專利名稱:非接觸通信媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種非接觸通信媒體。
背景技術(shù):
一直以來,已知有在基板上設(shè)置天線,將其與IC模塊連接來形成如IC卡、IC標(biāo)簽等非接觸通信媒體的技術(shù),該非接觸通信媒體的技術(shù)能與外部的讀寫設(shè)備之間進(jìn)行數(shù)據(jù)通
fn °在上述現(xiàn)有的技術(shù)中,通過在具備天線的天線片上安裝IC模塊而得到的插件上, 貼合絕緣性基材等來用作非接觸通信媒體的情況下,由于IC芯片被密封的塑封部等的厚度原因,貼合后的基材會鼓出,因此在天線片上安裝有IC模塊的插件上,貼合具備與密封樹脂部對應(yīng)的開口部的基材,使該密封樹脂部收納于該基材的開口部。在此情況下,若在密封樹脂部與開口部的內(nèi)側(cè)面之間產(chǎn)生間隙,由于插件的布線的一部分等露出于該間隙而導(dǎo)致靜電侵入,因此可能會給IC模塊帶來不良影響。于是,為了防止形成上述間隙,考慮使用具有可撓性及柔性的材料來作為基材,并使開口部的外形小于密封樹脂部的外形,將密封樹脂部壓入開口部來進(jìn)行沖壓。然而,在上述情況下雖然能夠防止間隙的發(fā)生,但是在將密封樹脂部壓入開口部時,由于外力的作用則可能會導(dǎo)致IC模塊被破壞。另外,將密封樹脂部壓入開口部,會出現(xiàn)基材的一部分卡在密封樹脂部上的狀態(tài),從而會由于起因于沖壓試驗(yàn)等的外力而破壞IC 模塊。因此,為使IC模塊的密封樹脂部收納于開口部,不得不使開口部的外形大于密封樹脂部的外形,從而難以防止間隙的產(chǎn)生。IC卡等由于最外層由絕緣性樹脂基材夾持而被層壓,因此受靜電的影響不大,但特別是例如電子護(hù)照等這樣,在嵌體為最外層且IC模塊部分曝露于最外層的情況下,或者嵌體只被電強(qiáng)度不大的紙媒體覆蓋等情況下,會導(dǎo)致IC模塊部分直接受到靜電的影響的可能性大的問題。專利文獻(xiàn)1 日本專利第3721520號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
故而,針對上述現(xiàn)有的技術(shù)問題,本發(fā)明的目的在于提供一種非接觸通信媒體,能夠切實(shí)地防止靜電侵入IC模塊,并具有符合圓珠筆試驗(yàn)等表面平整度試驗(yàn)的合格標(biāo)準(zhǔn)的外表面平整度。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的非接觸通信媒體包括第一基材及第二基材、形成于該第一基材或第二基材的天線、及與該天線連接的IC模塊,其特征在于該第一基材具有用于收納該IC模塊的至少一部分的開口部,絕緣層和導(dǎo)電層相重疊的密封材料被配置為覆蓋該IC模塊的形狀,且絕緣層朝向IC模塊的一側(cè)。另外,本發(fā)明的非接觸通信媒體的特征在于,所述第一基材的外表面與所述密封
3材料的外表面連續(xù),并被形成為基本平坦。另外,本發(fā)明的非接觸通信媒體的特征在于,所述第一基材的外表面與所述密封材料的外表面之間的高度差為20 μ m以下。另外,本發(fā)明的非接觸通信媒體的特征在于,所述密封材料覆蓋著連接所述天線與所述IC模塊的連接部。另外,本發(fā)明的非接觸通信媒體的特征在于,該IC模塊具有引線框架、安裝于該引線框架的IC芯片、及密封該IC芯片的密封樹脂部,所述密封材料的導(dǎo)電層及絕緣層中至少一個層的縱彈性模數(shù)小于所述密封樹脂部的縱彈性模數(shù)。另外,本發(fā)明的非接觸通信媒體的特征在于,所述密封材料是具有粘合材料的膠帶結(jié)構(gòu)。另外,本發(fā)明的非接觸通信媒體的特征在于,該IC模塊具有引線框架、安裝于該引線框架的IC芯片、及密封該IC芯片的密封樹脂部,所述粘合材料、所述導(dǎo)電層及所述絕緣層中至少一方的縱彈性模數(shù)小于所述密封樹脂部的縱彈性模數(shù)。另外,本發(fā)明的非接觸通信媒體是如權(quán)利要求1乃至7中任一項(xiàng)所述的非接觸通信媒體,其特征在于,所述第二基材通過積層天線片、嵌體片、及覆蓋片中的任一個以上而成。根據(jù)本發(fā)明,能夠提供一種能夠防止靜電侵入,并能夠滿足外表面的平整度要求的非接觸通信媒體。
圖1是本發(fā)明的非接觸通信媒體的一個實(shí)施方式的剖面圖。圖2是示出IC模塊的一個實(shí)施方式的圖。圖3是示出作為第二基材的一例的天線片的一個實(shí)施方式的圖。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的密封材料的配置方法的實(shí)施方式的圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的密封材料的配置方法的實(shí)施方式的圖。圖6是是在本發(fā)明的非接觸通信媒體是電子護(hù)照的情況下的概要圖。附圖標(biāo)記說明1 非接觸通信媒體2 第一基材3 第二基材31 天線片32 嵌體片41 C 模塊41 IC 芯片42 密封樹脂部43 引線框架431 裸片焊盤432端子部44 焊線
5密封材料51絕緣層52導(dǎo)電層61天線62跳線63導(dǎo)通部64連接部7冊子體
具體實(shí)施例方式下面,根據(jù)附圖對本發(fā)明的一個實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是示出本發(fā)明的非接觸通信媒體的一個實(shí)施方式的剖面圖。如圖1所示,非接觸通信媒體1包括第一基材2、第二基材3、及IC模塊4。第一基材2或第二基材3形成有天線61,但未圖示,該天線61與IC模塊4連接。第一基材2開設(shè)有用于使IC模塊4露出的開口部,在開口部的內(nèi)側(cè)面與IC模塊4之間,配置有密封材料以覆蓋IC模塊4。圖1是第二基材3具備天線片31及嵌體片32的情況下的一個實(shí)施方式。圖1所示的非接觸通信媒體1是用第二基材中的嵌體片32和第一基材2來夾持插件的結(jié)構(gòu),該插件具有第二基材3中的天線片31、天線61及IC模塊4。天線片形成有孔部,將IC模塊4 嵌入該孔部,從而天線61與IC模塊4連接。該非接觸通信媒體通過在嵌體片32與第一基材2之間夾入插件,并進(jìn)行層壓接合而形成為一體,來形成所需的厚度。然而,本發(fā)明的非接觸通信媒體中的第二基材的層結(jié)構(gòu)既可以是天線片,也可以是天線片和嵌體片的兩層結(jié)構(gòu),還可以具有覆蓋片,或者只有覆蓋片。另外,對于天線的配置位置不進(jìn)行限制,天線既可以設(shè)置于第一基材或第二基材中的任意基材,也可以設(shè)置于表面或背面的任意面,在第二基材為多層結(jié)構(gòu)的情況下,天線既可以設(shè)置于任一層,也可以跨越多個層而設(shè)置。作為第一基材2及嵌體片7,例如使用絕緣性塑料薄膜(PET-G:非晶共聚酯, PVC:聚氯乙烯樹脂等)、或絕緣性合成紙(PPG公司制的聚烯烴系合成紙、商品名稱為 “Teslin”(注冊商標(biāo))、或優(yōu)泊公司(Yupo Corporation)制的聚丙烯系合成紙、商品名稱 “YUP0”(注冊商標(biāo)))等。其中,上述塑料薄膜最好是可撓性塑料薄膜。另外,這些塑料薄膜可以使用厚度例如約100 μ m 約1000 μ m左右的薄膜,最好使用厚度100 μ m 約500 μ m 左右的薄膜。這樣不僅能夠在強(qiáng)度等方面充分發(fā)揮基材的功能,也能夠使基材具有充分的柔性而應(yīng)用到冊子形狀的物品。第一基材的開口部、第二基材的窗部能夠通過沖壓加工等方法來形成。另外,凹部可以通過熱沖壓加工、銑削加工、及壓花加工等方法來形成。另外,也可以將第一基材和第二基材貼合后,與第一基材的開口部同樣地密封第二基材的窗部或凹部。此時,可以使用與上述密封材料相同的材料來進(jìn)行密封。此外,也可以使用二液固化型的環(huán)氧樹脂等粘接劑。 特別是使用抗沖擊性彈性環(huán)氧樹脂,能夠保護(hù)IC模塊以免受到?jīng)_擊。密封材料5具有絕緣層51和導(dǎo)電層52,且被配置成絕緣層51朝向IC模塊4的一側(cè)。通過這樣將具有絕緣層51和導(dǎo)電層52的密封材料5配置成覆蓋IC模塊4,當(dāng)有靜電進(jìn)入IC模塊4部分時,局部集中的靜電電子通過導(dǎo)電層而擴(kuò)散,并被絕緣層51屏蔽,從而能夠減少對IC模塊的影響。密封材料5的整體厚度最好為25 μ m 100 μ m左右,若在80 μ m以下則更好。這是因?yàn)闃渲牧先暨^薄,則密封效果會降低,若過厚,在將其與第一基材貼合時則可能會產(chǎn)
生高度差。用于絕緣層的材料例如是具有電絕緣性、耐熱性和耐濕性的樹脂材料??梢詫⒕埘ヮ悩渲⒕郾╊悩渲?、聚乙烯類樹脂、聚苯乙烯類樹脂及聚酰亞胺類樹脂等樹脂材料用作如上所述的樹脂材料,優(yōu)選的是使用雙向拉伸聚酯樹脂來用作上述的樹脂材料。此外,也可以使用環(huán)氧樹脂等粘接劑。絕緣層的厚度最好為25μπι 75μπι左右。若小于該厚度, 則絕緣效果會降低,若大于該厚度,則密封材料整體的厚度增加,且在與第一基材貼合時會產(chǎn)生高度差。另外,較佳的是,絕緣層的介電常數(shù)例如為1 5 ε S左右。用于導(dǎo)電層的材料例如可以是具有導(dǎo)電性、耐熱性和體質(zhì)性的導(dǎo)電聚合物、金屬薄膜。導(dǎo)電聚合物例如可以使用導(dǎo)電聚酰亞胺、導(dǎo)電聚吡咯、導(dǎo)電聚乙炔、導(dǎo)電聚噻吩、導(dǎo)電聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等。金屬薄膜例如可以用銀、鋁、銅等,通過印刷、涂敷、蒸鍍、濺射、電鍍等方式來形成。作為導(dǎo)電層的厚度,用導(dǎo)電聚合物時最好為IOnm IOOnm左右,用金屬薄膜時最好為IOnm 50 μ m左右。另外,本實(shí)施方式的密封材料被形成為第一基材的外表面與密封材料的外表面成為連續(xù)且基本平坦的狀態(tài),并且,第一基材的外表面與密封材料的外表面被形成為邊緣基本齊平的狀態(tài)。具體而言,基本平坦或邊緣基本齊平的狀態(tài)是指,基材的外表面與密封材料的外表面之間的高度差最好為20 μ m以下。密封材料的絕緣層和導(dǎo)電層可以按照絕緣性部件、導(dǎo)電性部件的順序,例如通過涂敷或滴下來形成,也可以形成為具有粘合層的樹脂膠帶,并將其貼合。粘合層可以使用例如丙烯類樹脂等普通的粘合材料。為了獲得充分的粘合力,粘合層的厚度最好是ΙΟμπι以上,但也可以根據(jù)粘合層的粘合力、密封材料整體的厚度等,來適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行調(diào)節(jié)。另外,將樹脂材料用作密封材料時,使用的樹脂材料最好是絕緣層或?qū)щ妼又兄辽偃我庖粚拥目v彈性模數(shù)小于IC模塊的密封樹脂部的縱彈性模數(shù)。另外,將具有粘合層的樹脂膠帶用作密封材料時,使用的樹脂膠帶最好是絕緣層、導(dǎo)電層、粘合層中至少任意一層以上的縱彈性模數(shù)小于IC模塊的密封樹脂部的縱彈性模數(shù)。另外,本發(fā)明的非接觸通信媒體中的第二基材,只要是積層天線片、嵌體片、覆蓋片等片類中的一個以上的基材即可,對其結(jié)構(gòu)不進(jìn)行限制。此外,在第二基材是天線片的情況下,天線一般形成于天線片,但是在第二基材是嵌體片或覆蓋片等的情況下,天線可以形成于第一基材和第二基材中的任意基材,只要天線被夾持在第一基材與第二基材的層間、 或被夾持在由多個層而成的第二基材的層間,且與IC模塊連接,對其配置場所不進(jìn)行限制。圖2示出在本發(fā)明中所使用的IC模塊4的剖面圖。圖2(a)是本實(shí)施方式的IC 模塊4的平面圖,圖2(b)是剖面圖。如圖2(a)及圖2(b)所示,IC模塊4由引線框架43、 在引線框架上被裝載的IC芯片41、及密封IC芯片的密封樹脂部42形成。引線框架例如由銅絲金屬薄膜等形成,該銅絲金屬薄膜是將銅絲編制成薄膜狀后加以鍍銀而成的。引線框架具有用于支撐固定IC芯片的裸片焊盤431、和與IC芯片的輸入輸出焊盤連接的端子部432。裸片焊盤431被形成為大于IC芯片41的外形一圈,且被固定于IC芯片的底部。 在裸片焊盤與端子部之間形成有間隙,而被電絕緣。端子部例如經(jīng)由金(Au)等焊線44與IC芯片的輸入輸出焊盤(未圖示)連接。密封樹脂部例如由環(huán)氧樹脂等樹脂材料而成,且被形成為覆蓋IC芯片、IC芯片的輸入輸出焊盤、焊線、及端子部與焊線的連接部等。并且,密封樹脂部填充在裸片焊盤與端子部之間的間隙中。在此,IC模塊的厚度例如被形成為約0. 3mm左右。圖3示出作為第二基材3的天線片31的實(shí)施方式。圖2(a)是天線片31的表面圖,圖3(b)是背面圖。天線片31例如由用PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)或者PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)形成的具有可撓性的材料構(gòu)成。天線片31的厚度例如約在0.02mm 約 0. IOmm的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡x擇。圖2所示的天線片31是形成蝕刻天線來作為天線61的例子,在天線片31的表面形成有天線61,在背面形成有跳線62。天線61與跳線62之間通過各自分別設(shè)有的導(dǎo)通部63而導(dǎo)通。導(dǎo)通部的面積最好是形成得廣,因?yàn)檫@樣就能夠切實(shí)地實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。天線61與跳線62之間的導(dǎo)通可以通過從兩側(cè)夾著施加壓力且進(jìn)行壓緊,破壞天線片31的壓接(crimping)加工的方法來實(shí)現(xiàn),或者通過形成穿通孔而填充銀膏等導(dǎo)電膏等的方法來實(shí)現(xiàn),只要使天線61與跳線62之間實(shí)現(xiàn)物理導(dǎo)通或電導(dǎo)通即可,不限定其方法。天線61形成有用于與IC模塊4連接的連接部64。使連接部的面積較大為佳,這樣就容易與IC模塊連接。但是,天線61的形狀只要支持非接觸通信媒體1的通信特性即可,按照天線61的種類,既會有在天線片的表面上形成跳線62的情況,也會有不需要跳線的情況,因此天線的形狀并不局限于圖3所示的形狀。天線及跳線最好是蝕刻天線,該蝕刻天線例如是在天線片的表面上形成厚度約 0. 02mm 0. 05mm左右的鋁、銅、銀等薄膜,并通過蝕刻等使該薄膜形成圖案而得到的。這是因?yàn)?,?dāng)插件被反復(fù)施加彎曲時,IC模塊的端子部與天線片的連接部相連接的部分因反復(fù)彎曲而被施加應(yīng)力,但蝕刻天線的可撓性較高,從而防止應(yīng)力集中于特定的部位。但是,本發(fā)明中的天線不局限于蝕刻天線,還可以使用通過印刷而設(shè)置由導(dǎo)電性線材構(gòu)成的繞阻線圈、導(dǎo)電墨液的天線等。另外,若在天線片開設(shè)有用于收納IC模塊的窗部或凹部,則能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)非接觸通信媒體的薄型化及厚度均一化,防止局部應(yīng)力產(chǎn)生作用,并提高抗彎曲的能力。另外, 通過使窗部或凹部還收納IC模塊的引線框架,能夠使IC模塊固定。另外,在若通過擴(kuò)大面積等來形成連接部,則天線線圈與IC模塊相連接的部分就容易實(shí)現(xiàn)連接。另外,較佳的是,天線的連接部的寬度被形成為與IC模塊的端子部的寬度基本上相同,或者略微小于IC模塊的端子部的寬度。這樣能使應(yīng)力在寬度方向上分散,防止應(yīng)力集中。并且,能使天線的連接部與IC模塊的端子部的整個寬度方向上與IC模塊的端子部連接,切實(shí)地實(shí)現(xiàn)連接,從而能夠提高天線線圈及插件的可靠性。另外,較佳的是,天線的連接部的長度被形成為大于IC模塊的端子部和天線的連接部相重疊的部分的長度。這樣,端子部的邊緣就被連接在比天線的連接部的天線線圈一側(cè)的端部更靠內(nèi)側(cè)的大致中央部。因此,端子部的邊緣抵接于天線的連接部的大致中央部, 該天線的連接部的寬度被擴(kuò)大得比天線線圈的寬度大。
另外,在第二基板的、與形成有天線電路的面相反側(cè)的面上,也可以對應(yīng)于天線的連接部的形成區(qū)域,來形成加固天線的連接部的加固用圖案(未圖示)。由此,天線的連接部通過第二基板和形成在其背面的加固用圖案兩者來支撐,從而能夠得到加固。這樣一來,在IC模塊的端子部與天線線圈的連接部相連接的部分被反復(fù)施加彎曲的情況下,端子部的邊緣能夠由寬度被擴(kuò)大的天線的連接部的大致中央部承受。由此,能夠防止應(yīng)力向天線線圈集中,從而防止天線線圈斷線。圖4是示出天線形成于第二基材的表面或背面中的任意面的情況下,配置IC模塊及密封材料的一個實(shí)施方式的剖面圖。圖4(a)至(d)均表示從圖的上方貼合第一基材的情況,在第二基材為多層的情況下,表示最靠近第一基材的一層。在天線形成于第二基材的、與貼合有第一基材的面相反的面時,如圖4(a)及(b) 所示,天線在多數(shù)情況下連接于IC模塊的設(shè)置有IC芯片的一側(cè)。在此情況下,如圖4(a)所示,只要將密封材料配置為至少覆蓋從第二基材的孔部露出的IC模塊的樹脂密封部即可, 此外,如圖4(b)所示,較佳的是將密封材料配置為覆蓋到天線與IC模塊連接的部分,這樣能夠提高其接合強(qiáng)度,并有助于加固。在天線形成于第二基材的、貼合第一基材的一側(cè)的情況下,如圖4(c)、(d)及(e) 所示,天線在多數(shù)情況下連接于IC模塊的、與設(shè)置有IC芯片的一側(cè)相反的一側(cè)。在此情況下,如圖4(c)所示,最好是將密封材料配置為至少覆蓋IC模塊,此外,如圖4(d)所示,較佳的是將密封材料配置為覆蓋到連接天線與IC模塊的連接部分,這樣不僅提高其接合強(qiáng)度, 而且有助于加固,此外,如圖4(e)所示,若將密封材料配置為覆蓋天線的整個連接部,則還能夠防止靜電流到天線,切實(shí)地防止靜電對IC模塊帶來的不良影響。另外,較佳的是,通過垂直,傾斜或具有高度差來使密封材料的剖面為,導(dǎo)電層的面積比絕緣層小,從而導(dǎo)電層不超出絕緣層的形狀。這是因?yàn)槿魧?dǎo)電層超出絕緣層,則會直接接觸到天線或IC模塊,從而導(dǎo)致靜電流入的緣故。在通過切斷密封材料來形成剖面時, 一般切斷用的刀的形狀是前部尖且呈斜坡狀,若從導(dǎo)電層一側(cè)進(jìn)行切斷,自然就能夠形成上述剖面,因此,上述剖面不需要特別進(jìn)行加工,通過一般的生產(chǎn)線便可以得到。下面,對本實(shí)施方式的作用進(jìn)行說明。如圖1所示,本實(shí)施方式的非接觸通信媒體中,第一基材的開口部的外形被形成為大于密封樹脂部的外形一圈,在開口部的內(nèi)側(cè)面與密封樹脂部之間形成有間隙,具有導(dǎo)電層及絕緣層的密封材料填充在該間隙中,且絕緣層朝向密封樹脂的一側(cè)。由此,從外面進(jìn)入IC模塊部分的靜電通過密封材料的導(dǎo)電層而擴(kuò)散,并被絕緣層切實(shí)地屏蔽,從而能夠切實(shí)地防止給IC模塊帶來的不良影響。另外,通過使密封材料緊貼地覆蓋作為IC模塊的導(dǎo)電部的引線框架,能夠獲得很高的絕緣效果。此外,還有提高IC模塊與天線之間的接合強(qiáng)度的效果。另外,通過用密封材料來填充間隙,來防止在進(jìn)行圓珠筆試驗(yàn)等平整度試驗(yàn)時被間隙掛住,從而能夠提高由第一基材的外表面和密封材料的外表面構(gòu)成的非接觸通信媒體的外表面的平整度、及平滑度。另外,密封材料被配置為覆蓋IC模塊4的外表面,第一基材的外表面與密封材料的外表面被形成為連續(xù),并被形成為基本平坦且邊緣基本齊平。由此,即使在第一基材的外表面與包括密封樹脂部的外表面的IC模塊的外表面之間產(chǎn)生了高度差的情況下,也能夠使第一基材的外表面與密封材料的外表面邊緣基本齊平。這樣一來,能夠提高由第一基材的外表面和密封材料的外表面構(gòu)成的非接觸通信媒體的外表面的平整度、平滑度。另外,由于第一基材的外表面與密封材料的外表面之間的高度差被形成為20 μ m 以下,所以能夠使由第一基材的外表面和密封材料的外表面構(gòu)成的非接觸通信媒體的外表面基本平坦且邊緣齊平,從而能夠充分達(dá)到圓珠筆試驗(yàn)等平整度試驗(yàn)的合格標(biāo)準(zhǔn)。此外,較佳的是高度差為15 μ m以下。由此,能使圓珠筆試驗(yàn)的不良率基本達(dá)到0%。另外,在將樹脂膠帶用作密封材料的情況下,不僅易于配置密封材料,而且能夠簡化非接觸通信媒體的制造工序,從而提高成品率,降低制造成本。另外,若使用縱段數(shù)模數(shù)小于IC模塊的密封樹脂部的縱彈性模數(shù)的樹脂材料來作為密封材料、或者在密封材料是樹脂膠帶的情況下,使用樹脂材料和粘合材料中的至少一個材料的縱彈性模數(shù)小于IC模塊的密封樹脂部的縱彈性模數(shù)的樹脂膠帶來作為密封材料時,施加到非接觸通信媒體上的沖擊作為彈性能量而分散到密封材料。由此,還能夠得到減少施加到IC模塊的沖擊的效果。另外,密封材料比IC模塊的密封樹脂部更容易產(chǎn)生彈性變形,因此,在圓珠筆試驗(yàn)中,即使第一基材的外表面因受到來自圓珠筆的筆尖的外力產(chǎn)生變形而凹陷的情況下,當(dāng)筆尖從第一基材的外表面移動到密封材料的外表面時,密封材料沿使第一基材的外表面與密封材料的外表面之間的高度差減小的方向產(chǎn)生彈性變形。由此,能夠減少因第一基材的外表面與密封材料的外表面之間的高度差而產(chǎn)生的、圓珠筆的筆尖移動方向上的應(yīng)力。如上所述,根據(jù)本發(fā)明的非接觸通信媒體,能夠防止靜電侵入,并且能夠滿足外表面的平整度要求。下面,對本實(shí)施方式的非接觸通信媒體的制造方法進(jìn)行說明。以下說明如圖1所示的第二基材具有天線片和嵌體片的情況。在此,作為非接觸通信媒體制造方法,例如首先在形成有天線的天線片的窗部配置IC模塊,并將其與天線連接而形成插件,并且用密封材料來覆蓋IC模塊的密封樹脂部。 然后,將其用嵌體片和第一基材夾持并進(jìn)行重疊,以使IC模塊收納在設(shè)置于第一基材的開口部。接下來進(jìn)行沖壓工序,即從外部對第一基材及第二基材施加壓力,使之彼此擠壓產(chǎn)生壓縮。通過該沖壓工序,第一基材、第二基材及開口部內(nèi)的密封材料被壓縮,并且第一基材的外表面與密封材料的外表面被形成為基本平坦且邊緣基本齊平。此時,在將樹脂膠帶用作密封材料的情況下,不僅易于配置密封材料,而且能夠簡化非接觸通信媒體的制造工序,從而降低制造成本。另外,在將上述合成紙用作第一基材、及第二基材的嵌體片的情況下,插件與第一基材及嵌體片之間的接合方法采用的是粘接層壓法,該粘接層壓法是將粘接劑涂敷在插件的天線片上或第一基材及在嵌體片的、與天線片接觸的面上,然后例如在約70°C 140°C 的低溫下進(jìn)行接合。粘接劑例如可以使用EVA(乙烯-醋酸乙烯酯樹脂)類、EAA(乙烯-丙烯酸共聚物樹脂)類、聚酯類、聚氨酯類等。另外,也能夠通過將使用了用于上述粘接劑中的樹脂的粘接片,夾在天線片與第一基材及嵌體片之間來使用,來代替涂敷粘接劑。
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在將上述熱塑性的塑料薄膜用作第一基材、及第二基材的嵌體片的情況下,插件與第一基材及嵌體片之間的接合方法采用的是熱層壓法,該熱層壓法是通過一邊對兩者加壓,一邊通過加熱至超過第一基材及嵌體片的軟化溫度的溫度,例如約130°C 170°C,來進(jìn)行熔化接合。另外,在采用熱層壓法時,為了切實(shí)地實(shí)現(xiàn)熔化接合,也可以并用上述粘接劑。在插件與第一基材及嵌體片接合之后,對一體化了的第一基材及嵌體片與插件進(jìn)行外形加工,以使它們成為所希望的形狀。如上所述,能夠制造圖1所示的非接觸通信媒體。在上述實(shí)施方式中,在制造非接觸通信媒體時引進(jìn)了沖壓工序,但是也可以不進(jìn)行沖壓工序。即使不進(jìn)行沖壓工序,也能夠用密封材料來填充IC模塊與基材的開口部的內(nèi)側(cè)面之間的間隙。除了沖壓工序以外,通過使用例如壓輥或刮刀等,能夠?qū)⒒牡耐獗砻媾c密封材料的外表面形成為平坦。其中,第一基材及嵌體片的軟化溫度在使用PET-G時為約100°C 150°C,使用PVC 時為約80°C 100°C左右。另一方面,如在上述實(shí)施方式中說明那樣,天線片由PEN或PET形成。PEN的軟化溫度約為269°C左右,PET的軟化溫度約為258°C左右。即,與以往用作天線片的PET-G等低軟化點(diǎn)的熱塑性材料相比,能夠提高耐熱溫度。因此,在將第一基材及第二基材的嵌體片及插件加熱至約130°C 170°C左右時, 第一基材及嵌體片軟化,但是天線片不軟化。由此,在將具有天線片的插件與第一基材及嵌體片積層,并通過熱層壓法進(jìn)行接合時,即使在對天線片加熱的情況下,也能夠防止可塑化而流動。因此,能夠防止因天線片流動而引起的天線移動,并提高數(shù)據(jù)通信的可靠性。另外,萬一天線片被加熱至超過了軟化溫度,導(dǎo)致可塑化而流動的情況下,若通過蝕刻天線來形成天線線圈,則天線線圈與天線片接觸的面積增大,從而能使天線線圈的流動阻力變大。由此,能夠防止天線線圈隨天線片的流動而移動,并能夠提高數(shù)據(jù)通信的可靠性。以下表示在本發(fā)明中的密封材料的配置的一個例子。密封材料可以被設(shè)置成完全覆蓋IC模塊,且在IC模塊的連接部所配置的方向(X 方向)、以及與IC模塊的連接部所配置的方向正交的方向(Y方向)上與第二基材粘接,但較佳的是,如圖5所示,使用短邊的寬度與IC模塊的Y方向的寬度大致相同、且長邊大于X 方向的寬度的長方形狀的密封材料,并且將該密封材料配置為,覆蓋IC模塊的連接部,且在IC模塊的連接部所配置的方向(X方向)上與第二基材粘接,而在與IC模塊的連接部所配置的方向正交的方向(Y方向)上不與第二基材粘接。這樣在壓輥從Y方向壓住等而依次施加線壓力的情況下,由于天線與密封材料不粘接,所以當(dāng)壓輥壓住模塊附近時不會經(jīng)由密封材料而對模塊施加負(fù)荷,從而能夠防止模塊的破損。以下作為本發(fā)明中的非接觸通信媒體1的一個例子,來說明電子護(hù)照。如圖6所示,電子護(hù)照具有上述非接觸通信媒體1來作為封面,并且是在封面之間夾有冊子體7的結(jié)構(gòu)。在非接觸通信媒體1的一個面上接合有作為電子護(hù)照的封面的覆蓋材料。如上所述,通過使用將天線片、嵌體片及覆蓋片接合的片材料來作為非接觸通信媒體的第二基材,能夠使具有非接觸通信媒體的電子護(hù)照的外觀及質(zhì)感與現(xiàn)有的護(hù)照相同。此外,由于非接觸通信媒體能夠防止靜電侵入,并提高了外表面的平整度,所以能夠提供一種外觀良好的電子護(hù)照,不僅數(shù)據(jù)通信的可靠性高,而且提高了文字的寫入性和印章的清晰性。另外,若只將覆蓋片用作第二基材,而在覆蓋片上直接形成天線,則能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)非接觸通信媒體的薄型化,使其更具有柔性。在上述實(shí)施方式中,以電子護(hù)照為例說明了非接觸通信媒體的一個實(shí)施例,但是本發(fā)明的非接觸通信媒體除了用于電子護(hù)照以外,例如還能夠用于電子身份證件、各種活動履歷電子確認(rèn)文件等。實(shí)施例1第一基材使用厚度178μπκ且在IC模塊所配置的部分具有開口部的聚烯烴類合成紙,使用天線片和由厚度為178 μ m的聚烯烴類合成紙而成的嵌體片來作為第二基材,并將IC模塊嵌入形成有天線及孔部的天線片的孔部,來使之與天線連接。其后,在第一基材及第二基材的嵌體片上涂敷水類乳膠粘接劑(EVA),在天線片的 IC模塊上以圖4(b)所示的方式配置由樹脂膠帶構(gòu)成的密封材料,并用第一基材和嵌體片夾持并貼合天線片,以使IC模塊與第一基材的開口部的位置匹配,并通過進(jìn)行加壓來獲得實(shí)施例1的樣品。用作密封材料的樹脂膠帶樹脂膠帶是將厚度為40 μ m的聚酰亞胺作為絕緣層、將厚度為0. 2 μ m的導(dǎo)電聚吡咯作為導(dǎo)電層來進(jìn)行積層,并具有厚度為15 μ m的丙烯類粘合材料樹脂膠帶。制作了 6個上述樣品,得到了樣品1-1、1-2、1-3、1-4、1-5、及1-6。當(dāng)用電子顯微鏡對所得到的非接觸通信媒體的剖面進(jìn)行測定時,所有樣品中,第一基材的開口部的內(nèi)側(cè)面與IC模塊的密封樹脂部之間均沒有間隙,覆蓋IC模塊的密封材料的外表面與第一基材的外表面之間的高度差均小于20 μ m。接著,按照IS010373-7、JIS X6305-7標(biāo)準(zhǔn)對所得到的樣品進(jìn)行靜電試驗(yàn)。首先,設(shè)第一基材為上側(cè),非接觸通信媒體的長方形狀的長邊方向?yàn)樽笥曳较颍踢叿较驗(yàn)樯舷路较虻那闆r下,開口部配置在俯視時位于長方形的右上角的位置。然后,從形成有開口部的基材的外表面依次施加+6kV、-6kV、+8kV、及-8kV的電壓。此時,每當(dāng)施加不同的電壓值,就確認(rèn)IC芯片的基本動作,并測定非接觸通信媒體的通信響應(yīng)。施加電壓的位置共有25個,S卩,將以天線線圈為外周的扁長的長方形區(qū)域,以縱向分割成4份,橫向分割成5份之后得到的縱X橫4X5總計(jì)20個區(qū)域(位置20),IC模塊的塑封部的中央(中央位置)、開口部的左側(cè)的基材上(左位置)、開口部的右側(cè)的基材上(右位置)、開口部的上側(cè)的基材上(上位置)及開口部的下側(cè)的基材上(下位置),并分別對以上25個位置依次進(jìn)行測定。表1示出靜電試驗(yàn)的測定結(jié)果。表1中,“〇”表示通信響應(yīng)良好,“ X ”表示發(fā)生了通信響應(yīng)不良。此外,“20”表示位置20的數(shù)據(jù),“M”表示中央位置的數(shù)值,“L”表示左位置的數(shù)值,“R”表示右位置的數(shù)值,“Up”表示上位置的數(shù)值,"Un"表示下位置的數(shù)值。表權(quán)利要求
1.一種非接觸通信媒體,包括第一基材及第二基材、形成于該第一基材或第二基材的天線、及與該天線連接的IC模塊,其特征在于該第一基材具有用于收納該IC模塊的至少一部分的開口部,絕緣層和導(dǎo)電層相重疊的密封材料被配置為覆蓋該IC模塊的形狀,且絕緣層朝向IC模塊的一側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的非接觸通信媒體,其特征在于,所述第一基材的外表面與所述密封材料的外表面連續(xù),并被形成為基本平坦。
3.如權(quán)利要求2所述的非接觸通信媒體,其特征在于,所述第一基材的外表面與所述密封材料的外表面之間的高度差為20 μ m以下。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的非接觸通信媒體,其特征在于,所述密封材料覆蓋著連接所述天線與所述IC模塊的連接部。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的非接觸通信媒體,其特征在于,所述IC模塊具有引線框架、安裝于該引線框架的IC芯片、及密封該IC芯片的密封樹脂部,所述密封材料的導(dǎo)電層及絕緣層中至少一個層的縱彈性模數(shù)小于所述密封樹脂部的縱彈性模數(shù)。
6.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的非接觸通信媒體,其特征在于,所述密封材料是具有粘合材料的膠帶結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的非接觸通信媒體,其特征在于,所述IC模塊具有引線框架、安裝于該引線框架的IC芯片、及密封該IC芯片的密封樹脂部,所述粘合材料、所述導(dǎo)電層及所述絕緣層中至少一方的縱彈性模數(shù)小于所述密封樹脂部的縱彈性模數(shù)。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的非接觸通信媒體,其特征在于,所述第二基材通過積層天線片、嵌體片及覆蓋片中任一個以上而成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種非接觸通信媒體,能夠防止靜電侵入,并能夠滿足外表面的平坦性要求。本發(fā)明可以提供一種非接觸通信媒體,即,絕緣層和導(dǎo)電層相重疊的密封材料被配置成覆蓋IC模塊的形狀,且絕緣層朝向IC模塊的一側(cè),由此,進(jìn)入的靜電經(jīng)導(dǎo)電層擴(kuò)散,并被絕緣層屏蔽,從而能夠切實(shí)地防止靜電對IC模塊的不良影響。另外,本發(fā)明可以提供能夠滿足外表面的平整度要求的非接觸通信媒體。
文檔編號G06K19/077GK102483812SQ20108003769
公開日2012年5月30日 申請日期2010年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月26日
發(fā)明者水口義之, 田中洵介 申請人:凸版印刷株式會社