專利名稱：用于提供半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體來說涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置且更特定來說涉及用于提供半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)歷已準(zhǔn)許半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的密度及/或復(fù)雜性增加的技術(shù)進(jìn)步。此外，所述技術(shù)進(jìn)步已允許各種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的電力消耗及封裝大小減小。 持續(xù)的趨勢(shì)是采用及/或制造使用改進(jìn)性能、減小泄漏電流且增強(qiáng)總縮放的技術(shù)、材料及裝置的高級(jí)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。絕緣體上硅(SOI)襯底及體塊襯底是可用來制造此類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的材料的實(shí)例。舉例來說，此類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包含部分耗散(PD)型裝置、完全耗散(FD)型裝置、多個(gè)柵極裝置(例如，雙柵極、三個(gè)柵極或環(huán)繞柵極)及鰭型FET
直ο半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包含具有存儲(chǔ)器晶體管的存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器晶體管具有其中可存儲(chǔ)有電荷的電浮動(dòng)主體區(qū)。當(dāng)過剩多數(shù)電荷載流子存儲(chǔ)于所述電浮動(dòng)主體區(qū)中時(shí)，存儲(chǔ)器單元可存儲(chǔ)邏輯高(例如，二進(jìn)制“1”數(shù)據(jù)狀態(tài))。當(dāng)電浮動(dòng)主體區(qū)耗散多數(shù)電荷載流子時(shí)，存儲(chǔ)器單元可存儲(chǔ)邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))。此外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可制造于絕緣體上硅(SOI)襯底或體塊襯底(例如，實(shí)現(xiàn)主體隔離)上。舉例來說，可將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置制造為三維(3-D)裝置(例如，多個(gè)柵極裝置、鰭型FET、凹陷柵極及柱)。在一項(xiàng)常規(guī)技術(shù)中，可通過將偏置信號(hào)施加到存儲(chǔ)器晶體管的源極/漏極區(qū)及/ 或柵極來讀取半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元。因此，常規(guī)讀取技術(shù)可涉及響應(yīng)于源極/ 漏極區(qū)及/或柵極偏置信號(hào)的施加來感測(cè)由存儲(chǔ)器單元的電浮動(dòng)主體區(qū)提供/在所述電浮動(dòng)主體區(qū)中產(chǎn)生的電流的量以確定存儲(chǔ)于所述存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)狀態(tài)。舉例來說，存儲(chǔ)器單元可具有對(duì)應(yīng)于兩個(gè)或兩個(gè)以上不同邏輯狀態(tài)的兩個(gè)或兩個(gè)以上不同電流狀態(tài)(例如，兩個(gè)不同電流條件/狀態(tài)對(duì)應(yīng)于兩個(gè)不同邏輯狀態(tài)二進(jìn)制“ O，，數(shù)據(jù)狀態(tài)及二進(jìn)制“ 1，， 數(shù)據(jù)狀態(tài))。在另一常規(guī)技術(shù)中，可通過將偏置信號(hào)施加到存儲(chǔ)器晶體管的源極/漏極區(qū)及/ 或柵極來寫入到半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元。因此，常規(guī)寫入技術(shù)可導(dǎo)致存儲(chǔ)器單元的電浮動(dòng)主體區(qū)中的多數(shù)電荷載流子的增加/減少，多數(shù)電荷載流子的增加/減少又可確定存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。電浮動(dòng)主體區(qū)中的多數(shù)電荷載流子的增加可由碰撞電離、帶間遂穿(柵極誘發(fā)的漏極泄漏“GIDL”)或直接注入而產(chǎn)生。電浮動(dòng)主體區(qū)中的多數(shù)電荷載流子的減少可由(例如)使用背部柵極脈沖供應(yīng)經(jīng)由漏極區(qū)電荷載流子移除、源極區(qū)電荷載流子移除或漏極與源極區(qū)電荷載流子移除來移除電荷載流子而產(chǎn)生。通常，常規(guī)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元需要相對(duì)大的區(qū)域及/或當(dāng)執(zhí)行讀取及/或?qū)懭氩僮鲿r(shí)的大的電力消耗。舉例來說，常規(guī)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元可經(jīng)制造具有在平面定向上的各種區(qū)且占據(jù)絕緣體上硅(SOI)襯底或體塊襯底上的大的區(qū)域。因此，常規(guī)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元可具有低效可縮放性且導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元的大小的增加。此外，在讀取及/或?qū)懭氩僮髌陂g在正柵極偏置與負(fù)柵極偏置之間的脈沖供應(yīng)可導(dǎo)致常規(guī)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元的電力消耗的增加。鑒于前述內(nèi)容，可理解可存在與常規(guī)浮體半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的顯著問題及缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示用于提供半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)。在一個(gè)特定實(shí)例性實(shí)施例中，可將所述技術(shù)實(shí)現(xiàn)為包括布置成行與列的陣列的多個(gè)存儲(chǔ)器單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。每一存儲(chǔ)器單元可包含連接到在第一定向上延伸的源極線的第一區(qū)。每一存儲(chǔ)器單元還可包含連接到在第二定向上延伸的位線的第二區(qū)。每一存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包含與字線間隔開且電容性耦合到所述字線的主體區(qū)，其中所述主體區(qū)為電浮動(dòng)的且安置在所述第一區(qū)與所述第二區(qū)之間。所述半導(dǎo)體裝置還可包括在所述陣列的所述第一定向上延伸的第一勢(shì)壘壁及在所述陣列的所述第二定向上延伸且與所述第一勢(shì)壘壁相交以形成經(jīng)配置以容納所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的每一者的溝槽區(qū)的第二勢(shì)壘壁。根據(jù)特定實(shí)例性實(shí)施例的其它方面，所述第一區(qū)及所述第二區(qū)可為N摻雜區(qū)。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的其它方面，所述主體區(qū)可為P摻雜區(qū)。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的額外方面，所述主體區(qū)可為未經(jīng)摻雜區(qū)。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的額外方面，所述第一勢(shì)壘壁及所述第二勢(shì)壘壁可由絕緣氧化物材料形成。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的又一方面，所述第一勢(shì)壘壁及所述第二勢(shì)壘壁可形成于P型襯底上。根據(jù)特定實(shí)例性實(shí)施例的其它方面，所述字線可沿所述主體區(qū)的一側(cè)而安置。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的其它方面，所述字線的高度可類似于所述主體區(qū)的高度。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的額外方面，所述字線可鄰近于所述主體區(qū)的一側(cè)及所述第一區(qū)的至少一部分的一側(cè)而安置。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的額外方面，所述字線可沿所述主體區(qū)的一側(cè)及所述第二區(qū)的至少一部分的一側(cè)而安置。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的又一方面，所述字線可沿所述主體區(qū)的一側(cè)、所述第一區(qū)的一側(cè)的至少一部分及所述第二區(qū)的一側(cè)的至少一部分而安置。根據(jù)特定實(shí)例性實(shí)施例的其它方面，所述字線的高度可短于所述主體區(qū)的高度。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的其它方面，所述字線可具有矩形橫截面形狀。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的額外方面，所述字線可具有U形橫截面形狀。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的額外方面，所述字線可具有L形橫截面形狀。
根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的又一方面，所述字線可電容性耦合到多個(gè)所述主體區(qū)。根據(jù)特定實(shí)例性實(shí)施例的其它方面，所述字線可耦合到恒定電壓電位。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的其它方面，所述字線可耦合到接地電壓電位。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的額外方面，所述存儲(chǔ)器單元陣列可包括分離所述存儲(chǔ)器單元的鄰近行的虛擬存儲(chǔ)器單元行。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的額外方面，所述源極線可在配置于所述第一區(qū)下面的平面中的所述第一定向上延伸。根據(jù)此特定實(shí)例性實(shí)施例的又一方面，所述位線可在配置于所述第二區(qū)上面的平面中的所述第二定向上延伸。根據(jù)特定實(shí)例性實(shí)施例的其它方面，所述位線可經(jīng)由位線接觸件連接到所述第二區(qū)?，F(xiàn)在將參照附圖中所示的本發(fā)明實(shí)例性實(shí)施例來更詳細(xì)地描述本發(fā)明。雖然下文參照實(shí)例性實(shí)施例來描述本發(fā)明，但應(yīng)了解，本發(fā)明并不限于此。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通過閱讀本文中的教示內(nèi)容將會(huì)認(rèn)識(shí)到額外實(shí)施方案、修改及實(shí)施例，這些額外實(shí)施方案、修改及實(shí)施例均屬于本文中所述的本發(fā)明范圍內(nèi)且本發(fā)明對(duì)于這些額外實(shí)施方案、修改及實(shí)施例可具有顯著實(shí)用性。


為促進(jìn)對(duì)本發(fā)明的更全面理解，現(xiàn)在參照隨附圖式，其中相同元件用相同編號(hào)指代。不應(yīng)將這些圖式視為限制本發(fā)明，而是打算僅具有實(shí)例性。圖1顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例包含存儲(chǔ)器單元陣列、數(shù)據(jù)寫入與感測(cè)電路以及存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的示意性框圖。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列的一部分的俯視圖。圖3顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列的一部分的橫截面視圖。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的第一替代實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列的一部分的橫截面視圖。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的第二替代實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列的一部分的橫截面視圖。圖6顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元陣列的一部分的三維視圖。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列的一部分的俯視圖及橫截面視圖。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的第一替代實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列的一部分的俯視圖及橫截面視圖。圖9顯示根據(jù)本發(fā)明的第二替代實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列的一部分的俯視圖及橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)D1，其顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置10的示意性框圖，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)器單元陣列20、數(shù)據(jù)寫入與感測(cè)電路36以及存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38。存儲(chǔ)器單元陣列20可包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元12，每一存儲(chǔ)器單元經(jīng)由字線 (WL)觀及/或源極線(EN) 32連接到存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38且經(jīng)由位線(CN) 30連接到數(shù)據(jù)寫入與感測(cè)電路36。應(yīng)了解，位線(CN)30及源極線(EN) 32是用來在兩個(gè)信號(hào)線之間進(jìn)行區(qū)分的稱號(hào)且其可互換使用。數(shù)據(jù)寫入與感測(cè)電路36可從選定存儲(chǔ)器單元12讀取數(shù)據(jù)且可將數(shù)據(jù)寫入到選定存儲(chǔ)器單元12。在實(shí)例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)寫入與感測(cè)電路36 可包括多個(gè)數(shù)據(jù)讀出放大器。每一數(shù)據(jù)讀出放大器可接收至少一個(gè)位線(CN)30及電流或電壓參照信號(hào)。舉例來說，每一數(shù)據(jù)讀出放大器可為交叉耦合類型的讀出放大器以感測(cè)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的數(shù)據(jù)狀態(tài)。每一數(shù)據(jù)讀出放大器可采用電壓及/或電流感測(cè)電路及/或技術(shù)。在實(shí)例性實(shí)施例中，每一數(shù)據(jù)讀出放大器可采用電流感測(cè)電路及/或技術(shù)。舉例來說，電流讀出放大器可比較來自選定存儲(chǔ)器單元12的電流與參照電流(例如，一個(gè)或一個(gè)以上參照單元的電流)。 根據(jù)所述比較，可確定選定存儲(chǔ)器單元12是含有邏輯高(例如，二進(jìn)制“1”數(shù)據(jù)狀態(tài))還是邏輯低(例如，二進(jìn)制“0”數(shù)據(jù)狀態(tài))。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，可采用各種類型或形式的數(shù)據(jù)寫入與感測(cè)電路36(包含使用電壓或電流感測(cè)技術(shù)、使用或不使用參照單元來感測(cè)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的數(shù)據(jù)狀態(tài)的一個(gè)或一個(gè)以上讀出放大器)來讀取存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的數(shù)據(jù)及/或?qū)?shù)據(jù)寫入到存儲(chǔ)器單元12。此外，存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38可通過將控制信號(hào)施加于一個(gè)或一個(gè)以上字線(WL08及/或源極線(EN) 32上來選擇及/或啟用一個(gè)或一個(gè)以上預(yù)定存儲(chǔ)器單元12 以促進(jìn)從所述預(yù)定存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)及/或?qū)?shù)據(jù)寫入到所述預(yù)定存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38可根據(jù)地址信號(hào)(舉例來說)行地址信號(hào)來產(chǎn)生此類控制信號(hào)。此外，存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38可包含字線解碼器及/或驅(qū)動(dòng)器。舉例來說，存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38可包含一項(xiàng)或一項(xiàng)以上不同控制/選擇技術(shù)(及因此電路)以選擇及/或啟用一個(gè)或一個(gè)以上預(yù)定存儲(chǔ)器單元12。明顯地，無論現(xiàn)在已知或以后研發(fā)的所有此類控制/選擇技術(shù)及因此電路均打算歸屬于本發(fā)明的范圍。在實(shí)例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置10可實(shí)施兩步寫入操作，借此，通過執(zhí)行 “清除”或邏輯低(例如，二進(jìn)制“0”數(shù)據(jù)狀態(tài))寫入操作而首先將存儲(chǔ)器單元12的有效行中的所有存儲(chǔ)器單元12寫入為邏輯低(例如，二進(jìn)制“0”數(shù)據(jù)狀態(tài))。此后，可通過執(zhí)行邏輯高(例如，二進(jìn)制“1”數(shù)據(jù)狀態(tài))寫入操作來將有效存儲(chǔ)器單元12行中的選定存儲(chǔ)器單元12選擇性地寫入為邏輯高(例如，二進(jìn)制“1”數(shù)據(jù)狀態(tài))。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置10也可實(shí)施單步寫入操作，借此，可在不首先實(shí)施“清除”操作的情形下將有效存儲(chǔ)器單元12行中的選定存儲(chǔ)器單元12選擇性地寫入為邏輯高(例如，二進(jìn)制“1”數(shù)據(jù)狀態(tài))或邏輯低(例如，二進(jìn)制“0”數(shù)據(jù)狀態(tài))。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置10可采用本文中所述的實(shí)例性寫入、刷新、 保持及/或讀取技術(shù)中的任一者。存儲(chǔ)器單元12可包括N型、P型及/或兩種類型的晶體管。在存儲(chǔ)器陣列20外圍的電路(舉例來說，讀出放大器或比較器、行及列地址解碼器以及線驅(qū)動(dòng)器(本文中未圖解說明))也可包含P型及/或N型晶體管。不論在存儲(chǔ)器陣列20中的存儲(chǔ)器單元12中采用P型晶體管還是N型晶體管，依照本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)熟知用于從存儲(chǔ)器單元12讀取及/或?qū)懭氲酱鎯?chǔ)器單元12的適合電壓電位(舉例來說，正電壓電位或負(fù)電壓電位)。因此，為簡(jiǎn)潔起見，本文中將不包含對(duì)此類適合電壓電位的論述。參照?qǐng)D2，其顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元12的存儲(chǔ)器單元陣列20 的一部分的俯視圖。如所述俯視圖中所圖解說明，存儲(chǔ)器單元陣列20可包含布置成行與列的矩陣的多個(gè)存儲(chǔ)器單元12，所述矩陣包含多個(gè)字線^(WL)、多個(gè)位線(CN) 30及多個(gè)源極線(EN)32。每一位線(CN) 30可在第一定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第一平面延伸。每一源極線(EN)32可在第二定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第二平面延伸。每一字線(WL)觀可在第二定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第三平面延伸。第一平面、第二平面及第三平面可布置在彼此平行的不同平面中。參照?qǐng)D3，其顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元12的存儲(chǔ)器單元陣列20 的一部分的橫截面視圖。舉例來說，圖3圖解說明沿圖2中所示的俯視圖的線(A-A)截取的橫截面視圖。所述橫截面視圖可圖解說明存儲(chǔ)器單元陣列20中的一列存儲(chǔ)器單元12。 在實(shí)例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元陣列20的每一行及/或列可包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元12。每一存儲(chǔ)器單元12可包括N+源極區(qū)120、P主體區(qū)122及N+漏極區(qū)124。N+源極區(qū)120、P主體區(qū)122及/或N+區(qū)IM可以順序相連關(guān)系安置于柱或鰭配置中，且可垂直或正交于由P 襯底130所界定的平面延伸。在實(shí)例性實(shí)施例中，N+源極區(qū)120可由包括施主雜質(zhì)(例如，氮、砷及/或磷)的半導(dǎo)體材料(例如，硅)形成且連接到源極線(EN)32。在實(shí)例性實(shí)施例中，源極線(EN)32 可由金屬層形成。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，源極線(EN) 32可由多晶硅化物層(例如，金屬材料與硅材料的組合)形成。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，源極線(EN) 32可由經(jīng)N+摻雜的硅層形成。源極線(EN) 32可連接到多個(gè)存儲(chǔ)器單元12 (例如，一行存儲(chǔ)器單元12)。舉例來說，源極線(EN) 32可形成于N+源極區(qū)120下面。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，源極線(EN) 32 可形成于N+源極區(qū)120的一側(cè)上。在實(shí)例性實(shí)施例中，P主體區(qū)122可為存儲(chǔ)器單元12的經(jīng)配置以積累/存儲(chǔ)電荷的電浮動(dòng)主體區(qū)且所述P主體區(qū)122可與字線(WL08間隔開且電容性耦合到所述字線。在實(shí)例性實(shí)施例中，P主體區(qū)122可由包括受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料(例如，本征硅)形成。舉例來說，P主體區(qū)122可由摻雜有硼雜質(zhì)的硅材料形成。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，P主體區(qū) 122可由半導(dǎo)體材料(例如，本征硅)形成。在其它實(shí)例性實(shí)施例中，P主體區(qū)122可由未經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體材料形成。字線(WL)觀可由多晶硅化物層或金屬層形成。字線(WL) 28可在存儲(chǔ)器單元陣列 20的行方向上定向且連接到多個(gè)存儲(chǔ)器單元12。字線(WL)觀可布置在兩個(gè)相連存儲(chǔ)器單元12(例如，位于存儲(chǔ)器單元陣列20的不同行上的存儲(chǔ)器單元12)之間。字線(WL08可共享于列方向上的兩個(gè)相連存儲(chǔ)器單元12之間。在實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL08可具有類似于或等于P主體區(qū)122的高度的高度以減小可由字線(WL) 28引起的干擾。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL)觀可具有超過P主體區(qū)122的高度延伸的高度。舉例來說，字線 (WL)觀可具有越過P主體區(qū)122的底部區(qū)延伸到鄰近于N+源極區(qū)120的頂部區(qū)的高度。 在另一實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL)觀可具有越過P主體區(qū)122的頂部區(qū)延伸到鄰近于N+漏極區(qū)124的底部區(qū)的高度。在其它實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL)觀可具有越過P主體區(qū)122的底部區(qū)及頂部區(qū)兩者分別延伸到鄰近于N+源極區(qū)120的頂部區(qū)及N+漏極區(qū)IM的底部區(qū)的高度。此外，字線(WL)觀可具有短于P主體區(qū)122的高度的高度。在實(shí)例性實(shí)施例中， 字線(WL) 28的底部區(qū)可與P主體區(qū)122的底部區(qū)齊平而字線(WL) 28的頂部區(qū)可低于P主體區(qū)122的頂部區(qū)。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL) 28的頂部區(qū)可與P主體區(qū)122的頂部區(qū)齊平而字線(WL) 28的底部區(qū)可高于P主體區(qū)122的頂部區(qū)。在其它實(shí)例性實(shí)施例中， 字線(WL) 28的頂部區(qū)可低于P主體區(qū)122的頂部區(qū)且字線(WL) 28的底部區(qū)可高于P主體區(qū)122的底部區(qū)。P主體區(qū)122及字線(WL)觀可經(jīng)由絕緣或電介質(zhì)區(qū)128電容性耦合。絕緣或電介質(zhì)區(qū)1 可由絕緣材料、電介質(zhì)材料或絕緣材料與電介質(zhì)材料的組合形成。在實(shí)例性實(shí)施例中，絕緣或電介質(zhì)區(qū)1 可布置在P主體區(qū)122的一個(gè)或一個(gè)以上側(cè)上以將P主體區(qū) 122電容耦合到字線(WL) 28。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，絕緣或電介質(zhì)區(qū)1 可沿圓周環(huán)繞 P主體區(qū)122以將字線(WL) 28電容性耦合到P主體區(qū)122。在實(shí)例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元12的N+漏極區(qū)IM可連接到位線(CN) 30。在實(shí)例性實(shí)施例中，N+漏極區(qū)IM可由包括施主雜質(zhì)(例如，氮、砷及/或磷)的半導(dǎo)體材料(例如，硅)形成。在實(shí)例性實(shí)施例中，位線(CN)30可由多晶硅化物層形成。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，位線(CN) 30可由金屬層形成。舉例來說，位線(CN) 30可由鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦及 /或其組合形成。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，位線(CN) 30可由經(jīng)摻雜多晶硅層形成。位線(CN) 30可經(jīng)由多個(gè)位線接觸件132連接到多個(gè)存儲(chǔ)器單元12 (例如，一列存儲(chǔ)器單元1 。舉例來說，每一位線接觸件132可對(duì)應(yīng)于沿存儲(chǔ)器單元陣列20的列方向的存儲(chǔ)器單元12。每一位線接觸件132可由金屬層或多晶硅層形成以將來自位線(CN)30的預(yù)定電壓電位耦合到存儲(chǔ)器單元12的N+漏極區(qū)124。舉例來說，位線接觸件132可由鎢、 鈦、氮化鈦、多晶硅或其組合形成。位線接觸件132可具有從位線(CN)30延伸到存儲(chǔ)器單元12的N+漏極區(qū)124的高度。沿存儲(chǔ)器單元陣列20的列方向的多個(gè)位線接觸件132可經(jīng)由電介質(zhì)材料134彼此分離。在實(shí)例性實(shí)施例中，電介質(zhì)材料134可由氮化硅形成以隔離沿存儲(chǔ)器單元12的列方向的存儲(chǔ)器單元12。位線接觸件132可經(jīng)由絕緣體/電介質(zhì)材料136與字線(WL) 28隔離。絕緣體/ 電介質(zhì)材料可由氮化硅或二氧化硅材料形成以減小施加于字線(WL08上的電壓電位與施加于位線(CN) 30上的電壓電位的干擾。在實(shí)例性實(shí)施例中，界面層138可提供于位線接觸件132與絕緣體/電介質(zhì)材料136之間以獲得位線接觸件132與絕緣體/電介質(zhì)材料136 之間的可靠接觸。界面層138可布置在絕緣體/電介質(zhì)材料136的頂部區(qū)及/或側(cè)區(qū)上。 舉例來說，界面層138可由絕緣材料(例如，氮化硅或二氧化硅)形成。在實(shí)例性實(shí)施例中，P襯底130可由包括受體雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料(例如，硅)制成且可形成存儲(chǔ)器單元陣列20的基底。在替代實(shí)例性實(shí)施例中，多個(gè)P襯底130可形成存儲(chǔ)器單元陣列20的基底或單個(gè)P襯底130可形成存儲(chǔ)器單元陣列20的基底。此外，P襯底 130可以P阱襯底的形式制成。多個(gè)勢(shì)壘壁140可形成于P襯底130上。舉例來說，多個(gè)勢(shì)壘壁140可由絕緣材料形成。在實(shí)例性實(shí)施例中，多個(gè)勢(shì)壘壁140可由絕緣氧化物材料形成。多個(gè)勢(shì)壘壁140可在存儲(chǔ)器單元陣列20的列方向及行方向上定向。舉例來說，多個(gè)勢(shì)壘壁140中的第一勢(shì)壘壁140可在列方向上定向。多個(gè)勢(shì)壘壁140中的第二勢(shì)壘壁140可在行方向上定向。在實(shí)例性實(shí)施例中，在列方向上定向的第一勢(shì)壘壁140及在行方向上定向的第二勢(shì)壘壁140可相交以形成溝槽區(qū)。溝槽區(qū)可具有可將存儲(chǔ)器單元12容納于其中的橫截面形狀。舉例來說，所述溝槽區(qū)可具有方形、矩形、圓柱及/或可容納存儲(chǔ)器單元12的其它形狀的橫截面形狀。勢(shì)壘壁140的高度可相依于字線(WL) 28的高度。舉例來說，當(dāng)字線(WL)觀具有越過P 主體區(qū)122的底部區(qū)延伸到鄰近于N+源極區(qū)120的頂部區(qū)的高度時(shí)，勢(shì)壘壁140可具有短于N+源極區(qū)120的高度延伸的高度。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，當(dāng)字線(WL08具有與P主體區(qū)122類似的高度時(shí)，勢(shì)壘壁140可具有與N+源極區(qū)120類似的高度。在其它實(shí)例性實(shí)施例中，當(dāng)字線(WL)觀具有未越過P主體區(qū)122的底部區(qū)延伸的高度時(shí)，勢(shì)壘壁140可具有高于N+源極區(qū)120的高度的高度。參照?qǐng)D4，其顯示根據(jù)本發(fā)明第一替代實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元12的存儲(chǔ)器單元陣列20的一部分的橫截面視圖。圖4圖解說明存儲(chǔ)器單元陣列20中的一列存儲(chǔ)器單元 12的橫截面視圖，其類似于圖3中所示的橫截面視圖，除替代字線(WL08配置以外。在實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL08可由具有“U”形橫截面形狀的金屬或?qū)щ妼有纬?。在?shí)例性實(shí)施例中，字線(WL08可由兩個(gè)側(cè)部分與連接所述兩個(gè)側(cè)部分的互連底部部分形成。字線 (WL) 28可布置在兩個(gè)相連存儲(chǔ)器單元12(例如，位于存儲(chǔ)器單元陣列20的不同行上的存儲(chǔ)器單元1 之間。列方向上的兩個(gè)相連存儲(chǔ)器單元12之間可共享字線(WL) 28。舉例來說，字線(WL)觀的每一側(cè)部分可經(jīng)由相應(yīng)絕緣或電介質(zhì)區(qū)128電容性耦合到相應(yīng)P主體區(qū) 122。因此，字線(WL) 28的兩個(gè)側(cè)部分可經(jīng)由底部部分連接到彼此以使得兩個(gè)相連存儲(chǔ)器單元12可共享字線(WL) 28。字線(WL08可具有預(yù)定高度以施加電壓電位以便對(duì)存儲(chǔ)器單元12執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上操作(例如，讀取、寫入、刷新及/或其它有效操作)。在實(shí)例性實(shí)施例中，字線 (WL) 28的每一側(cè)部分可具有類似于或等于相應(yīng)P主體區(qū)122的高度的高度。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL) 28的每一側(cè)部分可具有超過相應(yīng)P主體區(qū)122的高度延伸的高度。舉例來說，字線(WL) 28的每一側(cè)部分可具有越過P主體區(qū)122的底部區(qū)延伸到鄰近于N+源極區(qū)120的頂部區(qū)的高度。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL) 28的每一側(cè)部分可具有越過 P主體區(qū)122的頂部區(qū)延伸到鄰近于N+漏極區(qū)IM的頂部區(qū)的高度。在其它實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL) 28的每一側(cè)部分可具有越過P主體區(qū)122的底部區(qū)及頂部區(qū)兩者分別延伸到鄰近于N+源極區(qū)120的頂部區(qū)及N+漏極區(qū)124的底部區(qū)的高度。此外，字線(WL) 28的每一側(cè)部分可具有短于P主體區(qū)122的高度的高度。在實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL) 28的每一側(cè)部分的底部區(qū)可與P主體區(qū)122的底部區(qū)齊平而字線 (WL) 28的每一側(cè)部分的頂部區(qū)可低于P主體區(qū)122的頂部區(qū)。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL) 28的每一側(cè)部分的頂部區(qū)可與P主體區(qū)122的頂部區(qū)齊平而字線(WL) 28的每一側(cè)部分的底部區(qū)可高于P主體區(qū)122的底部區(qū)。在其它實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL) 28的每一側(cè)部分的頂部區(qū)可低于P主體區(qū)122的頂部區(qū)且字線(WL) 28的每一側(cè)部分的底部區(qū)可高于P主體區(qū)122的底部區(qū)。參照?qǐng)D5，其顯示根據(jù)本發(fā)明第二替代實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元12的存儲(chǔ)器單元陣列20的一部分的橫截面視圖。圖5圖解說明存儲(chǔ)器單元陣列20中的一列存儲(chǔ)器單元 12的橫截面視圖，其類似于圖3中所示的橫截面視圖，除替代字線(WL08配置以外。如上文所論述，字線(WL08可由金屬層或多晶硅化物層或任一其它導(dǎo)電層形成。字線(WL08可具有位于P主體區(qū)122的兩個(gè)側(cè)上的一對(duì)橫截面為“L”形的接觸件。舉例來說，字線(WL)觀可電容性耦合到單個(gè)P主體區(qū)122且可不共享于列方向上的兩個(gè)相連P主體區(qū)122之間。 在實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL)觀可由沿P主體區(qū)122的一側(cè)的細(xì)長(zhǎng)區(qū)及形成于勢(shì)壘壁140 上的短小底部區(qū)形成。在實(shí)例性實(shí)施例中，在存儲(chǔ)器單元陣列20的列方向上布置的兩個(gè)相連存儲(chǔ)器單元12可不共享字線(WL) 28。舉例來說，每一字線(WL)觀可對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器單元陣列20的列方向上的每一存儲(chǔ)器單元12。字線(WL)觀可經(jīng)由絕緣或電介質(zhì)區(qū)128電容性耦合到P主體區(qū)122的兩個(gè)側(cè)。可經(jīng)由位于P主體區(qū)122的側(cè)上的字線(WL)觀將電壓電位電容性施加到P主體區(qū)122。字線(WL08可具有預(yù)定高度以施加電壓電位以便執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上操作(例如，讀取、寫入、刷新及/或其它有效操作)。在實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL08可具有類似于或高于P主體區(qū)122的高度的高度。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL08可具有超過P主體區(qū)122的高度延伸的高度。舉例來說，字線(WL)觀可具有經(jīng)過P主體區(qū)122的底部區(qū)延伸到N+源極區(qū)120中的高度。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL)觀可具有經(jīng)過P主體區(qū) 122的頂部區(qū)延伸到N+漏極區(qū)124中的高度。在其它實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL08可具有經(jīng)過P主體區(qū)122的底部區(qū)及頂部區(qū)兩者分別延伸到N+源極區(qū)120中及N+漏極區(qū)124中的高度。此外，字線(WL)觀可具有短于P主體區(qū)122的高度的高度。在實(shí)例性實(shí)施例中， 字線(WL) 28的底部區(qū)可與P主體區(qū)122的底部區(qū)齊平而字線(WL) 28的頂部區(qū)可低于P主體區(qū)122的頂部區(qū)。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，字線(WL) 28的頂部區(qū)可與P主體區(qū)122的頂部區(qū)齊平而字線(WL) 28的底部區(qū)可高于P主體區(qū)122的底部區(qū)。在其它實(shí)例性實(shí)施例中， 字線(WL) 28的頂部區(qū)可低于P主體區(qū)122的頂部區(qū)且字線(WL) 28的底部區(qū)可高于P主體區(qū)122的底部區(qū)。參照?qǐng)D6，其顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元陣列20的一部分的三維視圖。 舉例來說，圖6圖解說明圖2中所示的存儲(chǔ)器單元12的4x4陣列。如上文所論述，每一存儲(chǔ)器單元12可包括N+源極區(qū)120、P主體區(qū)122及N+漏極區(qū)124。N+源極區(qū)120、P主體區(qū)122及N+漏極區(qū)IM可以順序相連關(guān)系安置于可垂直或正交于由P襯底130界定的平面延伸的柱或鰭配置內(nèi)。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元12的存儲(chǔ)器單元陣列20的一部分的俯視圖及橫截面視圖。圖7中所圖解說明的俯視圖可類似于圖2中所示的俯視圖。多個(gè)勢(shì)壘壁140可在第一定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第一平面延伸。此外，多個(gè)勢(shì)壘壁 140可在第二定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第一平面延伸。在第一定向及第二定向上延伸的多個(gè)勢(shì)壘壁140可形成溝槽區(qū)。存儲(chǔ)器單元12可形成于多個(gè)勢(shì)壘壁140的溝槽區(qū)之間。 如上文所論述，每一字線(WL)觀在第二定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第二平面延伸。在實(shí)例性實(shí)施例中，每一字線(WL)觀可布置于存儲(chǔ)器單元陣列20的存儲(chǔ)器單元12之間。舉例來說，每一字線(WL)觀可共享于在存儲(chǔ)器單元陣列20的列方向上的相連存儲(chǔ)器單元12 之間。橫截面視圖A-A是沿所述俯視圖的線(A-A)截取，橫截面視圖B-B是沿所述俯視圖的線(B-B)截取且橫截面視圖C-C是沿所述俯視圖的線(C-C)截取。如橫截面視圖A-A中所示，字線(WL)觀可布置于在第二定向上延伸的勢(shì)壘壁140的頂部上。字線(寒8及勢(shì)壘壁140可布置于襯底130的頂部上。橫截面視圖B-B可圖解說明存儲(chǔ)器單元陣列20中的一行存儲(chǔ)器單元12。在第一定向上延伸的勢(shì)壘壁140可分離存儲(chǔ)器單元陣列20的每一存儲(chǔ)器單元12列。舉例來說， 勢(shì)壘壁140可分離存儲(chǔ)器單元12的多個(gè)區(qū)(例如，N+源極區(qū)120、P主體區(qū)122及N+漏極區(qū) 1 )。橫截面視圖C-C可圖解說明存儲(chǔ)器單元陣列20中的一列存儲(chǔ)器單元12，其類似于圖3的橫截面視圖。在實(shí)例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元陣列20的每一行及/或列可包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元12。字線(WL)觀可布置于在第二定向上延伸的勢(shì)壘壁140的頂部上。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明第一替代實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元12的存儲(chǔ)器單元陣列 20的一部分的俯視圖及橫截面視圖。圖8中所圖解說明的俯視圖及橫截面視圖可類似于圖 7中所示的俯視圖及橫截面視圖。多個(gè)勢(shì)壘壁140可在第一定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第一平面延伸。此外，多個(gè)勢(shì)壘壁140可在第二定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第一平面延伸。在第一定向及第二定向上延伸的多個(gè)勢(shì)壘壁140可形成存儲(chǔ)器單元12可形成于其中的溝槽區(qū)。如上文所論述，每一字線(WL)觀可在第二定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第二平面延伸。在實(shí)例性實(shí)施例中，每一字線(WL)觀可布置于存儲(chǔ)器單元陣列20的存儲(chǔ)器單元 12之間。舉例來說，每一字線(WL)觀可共享于在存儲(chǔ)器單元陣列20的列方向上的相連存儲(chǔ)器單元12之間。存儲(chǔ)器單元陣列20可具有在第二定向上延伸的多個(gè)字線(WL) 28。多個(gè)字線(WL)中的一者或一者以上觀“可連接到恒定電壓源而所述多個(gè)字線(WL)觀中的其余部分可連接到可變電壓源。舉例來說，字線(WL)中的一者或一者以上觀“可連接到接地。 在另一實(shí)例性實(shí)施例中，一個(gè)或一個(gè)以上字線(WL) 28"可連接到供應(yīng)預(yù)定電壓電位的恒定電壓源。一個(gè)或一個(gè)以上字線(WL)28〃可配置成預(yù)定布置。舉例來說，可針對(duì)每隔一個(gè)字線(WL) 28，插入一個(gè)或一個(gè)以上字線(WL) 28〃。橫截面視圖A-A是沿所述俯視圖的線(A-A)截取，橫截面視圖B-B是沿所述俯視圖的線(B-B)截取且橫截面視圖C-C是沿所述俯視圖的線(C-C)截取。如橫截面視圖A-A 中所示，字線(WL)觀可布置于在第二定向上延伸的勢(shì)壘壁140的頂部上。字線(WL08及勢(shì)壘壁140可布置于襯底130的頂部上。橫截面視圖B-B可圖解說明存儲(chǔ)器單元陣列20中的一行存儲(chǔ)器單元12。在第一定向上延伸的勢(shì)壘壁140可分離存儲(chǔ)器單元陣列20的每一存儲(chǔ)器單元12列。舉例來說， 勢(shì)壘壁140可分離存儲(chǔ)器單元12的多個(gè)區(qū)(例如，N+源極區(qū)120、P主體區(qū)122及N+漏極區(qū) 1 )。橫截面視圖C-C可圖解說明存儲(chǔ)器單元陣列20中的一列存儲(chǔ)器單元12，其類似于圖3的橫截面視圖。在實(shí)例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元陣列20的每一行及/或列可包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元12。字線(WL)觀可布置于在第二定向上延伸的勢(shì)壘壁140的頂部上。圖9顯示根據(jù)本發(fā)明第二替代實(shí)施例具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元12的存儲(chǔ)器單元陣列 20的一部分的俯視圖及橫截面視圖。圖9中所圖解說明的俯視圖及橫截面視圖可類似于圖 7中所示的俯視圖及橫截面視圖。多個(gè)勢(shì)壘壁140可在第一定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第一平面延伸。此外，多個(gè)勢(shì)壘壁140可在第二定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第一平面延伸。在第一定向及第二定向上延伸的多個(gè)勢(shì)壘壁140可形成存儲(chǔ)器單元12可形成于其中的溝槽區(qū)。如上文所論述，每一字線(WL)觀可在第二定向上沿存儲(chǔ)器單元陣列20的第二平面延伸。存儲(chǔ)器單元陣列20可具有在第二定向上延伸的多個(gè)字線(WL)28。舉例來說，沿存儲(chǔ)器單元陣列20的行方向的存儲(chǔ)器單元12可不共享字線(WL) 28。字線(WL08可配置于存儲(chǔ)器單元陣列12的兩個(gè)側(cè)上以電容性施加電壓電位。在另一實(shí)例性實(shí)施例中，字線 (WL) 28可配置于存儲(chǔ)器單元12的虛擬行902上。存儲(chǔ)器單元12的虛擬行902可使存儲(chǔ)器單元12行不與另一存儲(chǔ)器單元12行共享字線(WL) 28。橫截面視圖A-A是沿所述俯視圖的線(A-A)截取，橫截面視圖B是沿所述俯視圖的線(B-B)截取且橫截面視圖C是沿線(C-C)截取。舉例來說，字線(WL)觀可布置于在第二定向上延伸的勢(shì)壘壁140的頂部上。字線(WL)觀及勢(shì)壘壁140可布置于襯底130的頂部上。橫截面視圖B-B可圖解說明存儲(chǔ)器單元陣列20中的一行存儲(chǔ)器單元12。在第一定向上延伸的勢(shì)壘壁140可分離存儲(chǔ)器單元陣列20的每一存儲(chǔ)器單元12列。舉例來說， 勢(shì)壘壁140可分離存儲(chǔ)器單元12的多個(gè)區(qū)(例如，N+源極區(qū)120、P主體區(qū)122及N+漏極區(qū) 1 )。橫截面視圖C-C可圖解說明存儲(chǔ)器單元陣列20中的一列存儲(chǔ)器單元12，其類似于圖3的橫截面視圖。在實(shí)例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元陣列20的每一行及/或列可包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元12。字線(WL)觀可布置于在第二定向上延伸的勢(shì)壘壁140的頂部上。兩個(gè)虛擬存儲(chǔ)器單元行902可配置在存儲(chǔ)器單元12行的相鄰行處。本發(fā)明在范圍上并不受限于本文中所述的特定實(shí)施例。確實(shí)，根據(jù)先前說明及隨附圖式，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了除本文中所描述之外的本發(fā)明的其它各種實(shí)施例及修改。因此，此類其它實(shí)施例及修改打算歸屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，雖然本文中已在特定環(huán)境中的用于特定目的的特定實(shí)施方案的背景下描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到其使用性并不限于此且可受益地在任一數(shù)目的環(huán)境中出于任一數(shù)目的目的來實(shí)施本發(fā)明。因此，應(yīng)依照本文中所述的本發(fā)明的全面寬度及精神來解釋上文所述的權(quán)利要求書。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，其布置成行與列的陣列，每一存儲(chǔ)器單元具有 第一區(qū)，其連接到在第一定向上延伸的源極線； 第二區(qū)，其連接到在第二定向上延伸的位線；主體區(qū)，其與字線間隔開且電容性耦合到所述字線，其中所述主體區(qū)為電浮動(dòng)的且安置在所述第一區(qū)與所述第二區(qū)之間；第一勢(shì)壘壁，其在所述陣列的所述第一定向上延伸；及第二勢(shì)壘壁，其在所述陣列的所述第二定向上延伸且與所述第一勢(shì)壘壁相交以形成經(jīng)配置以容納所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的每一者的溝槽區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述第一區(qū)及所述第二區(qū)為N摻雜區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述主體區(qū)為P摻雜區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述主體區(qū)為未經(jīng)摻雜區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述第一勢(shì)壘壁及所述第二勢(shì)壘壁由絕緣氧化物材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述第一勢(shì)壘壁及所述第二勢(shì)壘壁形成于P型襯底上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線沿所述主體區(qū)的一側(cè)而安置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線的高度類似于所述主體區(qū)的高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線鄰近于所述主體區(qū)的一側(cè)及所述第一區(qū)的至少一部分的一側(cè)而安置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線沿所述主體區(qū)的一側(cè)及所述第二區(qū)的至少一部分的一側(cè)而安置。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線沿所述主體區(qū)的一側(cè)、所述第一區(qū)的一側(cè)的至少一部分及所述第二區(qū)的一側(cè)的至少一部分而安置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線的高度短于所述主體區(qū)的高度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線具有矩形橫截面形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線具有U形橫截面形狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線具有L形橫截面形狀。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線電容性耦合到多個(gè)所述主體區(qū)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線耦合到恒定電壓電位。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述字線耦合到接地電壓電位。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述存儲(chǔ)器單元陣列包括分離所述存儲(chǔ)器單元的鄰近行的虛擬存儲(chǔ)器單元行。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述源極線在配置于所述第一區(qū)下面的平面中的所述第一定向上延伸。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述位線在配置于所述第二區(qū)上面的平面中的所述第二定向上延伸。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中所述位線經(jīng)由位線接觸件連接到所述第二區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明揭示用于提供半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)?？蓪⑺黾夹g(shù)實(shí)現(xiàn)為包含布置成行與列的陣列的多個(gè)存儲(chǔ)器單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。每一存儲(chǔ)器單元可包含第一區(qū)，其連接到在第一定向上延伸的源極線；第二區(qū)，其連接到在第二定向上延伸的位線；及主體區(qū)，其與字線間隔開且電容性耦合到所述字線，其中所述主體區(qū)為電浮動(dòng)的且安置在所述第一區(qū)與所述第二區(qū)之間。所述半導(dǎo)體裝置還可包含第一勢(shì)壘壁，其在所述陣列的所述第一定向上延伸；及第二勢(shì)壘壁，其在所述陣列的所述第二定向上延伸且與所述第一勢(shì)壘壁相交以形成經(jīng)配置以容納所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的每一者的溝槽區(qū)。
文檔編號(hào)G06F13/00GK102365628SQ201080014243
公開日2012年2月29日 申請(qǐng)日期2010年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
發(fā)明者克里斯蒂安·卡亞, 正泰·權(quán), 皮埃爾·C·法贊, 維克托·I·科爾迪亞維, 邁克爾·A·范巴斯柯克 申請(qǐng)人:美光科技公司