。存儲器控制器耦接至振蕩電路及閃存模塊。存儲器控制器包括一儲存單元。存儲器控制器檢查設(shè)定碼是否儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)。設(shè)定碼包括參考頻率的信息。若設(shè)定碼儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)，存儲器控制器讀取設(shè)定碼，以使振蕩電路依據(jù)設(shè)定碼產(chǎn)生參考頻率。在本發(fā)明的一實施例中，上述的儲存單元儲存一開機碼。存儲器控制器在閃存儲存裝置被開機后，依據(jù)開機碼，檢查設(shè)定碼是否儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，若設(shè)定碼未儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)，存儲器控制器經(jīng)由一耦接的主機產(chǎn)生設(shè)定碼，并將設(shè)定碼儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的設(shè)定碼的產(chǎn)生是存儲器控制器依據(jù)主機所提供的一信號封包，調(diào)整振蕩電路的頻率，以獲得設(shè)定碼。設(shè)定碼還包括一頻率調(diào)整幅度的信息。在本發(fā)明的一實施例中，上述的存儲器控制器接收信號封包，以將振蕩電路所產(chǎn)生的參考頻率設(shè)定至信號封包的基本頻率。在本發(fā)明的一實施例中，上述的存儲器控制器載入設(shè)定碼至一燒錄裝置，以藉由燒錄裝置將設(shè)定碼寫入閃存模塊或儲存單元內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的存儲器控制器依據(jù)設(shè)定碼將振蕩電路所產(chǎn)生的參考頻率設(shè)定至一耦接的主機所提供的一信號封包的基本頻率。在本發(fā)明的一實施例中，上述的閃存儲存裝置不包括一石英振蕩器。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的閃存模塊的實體區(qū)塊具有多個上頁位址與寫入速度快于上頁位址的多個下頁位址。設(shè)定碼儲存于閃存模塊的下頁位址中。本發(fā)明能夠?qū)⒖碱l率的設(shè)定參數(shù)以固件形式儲存于閃存模塊內(nèi)，由此節(jié)省存儲器儲存裝置的硬件成本。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


圖IA為本發(fā)明第一實施例所顯示的主機系統(tǒng)與存儲器儲存裝置。圖IB為本發(fā)明實施例所顯示的電腦、輸入/輸出裝置與存儲器儲存裝置的示意圖。
圖IC為本發(fā)明另一實施例所顯示的主機系統(tǒng)與存儲器儲存裝置的示意圖。圖2為顯示圖IA所示的存儲器儲存裝置的概要方框圖。圖3為本發(fā)明實施例所顯示的存儲器控制器的概要方框圖。圖4為本發(fā)明一實施例所顯示的振蕩電路的概要方框圖。圖5為本發(fā)明一實施例所顯示的框架起點代碼的波形圖。圖6為本發(fā)明一實施例所顯示的參考頻率設(shè)定方法的流程圖。主要元件符號說明1000 :主機系統(tǒng)1100:電腦1102:微處理器1104:隨機存取存儲器1106:輸入/輸出裝置1108:系統(tǒng)總線1110:數(shù)據(jù)傳輸接口1202:鼠標1204 :鍵盤1206 :顯示器1208 :打印機1212:隨身碟1214 :存儲卡1216:固態(tài)硬盤1310 :數(shù)碼相機1312 SD 卡1314:MMC 卡1316 :記憶棒1318 :CF 卡1320 :嵌入式儲存裝置100 :存儲器儲存裝置
102:連接器104 :存儲器控制器
106:閃存模塊202 :存儲器管理電路204:主機接口206:存儲器接口252 :儲存單元254:電源管理電路256 :錯誤檢查與校正電路402:振蕩電路404:多路復用器406a、406b :寄存器408:調(diào)整電路410 :輸入處理單元510,520 :框架起點代碼CLKO :參考信號SC:電容調(diào)整信號SR:電阻調(diào)整信號SDAC :類比數(shù)位的轉(zhuǎn)換信號DP/DM:輸入數(shù)據(jù)串S0F:信號封包S600、S602、S604、S606、S608、S610、S612、S614 :參考頻率設(shè)定方法的步驟
具體實施例方式本發(fā)明的實施例所提出的參考頻率設(shè)定方法，藉由存儲器儲存裝置在開卡程序執(zhí)行時，通過主機提供準確的參考頻率，調(diào)整個別存儲器儲存裝置的晶片內(nèi)振蕩電路所需的頻率設(shè)定，并將此設(shè)定儲存于閃存模塊內(nèi)。之后，存儲器儲存裝置開機時，通過開卡程序載入的設(shè)定碼將此頻率設(shè)定于晶片內(nèi)振蕩電路，之后，存儲器儲存裝置即可正確無誤地與主機連接?；?，本發(fā)明的實施例所提出的參考頻率設(shè)定方法能夠?qū)⒋嗽O(shè)定以固件形式儲存于閃存模塊內(nèi)，由此節(jié)省存儲器儲存裝置的硬件成本。為更清楚地了解本發(fā)明，以下將配合圖式，以一實施例來作詳細說明。一般而言,存儲器儲存裝置(亦稱,存儲器儲存系統(tǒng))包括可復寫式閃存模塊與控制器(亦稱，控制電路)。通常存儲器儲存裝置是與主機系統(tǒng)一起使用，以使主機系統(tǒng)可將數(shù)據(jù)寫入至存儲器儲存裝置或從存儲器儲存裝置中讀取數(shù)據(jù)。圖IA為本發(fā)明實施例所顯示的主機系統(tǒng)與存儲器儲存裝置。請參照圖1A,主機系統(tǒng)1000 —般包括電腦1100與輸入/輸出(input/output,I/O)裝置1106。電腦1100包括微處理器1102、隨機存取存儲器(random access memory,RAM) 1104、系統(tǒng)總線1108與數(shù)據(jù)傳輸接口 1110。輸入/輸出裝置1106包括如圖IB的鼠標1202、鍵盤1204、顯示器1206與打印機1208。必須了解的是，圖IB所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106，輸入/輸出裝置1106可還包括其他裝置。在本發(fā)明實施例中，存儲器儲存裝置100是通過數(shù)據(jù)傳輸接口 1110與主機系統(tǒng)1000的其他元件耦接。藉由微處理器1102、隨機存取存儲器1104與輸入/輸出裝置1106的運作可將數(shù)據(jù)寫入至存儲器儲存裝置100或從存儲器儲存裝置100中讀取數(shù)據(jù)。例如，存儲器儲存裝置100可以是如圖IB所示的隨身碟1212、存儲卡1214或固態(tài)硬盤(SolidState Drive, SSD) 1216等的可復寫式閃存儲存裝置。一般而言，主機系統(tǒng)1000為可實質(zhì)地與存儲器儲存裝置100配合以儲存數(shù)據(jù)的任意系統(tǒng)。雖然在本實施例中，主機系統(tǒng)1000是以電腦系統(tǒng)來作說明，然而，在本發(fā)明另一實施例中主機系統(tǒng)1000可以是數(shù)碼相機、攝影機、通信裝置、音頻播放器或視頻播放器等系統(tǒng)。例如，在主機系統(tǒng)為數(shù)碼相機(攝影機)1310時，可復寫式閃存儲存裝置則為其所使用的SD卡1312、MMC卡1314、記憶棒(memory stick) 1316、CF卡1318或嵌入式儲存裝置1320 (如圖IC所示)。嵌入式儲存裝置1320包括嵌入式多媒體卡(Embedded MMC, eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接耦接于主機系統(tǒng)的基板上。
圖2為顯示圖IA所示的存儲器儲存裝置的概要方框圖。請參照圖2，存儲器儲存裝置100包括連接器102、存儲器控制器104與閃存模塊106。在本實施例中，連接器102是相容于串行高級技術(shù)附件(Serial AdvancedTechnology Attachment, SATA)標準。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，連接器102亦可以是符合電氣和電子工程師協(xié)會(Institute of Electrical and ElectronicEngineers, IEEE) 1394 標準、高速周邊兀件擴展接口(Peripheral ComponentInterconnect Express, PCI Express)標準、通用串行總線(Universal Serial Bus, USB)標準、安全數(shù)碼(Secure Digital, SD)接口標準、記憶棒(Memory Stick, MS)接口標準、多媒體儲存卡(Multi Media Card,MMC)接口標準、小型閃存(Compact Flash,CF)接口標準、電子集成驅(qū)動器(Integrated Device Electronics, IDE)標準或其他適合的標準。存儲器控制器104用以執(zhí)行以硬件形式或固件形式實作的多個邏輯門或控制指令，并且根據(jù)主機系統(tǒng)1000的指令在閃存模塊106中進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運作。其中值得說明的是，在本發(fā)明的一實施例中，連接器102及存儲器控制器104中所使用的一參考頻率皆利用源自于主機系統(tǒng)1000所傳送的一封包信息，而調(diào)整內(nèi)部振蕩電路，以產(chǎn)生出此參考頻率，此參考頻率非來自于一存儲器儲存裝置100內(nèi)部的石英振蕩器。而在本發(fā)明的另一實施例中，存儲器儲存裝置100內(nèi)部不包含有一石英振蕩器。閃存模塊106是耦接至存儲器控制器104，并且用以儲存主機系統(tǒng)1000所寫入的數(shù)據(jù)。在本實施例中，閃存模塊106為多層單元(Multi Level Cell，MLC)NAND閃存模塊。然而，本發(fā)明不限于此，閃存模塊106亦可是單層單元(Single Level Cell, SLC)NAND閃存模塊、其他閃存模塊或其他具有相同特性的存儲器模塊。圖3為本發(fā)明實施例所顯示的存儲器控制器的概要方框圖。請參照圖3，存儲器控制器104包括存儲器管理電路202、主機接口 204與存儲器接口 206。存儲器管理電路202用以控制存儲器控制器104的整體運作。具體來說，存儲器管理電路202具有多個控制指令，并且在存儲器儲存裝置100運作時，此些控制指令會被執(zhí)行以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運作。在本實施例中，存儲器管理電路202的控制指令是以固件形式來實作。例如，存儲器管理電路202具有微處理器單元(未顯示)與只讀存儲器(未顯示)，并且此些控制指令是被燒錄至此只讀存儲器中。當存儲器儲存裝置100運作時，此些控制指令會由微處理器單元來執(zhí)行以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運作。在本發(fā)明另一實施例中，存儲器管理電路202的控制指令亦可以程序代碼形式儲存于閃存模塊106的特定區(qū)域(例如，存儲器模塊中專用于存放系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)區(qū))中。此外，存儲器管理電路202具有微處理器單元(未顯示)、只讀存儲器(未顯示)及隨機存取存儲器(未顯示)。特別是，此只讀存儲器具有驅(qū)動碼，并且當存儲器控制器104被使能時，微處理器單元會先執(zhí)行此驅(qū)動碼段來將儲存于閃存模塊106中的控制指令載入至存儲器管理電路202的隨機存取存儲器中。之后，微處理器單元會運轉(zhuǎn)此些控制指令以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運作。此外，在本發(fā)明另一實施例中，存儲器管理電路202的控制指令亦可以一硬件形式來實作。
主機接口 204是耦接至存儲器管理電路202并且用以接收與識別主機系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)。也就是說，主機系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)會通過主機接口 204來傳送至存儲器管理電路202。在本實施例中，主機接口 204是相容于SATA標準。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，主機接口 204亦可以是相容于PATA標準、IEEE 1394標準、PCI Express標準、USB標準、SD標準、MS標準、MMC標準、CF標準、IDE標準或其他適合的數(shù)據(jù)傳輸標準。存儲器接口 206是耦接至存儲器管理電路202并且用以存取閃存模塊106。也就是說，欲寫入至閃存模塊106的數(shù)據(jù)會經(jīng)由存儲器接口 206轉(zhuǎn)換為閃存模塊106所能接受的格式。在本發(fā)明一實施例中，存儲器控制器104還包括一儲存單元252。儲存單元252是耦接至存儲器管理電路202可用以儲存系統(tǒng)數(shù)據(jù)、暫存來自于主機系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)與指令或來自于閃存模塊106的數(shù)據(jù)。在本發(fā)明一實施例中，存儲器控制器104還包括電源管理電路254。電源管理電路254是耦接至存儲器管理電路202并且用以控制存儲器儲存裝置100的電源。在本發(fā)明一實施例中，存儲器控制器104還包括錯誤檢查與校正電路256。錯誤檢查與校正電路256是耦接至存儲器管理電路202并且用以執(zhí)行錯誤檢查與校正程序以確保數(shù)據(jù)的正確性。具體來說，當存儲器管理電路202從主機系統(tǒng)1000中接收到寫入指令時，錯誤檢查與校正電路256會為對應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)產(chǎn)生對應(yīng)的錯誤檢查與校正碼(ErrorChecking and Correcting Code, ECC Code),并且存儲器管理電路202會將對應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)與對應(yīng)的錯誤檢查與校正碼寫入至閃存模塊106中。之后，當存儲器管理電路202從閃存模塊106中讀取數(shù)據(jù)時會同時讀取此數(shù)據(jù)對應(yīng)的錯誤檢查與校正碼，并且錯誤檢查與校正電路256會依據(jù)此錯誤檢查與校正碼對所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯誤檢查與校正程序。圖4為本發(fā)明一實施例所顯示的振蕩電路的概要方框圖。請參考圖2至圖4，本實施例的振蕩電路402是在存儲器儲存裝置100內(nèi)部設(shè)計的一晶片內(nèi)的振蕩電路，例如是配置在連接器102中，用以產(chǎn)生參考信號CLK0。在本實施例中，振蕩電路402例如是一個電阻/電容(RC)振蕩器、環(huán)型(Ring)振蕩器或是電感/電容(LC)振蕩器，可產(chǎn)生參考信號CLKO。為了使振蕩電路402可提供準確的參考頻率CLK0，制造商可在寄存器406a中預設(shè)一參考頻率的中間值，開卡程序時，藉由調(diào)整電路408來調(diào)整晶片內(nèi)振蕩電路的特性,使其頻率符合存儲器儲存裝置100規(guī)格。因此，在調(diào)整晶片內(nèi)振蕩電路402時，存儲器控制器104先暫時關(guān)閉多路復 用器404接收寄存器406b的信號的通道。此時，調(diào)整電路408再例如藉由電容調(diào)整信號SC、電阻調(diào)整信號SR、或數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換信號SDAC等來調(diào)整振蕩電路402的特性。其中，振蕩電路402的調(diào)整方式可諸如并聯(lián)不同數(shù)目的電阻與串聯(lián)不同數(shù)目的電容，即可對應(yīng)產(chǎn)生不同的參考頻率CLK0。在本實施例中，存儲器控制器104將振蕩電路402所產(chǎn)生的參考頻率CLKO設(shè)定至主機所提供的一信號封包SOF的基本頻率。在此，信號封包SOF為一框架起點(Start-of-Frame, S0F)代碼(Token)。具體而言，輸入處理單元410例如接收主機所提供的輸入數(shù)據(jù)串DP/DM，來調(diào)整振蕩電路402所產(chǎn)生的參考頻率CLK0，其中信號封包SOF搭載于輸入數(shù)據(jù)串DP/DM上。調(diào)整電路408例如是一邏輯電路，其包括一計數(shù)器(未顯示)，用來計算相鄰信號封包SOF的間隔。于USB 2. 0規(guī)格內(nèi)，高速USB的信號封包SOF的間隔為125微秒(micro-second)。每次調(diào)整電路408接收信號封包SOF時，比較計數(shù)器與125微秒的相對關(guān)系。若計數(shù)器數(shù)值小于預期計數(shù)125微秒的數(shù)值，則晶片內(nèi)振蕩電路402的振蕩頻率較慢，應(yīng)增加電阻并聯(lián)數(shù)目，或者減少電容串聯(lián)數(shù)目，藉以加快晶片內(nèi)振蕩電路402的振蕩速度。相反地，若計數(shù)器數(shù)值大于預期計數(shù)125微秒的數(shù)值，則晶片內(nèi)振蕩電路402的振蕩頻率較快，應(yīng)減少電阻并聯(lián)數(shù)目，或者增加電容并聯(lián)數(shù)目，藉以降低晶片內(nèi)振蕩電路402的振蕩速度。如此，在接收一連續(xù)信號封包SOF后，將可以使得振蕩電路402的頻率控制在一定準確的頻率下。圖5為本發(fā)明一實施例所顯示的框架起點代碼的波形圖。其中，圖5顯示輸入數(shù)據(jù)串流DP/DM中的框架N與框架N-1，而在這兩個框架的數(shù)據(jù)封包的前頭，即會分別加入框架起點代碼510、520，以供輸入處理單元410判讀框架N與框架N-I。其中，在本實施例中，可依USB 2. 0的規(guī)格，框架起點代碼510、520的間的間隔為125微秒，而誤差范圍為正負500ppm，但此間隔亦可為225微秒或依不同的規(guī)格而設(shè)定的，并不以此為限。本實施例即由輸入處理單元410接收搭載于輸入數(shù)據(jù)串DP/DM上的框架起點信號S0F，而調(diào)整電路408利用其計數(shù)器來計數(shù)框架起點信號，據(jù)以產(chǎn)生電容調(diào)整信號SC、電阻調(diào)整信號SR、或數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換信號SDAC。舉例來說，假設(shè)標準的參考時脈頻率為480百萬赫茲(MHz)，而框架起點代碼之間的間隔為125微秒，則在一個時脈周期內(nèi)的框架起點代碼的計數(shù)應(yīng)為60000。然而，在實際狀況下，若參考時脈信號的時脈頻率小于480MHz，則在一個時脈周期內(nèi)的框架起點代碼的計數(shù)將會小于60000，此時調(diào)整電路408需藉由增加電阻并聯(lián)數(shù)目，或者減少電容量(如增加電容串聯(lián)數(shù)目，減少電容并聯(lián)數(shù)目)，而控制振蕩電路402提高參考時脈信號的時脈頻率；反之，若參考時脈信號的時脈頻率大于480MHz，則在一個時脈周期內(nèi)的框架起點代碼的計數(shù)將會大于60000，此時調(diào)整電路408需藉由減少電阻并聯(lián)數(shù)目，或者增加電容量(如減少電容串聯(lián)數(shù)目，增加電容并聯(lián)數(shù)目)，而控制振蕩電路402降低參考時脈信號的時脈頻率。藉由上述調(diào)整方式，最終即可使得振蕩電路402所產(chǎn)生的參考頻率趨近于標準狀態(tài)下的 480MHz。在本實施例中，除了利用上述方式來調(diào)整參考頻率CLKO以外，亦可以藉由建立對應(yīng)表來調(diào)整的，以降低調(diào)整的次數(shù)。所以，一旦趨近于標準狀態(tài)的參考頻率設(shè)定完成后，存儲器控制器104即重新開啟通過多路復用器404用以存取寄存器406b的通道，以將該參考頻率的設(shè)定、調(diào)整信息儲存于寄存器406b中。之后，存儲器控制器104再以固件形式將參考頻率的調(diào)整設(shè)定記錄于閃存模塊106上，進而節(jié)省存儲器儲存裝置100的硬件成本。換句話說，在本實施例中，存儲器控制器104將一設(shè)定碼儲存于閃存模塊106內(nèi)，其中該設(shè)定碼包括參考頻率的信息(即用以設(shè)定振蕩電路402的內(nèi)部元件以振蕩出參考頻率的參數(shù)信息)。接著，在之后開機時，存儲器控制器104可再次讀取該設(shè)定碼，以控制振蕩電路402依據(jù)該設(shè)定碼產(chǎn)生趨近于標準狀態(tài)的參考頻率。在本實施例中，設(shè)定碼系儲存于閃存模塊106內(nèi)，但本發(fā)明并不限于此。在其他實施例中，該設(shè)定碼亦可選擇儲存于儲存單元252中。進一步而言，圖6為本發(fā)明一實施例所顯示的參考頻率設(shè)定方法的流程圖。請 參考圖6,在本實施例中，儲存單元252包括一記憶單元(未顯示)，例如一緩沖存儲器(Buffer Memory),只讀存儲器(Read Only Memory, ROM)、隨機存取存儲器(Random AccessMemory, RAM)或寄存器(Register)。存儲器儲存裝置100將其開機碼儲存或傳送至儲存單元252內(nèi)建的記憶單元中。在本實施例中，存儲器儲存裝置100例如是閃存儲存裝置。在步驟S600中，在存儲器儲存裝置100被開機后，存儲器控制器104讀取該開機碼，以依據(jù)開機碼檢查其用以設(shè)定參考頻率的設(shè)定碼是否儲存于閃存模塊106內(nèi)，如步驟S602所示。該設(shè)定碼例如是藉由上述參考頻率的設(shè)定、調(diào)整方式而得，并儲存在閃存模塊106內(nèi)。在另一實施例中，該設(shè)定碼亦可儲存于儲存單元252中。此時，存儲器控制器104所檢查的對象則為儲存單元252。接著，若設(shè)定碼未儲存于閃存模塊106內(nèi)，存儲器控制器104耦接存儲器儲存裝置至一主機，以將該設(shè)定碼儲存于閃存模塊106內(nèi)。在本實施例中，存儲器儲存裝置100所連接的主機例如是一執(zhí)行開卡程序的特殊制具(通常由存儲器的控制器廠商提供)。詳細而言，在步驟S602中，若設(shè)定碼未儲存于閃存模塊106內(nèi)，則存儲器控制器104即執(zhí)行步驟S604將存儲器儲存裝置100耦接至主機，以產(chǎn)生設(shè)定碼。在此耦接過程中，存儲器控制器104將控制硬件內(nèi)建的調(diào)整電路408，使其依據(jù)主機所提供的一信號封包，調(diào)整振蕩電路402的頻率，以獲得包括頻率調(diào)整幅度的信息的設(shè)定碼，如步驟S606。在本實施例中，調(diào)整電路408參考搭載于輸入數(shù)據(jù)串DP/DM上的信號封包S0F，來調(diào)整晶片內(nèi)的振蕩電路402的頻率，并將頻率調(diào)整幅度儲存在寄存器406a上。也就是說，調(diào)整電路408接收信號封包S0F，以調(diào)整振蕩電路402的頻率，以將其所產(chǎn)生的參考頻率設(shè)定至信號封包SOF的基本頻率。因此，在設(shè)定碼儲存成功后，在步驟S608中，存儲器控制器104將載入設(shè)定碼至一燒錄裝置(burner，未顯示)。接著，在步驟S610中，該燒錄裝置將讀取設(shè)定碼，以將設(shè)定碼寫入閃存模塊106內(nèi)。待燒錄裝置的程序執(zhí)行完成后，即可重新開機。此時，參考頻率設(shè)定方法流程會回到步驟S600，以依據(jù)開機碼，再次檢查設(shè)定碼是否儲存于閃存模塊106內(nèi)。在其他實施例中，若設(shè)定碼未儲存于閃存模塊106內(nèi)，則存儲器儲存裝置100亦可以電子熔斷絲或者微調(diào)連接墊，或以本發(fā)明的參考頻率設(shè)定方法，來記錄調(diào)整參考頻率的設(shè)定。
另一方面，在步驟S602中，若存儲器控制器104的檢查結(jié)果是該設(shè)定碼儲存于閃存模塊106內(nèi)，則存儲器控制器104會讀取儲存于閃存模塊106內(nèi)的設(shè)定碼，如步驟S612所示，并將其內(nèi)含的頻率調(diào)整幅度的信息儲存于寄存器406b中，用以調(diào)整振蕩電路402。接著，在步驟S614中，調(diào)整電路408依據(jù)該頻率調(diào)整幅度的信息調(diào)整振蕩電路402的頻率，以將其所產(chǎn)生的參考頻率設(shè)定至信號封包SOF的基本頻率。之后，存儲器控制器104即可將存儲器儲存裝置100連接至主機，以執(zhí)行主機的命令。值得一提的是，本發(fā)明實施例的閃存模塊106例如是MLC NAND閃存，并且MLCNAND閃存的實體區(qū)塊的程序化可分為多階段。例如，以4層單元為例，實體區(qū)塊的程序化可分為2階段。第一階段是下頁位址(lower page)的寫入部分，其物理特性類似于單層單元SLC NAND閃存，在完成第一階段之后才會程序化上頁位址(upper page)，其中下頁位址的寫入速度會快于上頁位址。因此，每一實體區(qū)塊的頁面位址可區(qū)分為快慢頁面(即，上頁位 址)與快速頁面(即，下頁位址)。類似地，在8層單元或16層單元的案例中，單元會包括更多個頁面位址并且會以更多階段來寫入。在此，將寫入速度最快的頁面位址稱為下頁位址，其他寫入速度較慢的頁面位址統(tǒng)稱為上頁位址。例如，上頁位址包括具有不同寫入速度的多個頁面。此外，在其他實施例中，上頁位址也可為寫入速度最慢的頁面，或者寫入速度最慢與部份寫入速度快于寫入速度最慢頁面的頁面。例如，在4層單元中，下頁位址為寫入速度最快與寫入速度次快的頁面，上頁則為寫入速度最慢與寫入速度次慢的頁面。因此，在本實施例中，存儲器控制器104可利用下頁位址寫入速度較快的特性，在執(zhí)行步驟S610中，將設(shè)定碼儲存于閃存模塊106的下頁位址中，以加快寫入速度。綜上所述，在本發(fā)明的范例實施例中，藉由存儲器儲存裝置在開卡程序執(zhí)行時，通過主機提供準確的參考頻率，調(diào)整個別存儲器儲存裝置的晶片內(nèi)振蕩電路所需的頻率設(shè)定，并將此設(shè)定儲存于閃存模塊內(nèi)。因此，本發(fā)明的實施例所提出的參考頻率設(shè)定方法能夠?qū)⒖碱l率的設(shè)定參數(shù)以固件形式儲存于閃存模塊內(nèi)，由此節(jié)省存儲器儲存裝置的硬件成本。雖然本發(fā)明已以實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，當可作些許的更動與潤飾，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種參考頻率設(shè)定方法，其中該閃存儲存裝置包括一閃存模塊、一儲存單元以及一振蕩電路，該閃存儲存裝置不包括一石英振蕩器，該參考頻率設(shè)定方法包括 檢查一設(shè)定碼(Setting code)是否儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)，其中該設(shè)定碼包括該參考頻率的設(shè)定信息；以及 若該設(shè)定碼儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)，讀取該設(shè)定碼，以使該振蕩電路依據(jù)該設(shè)定碼產(chǎn)生該參考頻率。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的參考頻率設(shè)定方法，其中該儲存單元儲存一開機碼，在檢查該設(shè)定碼的該步驟中，該閃存儲存裝置被開機后，依據(jù)該開機碼，檢查該設(shè)定碼是否儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的參考頻率設(shè)定方法，還包括 若該設(shè)定碼未儲存于該閃存模塊內(nèi)，經(jīng)由一耦接的主機產(chǎn)生該設(shè)定碼，并將該設(shè)定碼儲存于該閃存模塊內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的參考頻率設(shè)定方法，其中該設(shè)定碼的產(chǎn)生是依據(jù)該主機所提供的一信號封包，調(diào)整該振蕩電路的頻率，以獲得該設(shè)定碼，其中該設(shè)定碼包括一頻率調(diào)整幅度的信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的參考頻率設(shè)定方法，其中調(diào)整該振蕩電路的頻率的該步驟包括 接收該信號封包，以將該振蕩電路所產(chǎn)生的該參考頻率設(shè)定至該信號封包的基本頻率。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的參考頻率設(shè)定方法，還包括 載入該設(shè)定碼至一燒錄裝置(burner)，以藉由該燒錄裝置將該設(shè)定碼寫入該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的參考頻率設(shè)定方法，其中調(diào)整該振蕩電路的頻率的該步驟包括 依據(jù)該設(shè)定碼，將該振蕩電路所產(chǎn)生的該參考頻率設(shè)定至一耦接的主機所提供的一信號封包的基本頻率。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的參考頻率設(shè)定方法，其中該閃存模塊的實體區(qū)塊具有多個上頁位址與寫入速度快于該些上頁位址的多個下頁位址，該設(shè)定碼儲存于該閃存模塊的該些下頁位址中。
9.一種存儲器控制器，用于設(shè)定一閃存儲存裝置的參考頻率，其中該閃存儲存裝置包括一閃存模塊以及一振蕩電路，該存儲器控制器包括 一存儲器接口，耦接至該閃存模塊； 一存儲器管理電路，耦接至該存儲器接口 ；以及 一儲存單元，耦接至該存儲器管理電路， 其中該存儲器管理電路檢查一設(shè)定碼是否儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)，該設(shè)定碼包括該參考頻率的信息；以及 若該設(shè)定碼儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)，該存儲器管理電路讀取該設(shè)定碼，以使該振蕩電路依據(jù)該設(shè)定碼產(chǎn)生該參考頻率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器控制器，其中該儲存單元儲存一開機碼，該存儲器管理電路在該閃存儲存裝置被開機后，依據(jù)該開機碼，檢查該設(shè)定碼是否儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器控制器，若該設(shè)定碼未儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)，該存儲器管理電路經(jīng)由一耦接的主機產(chǎn)生該設(shè)定碼，并將該設(shè)定碼儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的存儲器控制器，其中該設(shè)定碼的產(chǎn)生是該存儲器管理電路依據(jù)該主機所提供的一信號封包，調(diào)整該振蕩電路的頻率，以獲得該設(shè)定碼，其中該設(shè)定碼還包括一頻率調(diào)整幅度的信息。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器控制器，其中該存儲器管理電路接收該信號封包， 以將該振蕩電路所產(chǎn)生該參考頻率設(shè)定至該信號封包的基本頻率。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器控制器，其中該存儲器管理電路載入該設(shè)定碼至一燒錄裝置，以藉由該燒錄裝置將該設(shè)定碼寫入該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器控制器，其中該存儲器管理電路依據(jù)該設(shè)定碼將該振蕩電路所產(chǎn)生的該參考頻率設(shè)定至一耦接的主機所提供的一信號封包的基本頻率。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器控制器，其中該閃存儲存裝置不配置一石英振蕩器。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器控制器，其中該閃存模塊的實體區(qū)塊具有多個上頁位址與寫入速度快于該些上頁位址的多個下頁位址，該設(shè)定碼儲存于該閃存模塊的該些下頁位址中。
18.一種閃存儲存裝置，包括 一振蕩電路，適于依據(jù)一設(shè)定碼，產(chǎn)生一參考頻率； 一閃存模塊，適于儲存該設(shè)定碼；以及 一存儲器控制器，耦接至該振蕩電路及該閃存模塊，該存儲器控制器包括一儲存單元， 其中該存儲器控制器檢查該設(shè)定碼是否儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)，該設(shè)定碼包括該參考頻率的信息；以及 若該設(shè)定碼儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)，該存儲器控制器讀取該設(shè)定碼，以使該振蕩電路依據(jù)該設(shè)定碼產(chǎn)生該參考頻率。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的閃存儲存裝置，其中該儲存單元儲存一開機碼，該存儲器控制器在該閃存儲存裝置被開機后，依據(jù)該開機碼，檢查該設(shè)定碼是否儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的閃存儲存裝置，若該設(shè)定碼未儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)，該存儲器控制器經(jīng)由一耦接的主機產(chǎn)生該設(shè)定碼，并將該設(shè)定碼儲存于該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的閃存儲存裝置，其中該設(shè)定碼的產(chǎn)生是該存儲器控制器依據(jù)該主機所提供的一信號封包，調(diào)整該振蕩電路的頻率，以獲得該設(shè)定碼，其中該設(shè)定碼還包括一頻率調(diào)整幅度的信息。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的閃存儲存裝置，其中該存儲器控制器接收該信號封包，以將該振蕩電路所產(chǎn)生該參考頻率設(shè)定至該信號封包的基本頻率。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的閃存儲存裝置，其中該存儲器控制器載入該設(shè)定碼至一燒錄裝置，以藉由該燒錄裝置將該設(shè)定碼寫入該閃存模塊或該儲存單元內(nèi)。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的閃存儲存裝置，其中該存儲器控制器依據(jù)該設(shè)定碼將該振蕩電路所產(chǎn)生的該參考頻率設(shè)定至一耦接的主機所提供的一信號封包的基本頻率。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的閃存儲存裝置，不包括一石英振蕩器。
26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的閃存儲存裝置，其中該閃存模塊的實體區(qū)塊具有多個上頁位址與寫入速度快于該些上頁位址的多個下頁位址，該設(shè)定碼儲存于該閃存模塊的該些下頁位址中。
全文摘要
一種參考頻率設(shè)定方法。閃存儲存裝置包括一閃存模塊、一儲存單元以及一振蕩電路。閃存儲存裝置不包括一石英振蕩器。參考頻率設(shè)定方法包括如下步驟。檢查一設(shè)定碼是否儲存于閃存模塊或儲存單元內(nèi)，其中設(shè)定碼包括參考頻率的信息。若設(shè)定碼儲存于閃存模塊內(nèi)，讀取設(shè)定碼，以使振蕩電路依據(jù)設(shè)定碼產(chǎn)生參考頻率。另外，一種使用上述參考頻率設(shè)定方法的存儲器控制器及閃存儲存裝置亦被提出。本發(fā)明能夠?qū)⒖碱l率的設(shè)定參數(shù)以固件形式儲存于閃存模塊內(nèi)，由此節(jié)省存儲器儲存裝置的硬件成本。
文檔編號G06F1/04GK102736666SQ20111009347
公開日2012年10月17日 申請日期2011年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月12日
發(fā)明者鄭文隆, 陳安忠, 陳志銘 申請人:群聯(lián)電子股份有限公司