專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備包括光電二極管或者光電晶體管等光檢測(cè)元件的光傳感器的顯示裝置，特別涉及在像素區(qū)域內(nèi)具備光傳感器的顯示裝置。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，提案有例如通過(guò)在像素內(nèi)包括光電二極管等光檢測(cè)元件，能檢測(cè)外光的亮度，或取入接近顯示器的物體的圖像的具備光傳感器的顯示裝置。這樣的具備光傳感器的顯示裝置能假設(shè)利用為雙向通信用(雙工)顯示裝置或具備觸摸面板功能的顯示裝置。在現(xiàn)有技術(shù)的具備光傳感器的顯示裝置中，在有源矩陣基板中，通過(guò)半導(dǎo)體工藝形成信號(hào)線、掃描線、TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)、像素電極等公知的構(gòu)成要件時(shí)，同時(shí)在有源矩陣基板上裝入光電二極管等(參照日本特開(kāi)2006-3857 號(hào)公報(bào))。作為在有源矩陣基板上形成的現(xiàn)有技術(shù)的光傳感器，圖62表示國(guó)際公開(kāi)第2007 / 145346號(hào)和國(guó)際公開(kāi)第2007 / 145347號(hào)中公開(kāi)的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。圖62所示的現(xiàn)有技術(shù)的光傳感器，主要包括光電二極管Dl、電容器C2和晶體管M2。在光電二極管Dl的陽(yáng)極連接用于供給復(fù)位信號(hào)的配線RST。在光電二極管Dl的陰極連接電容器C2的一個(gè)電極和晶體管M2的柵極。晶體管M2的漏極連接配線VDD，源極連接配線OUT。電容器C2的另一個(gè)電極連接用于供給讀出信號(hào)的配線RWS。在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)以規(guī)定的定時(shí)分別向配線RST供給復(fù)位信號(hào)、向配線RWS供給讀出信號(hào)，能得到與由光電二極管Dl受光的光的量對(duì)應(yīng)的傳感器輸出VPIX。此處，參照?qǐng)D63說(shuō)明圖62所示那樣的現(xiàn)有技術(shù)的光傳感器的動(dòng)作。而且，在圖63中，復(fù)位信號(hào)的低電平(例如-7V)用VKSu表示，復(fù)位信號(hào)的高電平(例如0V)用VKST.H表示，讀出信號(hào)的低電平(例如0V)用Vkws. l表示，讀出信號(hào)的高電平(例如15V)用VKWS.H表示。首先，向配線RST供給高電平的復(fù)位信號(hào)VKST.H時(shí)，光電二極管Dl為順?lè)较蚱珘?，晶體管M2的柵極的電位Vint能用下述公式(I)表示。Vint-Vrst.H~VF...... (I)在公式(I)中，Vf是光電二極管Dl的順?lè)较螂妷骸Ｓ捎诖藭r(shí)的Vint比晶體管M2的閾值電壓低，所以晶體管M2在復(fù)位期間成為非導(dǎo)通狀態(tài)。接著，通過(guò)復(fù)位信號(hào)回到低電平電位VKSu (在圖63中tKST的定時(shí))，光電流的積分期間(傳感期間，圖63所示的Tint的期間)開(kāi)始。在積分期間中，與向光電二極管Dl的入射光量成比例的光電流從電容器C2流出，使電容器C2放電。由此，積分期間的結(jié)束時(shí)的晶體管M2的柵極的電位Vint能用下述的公式(2)表示。
Vint-Vest. H-Vf- A Vest Cpd / Ctotal-I photo Tint / Ctotal...... (2)在公式(2)中，A Vkst是復(fù)位信號(hào)的脈沖的高度(VKST.H-VKSu)，IPH_是光電二極管Dl的光電流，Tint是積分期間的長(zhǎng)度。Cpd是光電二極管Dl的電容。Ct■是電容器C2的電容、光電二極管Dl的電容Cpd和晶體管M2的電容Ctft的總和。在積分期間中，由于Vint比晶體管M2的閾值電壓低，所以晶體管M2成為非導(dǎo)通狀態(tài)。積分期間結(jié)束時(shí)，通過(guò)在圖63所示的tKWS的定時(shí)讀出信號(hào)RWS的上升，讀出期間開(kāi)始。而且，讀出期間在讀出信號(hào)RWS為高電平期間繼續(xù)。此處，對(duì)電容器C2發(fā)生電荷注入。其結(jié)果是，晶體管M2的柵極的電位Vint能用下述的公式(3)表示。Vint-Vest. H-Vf- A Vest Cpd / Ctotal-I photo Tint / Ctotal A Vews Cint / Ctotal......
(3)
A Vkws是讀出信號(hào)的脈沖的高度(Vkws.h-Vh)。由此，因?yàn)榫w管M2的柵極的電位Vint變得比閾值電壓高，所以晶體管M2成為導(dǎo)通狀態(tài)，與在各列中設(shè)置于配線OUT的端部的偏壓晶體管M3—同，作為源極跟隨(輸出)放大器發(fā)揮功能。即，來(lái)自晶體管M2的傳感器輸出電壓Vpix與積分期間中的光電二極管Dl的光電流的積分值成比例。而且，在圖63中，用實(shí)線表示的波形表示入射到光電二極管Dl的光少的情況下的電位Vint的變化，用虛線表示的波形表示飽和等級(jí)的光入射到光電二極管Dl的情況下的電位Vint的變化。圖63的A Vsig是與向光電二極管Dl入射的光的量成比例的電位差。圖63的A Vint是在讀出期間中因從配線RWS對(duì)光傳感器施加讀出信號(hào)引起的電位Vint的提升量。

發(fā)明內(nèi)容
在上述那樣的在像素內(nèi)具備光傳感器的顯示裝置中，照度不同的情況下(例如暗狀態(tài)的情況與飽和等級(jí)的光入射的情況)的存儲(chǔ)期間結(jié)束時(shí)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位的差，與在各自的情況中在讀出期間提升后的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位的差相等。也就是說(shuō)，暗狀態(tài)的情況下的存儲(chǔ)期間結(jié)束時(shí)刻的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位(此處稱Vinti)和飽和等級(jí)的光入射的情況下的存儲(chǔ)期間結(jié)束時(shí)刻的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位(此處稱Vint2)的電位差，等于上述暗狀態(tài)的情況下的讀出期間中的提升后的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位(此處稱Vint3)和飽和等級(jí)的光入射的情況下的讀出期間中的提升后的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位(此處稱Vint4)的電位差。但是，上述的Vint3和Vint4的差越大，越能得到靈敏度高、S / N比高并且特性優(yōu)良的光傳感器。因而，本發(fā)明的目的是提供通過(guò)使與積分期間結(jié)束時(shí)刻的受光面的照度的差弓丨起的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位差(Vinti-Vint2)相比、提升后的電位差(Vint3-Vint4)更大而實(shí)現(xiàn)的具有靈敏度高的光傳感器的顯示裝置。為了解決上述的課題，在此公開(kāi)的顯示裝置是在有源矩陣基板的像素區(qū)域包括光傳感器的顯示裝置，上述光傳感器包括接受入射光的光檢測(cè)元件；向該光傳感器供給復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)配線；向該光傳感器供給讀出信號(hào)的讀出信號(hào)配線；存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位根據(jù)在傳感期間由上述光檢測(cè)元件接受的光量而變化，上述傳感期間為從供給上述復(fù)位信號(hào)開(kāi)始到供給上述讀出信號(hào)為止的期間；根據(jù)上述讀出信號(hào)使上述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位放大的放大元件；和傳感器開(kāi)關(guān)元件，其用于將由上述放大元件放大后的電位作為傳感器電路輸出而讀出到輸出配線，對(duì)上述光檢測(cè)元件在與其受光面相反一側(cè)設(shè)置有遮光膜，上述遮光膜與供給使該遮光膜固定在恒定電位的電壓的電源連接，當(dāng)設(shè)上述恒定電位為Vw上述復(fù)位信號(hào)的高電平電位為VKST.H時(shí)，Vls彡VKST.H成立。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于包括根據(jù)讀出信號(hào)使存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位放大的放大元件，與由積分期間結(jié)束時(shí)刻的受光面的照度的差引起的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位差相比，提升后的電位差更大。例如，與暗狀態(tài)情況下的存儲(chǔ)期間結(jié)束時(shí)刻的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位和飽和等級(jí)的光入射的情況下的存儲(chǔ)期間結(jié)束時(shí)刻的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位的電位差相比，上述暗狀態(tài)情況下的讀出期間的提升后的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位和飽和等級(jí)的光入射的情況下的讀出期間的提升后的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位的電位差更大。由此，能提供具有靈敏度高的光傳感器的顯示裝置。另外，在將遮光膜的電位固定在復(fù)位信號(hào)的高電平電位VKST.H以上的恒定電位時(shí)，能夠得到對(duì)于入射光量線性較高的傳感器輸出。


圖I是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置中的一像素的結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖3是第一實(shí)施方式的光傳感器所包括的電容器的CV特性圖。圖4是表示第一實(shí)施方式的光傳感器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位變化的時(shí)間圖。圖5是本實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖6是表示本實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖7是形成有電容器Cl的區(qū)域的擴(kuò)大圖。圖8是表示本實(shí)施方式的光傳感器中的各區(qū)域的連接關(guān)系的截面示意圖。圖9是表示從積分期間的最后起經(jīng)過(guò)讀出期間的、存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位Vint的變化的波形圖。圖IOA是表示在電容器Cl中柵極電極的電位比閾值電壓低時(shí)的電荷的移動(dòng)的截
面示意圖。圖IOA是表示在電容器Cl中柵極電極的電位比閾值電壓高時(shí)的電荷的移動(dòng)的截面示意圖。圖11是橫向(lateral)構(gòu)造的PIN 二極管的截面示意圖。圖12A是表示PIN 二極管的三個(gè)動(dòng)作模式的差異的Id-'s特性圖。圖12B是表示PIN 二極管的三個(gè)動(dòng)作模式的差異的Id-'s特性圖。圖13是表示陽(yáng)極電位Va和遮光膜LS的電位V。的關(guān)系的圖表。圖14是表示第一實(shí)施方式的顯示裝置的傳感定時(shí)的時(shí)間圖。圖15是表示傳感器像素讀出電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路圖。圖16是表示讀出信號(hào)、傳感器輸出和傳感器像素讀出電路的輸出的關(guān)系的波形圖。圖17是表示傳感器列放大器的概略結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖18是第二實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖19是向第二實(shí)施方式的光傳感器供給的復(fù)位信號(hào)和讀出信號(hào)的波形圖。圖20是表示第二實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖21是在圖20中形成有電容器Cl的區(qū)域的擴(kuò)大圖。圖22是表示第二實(shí)施方式的光傳感器中的各區(qū)域的連接關(guān)系的截面示意圖。圖23是第三實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖24是表示第三實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖25是在圖24中形成有電容器Cl的區(qū)域的擴(kuò)大圖。
圖26是表示第三實(shí)施方式的光傳感器中的各區(qū)域的連接關(guān)系的截面示意圖。圖27是第四本實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖28是表示第四實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖29是在圖28中形成有p溝道TFT的區(qū)域的擴(kuò)大圖。圖30是表示第四實(shí)施方式的光傳感器中的各區(qū)域的連接關(guān)系的截面示意圖。圖31是第四實(shí)施方式的光傳感器的p溝道TFT的等效電路圖。
圖32是表示寄生電容和漏電流對(duì)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位的影響的波形圖。圖33是表示第四實(shí)施方式的光傳感器的變形例的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖34是在圖33中形成有p溝道TFT的區(qū)域的擴(kuò)大圖。圖35是圖33的p溝道TFT的等效電路圖。圖36是第五實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖37是表示第五實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖38是在第五實(shí)施方式中形成有放大元件(n溝道TFT)的區(qū)域的擴(kuò)大圖。圖39是表示第五實(shí)施方式的光傳感器中的各區(qū)域的連接關(guān)系的截面示意圖。圖40是第五實(shí)施方式中的作為放大元件的n溝道TFT的等效電路圖。圖41是表示第五實(shí)施方式的光傳感器的變形例的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖42是表示圖41的變形例中的放大元件的各區(qū)域的連接關(guān)系的截面示意圖。圖43是圖42的n溝道TFT的等效電路圖。圖44是第六實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖45是表示第六實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖46是在第六實(shí)施方式中形成有放大元件(二極管D2)的區(qū)域的擴(kuò)大圖。圖47是表示第六實(shí)施方式的光傳感器中的各區(qū)域的連接關(guān)系的截面示意圖。圖48是第六實(shí)施方式中的作為放大元件的二極管的等效電路圖。圖49是第六實(shí)施方式的第一變形例的光傳感器的等效電路圖。圖50是表示第六實(shí)施方式的第一變形例的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖51是第六實(shí)施方式的第二變形例的光傳感器的等效電路圖。圖52是第六實(shí)施方式的第二變形例的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖53是第七實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖54是表示本實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖55A是表示在放大元件為可變電容器的結(jié)構(gòu)中組合了串聯(lián)電容器Csek的情況下的電荷注入的狀態(tài)的電路圖。圖55B是表示在放大元件為p溝道TFT的結(jié)構(gòu)中組合了串聯(lián)電容器Csek的情況下的電荷注入的狀態(tài)的電路圖。圖56是第八實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖57是表示第八實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。
圖58是第九實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖59是表示第九實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖60是本實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖61是表示本實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖62是表示在有源矩陣基板上形成的現(xiàn)有技術(shù)的光傳感器的一個(gè)例子的等效電路圖。圖63是表示現(xiàn)有技術(shù)的光傳感器中的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位變化的時(shí)間圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一實(shí)施方式的顯示裝置是在有源矩陣基板的像素區(qū)域包括光傳感器的顯示裝置，上述光傳感器包括接受入射光的光檢測(cè)元件；向該光傳感器供給復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)配線；向該光傳感器供給讀出信號(hào)的讀出信號(hào)配線；存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位根據(jù)在傳感期間由上述光檢測(cè)元件接受的光量而變化，上述傳感期間為從供給上述復(fù)位信號(hào)開(kāi)始到供給上述讀出信號(hào)為止的期間；根據(jù)上述讀出信號(hào)使上述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位放大的放大元件；和用于將由上述放大元件放大的電位作為傳感器電路輸出而讀出到輸出配線的傳感器開(kāi)關(guān)元件。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過(guò)包括根據(jù)讀出信號(hào)將存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位放大的放大元件，與由在積分期間結(jié)束時(shí)刻的受光面的照度的差引起的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位差相比，提升后的電位差較大。例如，與暗狀態(tài)的情況下的存儲(chǔ)期間結(jié)束時(shí)刻的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位和飽和等級(jí)的光入射的情況下的存儲(chǔ)期間結(jié)束時(shí)刻的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位的電位差相比，上述暗狀態(tài)的情況下的讀出期間的提升后的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位和飽和等級(jí)的光入射的情況下的讀出期間的提升后的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位的電位差較大。而且，該電位差的放大功能不限定于暗狀態(tài)的情況和飽和等級(jí)的光入射的情況，在任意的照度間都成立。由此，能提供具備靈敏度高的光傳感器的顯示裝置。另外，在上述的結(jié)構(gòu)中優(yōu)選以下結(jié)構(gòu)對(duì)光檢測(cè)元件，在與其受光面相反的一側(cè)設(shè)置有遮光膜，并且上述遮光膜與供給使該遮光膜固定在恒定電位的電壓的電源連接，當(dāng)設(shè)上述恒定電位為\s、上述復(fù)位信號(hào)的高電平電位為VKST.H時(shí)，Vls ^ VKST.H成立。根據(jù)該優(yōu)選的結(jié)構(gòu)，能消除遮光膜的電位變動(dòng)，能抑制二極管Dl的特性的劣化。另外，還優(yōu)選在作為光檢測(cè)元件使用PIN 二極管的情況下，設(shè)上述PIN 二極管的p溝道閾值電壓為Vth p時(shí)，Vu彡VEST.H + Vth p成立的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該優(yōu)選的結(jié)構(gòu)，由于能使PIN二極管處于在其i層中的P層側(cè)和n層側(cè)的兩方的界面中容易發(fā)生自由電子和空穴的移動(dòng)的狀態(tài)下進(jìn)行動(dòng)作，因此能使明電流(光電流)大且相對(duì)于照度變化的明電流(光電流)的變化的線性提高。在上述顯示裝置中，作為上述放大元件，例如能使用可變電容器。該情況下，作為上述可變電容器，例如能使用包括上述讀出信號(hào)配線、絕緣膜和形成于硅膜的P型半導(dǎo)體區(qū)域的MOS電容器?；蛘?，作為上述可變電容器，能使用包括上述傳感器開(kāi)關(guān)元件的柵極電極、絕緣膜和形成于硅膜的n型半導(dǎo)體區(qū)域的MOS電容器。根據(jù)前者的結(jié)構(gòu)具有由于能將上述讀出信號(hào)配線作為該可變電容器的柵極電極來(lái)使用，因此不需要設(shè)置用于連接讀出信號(hào)配線和柵極電極的配線和/或接觸件的優(yōu)點(diǎn)。另外，在上述顯示裝置中，作為上述放大元件，例如能使用p溝道薄膜晶體管。該情況下優(yōu)選以下結(jié)構(gòu)在P溝道薄膜晶體管中，溝道區(qū)域形成在連接上述光檢測(cè)元件和上述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的硅膜的寬幅部，該P(yáng)溝道薄膜晶體管的柵極電極以與上述寬幅部重疊的方式設(shè)置。這是因?yàn)楦鶕?jù)該結(jié)構(gòu)能使邊界長(zhǎng)變短，并且能防止寄生電容和漏電流引起的動(dòng)態(tài)范 圍的減少。或者，在上述顯示裝置中，作為上述放大元件也可以使用n溝道薄膜晶體管。或者，在上述顯示裝置中，也可以是作為上述放大元件使用在溝道上設(shè)置有柵極電極的二極管的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能使邊界長(zhǎng)變短。另外，在上述顯示裝置中優(yōu)選以下結(jié)構(gòu)包括以相對(duì)于上述遮光膜和上述光檢測(cè)元件的寄生電容形成串聯(lián)電容的方式，與上述遮光膜相對(duì)地設(shè)置的電極，上述電極與上述讀出配線電連接。根據(jù)該結(jié)構(gòu)具有能減輕遮光膜和光檢測(cè)元件之間的寄生電容對(duì)積分期間的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位變化施加的影響的效果。另外，在上述顯示裝置中優(yōu)選以下結(jié)構(gòu)在上述像素區(qū)域包括多個(gè)上述光檢測(cè)元件，上述多個(gè)光檢測(cè)元件并聯(lián)連接，并且上述放大元件與上述多個(gè)光檢測(cè)元件的末端的光檢測(cè)元件連接。這樣，通過(guò)使多個(gè)光檢測(cè)元件并聯(lián)連接，能增加光電流，并且能提高靈敏度。在上述顯示裝置中優(yōu)選以下結(jié)構(gòu)上述傳感器開(kāi)關(guān)元件是三端子開(kāi)關(guān)元件，上述三端子之中的柵極電極與上述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)連接，上述三端子之中的剩余的兩端子中的一個(gè)與上述輸出配線連接。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于傳感器開(kāi)關(guān)元件的數(shù)量為一個(gè)時(shí)是足夠的，所以能使光傳感器的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化。而且，在上述顯示裝置中還可以構(gòu)成為還包括上述傳感器開(kāi)關(guān)元件的復(fù)位用開(kāi)關(guān)元件。在上述顯示裝置中，優(yōu)選上述放大元件在上述讀出信號(hào)的低電平電位和高電平電位之間，具有該放大元件的開(kāi)/關(guān)轉(zhuǎn)換的閾值電位。另外，上述顯示裝置也能作為還包括與上述有源矩陣基板相對(duì)的相對(duì)基板和在上述有源矩陣基板與相對(duì)基板之間夾持的液晶的液晶顯示裝置來(lái)實(shí)施。以下，參照

本發(fā)明更具體的實(shí)施方式。而且，以下的實(shí)施方式表示將本發(fā)明的顯示裝置作為液晶顯示裝置進(jìn)行實(shí)施的情況下的構(gòu)成例子，但是本發(fā)明的顯示裝置不限定于液晶顯示裝置，能適用于使用有源矩陣基板的任意顯示裝置。而且，本發(fā)明的顯示裝置能夠認(rèn)為利用于具備觸摸面板的顯示裝置和具備顯示功能和攝像功能的雙向通信用顯示裝置等，所述觸摸面板通過(guò)包括光傳感器，檢測(cè)接近畫(huà)面的物體而進(jìn)行輸入操作。另外，在下面參照的各圖，為了說(shuō)明的方便，本發(fā)明的實(shí)施方式的構(gòu)成部件之中，僅簡(jiǎn)化表示為了說(shuō)明本發(fā)明所需要的主要部件。因而，本發(fā)明的顯示裝置能包括本說(shuō)明書(shū)所參照的各圖中未表示的任意的構(gòu)成部件。另外，各圖中的部件的尺寸不是按照實(shí)際的構(gòu)成部件的尺寸和各部件的尺寸比率等表示的。[第一實(shí)施方式]首先，參照?qǐng)DI和圖2說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置所包括的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)。圖I是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置所包括的有源矩陣基板100的概略結(jié)構(gòu)的框圖。如圖I所示，有源矩陣基板100在玻璃基板上至少包括像素區(qū)域I、顯示器柵極驅(qū)動(dòng)器2、顯不器源極驅(qū)動(dòng)器3、傳感器列(column)驅(qū)動(dòng)器4、傳感器行(row)驅(qū)動(dòng)器5、緩沖放大器6和FPC連接器7。另外，用于對(duì)由像素區(qū)域I內(nèi)的光檢測(cè)元件(后述)取得的圖像信號(hào)進(jìn)行處理的信號(hào)處理電路8，通過(guò)上述FPC連接器7和FPC9與有源矩陣基板100連接。而且，有源矩陣基板100上的上述構(gòu)成部件也能通過(guò)半導(dǎo)體工藝在玻璃基板上形成為單片式?；蛘?，還可以是將上述構(gòu)成部件之中的放大器、驅(qū)動(dòng)器類通過(guò)例如COG (ChipOn Glass，晶玻接裝)技術(shù)等安裝在玻璃基板上而構(gòu)成?；蛘?，還考慮在圖I中在有源矩陣基板100上所示的上述構(gòu)成部件的至少一部分被安裝在FPC9上的結(jié)構(gòu)。有源矩陣基板100與整個(gè)面形成有相對(duì)電極的相對(duì)基板(未圖示)粘合，并且在其間隙封入液晶材料。像素區(qū)域I是為了顯示圖像而形成有多個(gè)像素的區(qū)域。在本實(shí)施方式中，在像素區(qū)域I中的各像素內(nèi)，設(shè)置有用于取得圖像的光傳感器。圖2是表示有源矩陣基板100的像素區(qū)域I中的像素和光傳感器的配置的等效電路圖。在圖2的例子中，一個(gè)像素由R(紅)、G (綠)、B (藍(lán))三個(gè)顏色的像素形成，并且在由該3像素構(gòu)成的一個(gè)像素內(nèi)，設(shè)置有一個(gè)光傳感器。像素區(qū)域I具有配置為M行XN列的矩陣狀的像素和同樣配置為M行XN列的矩陣狀的光傳感器。而且，如上所述，像素?cái)?shù)量是MX 3N。因此，如圖2所示，像素區(qū)域I包括配置為矩陣狀的柵極線GL和源極線COL作為像素用配線。柵極線GL與顯示器柵極驅(qū)動(dòng)器2連接。源極線COL與顯示器源極驅(qū)動(dòng)器3連接。而且，柵極線GL在像素區(qū)域I內(nèi)設(shè)置有M行。下面，需要區(qū)別各個(gè)柵極線GL進(jìn)行說(shuō)明的情況下，以GLi (i=l M)的方式進(jìn)行標(biāo)記。另一方面，源極線COL如上述，為了對(duì)一個(gè)像素內(nèi)的3像素分別供給圖像數(shù)據(jù)，針對(duì)每一像素設(shè)置有三根。在需要各個(gè)區(qū)別源極線COL進(jìn)行說(shuō)明的情況下，以COLrj、COLgj、COLbj (j = I N)的方式標(biāo)記。在柵極線GL和源極線COL的交點(diǎn)設(shè)置有薄膜晶體管(TFT) Ml作為像素用的開(kāi)關(guān)元件。而且，將在圖2中在紅色、綠色、藍(lán)色的各個(gè)像素設(shè)置的薄膜晶體管Ml標(biāo)記為Mir、Mlg、Mlb。薄膜晶體管Ml的柵極電極與柵極線GL連接，源極電極與源極線COL連接，漏極電極與未圖示的像素電極連接。由此如圖2所示，在薄膜晶體管Ml的漏極電極和相對(duì)電極(VCOM)之間形成有液晶電容另外，在漏極電極和TFTCOM之間形成有輔助電容Qs。 在圖2中，通過(guò)與一根柵極線GLi和一根源極線COLrj的交點(diǎn)連接的薄膜晶體管Mlr而被驅(qū)動(dòng)的圖像元素，以與該圖像元素對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置紅色的彩色濾光片，通過(guò)源極線COLrj從顯示器源極驅(qū)動(dòng)器3供給紅色的圖像數(shù)據(jù)，由此作為紅色的圖像元素發(fā)揮功能。另夕卜，通過(guò)在柵極線GLi和源極線COLgj的交點(diǎn)連接的薄膜晶體管Mlg而被驅(qū)動(dòng)的圖像元素，以與該圖像元素對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置綠色的彩色濾光片，通過(guò)源極線COLgj從顯示器源極驅(qū)動(dòng)器3供給綠色的圖像數(shù)據(jù)，由此作為綠色的圖像元素發(fā)揮功能。而且，通過(guò)與柵極線GLi和源極線COLbj的交點(diǎn)連接的薄膜晶體管Mlb而被驅(qū)動(dòng)的圖像元素，以與該圖像元素對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置藍(lán)色的彩色濾光片，通過(guò)源極線COLbj從顯示器源極驅(qū)動(dòng)器3供給藍(lán)色的圖像數(shù)據(jù)，由此作為藍(lán)色的圖像元素發(fā)揮功能。而且在圖2的例子中，光傳感器在像素區(qū)域I中以對(duì)一個(gè)像素(3圖像元素)對(duì)應(yīng)(配置)一個(gè)的比例進(jìn)行設(shè)置。但是，像素和光傳感器的配置比例不僅限定于該例子，而是任意的。例如，也可以是針對(duì)一個(gè)圖像元素配置一個(gè)光傳感器的結(jié)構(gòu)，還可以是對(duì)多個(gè)像素配置一個(gè)光傳感器的結(jié)構(gòu)。光傳感器如圖2所示，由作為光檢測(cè)元件的光電二極管D1、電容器Cl (放大元件)和晶體管M2構(gòu)成。在本實(shí)施方式中作為放大元件發(fā)揮功能的電容器Cl是可變電容器。在圖2的例子中，源極線COLr兼作用于從傳感器列驅(qū)動(dòng)器4向光傳感器供給恒定電壓Vdd的配線VDD。另外，源極線COLg兼作傳感器輸出用的配線OUT。在光電二極管Dl的陽(yáng)極連接有用于供給復(fù)位信號(hào)的配線RST。在光電二極管Dl的陰極連接有電容器Cl的電極中的一個(gè)，和晶體管M2的柵極。晶體管M2的漏極與配線 VDD連接，源極與配線OUT連接。在圖2中，將光電二極管Dl的陰極、電容器Cl的電極中的一個(gè)，和晶體管M2的柵極的連接點(diǎn)(存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn))標(biāo)記為INT。電容器Cl的電極中的另一個(gè)與用于供給讀出信號(hào)的配線RWS連接。配線RST、RWS與傳感器行驅(qū)動(dòng)器5連接。由于這些配線RST、RWS按每一行設(shè)置，所以在以后需要區(qū)別各配線時(shí)，按照RSTi、RWSi (i=l M)的方式標(biāo)記。傳感器行驅(qū)動(dòng)器5在規(guī)定的時(shí)間間隔tMW，依次選擇圖2所示的配線RSTi和RWSi的組。由此，在像素區(qū)域I中依次選擇應(yīng)讀出信號(hào)電荷的光傳感器的行(row)。而且如圖2所示，在配線OUT的端部連接有絕緣柵極型電場(chǎng)效應(yīng)晶體管M3的漏極。另外，在該晶體管M3的漏極連接輸出配線S0UT，并且晶體管M3的漏極的電位Vsott作為來(lái)自光傳感器的輸出信號(hào)向傳感器列驅(qū)動(dòng)器4輸出。晶體管M3的源極與配線VSS連接。晶體管M3的柵極通過(guò)參考電壓配線VB與參考電壓電源(未圖示)連接。圖3是電容器Cl的CV特性圖。在圖3中，橫軸表示電容器Cl的電極間電壓Ncap’縱軸表不靜電電容。如圖3所不，電容器Cl在電極間電壓VeAP小的期間具有一定的靜電電容，但是在電極間電壓VeAP的閾值的前后具有靜電電容急劇地變化的特性。因而，根據(jù)來(lái)自配線RWS的讀出信號(hào)的電位，能使電容器Cl的特性動(dòng)態(tài)地變化。通過(guò)使用具有這樣的特性的電容器Cl，本實(shí)施方式的光傳感器如圖4所示，能將積分期間Tint中的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位變化放大而讀出。圖4的例子只是一個(gè)實(shí)施方式，復(fù)位信號(hào)的低電平電位VKSu是-I. 4V，復(fù)位信號(hào)的高電平電位VKST.H是OV。另外，讀出信號(hào)的低電平電位是-3V，讀出信號(hào)的高電平電位％^是12V。在圖4中，用實(shí)線所示的波形表示在光對(duì)光電二極管Dl的入射少的情況下的電位Vint的變化，用虛線所示的波形表示在對(duì)光電二極管Dl入射了飽和等級(jí)的光的情況下的電位Vint的變化，A Vsig是與向光電二極管Dl入射的光的量成比例的電位差。將圖63所示的現(xiàn)有例子和圖4進(jìn)行比較，由此能知道在本實(shí)施方式的光傳感器中，飽和等級(jí)的光入射的情況下的積分期間Tint中的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位變化比現(xiàn)有技術(shù)的光傳感器小，但是在讀出期間中(讀出信號(hào)的電位是高電平電位Vkws. h的期間)，該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位放大而被讀出。此處，參照?qǐng)D4說(shuō)明來(lái)自像素區(qū)域I的傳感器輸出的讀出。首先，從傳感器行驅(qū)動(dòng)器5向配線RST供給的復(fù)位信號(hào)從低電平(VKSu)升高變?yōu)楦唠娖?VKST.H)時(shí)，光電二極管Dl是順?lè)较蚱珘?，連接點(diǎn)INT的電位Vint用下述的公式(4)表示。Vint-Vrslh-Vf...... (4)在公式(4)中，Vf是光電二極管Dl的順?lè)较螂妷骸Ｓ捎诖藭r(shí)的Vint比晶體管M2的閾值電壓低，所以晶體管M2在復(fù)位期間中成為非導(dǎo)通狀態(tài)。接著，復(fù)位信號(hào)回到低電平電位VKSu時(shí)，光電流的積分期間(Tint)開(kāi)始。在積分期間Tint中，與向光電二極管Dl的入射光量成比例的光電流流入到電容器Cl，使電容器Cl放電。由此，積分期間Tint的結(jié)束時(shí)的連接點(diǎn)INT的電位Vint用下述的公式(5 )表示。
Vint-Vest. H_Vp_ A Vest Cpd / Ctotal-I photo tINT / Ctotal...... (5)在公式(5)中，A Vkst是復(fù)位信號(hào)的脈沖的高度(VKST.H-VKSu)，Iphot。是光電二極管Dl的光電流，tINT是積分期間的長(zhǎng)度。Cpd是光電二極管Dl的電容。CT_是光傳感器電路全體的電容，即連接點(diǎn)INT的總電容，是電容器Cl的電容Cint、光電二極管Dl的電容Cpd和晶體管M2的電容Ctft的總和。在積分期間中，由于Vint比晶體管M2的閾值電壓低，所以晶體管M2成為非導(dǎo)通狀態(tài)。積分期間結(jié)束時(shí)，向配線RWS供給的讀出信號(hào)上升，由此讀出期間開(kāi)始。此處，對(duì)電容器Cl發(fā)生電荷注入。而且，連接點(diǎn)INT的電位Vint變得比晶體管M2的閾值電壓高的時(shí)候，晶體管M2為導(dǎo)通狀態(tài)，與在各列中設(shè)置于配線OUT的端部的偏壓晶體管M3 —同作為源極跟隨(輸出)放大器發(fā)揮功能。在本實(shí)施方式的光傳感器中，來(lái)自晶體管M3的漏極的、來(lái)自輸出配線SOUT的輸出信號(hào)電壓相當(dāng)于使積分期間中的光電二極管Dl的光電流的積分值放大后的電壓。后述其原理。如以上所述，在本實(shí)施方式中，以復(fù)位脈沖的初始化、積分期間中的光電流的積分和讀出期間中的傳感器輸出的讀出為一循環(huán)周期性地進(jìn)行。下面參照

本實(shí)施方式的光傳感器的具體的構(gòu)造。圖5是本實(shí)施方式的光傳感器的等效電路圖。圖6是表示本實(shí)施方式的光傳感器的平面構(gòu)造的一個(gè)例子的平面圖。圖7是形成有電容器Cl的區(qū)域的擴(kuò)大圖。圖8是表示本實(shí)施方式的光傳感器中的各區(qū)域的連接關(guān)系的截面示意圖。如圖5所示，本實(shí)施方式的光傳感器具備作為可變電容器的電容器Cl，作為放大元件。在本實(shí)施方式中，電容器Cl是p溝道MOS電容器。而且，在圖6中，在源極線COLg和COLb之間的區(qū)域設(shè)置晶體管M2，在其兩側(cè)，一個(gè)一個(gè)地設(shè)置有電容器Cl和二極管Dl的組(各設(shè)置有一組)，但是也可以是僅設(shè)置一組電容器Cl和二極管Dl的結(jié)構(gòu)。在二極管Dl的背面設(shè)置有用于防止背光源光入射的遮光膜LS。遮光膜LS至少在光傳感器的動(dòng)作中，固定于恒定電位V15。這樣，通過(guò)將遮光膜LS固定在恒定電位Vw能使光電二極管的可靠性提高。在遮光膜LS的電位是浮動(dòng)的情況下，通過(guò)載波的移動(dòng)、注入等，遮光膜LS從初始的電位起變動(dòng)，并且有二極管Dl的特性發(fā)生變動(dòng)劣化的可能性，但是通過(guò)將遮光膜LS固定在恒定電位
能解決該問(wèn)題。 另外，能減低在多個(gè)二極管Dl間的特性的偏差(不均勻)。因?yàn)?，遮光膜LS的電位是浮動(dòng)的情況下，由于在處理工序的等離子體離子等的充電(charge up)不均勻，因此在遮光膜LS的浮動(dòng)電位存在發(fā)生偏差的可能性。對(duì)此，通過(guò)將遮光膜LS固定在恒定電位V&能解決該問(wèn)題。另外，能減低與顯示用的各種信號(hào)的干涉噪音。因?yàn)椋捎谡诠饽S與源極線C0L、像素電極進(jìn)行電容耦合，所以在遮光膜LS的電位浮動(dòng)的情況下，通過(guò)顯示用的各種信號(hào)的電位變動(dòng)(源極線電位、像素電極電位)，遮光膜LS的電位受影響。該遮光膜LS的電位的變動(dòng)進(jìn)一步對(duì)光傳感器給予噪音。對(duì)此，通過(guò)將遮光膜LS固定于恒定電位\s，能消除遮光膜LS的電位變動(dòng)，能解決該問(wèn)題。而且，優(yōu)選使遮光膜LS的恒定電位為L(zhǎng)并且使復(fù)位信號(hào)的高電平電位為VKST.H時(shí)，L彡VEST.H的關(guān)系成立。另外，更優(yōu)選使二極管Dl的p溝道閾值電壓為Vthjj時(shí)，L彡Vest.H + Vthp的關(guān)系成立。后面詳細(xì)說(shuō)明該理由。如圖6所示，本實(shí)施方式的光傳感器在源極線COLg和COLb之間的區(qū)域包括晶體管M2。二極管Dl在成為基底的硅膜串聯(lián)地形成有p型半導(dǎo)體區(qū)域102p、i型半導(dǎo)體區(qū)域102i和n型半導(dǎo)體區(qū)域102n ，是橫向構(gòu)造的PIN 二極管。p型半導(dǎo)體區(qū)域102p成為二極管Dl的陽(yáng)極，通過(guò)配線108和接觸件109、110與配線RST連接。n型半導(dǎo)體區(qū)域102n成為二極管Dl的陰極，通過(guò)硅膜的延伸設(shè)置部107、接觸件105、106和配線104與晶體管M2的柵極電極101連接。在該結(jié)構(gòu)中，配線RST、RWS利用與晶體管M2的柵極電極101相同的金屬以相同工序形成。另外，配線104、108利用與源極線COL相同的金屬以相同工序形成。在二極管Dl的背面設(shè)置有作為遮光膜LS(參照?qǐng)D5)發(fā)揮功能的金屬膜113。如上述，作為遮光膜LS的金屬膜113的電位固定于恒定電位Vb。因此,金屬膜113與配線114連接。配線114在像素區(qū)域I的外部與恒定電壓電源(未圖示)連接。而且，在圖6中舉例表示了用于向作為遮光膜LS發(fā)揮功能的金屬膜113供給恒定電位的配線114與復(fù)位配線RST平行地設(shè)置的結(jié)構(gòu)，但是配線114的形態(tài)不限定于該具體例子。另外，如圖6 圖8所示，通過(guò)形成于配線RWS的寬幅部111、硅膜的延伸設(shè)置部107和配置于其間的絕緣膜(未圖示)，形成有電容器Cl。也就是說(shuō)，與配線RWS同電位的寬幅部111作為電容器Cl的柵極電極發(fā)揮功能。圖7所示的區(qū)域112是對(duì)n型硅膜摻雜例如硼等的P型雜質(zhì)而形成的P +區(qū)域。而且，由于在P型雜質(zhì)的摻雜時(shí)寬幅部111作為掩膜發(fā)揮功能，所以如圖8所示，延伸設(shè)置部107成為p +區(qū)域，并且在寬幅部111的下方的硅膜形成n -區(qū)域。此處，針對(duì)本實(shí)施方式的光傳感器的讀出動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。圖9是表示從積分期間的最后起經(jīng)過(guò)讀出期間的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位Vint的變化的波形圖。在圖9中，用實(shí)線所示的波形wl表示在對(duì)光電二極管Dl入射的光少的情況下的電位Vint的變化，用虛線所示的波形w2表示在對(duì)光電二極管Dl入射光后的情況下的電位Vint的變化。另外，時(shí)刻h是從配線RWS供給的讀出信號(hào)從低電平電位VKWu開(kāi)始上升的時(shí)刻，時(shí)刻t2是讀出信號(hào)到達(dá)高電平電位時(shí)刻。時(shí)刻^是晶體管M2導(dǎo)通而進(jìn)行傳感器輸出的取樣的時(shí)刻。時(shí)刻^是讀出信號(hào)到達(dá)電容器Cl的閾值電壓Vtjff的時(shí)刻。即，電容器Cl根據(jù)從讀出配線RWS向?qū)挿?11供給的電位和閾值電壓Vtjff的大小關(guān)系，其動(dòng)作特性發(fā)生變化。圖IOA和圖IOB是表示由電容器Cl中的柵極電極(寬幅部111)的電位引起的電荷的移動(dòng)的區(qū)別的截面示意圖。如圖9、圖IOA和圖10B，在時(shí)刻h之前的時(shí)刻，電容器Cl總是導(dǎo)通狀態(tài)，在時(shí)刻&以后為斷開(kāi)狀態(tài)。即，配線RWS的電位為閾值電壓Vtjff以下的期間，如圖IOA所示發(fā)生柵極電極(寬幅部111)下的電荷Qinj的移動(dòng)，但是配線RWS的電位超過(guò)閾值電壓VtjffW，如圖IOB所示柵極電極(寬幅部111)下的電荷Qiiy.的移動(dòng)消失。根據(jù)以上情況，從讀出配線RWS供給的讀出信號(hào)的電位到達(dá)高電平電位VKWS.H后的取樣時(shí)刻t s中的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位Vint (ts)如下述的公式(6)所示。而且，圖4所示的A Vint相當(dāng)于Vint(t0)和 Vint (ts)的差，等于 Q inJ / CINT。[公式I]) = ^WC%) +
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在干 所述顯示裝置在有源矩陣基板的像素區(qū)域包括光傳感器， 所述光傳感器包括 接受入射光的光檢測(cè)元件； 向該光傳感器供給復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)配線； 向該光傳感器供給讀出信號(hào)的讀出信號(hào)配線； 存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位根據(jù)在傳感期間由所述光檢測(cè)元件接受的光量而變化，所述傳感期間為從供給所述復(fù)位信號(hào)開(kāi)始到供給所述讀出信號(hào)為止的期間； 根據(jù)所述讀出信號(hào)，使所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位放大的放大元件；和傳感器開(kāi)關(guān)元件，其用于將由所述放大元件放大后的電位作為傳感器電路輸出而讀出到輸出配線， 對(duì)所述光檢測(cè)元件，在與其受光面相反的一側(cè)設(shè)置有遮光膜， 所述遮光膜與供給使該遮光膜固定在恒定電位的電壓的電源連接， 當(dāng)設(shè)所述恒定電位為\s、所述復(fù)位信號(hào)的高電平電位為VKST.H吋，Vls ^ Veslho
2.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在干 所述光檢測(cè)元件是PIN ニ極管，當(dāng)設(shè)所述PIN ニ極管的p溝道閾值電壓為Vthj吋，Vls ^ VRST. H + Vth—p。
3.如權(quán)利要求I或2所述的顯示裝置，其特征在于 所述放大元件是可變電容器。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于 所述可變電容器是包含所述讀出信號(hào)配線、絕緣膜和在硅膜形成的P型半導(dǎo)體區(qū)域的MOS電容器。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于 所述可變電容器是包含所述傳感器開(kāi)關(guān)元件的柵極電極、絕緣膜和在硅膜形成的n型半導(dǎo)體區(qū)域的MOS電容器。
6.如權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于 所述放大元件是P溝道薄膜晶體管。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在干 在所述P溝道薄膜晶體管中，溝道區(qū)域形成在連接所述光檢測(cè)元件和所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的硅膜的寬幅部，該P(yáng)溝道薄膜晶體管的柵極電極以與所述寬幅部重疊的方式設(shè)置。
8.如權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于 所述放大元件是n溝道薄膜晶體管。
9.如權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于 所述放大元件是在溝道上設(shè)置有柵極電極的ニ極管。
10.如權(quán)利要求I 9中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于 包括以相對(duì)于所述遮光膜和所述光檢測(cè)元件的寄生電容形成串聯(lián)電容的方式，與所述遮光膜相對(duì)地設(shè)置的電極， 所述電極與所述讀出配線電連接。
11.如權(quán)利要求I 10中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于在所述像素區(qū)域具有多個(gè)所述光檢測(cè)元件， 所述多個(gè)光檢測(cè)元件并聯(lián)連接， 所述放大元件與所述多個(gè)光檢測(cè)元件的末端的光檢測(cè)元件連接。
12.如權(quán)利要求I 11中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于 所述傳感器開(kāi)關(guān)元件是三端子開(kāi)關(guān)元件， 所述三端子之中的柵極電極與所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)連接， 所述三端子之中剰余的兩端子中的一個(gè)與所述輸出配線連接。
13.如權(quán)利要求I 12中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于 還包括所述傳感器開(kāi)關(guān)元件的復(fù)位用開(kāi)關(guān)元件。
14.如權(quán)利要求I 13中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于 所述放大元件，在所述讀出信號(hào)的低電平電位和高電平電位之間，具有該放大元件的開(kāi)/關(guān)轉(zhuǎn)換的閾值電位。
15.如權(quán)利要求I 14中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于，還包括 與所述有源矩陣基板相対的相對(duì)基板；和 被夾持在所述有源矩陣基板和相對(duì)基板之間的液晶。
16.一種顯示裝置，其特征在干 所述顯示裝置在有源矩陣基板的像素區(qū)域包括光傳感器， 所述光傳感器包括 接受入射光的光檢測(cè)元件； 向該光傳感器供給復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)配線； 向該光傳感器供給讀出信號(hào)的讀出信號(hào)配線； 存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位根據(jù)在傳感期間由所述光檢測(cè)元件接受的光量而變化，所述傳感期間為從供給所述復(fù)位信號(hào)開(kāi)始到供給所述讀出信號(hào)為止的期間； 根據(jù)所述讀出信號(hào)使所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位放大的放大元件；和傳感器開(kāi)關(guān)元件，其用于將由所述放大元件放大后的電位作為傳感器電路輸出而讀出到輸出配線， 對(duì)所述光檢測(cè)元件，在與其受光面相反的一側(cè)設(shè)置有遮光膜， 所述遮光膜與供給使該遮光膜固定在恒定電位的電壓的電源連接。
17.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其特征在干 所述光檢測(cè)元件是PIN ニ極管。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有與由積分期間結(jié)束時(shí)刻的受光面的照度的差引起的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位差相比，使提升后的電位差更大并且靈敏度高的光傳感器的顯示裝置。該顯示裝置在像素區(qū)域內(nèi)具備光傳感器。光傳感器包括二極管(D1)；供給復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)配線(RST)；供給讀出信號(hào)的讀出信號(hào)配線(RWS)；存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，其電位(VINT)根據(jù)從供給復(fù)位信號(hào)開(kāi)始到供給讀出信號(hào)為止的二極管(D1)的受光量而變化；根據(jù)讀出信號(hào)將VINT放大的放大元件(C1)；和將被放大的電位讀出到輸出配線的傳感器開(kāi)關(guān)元件(M2)。在二極管的背面設(shè)置的遮光膜(LS)的電位被固定在滿足下述公式的恒定電位VLS。VLS≧VRST.H。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102630313SQ20108005393
公開(kāi)日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者C·布朗, 加藤浩巳, 杉田靖博, 田中耕平 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社